「フォトレジスト膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

メッキ下地膜６１の上に反射防止膜６２を形成し、次に、反射防止膜６２を覆うフォトレジスト６３を塗布する。例文帳に追加

An antireflection film 62 is formed on the plating ground film 61 and thence a photoresist 63 to cover the antireflection film 62 is applied thereon. - 特許庁

次いで、フォトレジスト１７をマスクとして、ポリシリコン膜１６、ＯＮＯ膜１５及びポリシリコン膜１３を順次エッチングにより除去する。例文帳に追加

Then the photoresist 17 is used as a mask to successively remove the polysilicon film 16, an ONO film 15 and a polysilicon film 13 by etching. - 特許庁

その後、フォトレジスト膜１８をマスクとして絶縁膜１６およびエッチストッパ膜１５をエッチングする。例文帳に追加

After that, the insulation film 16 and the etching stopper film 15 are etched with the photoresist film 18 as a mask. - 特許庁

半導体基板１上に絶縁膜２を形成し、絶縁膜２上にフォトレジスト膜３を形成する。例文帳に追加

An insulating film 2 is formed on a semiconductor board 1, and a photoresist film 3 is formed on the insulating film 2. - 特許庁

有機ポリシロキサン膜の低誘電率特性を損なわずに該膜上のフォトレジスト膜を除去可能なプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method by which a photoresist film can be removed from the surface of an organic polysiloxane film without deteriorating the low dielectric constant characteristic of the polysiloxane film. - 特許庁

フォトレジスト膜５７を除去後、シリコン酸化膜５２をマスクとしてルテニウム膜５５をエッチングし、下部電極５１を形成する。例文帳に追加

The photoresist film 57 is removed, and the ruthenium film 55 is etched by using the silicon oxide film 52 as a mask, so that a lower electrode 51 can be formed. - 特許庁

フォトレジスト膜５をリソグラフィにて形成し、ＲＩＥによりＳｉＮ膜４ａをパターニングして絶縁膜マスク４を形成する（ｂ）。例文帳に追加

A photoresist film 5 is formed through lithography, and the SiN film 4a is patterned by a RIE to form an insulation film mask 4 (b). - 特許庁

フォトレジスト膜７０をマスクとしてシリコン酸化膜７１をエッチングし、シリコン酸化膜からなるハードマスク７２を形成する。例文帳に追加

With the photoresist film 70 as a mask, the silicon oxide film 71 is etched, and a hard mask 72 consisting of the silicon oxide film is formed. - 特許庁

フォトレジスト膜ＰＲにおいて、ＯＣＢ膜４３を形成する部分の下方に、光反射膜４２を設ける。例文帳に追加

The photoresist film PR is provided with a light reflecting film 42 below a part where the OCB film 43 is formed. - 特許庁

この絶縁膜と電極膜上に保護膜を堆積し、第２の収縮性フォトレジストを形成し焼成する。例文帳に追加

A passivation is deposited on the insulating film and the electrode film and then a second contractile photoresist is formed and baked. - 特許庁

フォトレジスト膜５７をマスクとしてシリコン酸化膜５６をエッチングし、ハードマスクであるシリコン酸化膜５２を形成する。例文帳に追加

The silicon oxide film 56 is etched by using the photoresist film 57 as a mask, so that a silicon oxide film 52 which is a hard mask can be formed. - 特許庁

フォトレジスト４１をマスクとして、絶縁膜２３および導電膜３２をエッチングすることにより、導電膜３２に開口５１を形成する。例文帳に追加

An aperture 51 is formed to a conductive film 32, by etching an insulating film 23 and a conductive film 32 using a photoresist 41 as a mask. - 特許庁

反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたフォトレジストパターンが得られ、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、従来より広いフォーカス深度マージン及び高い解像度を有するリソグラフィー用反射防止膜を提供するものである。例文帳に追加

To provide an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, free of intermixing with a photoresist layer, giving an excellent photoresist pattern, having a higher dry etching rate than the photoresist and ensuring a larger margin for the depth of a focus and higher resolution than a conventional antireflection film. - 特許庁

