「抵抗加熱」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

この発明の加熱炉１は、炉内温度と目標温度との差が所定温度以上の場合、熱電対温度計２５で検出した炉内温度に基づいて温度制御を行い、炉内温度と目標温度との差が所定温度以内の場合、白金シース型抵抗温度計２４で検出した炉内温度に基づいて温度制御を行うようにした。例文帳に追加

In this heating furnace 1, when the difference between a furnace temperature and a target temperature is a predetermined temperature or higher, temperature control is performed based on the furnace temperature detected by a thermocouple thermometer 25, and when the difference between the furnace internal temperature and the target temperature is lower than the predetermined temperature, temperature control is performed based on the furnace temperature detected by a platinum sheath type resistance thermometer 24. - 特許庁

成形機から射出された材料を加熱溶融したまま複数のゲートに分配してキャビティへ充填する射出成形用ホットランナ金型装置で、ゲート部での流動抵抗を生じることなく、材料が各ゲートからキャビティへ充填されるタイミング、量を調整し、ウエルド位置を変更するなどの効果を得る。例文帳に追加

To obtain effects such as the change of a welding position by adjusting the timing of a material to be packed from each gate in a cavity and the amount of the material in a hot runner mold device for injection molding, which the material injected from a molding machine, while being heated and melted, is distributed to the gates to be packed in the cavity. - 特許庁

内部に２つ以上のヒータを備え，下方から上方へ向けて通紙される記録紙を加熱する円筒状の定着ローラ１０において，複数のヒータのうち，発熱量の大きいもの又は抵抗値の大きいものから順に，前記記録紙の通紙方向における上流側（下方側）から配置させる（メインヒータ３１の発熱量等＞サブヒータ３２の発熱量等）。例文帳に追加

A cylindrical fixing roller 10 has two or more heaters internally and heats a recording paper supplied upward from below, and the plurality of heaters are arranged in the order of heat generation or resistance value from an upstream side (from below) in a supply direction of the recording paper (the heat generation etc. of a main heater 31 > the heat generation etc. of a sub-heater 32). - 特許庁

放射性雑固体廃棄物を溶融処理する回転炉床式プラズマ溶融処理装置において、溶融処理装置の底部に設けられ、溶融物を受け容器に移すための溶融物排出口と、溶融物排出口と受け容器の間に介在させる筒状のセラミック製ガイドと、該セラミック製ガイドの周囲に配置される複数本の抵抗加熱ヒータとを組み合わせた溶融物排出機構。例文帳に追加

This melt discharge mechanism is formed of a combination of a melt discharge port provided at a bottom part of the rotary hearth type plasma fusion treating apparatus for fusion-treating radioactive miscellaneous solid waste, to transfer the melt to the receiving container, a cylindrical ceramic guide interposed between the melt discharge port and the receiving container, and a plurality of resistance heating heaters arranged around the ceramic guide. - 特許庁

蒸着室と、被処理物を保持する保持部と、蒸発源と、電極と、電極カバーと、電源と有し、蒸着室は、上方に保持部を有し、下方に蒸発源と電極と電極カバーとを有し、電極カバーは、電極の露出面の少なくとも一部を覆っており、電極と前記電源とは電気的に接続されており、蒸発源と電源とは電気的に接続されており、抵抗加熱によって、蒸発源が加熱され、蒸発源に保持された材料が、前記蒸発源の上方に保持された被処理物に成膜される蒸着装置および蒸着装置に用いられる電極カバーを提供する。例文帳に追加

The electrode cover is used for the evaporation device. - 特許庁

射出成形用金型に、ホットランナーマニホールド加熱用誘導コイルが巻き付けてあるホットランナーマニホールドが組み込まれているままの状態で、同ホットランナー加熱用誘導コイルとアース間の絶縁抵抗もしくは静電容量をまたはそれらの関数となっている物理量を測定し、測定して得られた測定量を判定基準値と比較してホットランナーマニホールドからの樹脂洩れの有無／程度を判定する。例文帳に追加

In such a state that a hot runner manifold having a hot runner manifold heating induction coil wound therearound is incorporated in an injection mold, the insulation resistance, electrostatic capacity or physical quantity becoming the function thereof between the hot runner manifold heating induction coil and the ground is measured and the measured quantity is compared with a judge reference value to judge the presence/degree of the resin leak from the hot runner manifold. - 特許庁

