「じすけ」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

分割練り混ぜ工法における一次水量決定方法例文帳に追加

DETERMINATION OF PRIMARY WATER AMOUNT IN DIVIDING KNEADING AND MIXING METHOD - 特許庁

ケース４には、受け枠３を保持する保持部６を設ける。例文帳に追加

The case 4 is provided with a holding part 6 holding the receiver frame 3. - 特許庁

保持手段は、前記受付手段で受付けたデータを保持する。例文帳に追加

The holding means holds data received in the reception means. - 特許庁

領域表示部２０４は、図形の入力を受け付ける画面を表示する。例文帳に追加

A region display part 204 displays a screen for accepting input of the graphic. - 特許庁

釣竿受け用の保持具１は、釣竿を支持する竿受け２を保持するためのものである。例文帳に追加

This holding tool 1 for receiving the fishing rod is used for holding the rod receiver 2 for supporting the fishing rod. - 特許庁

線形予測モデル次数決定装置、線形予測モデル次数決定方法、そのプログラムおよび記録媒体例文帳に追加

LINEAR PREDICTION MODEL ORDER DETERMINATION DEVICE AND METHOD, AND PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM THEREOF - 特許庁

レジスト膜、該レジスト膜を用いたレジスト塗布マスクブランクス及びレジストパターン形成方法、並びに、化学増幅型レジスト組成物例文帳に追加

RESIST FILM, RESIST COATED MASK BLANK USING RESIST FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION - 特許庁

（ｋ２＋１）〜最終バイトまでのバイト数Ｋに相当する次数Ｍを求め、その次数Ｍから基準次数と残り次数Ｒを求める（ＳＴ１２）。例文帳に追加

An order M, corresponding to the number K of bytes from (k2+1) to the final byte, is found, and a reference order and a residual order R is found from the order M (ST12). - 特許庁

第二レジストを第一レジストマスクの第一レジスト開口に形成して、第二レジストマスクを形成（Ｓ６）する。例文帳に追加

A second resist mask is formed by forming a second resist at a first resist aperture of the first resist mask (S6). - 特許庁

本発明は均一な膜厚でレジストの塗布を行うレジスト膜形成方法、レジスト膜形成装置及びレジスト膜を提供する。例文帳に追加

To provide a resist film formation method for applying resist with uniform film thickness, a resist film formation apparatus, and a resist film. - 特許庁

厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法例文帳に追加

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR THICK-FILM RESIST FILM FORMATION, THICK-FILM RESIST LAMINATE AND RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法例文帳に追加

POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR THICK FILM RESIST FILM FORMATION, THICK FILM RESIST LAMINATE, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子例文帳に追加

PHOTORESIST POLYMER, PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST PATTERN-FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ—ン形成方法、及び半導体素子例文帳に追加

PHOTORESIST CROSS-LINKING AGENT, PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ—ン形成方法、及び、半導体素子例文帳に追加

PHOTORESIST CROSS-LINKING AGENT, PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ—ンの形成方法、及び半導体素子例文帳に追加

PHOTORESIST CROSSLINKER, PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

そしてレジスト３ａの上にレジスト３ａより小型のレジスト３ｂを形成する。例文帳に追加

A resist 3b smaller than the resist 3a is formed on the resist 3a. - 特許庁

トランジスタＰ１〜Ｐ３間及びトランジスタＰ４〜Ｐ６間に、それぞれトランジスタＰ２，Ｐ５を接続する。例文帳に追加

Transistors P2 and P5 are respectively connected among transistors P1-P3 and transistors P4-P6. - 特許庁

フォトレジスト保護膜用組成物、フォトレジスト保護膜およびフォトレジストパターン形成方法例文帳に追加

COMPOSITION FOR PHOTORESIST PROTECTIVE FILM, PHOTORESIST PROTECTIVE FILM AND METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN - 特許庁

ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法例文帳に追加

POSITIVE RESIST COMPOSITION, MULTILAYER RESIST MATERIAL USING THE SAME AND RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

