不純を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 14651件
拡散層18下で半導体基板11の表面から不純物領域17と同じ深さの半導体基板11内に、不純物領域17と同じ不純物濃度を持つ不純物領域19が形成されている。例文帳に追加
An impurity region 19 having the same impurity concentration with that of the impurity region 17 is formed at the same depth of that of the impurity region 17 from the surface of the semiconductor substrate 11 in the semiconductor substrate 11 under the diffusion layer 18. - 特許庁
不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加
IMPURITY DIFFUSION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
半導体シリコン基板の不純物拡散方法例文帳に追加
METHOD FOR DIFFUSING IMPURITIES IN SEMICONDUCTOR SILICON SUBSTRATE - 特許庁
不純物添加装置および半導体装置の作製方法例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD OF IMPURITY ADDIDING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
白金族不純物回収液及びその回収方法例文帳に追加
SOLUTION AND METHOD FOR RECOVERING PLATINUM GROUP IMPURITIES - 特許庁
基板10に不純物を拡散する不純物拡散方法では、まず、基板10において不純物を拡散すべき領域18に、不純物の拡散を防止するマスク材料を含む溶液を塗布する。例文帳に追加
In the impurity diffusion method of diffusing impurities into a substrate 10, a region 18 of the substrate 10 where impurities are diffused is coated, at first, with a solution containing a mask material that prevents diffusion of impurities. - 特許庁
水溶性ガス中の不純物のサンプリング方法例文帳に追加
SAMPLING METHOD OF IMPURITY IN WATER-SOLUBLE GAS - 特許庁
導電型が異なる不純物層を順に形成する場合に、先に形成した不純物層へのドーピング用の不純物が後に形成する不純物層に混入されることを抑制する。例文帳に追加
To suppress mixing of an impurity with which an impurity layer formed firstly is doped into an impurity layer formed secondly when the impurity layers of different conductivity types are formed in order. - 特許庁
シリコンウェハの金属不純物分析方法例文帳に追加
METHOD FOR ANALYZING METAL IMPURITIES OF SILICON WAFER - 特許庁
レーザ装置の不純物濃度計測装置例文帳に追加
MEASURING APPARATUS OF IMPURITIES CONCENTRATION FOR LASER DEVICE - 特許庁
不純物の除去方法およびその装置例文帳に追加
IMPURITIES REMOVING METHOD AND ITS DEVICE - 特許庁
ガス放電表示装置の不純ガス除去装置例文帳に追加
IMPURITY GAS ELIMINATING DEVICE FOR GAS DISCHARGE DISPLAY DEVICE - 特許庁
炭化水素精製用不純物吸着剤例文帳に追加
IMPURITY ADSORBENT FOR PURIFYING HYDROCARBON - 特許庁
半導体の不純物濃度の測定方法例文帳に追加
MEASURING METHOD OF IMPURITY CONCENTRATION OF SEMICONDUCTOR - 特許庁
捕捉された不純物はコンベア46上にまで沈降する。例文帳に追加
The captured impurities settle up onto the conveyor 46. - 特許庁
ソースおよびドレイン領域31は、相対的に第1導電型の不純物濃度が小さいp型低濃度不純物領域29と、相対的にp型不純物濃度が大きいp型高濃度不純物領域30とを含む。例文帳に追加
The source and drain regions 31 include a p-type low concentration impurity region 29 contain relatively low impurity concentration of the first conductivity type and a p-type high concentration impurity region 30 containing relatively high p-type impurity concentration. - 特許庁
さらに、第1不純物領域内に、第1不純物と同じ導電型を有する別の第2不純物を、第1不純物のドーズ量と第2のドーズ量の間で選択されたドーズ量でイオン注入する。例文帳に追加
Further, an ion plantation of a different second impurity having the same type of conductivity as the first impurity is carried out by a dose amount selected between the dose amount of the first impurity and that of the second impurity. - 特許庁
不純物は陽電極側と陰電極側に吸引される。例文帳に追加
Impurities are attracted to the positive and negative electrode sides. - 特許庁
製氷水タンクから不純物をスムーズに排出する。例文帳に追加
To smoothly discharge impurities from an ice-making water tank. - 特許庁
ホウ素含有溶液の不純物除去方法及び装置例文帳に追加
METHOD AND DEVICE FOR REMOVING IMPURITY IN BORON- CONTAINING SOLUTION - 特許庁
気体中に含まれる不純物を効率的に捕集する。例文帳に追加
To efficiently capture impurities contained in gas. - 特許庁
低屈折率の透明不純物捕捉膜およびその利用例文帳に追加
TRANSPARENT IMPURITY CAPTURING FILM WITH LOW REFRACTIVE INDEX, AND ITS UTILIZATION - 特許庁
不純物プロファイルの推定システム及び推定方法例文帳に追加
ESTIMATION SYSTEM AND ESTIMATION METHOD OF IMPURITY PROFILE - 特許庁
半導体素子の不純物濃度の測定方法例文帳に追加
METHOD FOR MEASURING IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁
そして、p^-不純物領域3aの濃度をp^-不純物領域4aの濃度よりも高くし、n^+不純物領域3bの濃度をn^+不純物領域4bの濃度よりも高くする。例文帳に追加
The concentration of the p- impurity region 3a is higher than that of the p- impurity region 4a, and the concentration of the n+ impurity region 3b is higher than that of the n+ impurity region 4b. - 特許庁
p^+型不純物領域33の不純物濃度はp型ウェル29の不純物濃度よりも高く、また、p^+型不純物領域33はp型ウェル29よりも浅く形成されている。例文帳に追加
The impurity concentration of the p+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the p+-type impurity region 33 is formed shallower than that in the p-type well 29. - 特許庁
クーラントタンクにおける固形不純物堆積防止装置例文帳に追加
SOLID IMPURITY DEPOSITION PREVENTION DEVICE FOR COOLANT TANK - 特許庁
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