不純を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 14651件
硫酸ニッケル水溶液の不純物除去方法例文帳に追加
METHOD OF REMOVING IMPURITIES FROM AQUEOUS SOLUTION OF NICKEL SULFATE - 特許庁
シリコンウェーハの不純物分析方法例文帳に追加
IMPURITY ANALYZING METHOD FOR SILICON WAFER - 特許庁
さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電型である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともに、これを第１不純物拡散領域２０より浅く形成する。例文帳に追加
Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive type reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further formed shallower than the first impurity diffusion region 20. - 特許庁
半導体基板の表層部に不純物を注入する。例文帳に追加
Impurities are implanted into a surface portion of a semiconductor substrate. - 特許庁
不純物除去方法及び装置、はんだ付装置例文帳に追加
METHOD AND DEVICE FOR ELIMINATING IMPURITIES, AND SOLDERING DEVICE - 特許庁
燃料電池システム及び不純物濃度推定方法例文帳に追加
FUEL CELL SYSTEM, AND IMPURITY CONCENTRATION ESTIMATION METHOD - 特許庁
第２導電型低濃度不純物層１６０は、第２導電型高濃度不純物層１７０を深さ方向及びチャネル長方向に拡張し、第２導電型高濃度不純物層１７０より不純物濃度が低濃度である。例文帳に追加
The second conductive type low concentration impurity layer 160 expands the second conductive type high concentration impurity layer 170 in depth direction and channel length direction so that it has an impurity concentration lower than the second conductive type high concentration impurity layer 170. - 特許庁
シリコン基板１の表面の不純物を除去する。例文帳に追加
An impurity on the surface of silicon substrate 1 is removed. - 特許庁
ｐ^＋型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^＋型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。例文帳に追加
The impurity concentration of the p^+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the depth of the p^+-type impurity region 33 is shallower than the depth of the p-type well 29. - 特許庁
溶融塩中不純物の分離回収方法および装置例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR SEPARATING AND RECOVERING IMPURITY IN MOLTEN SALT - 特許庁
不純物添加方法及び半導体装置の製造方法例文帳に追加
DOPANT DOPING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
⑤ 製造工程由来不純物試験例文帳に追加
4) Cell-derived bioactive compounds other than those that are the subject of the research - 厚生労働省
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造の半導体基板にアノード不純物領域１３とカソード不純物領域１４とを有する半導体装置１０であって、前記アノード不純物領域と前記カソード不純物領域との間に電圧制御用不純物領域１５を形成することを特徴とする半導体装置。例文帳に追加
The semiconductor device 10 has an anode impurity region 13 and a cathode impurity region 14 in a semiconductor substrate having an SOI (Silicon On Insulator) structure and comprises a voltage controlling impurity region 15, between the anode and cathode impurity regions. - 特許庁
アニール時における不純物の熱拡散がこの不純物拡散抑制層により抑制され、電気的接合深さが浅くなるとともに、不純物拡散層より浅い領域では不純物濃度が高濃度となり、不純物拡散層の抵抗を下げる。例文帳に追加
In annealing, the thermal diffusion of impurity is inhibited by the impurity diffusion inhibition layer, electrical junction depth becomes shallower, and at the same time impurity concentration becomes higher at a region being shallower than the impurity diffusion layer, thus reducing resistance in the impurity diffusion layer. - 特許庁
半導体基板にｎ型不純物のみを導入したｎ型高濃度不純物領域と型不純物とｐ型不純物とを導入したｎ型低濃度不純物領域と隣接して形成する際、セルフアライメントにより高精度に形成する。例文帳に追加
To accurately form an n-type high-concentration impurity region doped with only n-type impurities and an n-type low-concentration impurity region doped with n-type impurities and p-type impurities, by self-alignment when forming the n-type high-concentration impurity region and the p-type low-concentration impurity region on a semiconductor substrate adjacently to each other. - 特許庁
第２のＭＯＳトランジスタは、半導体基板内に設けられた第２の不純物領域と、第２の不純物領域に接触して半導体基板の上方に突出する第３の不純物領域と、第３の不純物領域上に第４の不純物領域とを有する第２のソース／ドレイン領域を有する。例文帳に追加
A second MOS transistor has a second source/drain region having a second impurity region arranged in the semiconductor substrate, a third impurity region projecting to the upper side of the semiconductor substrate while contacting the second impurity region, and a fourth impurity region on the third impurity region. - 特許庁
