「半導体超格子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

超格子構造の半導体層を有する半導体素子及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SUPERLATTICE STRUCTURE SEMICONDUCTOR LAYER, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

超格子構造を含む半導体構造および該半導体構造を備える半導体デバイス例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING SUPERLATTICE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED THEREWITH - 特許庁

超格子を有する半導体層構造例文帳に追加

SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURE HAVING SUPERLATTICE - 特許庁

半導体デバイス用超格子歪緩衝層例文帳に追加

SUPERLATTICE STRAIN RELIEF LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

有機超格子薄膜およびこれを用いた半導体素子例文帳に追加

ORGANIC SUPERLATTICE THIN FILM AND SEMICONDUCTOR USING IT - 特許庁

超格子構造体及び半導体レーザ装置例文帳に追加

SUPERLATTICE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE - 特許庁

酸化物半導体超格子およびこれを用いたデバイス例文帳に追加

OXIDE SEMICONDUCTOR SUPER-LATTICE AND DEVICE USING THE SAME - 特許庁

化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND AlGaN-BASED SUPERLATTICE STRUCTURE - 特許庁

超格子構造の半導体層を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device with a superlattice structure semiconductor layer, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体超格子をベースとした単極発光装置例文帳に追加

SINGLE-POLE LIGHT-EMITTING DEVICE WITH III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE AS BASE - 特許庁

光機能性化合物半導体超格子構造物及びその製造方法例文帳に追加

OPTICAL FUNCTIONAL COMPOUND SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ｐ型超格子構造とその作製方法、ＩＩＩ族窒化物半導体素子及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子例文帳に追加

p-TYPE SUPERLATTICE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHT EMITTING ELEMENT THEREOF - 特許庁

ｎ型クラッド層１２は第１半導体層１２Ａと第２半導体層１２Ｂとを交互に積層してなる超格子層となっている。例文帳に追加

An n-type clad layer 12 is formed into a superlattice layer formed by alternately laminating first semiconductor layers 12A and second semiconductor layers 12B. - 特許庁

半導体素子は、主面に周期性を有する凹部又は凸部を設けた基板を用いて形成された半導体超格子層７と、半導体超格子層７の上に形成された活性層５を含む半導体多層膜１０１とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor element has a semiconductor super lattice layer 7 formed by using a substrate provided with a recess or a projection with periodicity in a major surface, and a semiconductor multilayer film 101 including an active layer 5 formed on the semiconductor super lattice layer 7. - 特許庁

超格子構造による耐放射線性を有する炭化珪素半導体素子およびその運転方法例文帳に追加

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING RADIATION RESISTANCE BY SUPERLATTICE STRUCTURE AND ITS OPERATION METHOD - 特許庁

同位体超格子構造を有する半導体結晶を用いた固体ＮＭＲ量子計算機例文帳に追加

SOLID-STATE NMR QUANTUM COMPUTER USING SEMICONDUCTOR CRYSTAL HAVING ISOTOPE SUPER-GRATING STRUCTURE - 特許庁

優れた界面特性と均一性が具現できる超格子半導体構造の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a superlattice semiconductor structure capable of embodying excellent interface characteristics and evenness. - 特許庁

化学気相蒸着工程を利用した超格子半導体構造を製造する方法。例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SUPERLATTICE SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS - 特許庁

ｐ型半導体層１２は、バッファ層１１上に、酸化物半導体を主成分とする第１の半導体層１２Ａと、非酸化物半導体からなり、ｐ型の電気伝導性を示す第２の半導体層１２Ｂとを交互に繰り返し積層して構成されており、第１の半導体層１２Ａおよび第２の半導体層１２Ｂは超格子構造をなしている。例文帳に追加

The p-type semiconductor layer 12 is constituted by laminating a first semiconductor layer 12A having oxide semiconductor as its principal constituent and a second semiconductor layer 12B consisting of non-oxide semiconductor and showing p-type electric conductivity alternately on the buffer layer 11 repeatedly, and the first semiconductor layer 12A and the second semiconductor layer 12B are provided with super lattice structure. - 特許庁

２つの電極１１，１２間に、障壁層２１と量子井戸層２２とが交互に繰り返して積層形成してなる超格子構造を有する真性半導体ｉ層１５を有する超格子半導体素子を備える。例文帳に追加

A super lattice semiconductor element having an intrinsic semiconductor (i) layer 15 having a super lattice structure in which barrier layers 21 and quantum well layers 22 are alternately and repeatedly laminated is provided between two electrodes 11 and 12. - 特許庁

ｐ型ＡｌＧａＮ系超格子構造の低抵抗化を実現できる化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor by which the resistance of a p-type AlGaN-based superlattice structure can be reduced, and to provide a semiconductor laser diode, and an AlGaN-based superlattice structure. - 特許庁