ポリシリコン膜５上に所定のフォトレジストを形成する工程と、このフォトレジストを配線パターン形状に露光する工程と、露光したフォトレジストを現像処理してレジストパターン７Ａを形成する工程と、このレジストパターン７Ａに深紫外線を照射して、当該レジストパターン７Ａのパターン形状を補正する工程とを有するものである。例文帳に追加

This mask pattern forming method comprises a first process of forming a prescribed photoresist on a polysilicon film 5, a second process of projecting a wiring pattern onto the photoresist for light exposure, a third process of forming a resist pattern by developing the exposed photoresist, and a fourth process of correcting the resist pattern 7A on a pattern shape by irradiating the resist pattern 7A with far ultraviolet rays. - 特許庁

基板上のポジ型フォトレジストを全面パターン露光する工程を有するパターン形成方法において、ポジ型フォトレジスト２を基板１上に成膜し、基板全面にパターン露光を行った後、基板外周部におけるフォトレジストを現像液に不溶化させる処理を行い、その後現像を行うパターン形成方法。例文帳に追加

In a pattern formation method having a process for pattern exposing the whole face of a positive photoresist on a substrate, a positive photoresist 2 is formed on a substrate 1, and pattern exposure is carried out to the whole face of the substrate, and the photoresist at the outer peripheral part of the substrate is insolubilized in developer, and development is carried out. - 特許庁

前記基板の上にフォトレジスト層を形成するステップ、単一の露光プロセスで選択的に一部分のフォトレジスト層を取り除き、第一幅を有する第一部分の構造と、第二幅を有し、前記第一部分の構造の下にある第二部分の構造を含む第一フォトレジストパターンを形成するステップを含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

A method of manufacturing a thin film transistor comprises the steps of: forming a photoresist layer on a substrate; and selectively removing a part of the photoresist layer in a single exposure process and forming a primary photoresist pattern including a first part structure with a first width and a second part structure with a second width underlying the first part structure. - 特許庁

領域Ｆ１に反射抑制層３１を形成した状態においてフォトレジスト膜を露光してパターニングすることにより、開口３５Ｋの開口幅がシード層１２に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン３５を形成したのち、そのフォトレジストパターン３５の開口３５Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する。例文帳に追加

A photoresist pattern 35 is formed so that an aperture width of an aperture 35K is gradually narrowed as the aperture approaches a seed layer 12 by exposing a photoresist film to light while a reflection suppressing layer 31 is formed in an area F1 to perform patterning and then a precursor magnetic pole partial layer 13AZ is formed in the aperture 35K of the photoresist pattern 35. - 特許庁

誘電体膜１０８上には第１開口部を有するフォトレジストパターン１１０を形成し、第１開口部よりもサイズが小さい第２開口部となるように、フォトレジストパターン110を溶解し、開口部110a方向にフォトレジストの一部が流れるようにする原理を活用することで、開口部110aのサイズを小さくするようにする。例文帳に追加

A photoresist pattern 110 having a first opening is formed on the dielectric film 108, the photoresist pattern 110 is dissolved so that a second opening becomes smaller than the first one, and a principle for enabling the photoresist to flow in the direction of an opening 110a partially is used, thus reducing the size of the opening 110a. - 特許庁

このため、多結晶シリコン層６の上面にフォトレジストを塗布させ、フォトレジストを露光して抵抗素子２２に応じたレジストパターンを形成させるが、多結晶シリコン層６の上面は平坦でフォトレジストの膜厚を均一にできるので、定在波効果の影響が均一になり、レジストパターンの幅を均一にできる。例文帳に追加

Therefore, photoresist is applied onto the top surface of the polycrystalline silicon layer 6 and then exposed to light for the formation of a resist pattern conforming to the resistor 22, where the top surface of the polycrystalline silicon layer 6 is flat, and the photoresist film can be set uniform in thickness, so that the influence of a standing wave effect becomes uniform, and a resist pattern can be set uniform in width. - 特許庁