ソース領域３０ａおよびドレイン領域３０ｂの各々は、ｎ型ＴＦＴ３０のゲート電極１２の真下に形成された第１不純物領域５ｂ，５ｃと、第１不純物領域５ｂ，５ｃの不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第２不純物領域５ｆ，５ｇとを有している。例文帳に追加
The source area 30a and the drain area 30b are respectively provided with first impurity areas 5b and 5c formed right under the gate electrode 12 of the n-type TFT 30, and second impurity areas 5f and 5g whose impurity concentration is higher than that of the first impurity areas 5b and 5c. - 特許庁
たとえばｎ型のチャネル形成不純物領域２の一方と他方に接続したｎ型のソース不純物領域３とドレイン不純物領域４、チャネル形成不純物領域２内の表面側領域に形成されたｐ型のゲート不純物領域６およびゲート電極９を有する。例文帳に追加
The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2. - 特許庁
ｎ型ドレイン領域１４内で、半導体主表面から２μｍ以下の領域である不純物層の不純物濃度が、不純物層以外のｎ型ドレイン領域１４の不純物濃度より低い、所定の不純物濃度以下にする。例文帳に追加
Within an n-type drain region 14 in a semiconductor device, the impurity concentration of an impurity layer which is a region located by a 2 μm or smaller distance from the main surface of a semiconductor layer is set lower than a prescribed impurity concentration which is lower than the impurity concentration of the region 14, which is other than the impurity layer. - 特許庁
振動板１０を形成しない面の高濃度ｐ型不純物層２１ｂの不純物のドース量が振動板１０を形成する面の高濃度ｐ型不純物層２１ａの不純物のドース量よりも小さくなるように、シリコン基板２１の両面に高濃度ｐ型不純物層を形成した。例文帳に追加
Heavily doped p-type impurity layers are formed on the opposite sides of a silicon substrate 21 such that the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21b on the surface where a diaphragm 10 is not formed is lower than the dosage of impurities in a heavily doped p-type impurity layer 21a on the surface where the diaphragm 10 is formed. - 特許庁
水平転送チャネル３０と同じ不純物濃度分布を有したライン状の第１不純物領域６０に不純物を追加することにより、垂直転送チャネルの不純物濃度分布が水平転送チャネル３０の不純物濃度分布と異なる。例文帳に追加
In this solid-state image pickup device, the impurity concentration in the vertical transfer channel is made different from that in a horizontal transfer channel 30, by adding the impurity to a line-like first impurity area 60, having the same impurity concentration distribution as the channel 30 has. - 特許庁
第２サイドウォール２３Ａよりも外側で且つ第２高濃度不純物領域３２Ａよりも深い位置には、第１高濃度不純物領域３１Ａ及び第２高濃度不純物領域３２Ａよりも不純物濃度が低い、低濃度不純物領域３３Ａが形成されている。例文帳に追加
At a position located on the outer side of the second sidewall 23A and deeper than the second high-concentration impurity region 32A, a low-concentration impurity region 33A having impurity concentration lower than that of the first high-concentration impurity region 31A and the second high-concentration impurity region 32A is formed. - 特許庁
また、ｎ型不純物領域３の上にｐ型不純物領域４を形成する場合、ｎ型不純物領域３だけを先に形成したり、あるいは、ｎ型不純物領域３とｐ型不純物領域４の両方を先に形成することが可能である。例文帳に追加
Further, when a p-type impurity region 4 is formed on the n-type impurity region 3, only the n-type impurity region 3 is formed, in advance, or that both the n-type impurity region 3 and the p type impurity region 4 can be formed in advance. - 特許庁
このとき、シリコン膜のうちメモリセル部上の領域に第１の不純物濃度になるように不純物を添加し、ロジック回路部上の領域に、第１の不純物濃度よりも低濃度の第２の不純物濃度になるように不純物を添加する。例文帳に追加
The impurity is added to the area over a memory cell part of the silicon film so as to have a first impurity concentration, and to the area over a logic circuit part so as to have a second impurity concentration which is lower than the first impurity concentration. - 特許庁
整流素子は、第１の不純物濃度で不純物が導入された第１導電型の第１半導体領域と、第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度で不純物が導入された第２導電型の第２半導体領域とを有する。例文帳に追加
The rectifier has a first semiconductor region of a first conductive type to which an impurity of a first impurity density is injected and a second semiconductor region of a second conductive type to which an impurity of a second impurity density that is lower than the first impurity density is injected. - 特許庁
半導体基体１１には、素子分離領域１６が、所定の濃度をもって第１導電型不純物が導入された第１の選択的不純物導入領域１７と、第１の選択的不純物導入領域１７に比し低い所定の不純物濃度の第２導電型不純物が選択的に導入された第２の選択的不純物導入領域１８とによって構成される。例文帳に追加
