「ピエゾ効果素子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

応力の蓄積が一定値以上になるとセンサ素子２にはピエゾ効果或いはマイクロクラックによる電磁気的放射が起きる。例文帳に追加

When the accumulation of stress becomes equal to or more than a fixed value, electromagnetic radiation caused by as piezoelectric effect or mircocrack occurs in the element 2. - 特許庁

ピエゾ圧電効果素子を用いて、被加工材に正確に、かつ高速に凹凸を形成することが可能な表面加工機を提供する。例文帳に追加

To provide a surface processing machine capable of forming irregularities on a work piece precisely and at high speed by using a piezoelectric effect element. - 特許庁

そして、芳香液噴出ヘッド１３ａ〜１３ｄは、ピエゾ素子の電歪効果を利用したインクジェット方式の液体噴出装置から構成される。例文帳に追加

The liquid aroma injecting heads 13a-13d are constituted of ink jet type liquid injectors using electrostriction effects of piezoelectric elements. - 特許庁

ピエゾ素子を用いて鉄道車両用の車体の振動を低減する際に、装置を大型にすることなく振動低減の効果を高める。例文帳に追加

To improve the effect of reducing vibrations without making a device larger when the vibrations of a body for a railway vehicle are reduced by using a piezoelectric element. - 特許庁

本発明の遊技機１は、遊技の効果音を出力する手段として圧電セラミックス等のピエゾ素子からなるピエゾスピーカ１０を備え、音声データを増幅器３５にて増幅して前記ピエゾスピーカ１０から音声として出力する構成の遊技機において、前記ピエゾスピーカ１０の出力を断続的にオン・オフするスピーカ制御手段を備える。例文帳に追加

The game machine 1 includes piezo speakers 10 each composed of a piezo element such as a piezoelectric ceramic as a means for outputting sound effects for a game, and the sound data is amplified at the amplifier 35 to be output from the piezo speaker 10 as sound. - 特許庁

半導体式圧力センサ（半導体センサ）４は半導体基板上にピエゾ抵抗効果を有する感圧素子を形成し、前記感圧素子を用いてブリッジ回路２１を構成するとともに、薄肉のダイアフラム部を有する。例文帳に追加

In a semiconductor-type pressure sensor (a semiconductor sensor) 4, pressure-sensitive elements having a piezoresistance effect are formed on a semiconductor substrate, a bridge circuit 21 is constituted by using the pressure-sensitive elements, and a thin-wall diaphragm part is provided. - 特許庁

駆動用ピエゾ圧電効果素子の通電開始点（Ｓ点）から所定時間Ｔが経過したＲ点までは検出用ピエゾ圧電効果素子から出力される信号を処理せず、所定時間Ｔが経過して加工具の先端が被加工材の表面に接して生じる信号を表面検出信号Ｍとして処理する。例文帳に追加

A signal output from the piezoelectric effect element for detection is not processed up to an R point where specified time T passes from an electrification starting point (S point) of the piezoelectric effect element for driving, and a signal generated as the specified time passes and a head end of a processing tool makes contact with a surface of the work piece is processed as a surface detection signal M. - 特許庁

低いピエゾ効果と共に良好な結晶品質を示すＩｎ含有窒化ガリウム系半導体層を含む窒化ガリウム系半導体光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride-based semiconductor optical device that includes an In-containing gallium nitride-based semiconductor layer that exhibits low piezoelectric effect and high crystal quality. - 特許庁

誘電体材料を加圧した際に静電容量が変化するピエゾ誘電効果を利用した感圧センサ素子１において、誘電体材料として反強誘電体セラミックス板２若しくは反強誘電体単結晶板を用いた。例文帳に追加

In the pressure sensitive sensor element 1 using the piezo-dielectric effect where the capacitance varies when the dielectric material is pressurized, an antiferroelectric ceramic plate 2 or an antiferroelectric single crystal plate is used as the dielectric material. - 特許庁

応答速度の低下や閾値電流密度の増加などの問題点を発生させることなく、ピエゾ効果による電子−正孔の再結合確率の低下を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting element in which a lowering in recombination probability of electron and hole due to piezoelectric effect can be suppressed without causing such a problem as a lowering in response or an increase in threshold current density. - 特許庁

