「フォトレジスト膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目)

コンタクトホール２４の内部のフォトレジスト膜２７が除去され、コンタクトホール２２、２３の内部にはフォトレジスト膜２７の一部が残る露光量でフォトレジスト膜２７に露光処理を施すことでコンタクトホール２２、２３の内部にのみフォトレジスト膜２７を残し、それ以外のフォトレジスト膜２７を除去する。例文帳に追加

The photo resist film 27 inside the contact hole 24 is removed, and exposure treatment is made to the photo resist film 27 with the amount of exposure for allowing one portion of the photo resist film 27 to remain inside the contact holes 22 and 23, thus allowing the photo resist film 27 to remain merely in the contact holes 22 and 23, and removing the other photo resist films 27. - 特許庁

金属板２１０の両面にフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト膜２２０及び２３０を形成し（ステップＳ１０２）、引き続き、フォトレジスト膜２２０及び２３０の露光と現像を行い、孔を開ける部分のフォトレジスト膜２２０及び２３０を残すように、他のフォトレジスト膜２２０及び２３０を除去する（ステップＳ１０３）。例文帳に追加

In the metal processing method, photoresist liquid is applied on both sides of a metal plate 210 to form photoresist films 220 and 230 (step S102), then the photoresist films 220 and 230 are exposed and developed so that the photoresist films 220 and 230 are removed while leaving the photoresist films 220 and 230 of the portions where holes are opened (step S103). - 特許庁

ウェハー表面保護のために、パターン形成可能領域をフォトレジストで覆うフォトレジスト被覆工程と、フォトレジスト被覆工程に続いて、剥がれの原因となる不要膜を除去できる薬液を用いて、不要膜のみを完全に除去する不要膜除去工程と、その後、前記ウェハー表面保護用のフォトレジストを剥離するフォトレジスト剥離工程とを有する半導体装置の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of coating a photoresist covering a pattern-formable region for protecting the surface of the wafer, completely removing only the unwanted films, after the photoresist coating step, by the use of chemicals capable of removing the unwanted films causing the peel off, and peeling off the photoresist for protecting the surface of the wafer. - 特許庁

開示されているフォトレジストパターンの形成方法は、化学増幅系フォトレジストからなるフォトレジスト膜１２を半導体基板１１上に塗布した後に、フォトレジスト膜１２内の保護基の離脱反応を促進するためのＰＥＢ処理より前の段階で、フォトレジスト膜１２上に親水基を含有する界面活性剤の水溶液を塗布して界面活性剤層１８を形成する。例文帳に追加

This photoresist pattern forming method is carried out in such a manner that a photoresist film 12 formed of chemical sensitizing photoresist is applied on a semiconductor substrate 11, and a surfactant water solution which contains hydrophilic groups is applied on the photoresist film 12 to form a surfactant layer 18, at a stage precing PEB treatment, that is carried out for promoting an elimination reaction of a protective group in the photoresist film 12. - 特許庁

フォトレジスト層に形成された開口部を非感光性有機膜で埋め込み、フォトレジスト層上の非感光性有機膜をフォトレジスト層が露出するまで全面エッチバックし、フォトレジスト層全面を露光及び現像してフォトレジスト層を除去することで、所望するパターンの非感光性有機膜を得ることにより上記の課題を解決する。例文帳に追加

An opening formed in a photoresist layer is filled with a non- photosensitive organic film, then the non-photosensitive organic film formed on the photoresist layer is etched back until the photoresist layer is exposed, and all the surface of the photoresist layer is exposed to light and developed, by which the photoresist layer is removed, and a non-photosensitive organic film having a required pattern can be obtained. - 特許庁