その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。例文帳に追加

Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask. - 特許庁

ここで、ストッパ膜４６を光反射率の低いＳｉＣＮ膜によって構成し、フォトレジスト膜５１を露光する際の反射防止膜として機能させることにより、フォトレジスト膜５１の下層に反射防止膜を形成する工程が不要となる。例文帳に追加

The stopper film 46 is composed of an SiCN film having low light reflectivity and since the photoresist film 51 functions as an antireflection film during exposure, a process for forming an antireflection film underlying the photoresist film 51 can be eliminated. - 特許庁

本発明に係る微細加工方法は、下地膜上にＤＬＣからなる反射防止膜２１を成膜する工程と、この反射防止膜２２上にフォトレジスト膜２３を塗布する工程と、このフォトレジスト膜２３を露光、現像する工程と、を具備するものである。例文帳に追加

The microfabrication method has a step for forming an antireflection film 21 comprising DLC(diamond-like carbon) on a base film, a step for coating the top of the antireflection film 22 with a photoresist film 23 and a step for exposing and developing the photoresist film 23. - 特許庁

ここで、ストッパ膜４６を光反射率の低いＳｉＣＮ膜によって構成し、フォトレジスト膜５１を露光する際の反射防止膜として機能させることにより、フォトレジスト膜５１の下層に反射防止膜を形成する工程が不要となる。例文帳に追加

Here, the stopper film 46 is constituted by SiCN film low in a modulus of light reflecting, furthermore, a process of forming anti reflective coating in a lower layer of the photoresist film 51 becomes unnecessary by making the photoresist film 51 functioned as the anti reflective coating at the time of exposure. - 特許庁

フォトレジストという,集積回路製造の際,金属蒸着薄膜の表面に塗布する感光性物質の膜例文帳に追加

a photosensitive film that is put on the surface of a metallic film in the manufacturing of an integrated circuit called photoresist  - EDR日英対訳辞書

最後に、前記レジスト膜２４及びフォトレジスト膜２５でマスクされた箇所を残してエッチングを施すことによってバンプ電極２７を形成する。例文帳に追加

Finally, etching is performed to leave the part masked with the resist film 24 and the photoresist film 25 thus forming bump electrodes 27. - 特許庁

この方法は、半導体基板の上部に感光性ポリイミド膜５９及びフォトレジスト膜６１を順に形成することを備える。例文帳に追加

This method includes a process of sequentially forming the photosensitive polyimide film 59 and a photoresist film 61 over a semiconductor substrate. - 特許庁

溝の内部に窒化金属膜を介して埋め込まれたフォトレジストのプラズマアッシングに際して、窒化金属膜の酸化を防止する。例文帳に追加

To prevent oxidation of a metal nitride film on the occasion of plasma ashing of photoresist embedded into the groove via the metal nitride film. - 特許庁

半導体基板２０にポリシリコン膜２２を形成し、ポリシリコン膜２２上にフォトレジストを塗布する。例文帳に追加

A polysilicon film 22 is formed on a semiconductor substrate 20, and photoresist is applied on the polysilicon film 22. - 特許庁

一方、ポリシリコン膜４Ｒはフォトレジスト６によって覆われているため、不純物７はポリシリコン膜４Ｒ内には注入されない。例文帳に追加

Meanwhile, since the polysilicon film 4R is covered by the photoresist 6, the impurity 7 is not injected in the polysilicon film 4R. - 特許庁

フォトレジスト膜のアッシングの際にルテニウム膜が浸食あるいは消失を受けることを防止する。例文帳に追加

To prevent the attack or loss of a ruthenium film when a photoresist film is subjected to ashing. - 特許庁

有機反射防止膜用架橋剤重合体、これを含む有機反射防止膜組成物及びこれを利用したフォトレジストのパターン形成方法例文帳に追加

CROSSLINKER POLYMER FOR ORGANIC ANTIREFLECTION FILM, ORGANIC ANTIREFLECTION FILM COMPOSITION CONTAINING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN UTILIZING THE SAME - 特許庁

