「フォトレジスト膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

フォトレジスト工程で一般的に用いられるアルカリ現像が可能であり、現像時の密着性が高く、高感度などの現像特性に優れ、かつ解像度に優れた感光特性を有し、しかも耐熱性、透明性、低誘電率、低吸水率、高段差平坦化性などの絶縁膜としての諸特性に優れるポジ型感光性樹脂組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive type photosensitive resin composition which permits alkaline development generally used in a photoresist process, has a high adhesion during development and excellent development characteristics, such as high sensitivity, has photosensitive characteristics, such as excellent resolution, and excels in various characteristics as an insulating film, such as heat resistance, transparency, low dielectric constant, low water absorption, and high level difference planarization. - 特許庁

液浸リソグラフィシステムで、フォトレジスト膜が形成された複数のウェーハを、液浸媒体を利用する液浸リソグラフィ工程によって露光した後、所定の周期が経過したとき、露光工程中に液浸媒体が接触した領域をエーテル系溶剤と、アルコール系溶剤と、準水系溶剤とを含む洗浄液を使用して洗浄する。例文帳に追加

In the immersion lithography system, areas that an immersion medium comes into contact with during an exposure process is cleaned using the cleaning fluid containing the ether-based solvent, alcohol-based solvent, and semi-water type solvent when a predetermined period has elapsed after a plurality of wafers each having a photoresist film formed are exposed in the immersion lithography process using the immersion medium. - 特許庁

フォトマスクを介したフォトレジストの塗布膜への露光、現像処理によりカラーフィルタを構成するパターンを形成する際に、フォトマスクの異物や汚れに起因した、パターンの欠陥及び規格外のパターンの発生を回避するフォトマスクの交換頻度を減少させるフォトマスクの洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for cleaning a photomask for avoiding occurrence of pattern defects and patterns beside specification caused by foreign matter or contamination of a photomask and for decreasing the frequency of exchanging photomasks in a process of forming a pattern constituting a color filter by exposure and development of a photoresist coating film through a photomask. - 特許庁

シリコン等の基板上に回路等のパターンを生成する場合において、構成の簡略化及び処理コストの低減化を実現し、シリコン基板から剥離したフォトレジスト及び金属膜などの汚れがシリコン基板上に再付着するのを防止し得るウエット処理方法及びウエット処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wet processing method and a wet processing device that simplify a configuration and reduce processing costs when the pattern of a circuit etc., is formed on the substrate of silicon etc., and prevent dirt of photoresist, a metal film, etc., peeled from the silicon substrate from re-sticking on the silicon substrate. - 特許庁

第１食刻工程を通じてマスクであるフォトレジストパターンの構造的な安定性を保持しながら、第１寸法を有するトレンチを形成した後、半導体基板または絶縁膜の種類により相異する組成を有する食刻溶液を使用する第２食刻工程を通じてトレンチの寸法を拡張させることができる。例文帳に追加

While holding the constitutive stability of the photoresist which is the mask through the first etching process, the dimensions of the trench can be expanded through a second etching process, using an etchant provided with a composition which is different according to the type of the semiconductor substrate or the insulating film, after forming the trench having the first dimension. - 特許庁

第１の露光、現像工程に引き続くの第２露光工程において、照射光Ｒ2の光度を、第２フォトレジスト膜３´の照射光Ｒ2により照射されたエリアにおいて後順の第２現像工程で溶解除去され得る程度に感光した飽和感光領域ｄ´が、図示されるような断面が台形の先窄み形状となるまで低減させる。例文帳に追加

In a second exposure step following a first exposure and development step, the luminous intensity of irradiation light R2 is decreased to such a degree that a region d' with saturation exposure in the area irradiated with the irradiation light R2 in a second photoresist film 3' to be dissolved and removed in the succeeding second development step has a trapezoidal converged profile in the cross section as shown in the figure. - 特許庁

ウエハ５上のフォトレジスト膜を感光させない２波長以上の連続スペクトル光を照明光源８から縮小投影レンズ３を介してアライメントマークに照射し、そのアライメントマークからの反射光を反射鏡１８で縮小投影レンズ系の外部に取り出し、色収差補正レンズ１６により色収差の補正を行う。例文帳に追加

An alignment mark is irradiated through a reduction projecting lens 3 with continuous spectrum lights in two or more wavelength for preventing a photoresist film on a wafer 5 from being sensitized from an illuminating light source 8, and reflected lights from the alignment mark are extracted to the outside part of the reduction projecting lens system by a reflecting mirror 18, and chromatic aberration is corrected by a chromatic aberration correcting lens 16. - 特許庁

