| 意味 | 例文 (463件) |
チタン薄膜の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 463件
バルク単結晶ＳＴＯは、低温で高い誘電率を示すため、超伝導や低温デバイスの実用化で極めて有用な誘電体であるにも関わらず、薄膜化すると誘電率が低下してしまうという欠点があったが、上記欠点を克服したチタン酸ストロンチウム積層体を誘電体とする平行平板コンデンサを提供することにある。例文帳に追加
To provide a parallel flat plate capacitor that uses a strontium titanate laminate as a dielectric, which has solved the problem wherein a bulk single crystal STO's dielectric constant drops when used as a thin film although it is a very useful dielectric in practically using a superconducting or low temperature device because of its high dielectric constant at a low temperature. - 特許庁
本発明は、窒化チタン薄膜本来の高摺動特性（耐摩耗性、低摩擦係数）を損なわずに、その耐高温腐食性を向上させた、蒸気タービン、ガスタービン等の高温で運転される回転機械に用いられる軸受又はシールなどの摺動部材に好適な硬質膜を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a hard film of which the high temperature corrosion resistance is improved without deteriorating the intrinsic high sliding characteristics (wear resistance and low friction coefficient) of titanium nitride thin film and which is suitable for sliding member, such as bearing and seal, used for a rotary machine operated at high temperature, e.g. a steam turbine and a gas turbine. - 特許庁
スパッタリングにて、位相および透過率を制御した光学薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットに於いて、前記スパッタリングターゲットが金属とシリコンと炭素からなり、前記金属がＺｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｃｒ（クロム）なる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。例文帳に追加
The sputtering target for depositing an optical thin film having a controlled phase and transmittance by sputtering is characterised in that it comprises metal and silicon, and the metal is at least one kind of metal selected from the group consisting of Zr (zirconium), Mo (molybdenum), W (tungsten), Ta (tantalum), Ti (titanium), Hf (hafnium) and Cr (chromium). - 特許庁
本発明は、酸化アルミニウムと酸化チタンの交互の層からなる、実質的にアルカリ金属を含まないガラス基板上に堆積された薄膜構造の絶縁膜、ならびにエレクトロルミネセンスデバイスに関し、その絶縁膜がケイ光物質層と誘電体層との間に絶縁層として挿入されている。例文帳に追加
An insulating film for a thin-film structure is deposited on a glass board not substantially containing alkali metal consisting of alternately laid layers of aluminum oxide and titanium oxide and thereby an electroluminescence device is formed, wherein the insulating film is interposed as insulating layer between a fluorescent material and a dielectric substance layer. - 特許庁
プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。例文帳に追加
A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load. - 特許庁
薄膜磁気ヘッドは、基板上に電磁変換のための磁気回路層、絶縁層を形成してなるが、絶縁層をクロム、チタン、シリコンなどの添加によって硬質化、また、絶縁層と金属層との間、基板と絶縁層との間に、窒化アルミニウム、ダイヤモンド状炭素、テトラヘドラルアモルファス状炭素などの硬質膜を設置することなどで偏摩耗量を抑制する。例文帳に追加
The deviated abrasion is prevented by hardening the insulation layer with addition of chromium, titanium, silicon or the like and by disposing a hard film composed of aluminum nitride, diamond-like carbon, tetrahedral amorphous carbon or the like between the insulation layer and a metal layer or between the substrate and the insulation layer. - 特許庁
強誘電体薄膜形成用のターゲットに用いる、チタン酸ジルコン酸鉛とＰｂＯの結晶組織からなる組成式：Ｐｂ_ｘ（Ｚｒ_１−ａＴｉ_ａ）_ｙＯ_ｚで表される複合酸化物焼結体であって、前記組織は、ＥＰＭＡ面分析で測定されるＰｂＯ相の大きさが１〜５μｍであり、また前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ及びａは下記の三つの要件を満たしていることを特徴とする焼結体などによって提供。例文帳に追加
The sintered compact is a compound oxide sintered compact used for the target for forming the ferroelectric thin film, comprising a crystal structure of lead zirconate titanate and PbO, and expressed by a composition formula: Pb_x(Zr_1-aTi_a)_yO_z. - 特許庁
