「不純」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

炭化水素を含む試料から不純物を効率的に吸着除去しうる炭化水素精製用不純物吸着剤を提供する。例文帳に追加

To provide an impurity adsorbent for purifying hydrocarbon that can efficiently adsorb and remove impurities from a sample containing hydrocarbon. - 特許庁

不純カードルからの不純ヘリウムガスの残部をヘリウム液化機の低温精製装置６１に送る。例文帳に追加

The remaining part of the impure gaseous helium from the impure cadre is sent to a low-temperature purification apparatus 61 of the helium liquefier. - 特許庁

硫黄系不純物及び有機珪素系不純物を含有する原ガスを低コストでコンパクトに精製することができるガス精製装置を提供する。例文帳に追加

To provide a gas purification apparatus which can compactly purify a raw gas containing sulfur impurities and organic silicon impurities at a low cost. - 特許庁

石英チューブ内の全域に亘り、半導体素子基板に均一な不純物拡散を行なうことができる不純物拡散装置を得ること。例文帳に追加

To obtain an impurity diffusion apparatus capable of performing a uniform impurity diffusion on semiconductor element substrates over the whole region in a quartz tube. - 特許庁

不純物イオン４２を注入して、下端部３２ｂａ外である半導体基板に、不純物イオン注入領域５２を形成する。例文帳に追加

Impurity ions 42 are injected to form an impurity ion injection area 52 on the semiconductor substrate 12, which is the outside of a lower end 32ba. - 特許庁

ここで、Ｐ型の不純物イオンの注入時のドーズ量は、Ｎ型の不純物イオンの注入の時のドーズ量よりも少なくする。例文帳に追加

The implantation dosage of the P-type impurity ions is smaller than that of the N-type impurity ions. - 特許庁

フォトレジストパターンをイオン注入マスクとして半導体基板に第２不純物層を形成し、第３不純物層を形成する。例文帳に追加

Second impurity layers are formed in the substrate using a photoresist pattern as an ion implantation mask and third impurity layers are formed in the substrate. - 特許庁

槽７は逆止弁２４により大気からの不純物の侵入を防止するので、安全弁２２に不純物の滞留することを抑止する。例文帳に追加

As the tub 7 prevents an invasion of impurities from the atmosphere by a check valve 24, impurities are prevented from staying in the safety valve 22. - 特許庁

チャネル領域３Ｃには不純物がイオン注入されており、不純物のイオン注入量が１×１０^１２ｃｍ^−２以上である。例文帳に追加

Impurity ions are implanted into a channel region 3C, and the implanting quantity of the impurity ions is not smaller than 1×10^12 cm^-2. - 特許庁

インバースモデリングにおいて、複数の不純物種が存在する場合でも不純物濃度分布の最適化を確実に行えるようにする。例文帳に追加

To ensure optimization of density distribution of impurities even in the case that a plurality of impurities exist in inverse modeling. - 特許庁

不純物濃度が均一で、かつ不純物濃度が低いチタンインゴットを製造することができる金属の溶解装置を提供する。例文帳に追加

To provide a melting apparatus for metal titanium capable of producing a titanium ingot in which the concentration of impurities is uniform and also low. - 特許庁

Ｎ型半導体層へのＰ型不純物の混入およびＰ型半導体層へのＮ型不純物の混入を防止すること。例文帳に追加

To prevent p-type impurities from mixing into an n-type semiconductor layer and n-type impurities from into a p-type semiconductor layer. - 特許庁

第１のシリサイド層１１にシリコンとニッケルの他にＮ型不純物とＰ型不純物を含める。例文帳に追加

In addition to silicon and nickel, n-type impurities and p-type impurities are contained in the 1st silicide layer 11. - 特許庁

不純物の注入された領域に、波長４００〜６５０ｎｍのパルスレーザビームを入射させて、注入された不純物を活性化させる。例文帳に追加

A pulse laser beam of 400 to 650 nm in wavelength is made incident on the region where the impurities are implanted to activate the implanted impurities. - 特許庁