コントローラ３４は、噴射終了時においてノズルニードル６の閉弁側への付勢力が作用してピエゾ素子１９に発生する起電力をモニタ信号として用いて、横効果用配線２３，２４へ駆動電圧を供給してピエゾ素子１９を伸長させた際の残留変位を除去する。例文帳に追加

In the controller 34, the energizing force against the nozzle needle of the valve opening is at work at the end of injection, electromotive force generated on the piezo element 19 is used as a monitor signal, the driving voltage is supplied into the wirings for horizontal effect 23, 24, and then residual deformation is removed at the time of extending the piezo element 19. - 特許庁

半導体式圧力センサ４は半導体基板上にピエゾ抵抗効果を有する圧力検出用の感圧素子を形成し、前記感圧素子を用いてブリッジ回路を構成するとともに、前記ブリッジ回路の出力を補正する複数のラダー抵抗（抵抗素子）を前記半導体基板上に形成する。例文帳に追加

In a semiconductor pressure sensor 4, a pressure sensitive element for pressure detection having a piezo resistance effect is formed on a semiconductor board, and a bridge circuit is constituted by using the pressure sensitive element, and plural ladder resistances (resistance elements) for correcting the output of the bridge circuit are formed on the semiconductor board. - 特許庁

アルミ合金パイプ先端に円筒型半透明樹脂中空カプセルを接合し、そのカプセル内にピエゾ効果の電圧を利用した圧電素子とそれに接続された発光素子を装着させ、カプセルに衝撃又は振動を与えることにより閃光を発する。例文帳に追加

The cylindrical translucent resin hollow capsule is connected to the tip end of an aluminum alloy pipe, and a piezoelectric element making use of the voltage of piezoelectric effect and a light-emitting element are connected thereto are mounted in the capsule for emitting scintillation by applying an impact or vibration on the capsule. - 特許庁

ピエゾ分極により電子を供給する半導体電界効果トランジスタにおいて、パッケージへの半導体素子の搭載により新たに加わる応力を低減することによって、電気的特性変化を低減し、搭載後の特性ばらつきを抑制する構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure which restrains characteristic dispersion after mounting by reducing electrical characteristic variation by reducing stress newly applied when a semiconductor element is mounted on a package in a semiconductor field effect transistor for supplying electron by piezo polarization. - 特許庁

ピエゾ抵抗効果が出現する抵抗路が、応力非集中領域または応力集中領域のいずれか一方にのみ形成されていると、力と出力の間に比例関係が得られる範囲が拡大し、あるいは力検知素子の検知感度が向上する。例文帳に追加

When the resistance track in which the piezoresistance effect appears is formed in either the non-concentration region of stress or the concentration region of stress, the range where the proportional relation between the force and the output is expanded, or the detection sensitivity of the element for detecting force is improved. - 特許庁

圧力導入孔１２を有するハウジング１０と、ピエゾ抵抗効果を有する半導体素子よりなる圧力検出素子２２と、圧力検出素子２２を固着するホルダ３０と、コネクタケース７０とを有し、圧力検出素子２２とホルダ３０とを気密に接合して内部空間７２を形成した圧力センサ本体からなる。例文帳に追加

The pressure sensor body comprises a housing 10 having a pressure introducing hole 12, a pressure detection element 22 consisting of a semiconductor element having a piezo-resistance effect, a holder 30 adhering the pressure detection element 22, a connector case 70, and an inner space 72 which is formed by connecting hermetically the pressure detection element 22 and the holder 30. - 特許庁

微細加工により作製した梁片持ち梁１Ａと、片持ち梁１Ａからなる抵抗体の抵抗値が測定できる電極２、３とを有し、片持ち梁１Ａに加わった微小な力を、ピエゾ抵抗効果により抵抗値の変化として検出するメカニカル検出素子において、電極２、３を通じて抵抗値を測定する対象がカーボンナノチューブ４により構成される。例文帳に追加

The mechanical detection element, wherein the minute force impressed on a cantilever 1A is detected by the change of resistance caused by the piezoelectric resistance effect, is constituted of: the micro-fabricated cantilever 1A; electrodes 2, 3 capable of measuring the resistance value of a resistance body composed of the cantilever 1A, and a carbon nanotube 4 for measuring the objective resistance through the electrodes 2, and 3. - 特許庁

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。例文帳に追加

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted. - 特許庁