超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。例文帳に追加

Each group of layers of the superlattice includes a plurality of stacked base semiconductor molecular layers defining a base semiconductor portion and an energy-band-modifying layer on the base semiconductor portion. - 特許庁

自然超格子でありながら局所的なドメインをほとんど形成せず、基板全体に亘って均一な自然超格子構造を有する化合物半導体、化合物半導体結晶及びそれらの製造方法、並びに良好な温度特性、電気伝導性、発光特性、高速変調特性を有する前記半導体結晶を用いた半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor and compound semiconductor crystal having a natural superlattice structure which is a natural superlattice, however, a local domain is hardly formed, and is uniform over the whole substrate, those manufacturing method, and a semiconductor device and semiconductor laser using a semiconductor crystal which has a good temperature characteristic, electric conductivity, emission characteristic, and high speed modulation characteristic. - 特許庁

半導体基板１０１上にクラッド層１１０，１０８，１０４および活性層１０６を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第１の半導体層１０９１（ｐ型ＺｎＴｅ）と第２の半導体層１０９２（ｐ型ＡｌＡｓＰ）を積層して構成される超格子構造膜を備える。例文帳に追加

This laser semiconductor device where clad layers 110, 108, and 104 and an active layer 106 are provided on a semiconductor substrate 101 is equipped with a superlattice structure film where a plurality of semiconductor layers having compression strain and pull strain, namely, first and second semiconductor layers 1091 (p-type ZnTe) and 1092 (p-type AlAsP) are laminated. - 特許庁

上記目的を達成するため、本発明のレーザ素子は、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、超格子層が前記活性層のｎ型またはｐ型半導体層側の少なくとも一方にほぼ接して形成されることを特徴とする。例文帳に追加

In a nitride semiconductor laser element, including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer, a superlattice layer is formed at an almost touching point to at least one side of the n-type active layer and the p-type semiconductor layer sides. - 特許庁

窒化物半導体積層構造部２は、超格子Ｎ型層５、この超格子Ｎ型層５に積層されたＰ型ＧａＮ層６、およびこのＰ型ＧａＮ層６に積層された超格子Ｎ型層７を有している。例文帳に追加

The nitride semiconductor lamination structure section 2 comprises: a superlattice n-type layer 5; a p-type GaN layer 6 laminated on the superlattice n-type layer 5; and a superlattice n-type layer 7 laminated on the p-type GaN layer 6. - 特許庁

前記エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取りこまれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、前記超格子は、超格子が存在しない場合に比べて、前記平行な方向において大きな電荷キャリア移動度を有する。例文帳に追加

The energy-band-modifying layer includes at least one non-semiconductor molecular layer constrained within a crystal lattice adjacent to the base semiconductor portion so that the superlattice has higher charge carrier mobility in the parallel direction than a case without the superlattice. - 特許庁

半導体層と、この半導体層内に形成された光電変換素子と、半導体層の少なくとも光電変換素子が形成された部分の上に形成された、半導体層よりもバンドギャップが広い材料から成る単結晶層と、半導体層と単結晶層との間に設けられている超格子とを含む固体撮像素子を構成する。例文帳に追加

The solid-state imaging element includes: a semiconductor layer; a photoelectric transducer formed in the semiconductor layer; a single crystal layer which is formed on at least a part wherein the photoelectric transducer is formed, of the semiconductor layer and is made of a material having a wider band gap than the semiconductor layer; and a superlattice provided between the semiconductor layer and the single crystal layer. - 特許庁

発光ダイオードは、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に介在され、ＩｎＧａＮ量子井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性領域との間に介在された超格子層とを含む。例文帳に追加

The light-emitting diode includes: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer; and an active region of multiple quantum well structure interposed between the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer and including an InGaN quantum well layer; and a superlattice layer intervened between the n-type nitride semiconductor layer and the active region. - 特許庁

高いキャリア移動度を有する有機超格子薄膜及びその製造方法を提供し、さらにこの薄膜を備えた半導体素子を提供すること。例文帳に追加

To provide an organic superlattice thin film having a high carrier mobility, its manufacturing method, and a semiconductor element provided with the thin film. - 特許庁

半導体レーザ素子のＧａＡｓ基板と下部クラッド層との間に、歪補償構造のＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ超格子層を挿入する。例文帳に追加

In this semiconductor laser element, an InGaAs/GaAsP superlattice layer of a distortion compensation structure is provided between a GaAs substrate and an underlying clad layer. - 特許庁

ホール誘起により共有結合している半導体の格子点（原子）に一つおきにホールを配列させ、ホール伝導により超伝導を実現する。例文帳に追加

The holes are alternately located at a semiconductor lattice point(atom) covalent-bonding due to the hole inducement to realize the superconductivity by the hole inducement. - 特許庁

光機能性化合物半導体超格子構造物、光機能性多層体及びこれらの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical functional compound semiconductor superlattice structure, multilayered material equipped with optical functionality and methods of manufacturing the structure and material. - 特許庁

