「フォトレジスト膜」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

フォトレジスト膜の露光方法及びフォトレジスト膜の露光装置例文帳に追加

EXPOSURE METHOD FOR PHOTORESIST FILM AND EXPOSURE DEVICE FOR PHOTORESIST FILM - 特許庁

フォトレジスト用化合物、フォトレジスト膜、フォトレジスト材料、フォトレジスト液、およびこれらを用いるエッチング方法例文帳に追加

COMPOUND FOR PHOTORESIST, PHOTORESIST FILM, PHOTORESIST MATERIAL, PHOTORESIST SOLUTION, AND METHOD FOR ETCHING USING THEM - 特許庁

フォトレジスト材料、及びフォトレジスト膜の形成方法例文帳に追加

PHOTORESIST MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PHOTORESIST FILM - 特許庁

下層フォトレジスト膜をベーキングし、更に下層フォトレジスト膜上に光透過率の高いポジ型の上層フォトレジスト膜５２を成膜する。例文帳に追加

Then the film 50 is baked and a positive upper-layer photoresist film 52 having high light transmittance is formed on the film 50. - 特許庁

フォトレジスト下層膜材料、フォトレジスト下層膜基板及びパターン形成方法例文帳に追加

PHOTORESIST UNDERLAY FILM MATERIAL, PHOTORESIST UNDERLAY FILM SUBSTRATE, AND PATTERN FORMING METHOD - 特許庁

フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン化されたフォトレジスト膜の形成方法例文帳に追加

PHOTORESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PATTERNED PHOTORESIST FILM USING THE SAME - 特許庁

フォトレジスト膜３０が蒸着膜上に塗布される。例文帳に追加

A photoresist film 30 is applied on the deposition film. - 特許庁

ビアホール内を埋め込むように層間絶縁膜上に第１のフォトレジスト膜を塗布し、少なくともビアホール内の第１のフォトレジスト膜を露光した後、第１のフォトレジスト膜上に第２のフォトレジスト膜を塗布する。例文帳に追加

After an inter-layer insulating film is coated with a 1st photoresist film to fill the via hole and at least the 1st photoresist film in the via hole is exposed, the 1st photoresist film is coated with a 2nd photoresist film. - 特許庁

フォトレジスト用反射防止膜材料組成物例文帳に追加

ANTIREFLECTION FILM MATERIAL COMPOSITION FOR PHOTORESIST - 特許庁

光反射膜の上にフォトレジストを形成する。例文帳に追加

A photoresist is formed on the light reflective film. - 特許庁

フォトレジスト膜除去方法およびそのための装置例文帳に追加

METHOD FOR REMOVING PHOTORESIST FILM AND APPARATUS THEREFOR - 特許庁

次いでフォトレジスト膜７Ａを除去する。例文帳に追加

Then the photo resist film 7A is removed. - 特許庁

フォトレジスト組成物用の成膜性樹脂の製造方法例文帳に追加

PROCESS FOR PRODUCING FILM FORMING RESIN FOR PHOTORESIST COMPOSITION - 特許庁

次いで、フォトレジスト膜４２をアッシングにより除去する。例文帳に追加

Next, the photoresist film 42 is removed by ashing. - 特許庁

膜１０上にフォトレジスト層２０を形成する。例文帳に追加

A photoresist layer 20 is formed on a film 10. - 特許庁

さらに、現像液を用いてフォトレジスト膜を現像する。例文帳に追加

Further, the photoresist film is developed using a developer. - 特許庁

薄膜装置およびフォトレジストリフトオフ構造例文帳に追加

THIN FILM DEVICE AND PHOTORESIST LIFT-OFF STRUCTURE - 特許庁

ポジティブ型フォトレジスト膜の製造方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING POSITIVE PHOTORESIST FILM - 特許庁

厚膜形成用のフォトレジスト組成物例文帳に追加

PHOTORESIST COMPOSITION FOR THICK FILM - 特許庁

液浸リソグラフィプロセスに適用できるフォトレジスト保護膜、該保護膜を形成できるフォトレジスト保護膜用組成物、該フォトレジスト保護膜を用いたフォトレジストパターンの形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a photoresist protective film applicable for a liquid immersion lithographic process, to provide a composition for a photoresist protective film for forming the protective film, and to provide a method for forming a photoresist pattern using the photoresist protective film. - 特許庁

フォトレジスト膜除去方法及び装置例文帳に追加

METHOD OF ELIMINATING PHOTORESIST FILM, AND EQUIPMENT - 特許庁

フォトレジスト膜除去装置および方法例文帳に追加

APPARATUS AND METHOD OF REMOVING PHOTO RESIST FILM - 特許庁

フォトレジスト組成物用の成膜性樹脂の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING FILM-PRODUCING RESIN FOR PHOTORESIST COMPOSITION - 特許庁

この場合、フォトレジスト膜を５回形成する。例文帳に追加

In such a case, the photoresist films are formed five times. - 特許庁

そして、フォトレジスト膜１８をパターン形状に露光し、更に、フォトレジスト膜１８を現像することによりフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程を、２回以上に分けて行う。例文帳に追加

A photo resist pattern formation process of forming the photo resist pattern by exposing the photo resist film 18 in a pattern form and further developing the photo resist film 18 is performed separately two or more times. - 特許庁

高回転でフォトレジストを滴下してフォトレジストの使用量を低減するとともに、基板（ウェハ）上へのフォトレジストの成膜において高精度の面内膜厚精度を得ることができるフォトレジスト塗布技術を提供する。例文帳に追加