フォトレジスト８で覆われることによってエッチングされなかった部分のポリシリコン膜７として、平板型のポリシリコン膜１０が形成される。例文帳に追加

Flat polysilicon films 10 are formed as the polysilicon films 7 in sections not etched being covered with photo-resists 8. - 特許庁

フォトレジストを除去後、この絶縁膜上に電極膜を堆積し、不要部をエッチング除去しパッド電極ＤＰ１０，ＤＰ２０とする。例文帳に追加

After removing the photoresist, an electrode film is deposited on the insulating film and unnecessary part is removed by etching to obtain pad electrodes DP10 and DP20. - 特許庁

第１無機膜ＨＵ上の第１フォトレジストマスクＲ１をマスクとして用いて第１無機膜ＨＵがエッチングされる。例文帳に追加

The first inorganic film HU is etched using a first photoresist mask R1 on the first inorganic film HU as a mask. - 特許庁

第２フォトレジストマスクＲ２および第１無機膜ＨＵをマスクとして用いて第２無機膜ＨＤがエッチングされる。例文帳に追加

The second inorganic film HD is etched using the second photoresist mask R2 and the first inorganic film HU as masks. - 特許庁

反射防止膜パターン１２５はフォトレジストパターン１３０に対して低いエッチング選択性を有する物質膜で形成することが望ましい。例文帳に追加

Preferably, a reflection prevention film pattern 125 is formed by a substance film having low etching selectivity to the photoresist pattern 130. - 特許庁

フォトレジストパターン４４、ポリマー膜４６及びビアホール４２の底面に露出された第１阻止膜３２を除去する。例文帳に追加

The first prevention film 32 exposed on the bottom face of a photoresist pattern 44, the polymer film 46 and the via hole 42 is removed. - 特許庁

フォトマスクはフォトレジスト膜をエッチングマスクとして使用してマスク膜を局所的にエッチングすることによって製造される。例文帳に追加

A photomask is fabricated by locally etching a mask layer, by using a photoresist layer as an etch mask. - 特許庁

この時、フォトレジスト膜１８の一部は、ウェハ１のベベル領域において保護膜１７上に重なるように形成する。例文帳に追加

There, the photoresist film 18 is formed so as to partially overlap the protective film 17, at the bevel region of the wafer 1 for formation. - 特許庁

(g) 全体をドライフィルム剥離液に浸漬してドライフィルムフォトレジストからなる閉塞膜４９及びその上の撥水膜４６を除去する。例文帳に追加

(g) The entirety is immersed into dry film stripping liquid and the choking film 49 comprising the dry film photoresist is removed along with the overlying water repellent film 46. - 特許庁

フォトレジスト法を用いた機能性複合膜、その製造方法ならびにその機能性複合膜を利用して有用物質を製造する方法例文帳に追加

FUNCTIONAL COMPOSITE MEMBRANE FORMED BY PHOTORESIST METHOD, ITS MANUFACTURING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING USEFUL SUBSTANCE BY UTILIZING FUNCTIONAL COMPOSITE MEMBRANE - 特許庁

絶縁膜２８上に第１フォトレジストパターンを形成し、絶縁膜２５〜２８を選択的に除去してビア用の開口部３０を形成する。例文帳に追加

A first photoresist pattern is formed on the insulating film 28, and opening parts 30 for vias are formed by selectively removing the insulating films 25-28. - 特許庁

その後、フォトレジストパターンＰＲ２を除去した後、絶縁膜６が分離溝４内に残されるように絶縁膜６をＣＭＰ処理する。例文帳に追加

After that, the photoresist pattern PR2 is removed and the insulation film 6 is subjected to a CMP treatment to make parts of the insulation film 6 left in the isolation grooves 4. - 特許庁

次いで、フォトレジストが該薄膜の辺縁に沿って、キャリアの辺縁領域上に延びるように、薄膜上にアプライされる。例文帳に追加

Then a photoresist is applied over the thin film extending over a peripheral region of the carrier along the perimeter of the thin film. - 特許庁

フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能である熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a thermosetting silicon-containing film-forming composition enabling good pattern formation of a photoresist film. - 特許庁