機械的構造１２の１つ又は複数の要素及び／又は梁１４ａ、１４ｂ（例えば、移動可能又は拡張可能な電極及び／又は周波数調整構造）を（選択又は非選択的方法で）抵抗加熱することによって、共振器の機械的構造１２の材料を変化させ、及び／又は共振器の機械的構造から材料を除去することにより、マイクロ電気機械共振器１０の周波数を調整し、整調し、設定し、画定し、及び／又は選択する。例文帳に追加

The frequency of a MEM resonator 10 is adjusted, tuned, set, defined and/or selected by changing and/or removing material from a mechanical structure 12 of the resonator by resistively heating (in a selective or non-selective manner) one or more elements and/or beams 14a, 14b of the mechanical structure 12 (for example, movable or expandable electrodes and/or frequency adjustment structures). - 特許庁

投入される生ゴミなどの有機物を処理するための内面抵抗板を有する円筒形の回転処理槽と、圧縮板及び掻き落とし板を保持した支持台と、生ゴミ投入口と、処理残渣受槽と、回転処理槽を駆動する手段と、生ゴミを加熱する手段と、回転処理槽への送風手段と、排気口にフィルターと脱臭手段と、回転処理槽からの排気手段と、を備えたこ生ゴミ処理機であって、回転処理槽が水平に対して傾斜を有していることが好ましく、脱臭手段が２種類以上の異なる脱臭剤を備えていることが好ましい。例文帳に追加

The rotary treatment tank is preferably inclined with respect to horizontality and the deodorizing means preferably has at least two kinds of different deodorant. - 特許庁

感光性樹脂と低融点金属からなる導電性フィラーとを含む感光性液状樹脂に対して光照射を行い硬化させた後、感光性樹脂の軟化温度まで加熱して感光性樹脂を収縮させるとともに導電性フィラー相互間の接合を生じさせることで低抵抗を実現できる導電性材料と、接続信頼性の高い電子部品実装構造体および低コストの配線基板ならびにこれらの製造方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a conductive material for shrinking a photosensitive resin by heating to its softening temperature, and generating the junction between conductive fillers for reducing resistance after applying light to a photosensitive liquid resin containing the photosensitive resin and the conductive filler made of a low-melt-point metal for curing; and to provide an electronic component packaging structure having high connection reliability, a low-cost wiring board, and their manufacturing methods. - 特許庁

半田バンプ４を形成した配線基板５上に熱硬化性樹脂１の膜を形成し、半田バンプ４を加熱して溶融させながら配線基板５上に半導体素子２を搭載すると同時に、熱硬化性樹脂１も硬化させて半導体素子２を配線基板５上に固定することにより、電気的接続と樹脂封止を同時に行え、工程が簡素化できるだけでなく、電気的接続を半田による金属結合により得るため、経年変化による接続抵抗値変動を大幅に低減し、高信頼性の半導体装置を実現することができる。例文帳に追加

In addition, since the electrical connection is obtained by a metallic bond by soldering, the change in the connection resistance due to changeover aging can be reduced significantly and a high reliability semiconductor device can be realized. - 特許庁

本発明によれば、原料ニッケル粉末を周期律表第ＩＩＡ族元素、第ＩＶＡ族元素及び希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素の水酸化物にて被覆した後、非酸化性又は還元性の雰囲気中、４００〜１０００℃に加熱し、このように熱処理したニッケル粉末を酸洗して、上記元素を一部、ニッケル粒子に残存させることを特徴とする酸化と焼結に対して抵抗性を有するニッケル粉末の製造方法が提供される。例文帳に追加

The nickel powder resistant to oxidation and sintering can be manufactured by coating a nickel powder as raw material with the hydroxide of at least one element selected from group IIA and IVA elements of the periodic table and rare earth elements, performing heating to 400-1,000°C in a nonoxidizing or reducing atmosphere, and pickling thus heat treated nickel powder to allow a part of the above elements to remain in the nickel particles. - 特許庁

エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method of the epitaxial wafer, a silicon single crystal rod is grown by doping only carbon except a resistance-controlling dopant by a Czochralski method, after the silicon single crystal rod is sliced and processed into a silicon single crystal wafer, the silicon single crystal wafer is heat treated by using a rapid heating/rapid cooling (RTA) device, and then the epitaxial layer is formed on the single crystal wafer surface. - 特許庁