第１電極１は、例えばチタン系金属やアルミニウム系金属のような金属または導電体からなる基板（基体）１０の表面を、強誘電体薄膜１１で覆ったもので、その表面が計測対象の溶液７や物質に含まれる酸や塩基に対して十分な耐久性を有するものとなっている。例文帳に追加
In the first electrode 1, a surface of a substrate (base body) 10 comprising metal such as, for example, titanium metal and aluminum metal, or a conductor is coated with a ferroelectric substance thin film 11, and the surface has the sufficient durability against an acid or a base contained in a solution 7 and a substance of a measuring object. - 特許庁
層状チタン酸化物をナノレベルの厚さで剥離することによって得られるチタニアナノシートを出発物質とし、このチタニアナノシートをカチオン性ポリマー溶液で処理した任意の基板上に厚さを制御して積層し、加熱し、ｃ軸配向性を有するアナターゼ結晶ないしはその薄膜を得、回収する。例文帳に追加
The anatase crystal having orientation in the c-axial direction or its thin film is obtained and recovered by using a titania nano-sheet obtained by peeling a layered titanium oxide in nano-level thickness as a starting material, laminating the titania nano-sheet on an optional substrate treated with a cationic polymer solution with controlled thickness and heating. - 特許庁
プラスチックレンズ基材と、プラスチックレンズ基材上に形成されたハードコート層と、ハードコート層の上に形成された有機薄膜で構成される反射防止膜とを有するプラスチックレンズにおいて、無機酸化物微粒子としてルチル型の結晶構造を有する酸化チタンを含有するコ−ティング用組成物からハードコート層を形成する。例文帳に追加
The plastic lens comprises a plastic lens base material, a hard coat layer formed on the plastic lens base material, and an antireflection thin film comprising an organic thin film formed on the hard coat layer, wherein the hard coat layer is formed from a coating composition containing titanium oxide having a rutile crystalline structure as inorganic oxide fine particles. - 特許庁
薄膜トランジスタの層間絶縁膜に設けられたソース領域又はドレイン領域に達する第一のコンタクトホールと、層間絶縁膜に設けられたゲート電極に達する第二のコンタクトホールと、第一のコンタクトホール及び第二のコンタクトホールにそれぞれ形成された配線とを有し、該配線に第一のチタン膜と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜と、第二のチタン膜とが積層した構造を用い、且つアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜がアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜に流動性を付与する元素を有することにより、コンタクト不良を低減することができる。例文帳に追加
In the wiring, a first titanium film 401, aluminum or a film 402 with aluminum as a main component, and a second titanium film 404 are laminated, and aluminum or the film with aluminum as a main constituent has an element for giving fluidity to aluminum or the film with aluminum as a main constituent, thus reducing a contact fail. - 特許庁
半導体基板表面の絶縁膜上に積層されたチタン及び白金の積層膜からなる下部電極と、下部電極上に積層された金属酸化物からなる高誘電体膜と、高誘電体膜上に積層された上部電極とを備えた薄膜高誘電体キャパシタにおいて、チタンの膜厚が、絶縁膜と白金との接着性を保ち、かつ白金の膜厚の１２％以下とし、かつＢａＳｒＴｉＯ_３からなる高誘電体膜の厚さを２３０〜３１０ｎｍの範囲に設定する。例文帳に追加
The film thickness of titanium is set to maintain the bonding performance of the insulating film and platinum, and set so as to be not more than 12% of the film thickness of platinum, and the thickness of the high dielectric film configured of BaSrTiO_3 is set so as to be ranging from 230 to 310nm. - 特許庁
強誘電体薄膜形成用のターゲットに用いる、チタン酸ジルコン酸鉛とＰｂＯの結晶組織からなる組成式：Ｐｂ_ｘ（Ｚｒ_１−ａＴｉ_ａ）_ｙＯ_ｚで表される複合酸化物焼結体であって、前記組織は、平均結晶粒径が３〜７μｍかつ最大空隙径が２μｍ以下であるとともに、Ｐｂ成分が均一分散されており、また前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ及びａは下記の三つの要件を満たしていることを特徴とする焼結体などによって提供。例文帳に追加
The compound oxide sintered body to be used for a target for depositing the ferroelectric thin film has a composition formula : Pb_x(Zr_1-aTi_a)_yO_z consisting of the crystalline structure of lead titanate zirconate and PbO. - 特許庁
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