On a semiconductor substrate 11, an element isolation region 16 comprises: a first selective impurity introduction region 17 to introduce a first conductivity type impurity of a prescribed concentration; and a second selective impurity introduction region 18 to which a second conductivity type impurity of a prescribed impurity concentration lower than the first selective impurity introduction region 17 is introduced selectively. - 特許庁
燃料電池の冷媒中の不純物を除去する不純物除去装置５０を備えた燃料電池の冷却装置であって、不純物除去装置５０は、不純物除去部材５１と、不純物除去部材５１を収容する容器５２と、不純物除去部材５１の劣化を検出する検出装置５３とを、備えている。例文帳に追加
Of the cooling device of the fuel cell equipped with the impurity removing device 50 removing impurities in a cooling medium of the fuel cell, the impurity removing device 50 is provided with an impurity removing member 51, a container 52 containing the impurity removing member 51, and a detecting device 53 detecting degradation of the impurity removing member 51. - 特許庁
ウェットエッチング工程においてウェットエッチング液が層間絶縁膜とレジスト膜との間に染み込む量である染み込み量は、硼素の不純物濃度と燐の不純物濃度との比によって変化し、Ｂ／Ｐ（硼素の不純物濃度／燐の不純物濃度）の値が大きいほど染み込み量が増加する傾向があるため、燐の不純物濃度に対する硼素の不純物濃度の割合を低く抑えるようにコントロールする。例文帳に追加
In a wet etching process, the quantity of a wet etching solution penetrated between a layer insulation film and a resist film varies depending on the impurity concentration ratio of boron to phosphorus, B/P, and it is controlled to reduce the proportion of the boron impurity concentration to the phosphorous impurity concentration since the penetration quantity tends to increase with the increase of the B/P ratio. - 特許庁
不純物を含む１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンから不純物を含まない１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンを得る。例文帳に追加
To obtain 1, 1, 1, 5, 5, 5-hexafluoroacetylacetone fred from impurity from 1,1,1,5,5,5-hexafluoroacetylacetone including impurities. - 特許庁
水素中に含まれる不純物又は水素に混入する不純物をオンラインで測定する装置を提供する。例文帳に追加
To provide an instrument for performing on-line measurement on impurities contained in hydrogen or impurities getting mixed in hydrogen. - 特許庁
活性水素含有不純物、及びハロゲン含有不純物の混在量の少ないグリシジル化合物の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a glycidyl compound having a low content of impurities containing active hydrogen and impurities containing a halogen. - 特許庁
不純物イオン吸着部材４０は、不純物イオンと錯体を形成することによって吸着を行う。例文帳に追加
The impurity ion adsorbing member 40 formes a complex with the impurity ion to perform adsorption. - 特許庁
ＳｉＣ基板１１に不純物イオンを注入して、ＳｉＣ基板１１内に不純物イオンのピークを有する注入層１２を形成する。例文帳に追加
An ion-implanted layer 12 having an impurity ion peak is formed in an SiC substrate 11 by implanting an impurity ion into the substrate 11. - 特許庁
基板へ不純物イオンを注入する際に不純物濃度の均一性を向上させることができるオン注入装置を提供する。例文帳に追加
To provide an ion implantation device capable of enhancing uniformity of impurity concentration when impurity ions are injected into a substrate. - 特許庁
マンガン酸化物の鉄不純物濃度を０．１ｐｐｍ以下、かつ、マンガン酸化物のナトリウム不純物濃度を０．１ｐｐｍ以下にすること。例文帳に追加
The iron impurity concentration of the manganese oxide is to be 0.1 ppm or smaller, and a sodium impurity concentration of the manganese oxide, 0.1 ppm or lower. - 特許庁
これにより、アモルファスシリコン膜１９におけるアモルファスシリコン中の不純物が十分拡散し、不純物濃度が均一になる。例文帳に追加
Thereby the impurities in amorphous silicon in the amorphous silicon film 19 are fully diffused, and the concentration of the impurities becomes uniform. - 特許庁
金属不純物を含む粗高分子化合物を、α−ジオキシム類と接触させることを特徴とする金属不純物の低減方法。例文帳に追加
The method for reducing the metal impurities comprises bringing the crude polymer compound having metal impurities into contact with an α-dioxime. - 特許庁
不純物拡散層３Ａ，３Ｂ上にエミッタ電極６を形成し、不純物固体拡散源２Ｂの開口部にコレクタ電極４を形成する。例文帳に追加
Emitter electrodes 6 are formed on the impurity diffusing layers 3A and 3B, and collector electrodes 4 are formed in the openings of the solid impurity diffusing source 2B. - 特許庁
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
