「ジクロロシラン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ジフェニルジクロロシランと、他のハロシラン（ジクロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン、モノクロロシラン）から選択された少なくとも一種（メチルフェニルジクロロシランなど）とを、マグネシウム金属成分、リチウム化合物及び金属ハロゲン化物の存在下、非プロトン性溶媒中で反応させ、コポリシラン（環状コポリシランなど）を製造する。例文帳に追加

The copolysilane (a cyclic copolysilane or the like) is produced by reacting diphenyldichlorosilane with at least one kind (e.g. methylphenyldichlorosilane) selected from other halosilanes (e.g. dichlorosilane, trichlorosilane, tetrachlorosilane and monochlorosilane) in the presence of a magnesium metal component, a lithium compound and a metal halide in nonprotonic solvent. - 特許庁

次に、処理ガス導入管１７からジクロロシランを供給するとともに、イソプロピルアミンとを供給する。例文帳に追加

Next, dichlorosilane is supplied from a processing gas introduction tube 17, and isopropylamine is supplied. - 特許庁

反応管１１は、ＴＥＯＳの分解によりシリコン酸化膜を形成し、アンモニアとジクロロシランの反応によりシリコン窒化膜を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film is formed by resolving TEOS(tetra ethoxy silane), and a silicon nitride film is formed by reacting ammonia and dichlorosilane in a reacting tube 11. - 特許庁

反応管２内にジクロロシランおよびイソプロピルアミンが導入されると、これらが反応管２内で加熱される。例文帳に追加

When the dichlorosilane and the isopropylamine are introduced into the reaction tube 2, they are heated in the reaction tube 2. - 特許庁

ジメチルジクロロシランの製造に対して改善を示す、ミュラー−ロッショーによるメチルクロロシランの直接合成法を提供する。例文帳に追加

To provide a direct synthetic method for methylchlorosilane with a Mueller-Rochow method which exhibits an improvement in the production of dimethyldichlorosilane. - 特許庁

次に、反応管２内を所定の温度に昇温し、昇温した反応管２内にジクロロシランを供給する。例文帳に追加

Then, the temperature of the inside of the reaction tube 2 is made to rise to a predetermined temperature, and dichlorosilane is supplied to the inside of the reaction tube 2 whose temperature has been made to rise. - 特許庁

この方法では、トリメチルクロロシラン存在下でオルガノハイドロジェンジクロロシランを水と接触させてＭ停止加水分解物を形成する。例文帳に追加

This method for the production of the linear organohydrogensiloxane comprises contacting an organohydrogendichlorosilane with water in the presence of trimethylchlorosilane to form an M-stopped hydrolyzate. - 特許庁

ミュラー・ロッショーによるメチルクロロシランの直接合成のための方法において、ジメチルジクロロシランの製造に関して改良を示す方法を提供する。例文帳に追加

To provide a improved method for production of dimethyldichlorosilane in a method for direct synthesis of methylchlorosilane by Mueller-Rochow. - 特許庁

トリクロロシラン（ＴＣＳ）からホウ素化合物を除去するとともに、再利用可能な化合物をＴＣＳに変換して、ジクロロシラン（ＤＣＳ）およびその他の化合物を効果的に再利用する。例文帳に追加

To remove boron compounds from trichlorosilane (TCS) and to effectively reuse dichlorosilane (DCS) and other compounds by converting such reusable compounds into TCS. - 特許庁

窒素を含有するガスとジクロロシランとを反応させて一方の窒化シリコン膜２０１を形成し、窒素を含有するガスとシリコンおよび塩素からなる化合物とを反応させて他方の窒化シリコン膜２０３を形成する。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming one silicon nitride film 201 by reacting a gas containing a nitrogen with a dichlorosilane, and forming the other silicon nitride film 203 by reacting the gas containing the nitrogen with a compound containing silicon and chlorine. - 特許庁

これにより、供給されたジクロロシランが活性化して、反応管２を構成する石英中に含まれる汚染物質と反応し、石英中から汚染物質が除去される。例文帳に追加

Thus, the supplied dichlorosilane is activated, and made to react to contaminant contained in quartz configuring the reaction tube 2, and the contaminant is removed from the quartz. - 特許庁

ジメチルジクロロシランに関連して選択率を維持しながら生産性が高められうる、ミュラー−ロッホウによる、メチルクロロシランの直接合成法。例文帳に追加

To provide a direct synthetic method of methylchlorosilane, by which the productivity can be raised while maintaining the selectivity in relation to methyldichlorosilane by Muller-Rochow. - 特許庁

気相成長法による多結晶シリコンの製造に伴って反応炉から排出される排ガスから、１本の蒸留塔で高純度のジクロロシラン、トリクロロシラン及び四塩化珪素を安定的に回収する。例文帳に追加

To recover high purity dichlosilane, trichlosilane and silicon tetrachloride with one distillation column from a waste gas discharged from a reaction furnace together with the manufacture of polycrystalline silicon by the vapor growth method. - 特許庁

熱処理装置１の反応管２の下部には、ジクロロシランを供給する第１ガス導入管１３と、一酸化二窒素を供給する第２ガス導入管１４とが配設されている。例文帳に追加

The forming device of a silicon oxide film is constituted in a structure that a first gas introducing tube 13 for feeding dichlorosilane and a second gas introducing tube 14 for feeding dinitrogen monoxide are provided under the lower part of a reaction tube 2 of a heat-treating unit 1. - 特許庁

本製造方法は、メチルトリクロロシラン、ジアルキルジクロロシラン及びビストリアルキルシリルカルボジイミドを、有機塩基の存在下に重合してポリシリルカルボジイミドとする重合工程と、このポリシリルカルボジイミドを焼成する焼成工程と、を備える。例文帳に追加