半導体ウエーハの不純物分析用治具及びそれを用いた半導体ウエーハの不純物分析方法例文帳に追加

TOOL FOR ANALYZING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR WAFER, AND IMPURITY ANALYSIS METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING THE TOOL - 特許庁

シリサイド反応を抑制する不純物（抑制不純物）、例えばゲルマニウムを、ソース・ドレイン領域１６，３６にその上面から導入する。例文帳に追加

Impurities (suppression impurities) suppressing a silicide reaction, for example, germanium are introduced to source/drain regions 16, 36 from upper surfaces thereof. - 特許庁

ｐ型不純物が導入された窒化物半導体におけるｐ型不純物の活性化率を安定して向上できるようにする。例文帳に追加

To stably improve the activation rate of p-type impurities of a nitride semiconductor into which the p-type impurities are introduced. - 特許庁

石英製以外の部材の腐食を防止するとともに石英部材中の不純物を低減させる不純物低減方法を提供する。例文帳に追加

To provide an impurity reducing method of preventing other than members made of quartz from corroding and also reducing impurities in quartz members. - 特許庁

ソース・ドレイン領域１７は、低濃度の不純物領域１７１及び高濃度の不純物領域１７２を含む。例文帳に追加

A source/drain region 17 includes a low density impurity region 171 and a high density impurity region 172. - 特許庁

表面領域１８の主要不純物の拡散係数は、埋め込み層１０の主要不純物の拡散係数より小さい。例文帳に追加

Diffusion coefficient of main impurities of the surface region 18 is less than diffusion coefficient of main impurities of the embedded layer 10. - 特許庁

発熱体３からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。例文帳に追加

Discharge of impurity metals from the heating element 3 is suppressed, and mixture of impurity metals into the thin film to be formed is suppressed also. - 特許庁

Ｐ^−−型不純物層１２は、半導体基板１と同じＰ型であるが、不純物濃度は半導体基板１よりも低い。例文帳に追加

The P^---type impurity layer 12 is of the same P-type with a semiconductor substrate 1, but lower in impurity concentration than the semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体基板内に選択的に複数の不純物領域を形成する際に不純物領域の微細化が可能になる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To make an impurity region fine, when a plurality of impurity areas are formed selectively in a semiconductor substrate. - 特許庁

不純物濃度のばらつきの少ない不純物ドープ多結晶半導体層を絶縁基板上に有する半導体基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having an impurity-doped polycrystalline semiconductor layer having little variation in impurity concentration on an insulation substrate. - 特許庁

半導体層は、半導体基板上に形成され第１の不純物濃度よりも小さい第２の不純物濃度を有する。例文帳に追加

The semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate and has a second impurity concentration lower than a first impurity concentration. - 特許庁

チャネル層１２は、バッファ層１１上に位置し、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｎ型不純物を含む。例文帳に追加

A channel layer 12 is disposed on the buffer layer 11 and includes n-type impurities at a concentration higher than the concentration of p-type impurities in the buffer layer 11. - 特許庁

そして、上部電極の不純物濃度は、メモリゲート電極ＭＧの不純物濃度よりも高くなっている。例文帳に追加

Then, an impurity density of the upper electrode is higher than an impurity density of the memory gate electrode MG. - 特許庁

そして、アンドープ層における不純物濃度が低いことから、不純物イオン散乱は少なくなって、低抵抗と高い耐圧値とが得られる。例文帳に追加

Since the impurity concentration in an undoped layer is low, impurity ion scattering is small, thus low resistance and high break down voltage value are realized. - 特許庁

ポケット不純物拡散層１６は、質量の大きいｐ型不純物例えばインジウムが偏析してなる偏析部を有している。例文帳に追加

The pocket impurity diffusion layer 16 is possessed of a segregation part formed of segregated P-type impurities of large mass such as indium. - 特許庁

このスペーサ層７がｐ型クラッド層８から拡散してくる不純物を吸収するので、光ガイド層６への不純物拡散が防止できる。例文帳に追加

Since the spacer layer 7 absorbs impurities diffused from the p-type clad layer 8, impurity diffusion to the optical guide layer 6 is prevented. - 特許庁

