「不純」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

第３の不純物領域は、第４の不純物領域よりも不純物濃度を低くし、第１の不純物領域は、第２の不純物領域よりも不純物濃度を低くする。例文帳に追加

The impurity concentration of the third impurity region is set lower than that of the fourth impurity region, and the impurity concentration of the first impurity region is set lower than that of the second impurity region. - 特許庁

水中の有機性不純物を無機イオン不純物に分解する装置、水中の有機性不純物を無機イオン不純物に分解するビーズの製造方法、光分解型有機性不純物濃度分析前処理装置、有機性不純物濃度測定装置および有機性不純物濃度測定方法例文帳に追加

DEVICE FOR DECOMPOSING ORGANIC IMPURITIES IN WATER INTO INORGANIC ION IMPURITIES, MANUFACTURING METHOD OF BEAD FOR DECOMPOSING ORGANIC IMPURITIES IN WATER INTO INORGANIC ION IMPURITIES, PRETREATMENT DEVICE FOR ANALYZING PHOTODECOMPOSABLE ORGANIC IMPURITY CONCENTRATION, AND DEVICE AND METHOD FOR MEASURING PHOTODECOMPOSABLE ORGANIC IMPURITY CONCENTRATION - 特許庁

第１不純物と第２不純物とを導入してなる第１不純物領域と、第２不純物のみを導入してなる第２不純物領域とを自己整合的に形成し、第１不純物領域と第２不純物領域とを高精度に隣接して形成する。例文帳に追加

To form a first impurity region, provided by introducing first impurities and second impurities, and a second impurity region, provided by introducing only the second impurities, in a self-alignment manner, and to form the first impurity region and the second impurity region adjacently at a high accuracy. - 特許庁

第１および第２の各半導体素子の一対の不純物領域は、所定の不純物濃度を示す第１の不純物区域と、該第１の不純物区域と同一の導電型を示しかつ該第１の不純物区域の濃度よりも低い不純物濃度を示す第２の不純物区域とを備える。例文帳に追加

A pair of impurity regions of first and second semiconductor elements are provided with a first impurity section of prescribed impurity concentration and a second impurity section which shows the same conductive type as the first impurity section while showing the impurity concentration lower than the first impurity section. - 特許庁

半導体層には、第１不純物領域５、第２不純物領域６、第３不純物領域７、第４不純物領域８および第５不純物領域９が形成されている。例文帳に追加

A first impurity region 5, a second impurity region 6, a third impurity region 7, a fourth impurity region 8 and a fifth impurity region 9 are formed in a semiconductor layer. - 特許庁

そして、第２不純物層５２を、光電変換部１０及び増幅部間の領域に設け、第２不純物層５２の第２不純物濃度Ｐ２を第１不純物層５１の第１不純物濃度Ｐ１より高くする。例文帳に追加

The second impurity layer 52 is provided in an area between the photoelectric conversion part 10 and the amplifying part, and second impurity concentration P2 of the second impurity layer 52 is made higher than first impurity concentration P1 of the first impurity layer 51. - 特許庁

アノード用開口部をマスクして、カソード用開口部を通して、ｎ型不純物領域にｐ型不純物元素を添加し、ｎ型不純物元素およびｐ型不純物元素を含む第２のｎ型不純物領域を形成する。例文帳に追加

The opening for the anode is masked, a p-type impurity element is added to the n-type impurity region, and a second n-type impurity region containing an n-type impurity element and the p-type impurity element is formed. - 特許庁

チャネル領域２７は、相対的に不純物濃度が小さい１対の低濃度不純物領域２５と、低濃度不純物領域２５に挟まれて位置し、相対的に不純物濃度が大きい高濃度不純物領域２６とを含む。例文帳に追加

The channel region 27 includes a pair of low-concentration impurity regions 25 with relatively smaller impurity concentration, and a high-concentration impurity region 26 that is located while being held between the low-concentration impurity regions 25 and has relatively large impurity concentration. - 特許庁

ポリシリコン層に不純物をドーピングして不純物拡散領域を形成するため、不純物拡散領域を浅く形成できる。例文帳に追加

Since the impurity diffusion region is formed by doping the impurity on the polysilicon layer, the impurity diffusion region can be formed shallow. - 特許庁

不純物分析方法、不純物分析ガス採取装置、不純物ガス分析装置及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

IMPURITY ANALYSIS METHOD, IMPURITY ANALYSIS GAS SAMPLING DEVICE, IMPURITY GAS ANALYZER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

第１不純物領域５ｂ，５ｃの不純物濃度とキャパシタ６０の一方電極８ａの不純物濃度とが同じである。例文帳に追加

The impurity concentration of the first impurity areas 5b and 5c is the same as that of one electrode 8a of the capacitor 60. - 特許庁