The manufacturing method includes a polymerization process for polymerizing methyl trichlorosilane, diaklyl dichlorosilane and bis-trialkyl silyl carbodiimide in the presence of an organic base to obtain polysilyl carbodiimide and a firing process for firing the polysilyl carbodiimide. - 特許庁

ポリシラザンは、反応溶媒内に反応物として添加されたジクロロシラン、トリクロロシラン、およびアンモニアを触媒存在下で反応させることによって合成することができ、ポリスチレン換算重量平均分子量が２０００〜３００００であり、下記化学式（１）で示される。例文帳に追加

The polysilazane can be synthesized by reacting dichlorosilane, trichlorosilane and ammonia added in a reaction solvent as reactants in the presence of a catalyst, has 2,000-30,000 weight average molecular weight in terms of polystyrene, and is represented by chemical formula (1). - 特許庁

テトラアリールホウ素アニオンを含む有機ホウ素化合物に有機金属化合物を反応させ、得られる反応物をメチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシランなどの所定の珪素化合物と、炭化水素または鎖状エーテルを含む溶媒中で反応させることにより、芳香族有機ホウ素化合物を得る。例文帳に追加

This aromatic organoboron compound is obtained by reacting an organometallic compound with an organoboron compound containing the tetraarylboron anion and then reacting the resultant reaction product with a specified silicon compound such as methyltrichlorosilane or dimethyldichlorosilane in a solvent including a hydrocarbon or chain ether. - 特許庁

本発明の一つの側面によれば、ビス（第三ブチルアミノ）シラン生成物を含む液を生成するような十分な無水条件下で化学量論的に過剰のｔｅｒｔ−ブチルアミンをジクロロシランと反応させることを含む、ビス（第三ブチルアミノ）シラン製造方法が提供される。例文帳に追加

This specification provides, for example, a method for producing the bis(tert-butylamino)aminosilane in which tert-butylamine in a stoichiometrically excess amount is reacted with dichlorosilane under such an enough anhydrous condition that a solution containing a product of the bis(tert-butylamino)silane is formed. - 特許庁

パーメチルポリシランの物性を少量試料で正確に且つ迅速に予測するための分析方法、およびその分析結果に基づいてジメチルジクロロシランの反応条件を調整することを含むパーメチルポリシランの製造方法。例文帳に追加

To provide an analysis method for accurately and speedily predicting the properties of permethylpolysilane, even with a small amount of sample, and to provide a manufacturing method of permethylpolysilane, including adjustment of a reaction condition of dimethyldichlorosilane, based on the analysis result thereof. - 特許庁

１−メトキシカルボニル−２−メトキシピロリジンのようなＮ，Ｏ−アセタール誘導体とアセトンのようなケトン化合物とを、トリクロロシラン等のジクロロシラン誘導体、及び四塩化チタン等のルイス酸の存在下に反応させて、１−メトキシカルボニル−２−（２−オキソプロピル）ピロリジンのようなγ−アミノケトン誘導体を得る。例文帳に追加

A Y-aminoketone derivative such as 1- methoxycarbonyl-2-(2-oxopropyl) pyrrolidine is obtained by reacting an N,O- acetal derivative such as 1-methoxycarbonyl-2-methoxypyrrolidine with a ketone compound such as acetone in the presence of a dichlorosilane derivative such as trichlorosilane and a Lewis acid such as titanium tetrachloride. - 特許庁

ジメチルジクロロシランを反応させて得られたパーメチルポリシランをフラスコに入れ、フラスコを加熱することによって、パーメチルポリシランを熱分解し、熱分解による留出物をガスクロマトグラフィーで測定し、環状カルボシラン化合物に由来するピークの面積Ａと、デカメチルシクロペンタシランに由来するピークの面積Ｂとの比（Ａ／Ｂ）を算出する。例文帳に追加

The analysis method of permethylpolysilane includes pouring permethylpolysilane, resulting from reaction of dimethyldichlorosilane into a flask, thermally cracking the permethylpolysilane by heating the flask, measuring a distillate resulting from the thermal cracking using gas chromatography, and calculating the ratio (A/B) of an area A of a peak, derived from a cyclic carbosilane compound, to an area B derived from decamethylcyclopentasilane. - 特許庁

原料ガスとしてジクロロシランを使用し、９００〜１１５０℃、望ましくは１０００〜１１５０℃の温度範囲内でシリコンウェーハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させ、得られるエピタキシャルウェーハの成長速度方位依存性を低減させ、または、さらにエピタキシャルウェーハのエッジロールオフで評価される平坦度を優れたものとする。例文帳に追加

The epitaxial wafer is manufactured such that dichlorosilane is used as a material gas, a silicon layer is epitaxially grown on the surface of a silicon wafer at a temperature 900-1,150°C or preferably 1,000-1,150°C, growing azimuth dependency of an epitaxial wafer to be obtained is reduced, or the planarity evaluated with the edge roll off of the epitaxial wafer is made further superior. - 特許庁

原料ガスにトリクロロシラン、ジクロロシラン等のハロゲン化水素ケイ素ガスを使用し、クリーニングガスに塩化水素を使用するシリコンＣＶＤ装置において、反応炉に原料ガスを供給する経路とクリーニングガスを供給する経路とを反応炉入口部まで別系統で形成する。例文帳に追加

In a silicon CVD device in which gaseous hydrogen-silicon halide of trichlorosilane, dichlorosilane or the like used as a gaseous starting material, and hydrogen chloride is used as cleaning gas, a passage 21 feeding the gaseous starting material and a passage 22 feeding the cleaning gas to a reaction furnace 2 are formed of another systems to the inlet part of the reaction furnace. - 特許庁