２−メトキシエタノールにドーピング不純物を溶解２０させて、不純物が添加された原料溶液を調製する。例文帳に追加

A doping impurity is dissolved 20 in 2-methoxyethanol to form a doped source solution. - 特許庁

Ｐ型半導体領域７ｐ及びＮ型半導体領域７ｎの不純物濃度は、半導体基板３の不純物濃度より高くなっている。例文帳に追加

The impurity concentration of the P-type semiconductor region 7p and the N-type semiconductor region 7n is higher than the impurity concentration of the semiconductor substrate 3. - 特許庁

金属水酸化物を主成分とし、不純物の含有率が、１つの不純物成分あたり０.５ｗｔ％以下とされている。例文帳に追加

The agent essentially comprises a metal hydroxide and contains impurities by ≤0.5 wt.% per each impurity component. - 特許庁

補助容量半導体層37に不純物イオンを注入した後にゲート絶縁膜51を形成し、ゲート絶縁膜51に不純物を存在させない。例文帳に追加

A gate insulating film 51 is formed after the impurity ions are injected into the auxiliary capacitance semiconductor layer 37 so that no impurities are present in a gate insulating film 51. - 特許庁

Ｉｎ等のＳｉに比較して原子半径の大きい元素を半導体基板中の不純物拡散領域を形成する不純物とすることができる。例文帳に追加

Thus, the element of a larger atomic radius compared to Si of In can be set to impurity forming the impurity diffusion region in the semiconductor substrate. - 特許庁

ｎ^+半導体領域１２の不純物濃度は、ｎ^-半導体領域２の不純物濃度よりも高濃度にする。例文帳に追加

The concentration of impurities of the N+ semiconductor region 12 should be set higher than that of an N- semiconductor region 2. - 特許庁

ドレイン側柱状半導体層４７ａの実効的不純物濃度は、Ｕ字状半導体層３５の実効的不純物濃度以下である。例文帳に追加

The effective impurity concentration of the drain-side columnar semiconductor layer 47a is not more than that of the U-shaped semiconductor layer 35. - 特許庁

不純物、特に有機不純物が従来よりも低減された銅フタロシアニンクルードおよびセミクルードを提供する。例文帳に追加

To provide copper phthalocyanine crude and semicrude containing impurities, especially organic impurities, in a concentration lower than those of a conventional ones. - 特許庁

また、基板表面と第１不純物ドーピング領域との間に形成される上部不純物領域をさらに含んでもよい。例文帳に追加

An upper impurity region formed between the substrate surface and the first impurity doping region may be further contained. - 特許庁

無鉛半田に含有される不純物金属の濃度状態を簡便に検出することができる無鉛半田の不純物金属濃度検出装置を提供すること。例文帳に追加

To easily detect a concentration condition of impurity metal contained in a leadless solder. - 特許庁

第２不純物拡散層206-12は、その底部の深さが第１不純物拡散層206-10の底部の深さに一致する。例文帳に追加

The depth of the base portion of the second impurity diffusion layer 206-12 is coincident with the depth of the base portion of the first impurity diffusion layer 206-10. - 特許庁

ｐ型不純物をドープしたGaN系半導体結晶層のｐ型不純物の活性化を容易な方法で行う。例文帳に追加

To activate p-type impurities of a GaN-based semiconductor crystal layer doped with the p-type impurities by a simple method. - 特許庁

半導体基板であるウェハ２５内に、リン等のｎ型不純物やボロン等のｐ型不純物を導入する。例文帳に追加

N-type impurities such a phosphorus or p-type impurities such as boron are introduced into a semiconductor substrate, i.e. a wafer 25. - 特許庁

引出電極１０５は、第１の不純物とは異なる、第１導電型の第２の不純物がドープされた第１導電型の第２のポリシリコンからなる。例文帳に追加

The drawing electrode 105 is composed of first conductivity-type second polysilicon doped with first conductivity-type second impurities different from the first impurities. - 特許庁

この液状不純物源材料をシリコン半導体基板１上に塗布して液状不純物源層２を形成し、これを乾燥させる。例文帳に追加

The liquid impurity source material is applied to the surface of a silicon semiconductor substrate 1 to form a dried liquid impurity source layer 2. - 特許庁