その後の不純物除去を行う際に、不純物除去用のガスがガラス層３の内部を流れ易くなり、不純物が良好に除去できる。例文帳に追加

By this method, a gas to remove impurities can easily flow through the glass layer 3 in the succeeding process of removing impurities, and thereby impurities can be easily removed. - 特許庁

ゲート不純物領域６および／またはチャネル形成不純物領域２が、チャネル方向に不純物濃度差を有する。例文帳に追加

The gate impurity region 6 and/or the channel forming impurity region 2 has an impurity density difference in the channel direction. - 特許庁

第１の不純物のプロファイルと第３の不純物のプロファイルとが交差する領域に、第２の不純物が分布する。例文帳に追加

The second impurities are distributed in a region where a profile of the first impurities and a profile of the third impurities intersect with each other. - 特許庁

不純物の電気的活性化率を向上させ、不純物の拡散を抑制した不純物ドープ層を用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which improves the electric activation rate of impurities and uses an impurity-doped layer deterring impurities from being diffused. - 特許庁

ｐ^-半導体基板１及びｐ^+不純物領域４は、ｐ^+不純物領域６及びｎ^+不純物領域４５よりも低い電位が与えられる。例文帳に追加

A potential applied to the p^- semiconductor substrate 1 and the p^+ impurity region 4 is lower than that of the p^+ impurity region 6 and the n^+ impurity region 45. - 特許庁

ｎ^+埋め込み層３１は、ｎ型不純物領域１２１が有する第１の不純物濃度よりも高い第２の不純物濃度を有する。例文帳に追加

The n^+-embedding layer 31 has a second impurity concentration higher than the first impurity concentration of the n-type impurity region 121. - 特許庁

本発明は、前記不純物ドープ方法によって、前記一方の不純物領域が前記他方の不純物領域と接触しないようにする。例文帳に追加

Concerning such an impurity dope method, one impurity area does not contact the other impurity area. - 特許庁

次いで、熱処理を施して、Ｎ型不純物層３２及びＰ型不純物層３４の不純物を活性化させる。例文帳に追加

Next, it is heated to activate impurities of the N-type impurity layer 32 and P-type impurity layer 34. - 特許庁

第５不純物領域１２および第６不純物領域１３は、第２不純物領域９と接続されている。例文帳に追加

The fifth impurity region 12 and the sixth impurity region 13 are connected to the second impurity region 9. - 特許庁

つまり、不純物注入領域に前記不純物と反対の導電型の不純物を少量注入する。例文帳に追加

Namely, a small quantity of an opposite conductivity type impurities to the foregoing impurities are doped into the impurity doped region. - 特許庁

不純物濃度の定量的な測定や、微小領域の不純物濃度分布を測定することができる不純物濃度測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide an impurity concentration measuring method for quantitatively measuring an impurity concentration and measuring an impurity concentration distribution in a minute area. - 特許庁

不純物拡散シミュレーション方法、不純物拡散シミュレーション装置、及び、不純物拡散シミュレーションプログラム例文帳に追加

METHOD, DEVICE, AND PROGRAM FOR IMPURITY DIFFUSION SIMULATION - 特許庁

第１主面の第３不純物領域は第１不純物領域との間で第２不純物領域を挟んでいる。例文帳に追加

The third impurity region on the first main surface and the first impurity region sandwich the second impurity region. - 特許庁

第２主面の第４および第５不純物領域は第２不純物領域との間で第１不純物領域を挟んでいる。例文帳に追加

The fourth and fifth impurity regions and the second impurity region sandwich the first impurity region on a second main surface. - 特許庁

不純物濃度測定システム、不純物濃度測定方法、不純物濃度測定プログラム及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体例文帳に追加

SYSTEM, METHOD, AND PROGRAM FOR MEASURING IMPURITY CONCENTRATION AND COMPUTER READABLE RECORD MEDIUM - 特許庁

これにより、基板３０１にｎ型不純物のみを導入したｎ型高濃度不純物領域３３６と、基板３０１にｎ型不純物とｐ型不純物とを導入したｎ型低濃度不純物領域３３７とが隣接してなるｎ型不純物領域を形成する。例文帳に追加

Thus an n-type impurity region is formed wherein an n-type high-concentration impurity region 336 doped with only n-type impurities on the substrate 301 and an n-type low-concentration impurity region 337 doped with n-type impurities and p-type impurities on the substrate 301 are adjacent to each other. - 特許庁

これにより、ｎ型第１不純物とｎ型第２不純物とを導入した高濃度ｎ型不純物領域２１１と、ｎ型第２不純物のみを導入した低濃度ｎ型不純物領域２１２とが隣接してなるｎ型不純物領域を形成する。例文帳に追加