To provide a photo-resist application technique that can obtain highly accurate within-wafer film thickness precision in filming a substrate (wafer) with photo-resist as well as reducing a used amount of photo-resist by dropping the photo-resist during high-speed rotation. - 特許庁

続いて、絶縁膜１６上にフォトレジスト膜１８を成膜し、次いでフォトレジスト膜１８をパターニングする。例文帳に追加

Then, a photoresist film 18 is formed on the insulation film 16, and then the photoresist film 18 is subjected to patterning. - 特許庁

前記反射防止膜はフォトレジスト膜と共に露光されて現像可能な構造に変った後、前記フォトレジスト膜と同時に現像される。例文帳に追加

The antireflection film is exposed together with a photoresist film to be converted to a developable structure and the antireflection film is developed simultaneously with the photoresist film. - 特許庁

フォトレジスト膜を、均一で、厚い膜厚で、且つ、低コストで形成できるフォトレジスト膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photoresist film forming method capable of forming a tick photoresist film which is uniform in thickness at a low cost. - 特許庁

次に、現像液溶解性膜上にフォトレジスト膜を形成し、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を露光する。例文帳に追加

A photoresist film is then formed on the developer soluble film, and the photoresist film is exposed through a photomask. - 特許庁

酸化シリコン膜２の上にフォトレジスト１の膜を形成する（図２（ａ））。例文帳に追加

The film of a photoresist 1 is made on a silicon oxide film 2 (Fig. 2 (a)). - 特許庁

上部電極材料膜１２の上にフォトレジスト膜３１を形成する。例文帳に追加

A photoresist film 31 is formed on the upper electrode material film 12. - 特許庁

フォトレジスト膜に他のフォトマスクを有する他の半導体パターンを引き続いて転写させてその膜に他のフォトレジストパターンを形成する。例文帳に追加

Successively, a semiconductor pattern with the other photomask is transcribed in the photoresist film to form the other photoresist pattern in the film. - 特許庁

フォトレジスト膜にフォトマスクによる半導体パターンを転写させその膜にフォトレジストパターンを形成する。例文帳に追加

A semiconductor pattern by a photomask is transcribed in the photoresist film to form a photoresist pattern in the film. - 特許庁

露光時にフォトレジスト膜から飛散したパーティクルがフォトレジスト膜に付着することを抑制する。例文帳に追加

To inhibit particles scattered from a photoresist film, upon exposure, from sticking to the photoresist film. - 特許庁

オゾン水を用いたフォトレジスト膜の剥離を迅速かつ確実に行うことができるフォトレジスト膜除去装置および方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus and method of removing a photo resist film which can rapidly and surely peel off the photo resist film using ozone water. - 特許庁

次に、フォトレジスト膜３０の全面に露光光を照射して溝２５の外部のフォトレジスト膜３０を露光する。例文帳に追加

Then the entire surface of the photoresist film 30 is irradiated with a light, so that the photoresist film 30 outside of the channel 25 is exposed. - 特許庁

フォトレジスト膜等の除去工程を有する半導体装置の製造方法及びフォトレジスト膜除去装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING STEP OF REMOVING PHOTORESIST FILM OR THE LIKE AND PHOTORESIST FILM REMOVING DEVICE - 特許庁

（ａ）層状膜１（１２０）上に、（ｂ）フォトレジスト（１３０）を堆積し、（ｃ）フォトレジスト（１３０）を露光現像後、（ｄ）層状膜１（１２０）を加工する。例文帳に追加

A photoresist 130 is deposited on a layer type film 120 and after the photoresist 130 is exposed and developed, the film 120 is processed. - 特許庁

また、フォトレジスト膜３の除去前にフォトレジストカバー膜７を形成し、フォトレジスト膜３とフォトレジストカバー膜７とを同時に除去することにより、水溶性樹脂膜２に形成された溝６を保護することができる。例文帳に追加

A photoresist cover film 7 is formed prior to the removal of the photoresist film 3 and the photoresist film 3 and the photoresist cover film 7 are simultaneously removed, by which the grooves 6 formed at the water-soluble resin film 2 may be protected. - 特許庁

次いで、上層及び下層フォトレジスト膜に露光処理及び現象処理を施して、トレンチ内に下層フォトレジスト膜を残し、トレンチ領域以外のポリシリコン膜８上の上層フォトレジスト膜及び下層フォトレジスト膜を除去する。例文帳に追加

Thereafter, the upper and lower-layer photoresist films 52 and 50 on the polysilicon film 8 are removed, except those in the trench region so that the film 50 is left in the trenches by exposing and developing the films 50 and 52. - 特許庁

このトナー画像をマスクとして、フォトレジスト膜を露光する。例文帳に追加

This toner image is used as a mask to expose the photoresist film. - 特許庁

つづいて、アミン系剥離液を用いてフォトレジスト膜を除去する（Ｓ２０）。例文帳に追加

Subsequently, the photoresist film is removed using an amine system peeling liquid (S20). - 特許庁

フォトレジスト膜の紫外線硬化方法および紫外線硬化装置例文帳に追加

ULTRAVIOLET CURING METHOD OF PHOTORESIST FILM AND ULTRAVIOLET CURING DEVICE - 特許庁

第２無機膜ＨＤ上に第２フォトレジストマスクＲ２が形成される。例文帳に追加

A second photoresist mask R2 is formed on the second inorganic film HD. - 特許庁