フォトレジスト組成物、フォトレジスト組成物の塗布方法およびレジストパターンの形成方法例文帳に追加

PHOTORESIST COMPOSITION, METHOD FOR COATING THE PHOTORESIST COMPOSITION, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN - 特許庁

基板９１に感光性のレジストを塗布してレジスト層９３を形成する（レジスト塗布工程）。例文帳に追加

A photosensitive resist is applied to a substrate 91 to form a resist layer 93 (a resist application process). - 特許庁

レジストカバー膜用処理ブロック１２において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。例文帳に追加

In the resist cover film processing block 12, a resist cover film is formed on the resist film. - 特許庁

レジスト膜を現像してレジストパターンが形成されたレジスト原盤とする。例文帳に追加

A resist film is developed to obtain the resist master disk in which the resist patterns are formed. - 特許庁

ポジ型レジスト組成物、サーマルフロー用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法例文帳に追加

POSITIVE RESIST COMPOSITION, POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR THERMAL FLOW, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

ホトレジスト組成物用樹脂、ホトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法例文帳に追加

RESIN FOR PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN - 特許庁

桁上げ信号の活性化に応じて値が変化するビットを保持するレジスタは、活性レジスタである。例文帳に追加

A register holding bits having a value changing according to the activation of the carry signal is an active register. - 特許庁

レジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a resist composition and a resist pattern forming method using the resist composition. - 特許庁

熱リソグラフィー用レジスト組成物、レジスト積層体、レジストパターン形成方法例文帳に追加

RESIST COMPOSITION FOR THERMAL LITHOGRAPHY, RESIST LAMINATE, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN - 特許庁

レジスト組成物用重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法例文帳に追加

POLYMER FOR RESIST COMPOSITION, POSITIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

液浸露光プロセス用レジスト材料および該レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法例文帳に追加

RESIST MATERIAL FOR IMMERSION EXPOSURE PROCESS AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING RESIST MATERIAL - 特許庁

ポジ型レジスト組成物の製造方法、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING POSITIVE RESIST COMPOSITION, POSITIVE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

液浸露光プロセス用レジスト組成物および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法例文帳に追加

RESIST COMPOSITION FOR LIQUID IMMERSION LITHOGRAPHY PROCESS, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING IT - 特許庁

レジスト基板、レジストパターン形成方法及びレジスト基板の保存方法例文帳に追加

RESIST SUBSTRATE, RESIST PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR STORING RESIST SUBSTRATE - 特許庁

化学増幅型ホトレジスト組成物、レジスト層積層体およびレジストパタ−ン形成方法例文帳に追加

CHEMICALLY AMPLIFIED PHOTORESIST COMPOSITION, RESIST LAYER LAMINATE AND RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びレジスト組成物の製造方法例文帳に追加

RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING THE RESIST COMPOSITION - 特許庁

レジスト組成物用樹脂、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法例文帳に追加

RESIN FOR RESIST COMPOSITION, NEGATIVE TYPE RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN - 特許庁

レジスト用樹脂、化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法例文帳に追加

RESIN FOR RESIST, CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

液浸露光プロセス用レジスト組成物、該レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法例文帳に追加

RESIST COMPOSITION FOR LIQUID IMMERSION EXPOSURE PROCESS AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN BY USING THE RESIST MATERIAL - 特許庁

第二日文字表示面５２２ｆには、単独で１桁の日付を表示する数字が設けられ、かつ、十の位だけを表示する数字が設けられる。例文帳に追加

A second date letter display surface 522f is provided with numbers independently displaying a one-digit date and numbers for displaying only the ten place. - 特許庁

フォトレジスト用アクリル系樹脂及びフォトレジスト組成物例文帳に追加

ACRYLIC RESIN FOR PHOTORESIST AND PHOTORESIST COMPOSITION - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びかかるトランジスタを形成する方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMATION THEREOF - 特許庁

フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び、半導体素子例文帳に追加

PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子例文帳に追加

PHOTORESIST COMPOSITION, PHOTORESIST PATTERN FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子例文帳に追加

PYRENE-BASED ORGANIC COMPOUND, TRANSISTOR MATERIAL AND LIGHT EMITTING TRANSISTOR ELEMENT - 特許庁