フォトレジスト滴下終了後、一旦１００ｒｐｍの低速回転を２．５秒間行った後、所望のレジスト膜厚を得るための乾燥ステップを２２４０ｒｐｍの中速回転にて１５秒間行い、エッジリンスを１５００ｒｐｍの中速回転にて１１秒間行い、塗布作業を完了する。例文帳に追加

After the photo-resist drop ends, low speed rotation of 100 rpm is temporarily carried out for 2.5 seconds; a drying step for acquiring desired resist film thickness is carried out for 15 seconds by middle speed rotation of 2,240 rpm, edge rinse is carried out for 11 seconds by middle speed rotation of 1,500 rpm, and an applying operation completes. - 特許庁

転写ロール１０の残留物を除去し、スリットノズル１２を用いてフォトレジストの塗布膜４０を設け、乾燥し、レーザー光によってパターン描画し、現像、水洗を行って、転写ロール表面にレジストパターン４１を形成し、加熱加圧によってガラス基板３０に転写、ベークしてガラス基板上にレジストパターン４１を形成する。例文帳に追加

The resist pattern 41 is formed on the glass substrate by forming a resist pattern 41 on a transferring roll surface by removing a residual substance on a transferring roll 10, providing a photoresist coated film 40 using a slit nozzle 12, drying it, pattern drawing with a laser beam, developing it and washing it with water and by transferring it to the glass substrate 30 and baking it by heating and pressurizing. - 特許庁

レジスト膜が存在する物品上に粘着シートを貼り付け、この粘着シートとレジスト膜とを一体に剥離操作して、物品上のレジスト膜を除去する方法において、上記のレジスト膜は、フォトレジスト組成物中に熱膨張性微小球を含むレジスト材を用いて形成され、この膜を上記の剥離操作前に加熱して、熱膨張性微小球を発泡させることを特徴とするレジスト除去方法。例文帳に追加

In the method for removing a resist in which a pressure sensitive adhesive sheet is stuck on an article on which a resist film exists and the pressure sensitive adhesive sheet and the resist film are simultaneously stripped to remove the resist film on the article, the resist film is formed using a resist material containing thermally expansive microspheres in a photoresist composition and this film is heated before the stripping to expand the thermally expansive microspheres. - 特許庁

本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device in which a smaller photomask pattern stage can be achieved by performing an etching stage for photomask patterns using photosensitive film patterns as an etch-stop layer after forming the photosensitive film patterns between the photomask patterns by using a self-alignment system using negative photoresist and then performing a heat treatment stage for expanding the photoresist film patterns. - 特許庁

本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。例文帳に追加

Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film. - 特許庁

ａ）紫外光域において強力かつ均一に吸光し、ｂ）レジスト材料を「崩れ」させたり、意図したレジストラインよりはみ出ることのない、ｃ）フォトレジスト現像剤および上記のＳＯＧ反射防止膜の製造工程に対して感応することのない、吸収性スピンオンガラス反射防止膜およびリソグラフィー材料が、層状材料、電子部品、および半導体部品の製造を発展させるために望まれている。例文帳に追加

To provide an absorbable spin-on glass anti-reflection film and lithography material that a) can absorb a light strongly and evenly in a region of ultraviolet light, b) does not "collapse" a resist material or run off an intended resist line, and c) does not react photoresist developer in a manufacturing process of an SOG anti-reflection film to develop manufacture of layered materials, electronic components, and semiconductor components. - 特許庁

フォトレジスト膜を露光および現像することによって形成されるレジストパターン上に塗布し、該レジストパターンを熱処理後現像することで微細化させるための材料であって、該レジストパターン縮小化材料は、孔径４０ｎｍ以下のフィルターで濾過された炭素数１〜１２の直鎖状もしくは分岐状アルキル基のアルコールを含む液体であり、さらに界面活性剤および／または水を含有する。例文帳に追加

The resist pattern miniaturization material is the material applied on the resist pattern formed by exposing and developing a photoresist film and miniaturizing the resist pattern by developing after the heat treatment, a liquid including alcohol of a straight-chain or forked alkyl group having one to twelve (12) carbon number filtered by a filter having a hole diameter of not more than 40 nm, and includes an interfacial active agent and/or water. - 特許庁