複数の積層された層群を有する超格子を形成するステップによって、半導体装置を製作する方法である。例文帳に追加

The method is provided for making the semiconductor device by a step of forming a superlattice including a plurality of stacked groups of layers. - 特許庁

分子線エピタキシー法を用いて基板２上にII−VI族半導体超格子１を形成し、基板の一部をエッチングにより除去して半導体超格子１を基板２側に露出させ、この露出面に光反射防止膜３を形成した。例文帳に追加

A II-VI semiconductor superlattice 1 is formed on a substrate 2 by a molecular beam epitaxy method, part of the substrate 2 is removed by etching to expose the semiconductor superlattice 1 to the substrate 2 side and an optical antireflection film 3 is formed on the exposed face. - 特許庁

半導体基板１上に複数の２元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層４を設けるとともに、短周期超格子構造層４上に自己形成型量子ドット５を設ける。例文帳に追加

A short-period superlattice structure layer 4 in which an integral multiple of a plurality of two-dimensional compound semiconductor molecular layers are alternately laminated is provided on a semiconductor substrate 1, and in addition the self-forming quantum dot 5 is provided on the structure layer 4. - 特許庁

Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor element, in which a superlattice strain buffer layer using an AlGaN layer having a low Al content or a GaN layer is formed with good flatness and a nitride semiconductor layer having good flatness and crystallinity is formed on the superlattice strain buffer layer. - 特許庁

超格子ＤＢＲ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１３、窒化ガリウムインジウムから成る活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１５を順次に形成する。例文帳に追加

An n-type semiconductor region 13 of gallium nitride, an active layer 14 of gallium indium nitride, and a p-type semiconductor region 15 of gallium nitride are sequentially formed on the superlattice DBR layer 12. - 特許庁

また、本発明にかかる酸化物半導体超格子は、上記酸化亜鉛系半導体井戸層と上記酸化物障壁層の間にリン酸化物層またはホウ素酸化物層が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

Further, a phosphorus oxide layer or a boron oxide layer is formed between the zinc oxide base semiconductor well layer and the oxide barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice. - 特許庁

第１および第２半導体の積層パターンを有する超格子領域１３内にミニバンド１８を形成することによって活性領域２へのキャリヤの移動が向上する半導体素子が提供される。例文帳に追加

A semiconductor element where, movement of carriers into an active region 2 is improved by forming a mini band 18 inside a superlattice region 13 having laminated patterns of a first and second semiconductors. - 特許庁

表面劣化のない、ａｓ ｇｒｏｗｎで低抵抗な、ｐ型超格子構造とその製造方法の提供、並びに高性能のIII族窒化物半導体素子及び半導体発光素子の提供。例文帳に追加

To provide a p-type superlattice structure which has no surface deterioration and as-grown low resistance, and its manufacturing method, as well as a high-performance group III nitride semiconductor element and a semiconductor light emitting element. - 特許庁

リーク電流の増加を抑制しつつ、基板上のIII族窒化物半導体の超格子構造の周期数を増やした場合でもクラックの発生を抑制できる窒化物半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor element capable of preventing occurrence of cracks even if the period of a superlattice structure of a group III nitride semiconductor on a substrate is increased, while suppressing increase in leak current. - 特許庁

第１のIII族窒化物半導体からなる下地層と、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０＜Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）なる組成を有する第２のIII族窒化物半導体からなり、周期的超格子構造を呈する機能層とを具えるようにして、半導体素子を構成する。例文帳に追加

A semiconductor element is constituted of a base layer composed of a first group III nitride semiconductor and a functional layer which is composed of a second group III nitride semiconductor having a composition of Al_XGa_YIn_ZN (0≤X≤1, 0≤Y≤1, 0<Z≤1, X+Y+Z=1), and exhibits a periodic superlattice structure. - 特許庁

Ａｌ組成の異なる２種以上のIII−Ｖ族半導体層を交互に積層することによって構成された半導体超格子構造３の一部が混晶化されて混晶化領域７として形成されており、前記半導体超格子構造３の混晶化されていない非混晶化領域が選択酸化されて選択酸化領域８として形成されている。例文帳に追加

The semiconductor structure comprises a crystal mixed region 7 formed by crystal mixing a part of a semiconductor superlattice structure 3 constituted by alternatively laminating two or more types of III-V semiconductor layers containing different Al compositions, and a selectively oxidized region 8 formed by selectively oxidizing a non-crystal mixing region obtained by not crystal mixing the structure 3. - 特許庁

半導体装置は、基板１１の上に形成された活性層１３と、活性層１３の上に形成された超格子層１４と、超格子層１４の上に形成されたオーミック電極１５とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device comprises an active layer 13 formed on a substrate 11, a superlattice layer 14 formed on the active layer 13, and an ohmic electrode 15 formed on the superlattice layer 14. - 特許庁