Thus, the n-type impurity region is formed, which is constituted by putting a high concentration n-type impurity region 211 into which the n-type first impurities and the n-type second impurities are introduced into a state adjacent to the lightly-doped n-type impurity region 212 into which only the n-type second impurities are introduced. - 特許庁

第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たすようにする。例文帳に追加

A concentration C1 corresponding to a peak of an impurity concentration in a first impurity region, a concentration C2 corresponding to a peak of an impurity concentration in a second impurity region and a concentration C3 corresponding to a peak of an impurity concentration in a third impurity region satisfy a following relationship of C2<C3<C1. - 特許庁

第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たすようにする。例文帳に追加

As for a concentration C1 of an impurity concentration peak of a first impurity region, a concentration C2 of an impurity concentration peak of a second impurity region, and a concentration C3 of an impurity concentration peak of a third impurity region, a relation of C2<C3<C1 is satisfied. - 特許庁

さらに、第２のソース・ドレイン領域が、第１のｎ型不純物層よりも不純物濃度が低く深さの浅い第３のｎ型不純物層と、第３のｎ型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの深い第４のｎ型不純物層を備える。例文帳に追加

The second source/drain region includes a third n-type impurity layer having an impurity concentration lower and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer, and a fourth n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth deeper than those of the third n-type impurity layer. - 特許庁

さらに、第１の半導体素子の前記一対の不純物領域のそれぞれは、該不純物領域の前記第２の不純物区域の導電型と逆の導電型を示しかつ当該不純物領域の前記第２の不純物区域を抑制する第３の不純物区域を有する。例文帳に追加

Each of the pair of impurity regions of the fist semiconductor element shows a conductive type which is opposite to the second impurity section of the impurity region, while comprising a third impurity section which suppresses the second impurity section of the impurity region. - 特許庁

およそ3パーセントの鉛および他の不純物（特にインゴットの形で）を含んでいる不純な亜鉛例文帳に追加

impure zinc containing about three percent lead and other impurities (especially in the form of ingots)  - 日本語WordNet

不純物を含む１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物から不純物を除く。例文帳に追加

To remove impurities from 1,1,1,5,5,5-hexafluoroacetylacetone dihydrate containing the impurities. - 特許庁

不純物ガスを含むモノシラン中の不純物を分離し、効率よくモノシランを精製する。例文帳に追加

To efficiently purify monosilane by separating impurities in impurity gas-containing monosilane. - 特許庁

不純物を含む金属を活性水素を含むプラズマアークで溶融し、不純物を除去する。例文帳に追加

A metal containing impurities is melted with plasma arc containing active hydrogen to remove the impurities. - 特許庁

不純物を多く含む廃酸から低不純物の廃酸石膏を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing waste acid gypsum of low impurities from a waste acid containing much impurities. - 特許庁

高濃度不純物層から不純物が半導体層に拡散することを効果的に防止すること例文帳に追加

To effectively prevent impurities from being diffused into a semiconductor layer from a highly doped impurity layer. - 特許庁

そして、不純物イオンを打ち込み、セルアレイ領域に埋込型不純物拡散領域を形成する。例文帳に追加

Then, impurity ions are implanted, and the embedded type impurity diffused region is formed in the cell array region. - 特許庁

不純物を含む廃油の中から不純物を確実に除去して油を再使用し得るようにする。例文帳に追加

To certainly remove impurities from waste oil containing impurities to reuse the waste oil as regenerated oil. - 特許庁

ｎドリフト領域１２ａの不純物がリンで、ｐ仕切り領域１２ｂの不純物がボロンとした。例文帳に追加

The impurities in the n-drift regions 12a were phosphorus, and the impurities in the p-partition regions 12b were boron. - 特許庁

不純物固体拡散源２Ａ，２Ｂの直下に不純物拡散層３Ａ，３Ｂが形成される。例文帳に追加

Directly under the solid impurity diffusing sources 2A and 2B, impurity diffusing layers 3A and 3B are formed. - 特許庁

半導体ウエハの不純物の測定方法及び半導体ウエハの不純物の測定プログラム例文帳に追加

MEASURING METHOD OF IMPURITY IN SEMICONDUCTOR WAFER AND MEASURING PROGRAM OF IMPURITY IN SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

第１半導体領域の不純物濃度が、第２半導体領域の不純物濃度よりも高い。例文帳に追加

An impurity density of the first semiconductor region is higher than an impurity density of the second semiconductor region. - 特許庁

拡散バッチ内における固体不純物源から半導体基板への不純物拡散の均等化を図る。例文帳に追加

To uniformly diffuse impurities to a semiconductor substrate from a solid impurity source in a diffusion batch. - 特許庁