「有機金属気相成長法」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

有機金属気相成長法によるＧａＮの成膜方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING GaN BY ORGANIC METAL VAPOR GROWTH METHOD - 特許庁

気相成長用担体担持有機金属化合物及びその製法、並びに当該化合物を充填した気相成長用有機金属化合物充填装置例文帳に追加

CARRIER-SUPPORTED ORGANOMETALLIC COMPOUND FOR VAPOR-PHASE GROWTH, ITS PRODUCING METHOD, AND CARRIER-SUPPORTED ORGANOMETALLIC COMPOUND FILLING DEVICE FILLED WITH THE COMPOUND - 特許庁

有機金属気相成長装置及び半導体の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC METAL GAS PHASE GROWING DEVICE AND SEMICONDUCTOR - 特許庁

有機金属気相成長によるｐ型のテルル化亜鉛の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE TELLURIDE ZINC BY ORGANIC METAL VAPOR PHASE GROWTH - 特許庁

有機金属気相成長装置及び材料ガス供給方法例文帳に追加

ORGANIC METAL VAPOR GROWTH APPARATUS AND GASEOUS MATERIAL SUPPLY METHOD - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成する。例文帳に追加

The layer 24 is formed by an organic metal vapor phase growing process. - 特許庁

化合物半導体薄膜の気相成長方法および有機金属気相成長装置例文帳に追加

VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND ORGANIC METAL VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE - 特許庁

有機金属気相成長装置および成長方法、半導体装置およびその製造方法例文帳に追加

ORGANIC METAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM, AND DEPOSITION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

装置の簡素化を図ることのできる有機金属気化供給装置、有機金属気相成長装置、有機金属気相成長方法、ガス流量調節器、半導体製造装置、および半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal-organic vaporizing and feeding apparatus which can be simplified, metal-organic chemical vapor deposition apparatus, gas flow rate regulator, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method. - 特許庁

有機金属気化供給装置、有機金属気相成長装置、有機金属気相成長方法、ガス流量調節器、半導体製造装置、および半導体製造方法例文帳に追加

METAL-ORGANIC VAPORIZING AND FEEDING APPARATUS, METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS, METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, GAS FLOW RATE REGULATOR, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD - 特許庁

アミン系化合物と金属アルコキシドとを原料として使用し、有機金属化学的気相成長法によって金属酸化物膜を製造する。例文帳に追加

The metal oxide film is produced by an organic metal chemical vapor phase growth method using an amine compound and a metal alkoxide as raw materials. - 特許庁

有機金属気相成長による成膜方法及びこれを用いた半導体レーザの製造方法例文帳に追加

FILM-FORMING METHOD BY METAL ORGANIC VAPOR PHASE DEPOSITION AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR LASER USING THE SAME - 特許庁

有機金属気相化学蒸着法による高品位ＩＩＩ−族窒化物薄膜の成長方法例文帳に追加

GROWTH METHOD OF HIGH QUALITY NITRIDE THIN FILM OF GROUP III ELEMENT BY ORGANOMETALLIC GASEOUS PHASE CHEMICAL DEPOSITION - 特許庁

ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法例文帳に追加

WAFER GUIDE, METAL ORGANIC VAPOR PHASE GROWING DEVICE AND METHOD FOR DEPOSITING NITRIDE SEMICONDUCTOR - 特許庁

例えば、有機金属気相成長法によりバッファ層１０５が形成できる。例文帳に追加

For example, the buffer layer 105 can be formed with an organic metal vapor phase growth method. - 特許庁

ＧａＩｎＮＡｓの結晶成長方法は、有機金属気相成長方法により、ＧａＩｎＮＡｓを結晶成長させる方法である。例文帳に追加

The crystal growing method for GaInNAs is the method for crystal growing GaInNAs by an organometal vapor phase growing method. - 特許庁

反応容器内に、金属成分源となる有機金属ガス、酸素成分源ガス及びｐ型ドーパントガスとを供給することにより、有機金属気相成長法によりｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を成長させる。例文帳に追加

An organic metal gas to be a metal component source, an oxygen component source gas and a p-type dopant gas are supplied into a reaction container, thereby growing a p-type Mg_xZn_1-xO layer by a metal organic vapor phase deposition. - 特許庁

有機金属化学気相成長法用原料及び該原料を含む溶液原料並びに金属含有薄膜例文帳に追加

RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE RAW MATERIAL, AND METAL-CONTAINING THIN FILM - 特許庁

有機金属気相成長法、有機金属気相成長装置、プログラム、記録媒体、半導体レーザ製造方法、面発光レーザ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム例文帳に追加

METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, METALORGANIC VAPOR DEPOSITION DEVICE, PROGRAM, RECORDING MEDIUM, SEMICONDUCTOR LASER PRODUCTION METHOD, SURFACE EMITTING LASER, OPTICAL SCANNER, IMAGE FORMING APPARATUS, OPTICAL TRANSMISSION MODULE, AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM - 特許庁

この緩衝層上に有機金属気相成長法により、１０００℃の水素雰囲気において、ＧａＮ層１０６を２μｍ成長する。例文帳に追加

In hydrogen atmosphere of 1,000°C, a GaN layer 106 is grown by 2 μm on the buffer layer by organic vapor phase epitaxy. - 特許庁

有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法に関し、Ｃｌ添加原料ガスを用いたＭＯＶＰＥ工程における不純物の混入を防止する。例文帳に追加

To provide an organic metal vapor deposition apparatus and its deposition method for preventing contamination of impurity in a MOVPE process using a material gas of doped chlorine. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体素子の製造方法および有機金属化学気相成長装置例文帳に追加

METHOD FOR GROWING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR GROWTH DEVICE - 特許庁

または金属を含まないアミン系化合物とニオブ金属アルコキシドとを原料として使用し、有機金属化学的気相成長法によって金属酸化物膜を製造する。例文帳に追加

And, the metal oxide is produced by an organic metal chemical vapor phase growth method using the amine compound not containing the metals and the niobium metal alkoxide as the raw materials. - 特許庁

引き続き、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、III-V族窒化物素子層を成長させ、全ての層が４Ｈ型ポリタイプとなる。例文帳に追加

A III-V group nitride element layer is grown up by metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD), and all layers become the 4 H-type polytypes. - 特許庁

活性層６を有機金属気相成長法により形成し、その製膜圧力条件を大気圧また大気圧よりもやや低い圧力とする。例文帳に追加

The active layer 6 is formed by an organic metal vapor deposition, and its film forming pressure conditions are set to atmospheric pressure or rather lower pressure than the atmospheric pressure. - 特許庁

化学気相成長法用液体原料に、有機金属化合物と、シロキサン化合物と、有機金属化合物およびシロキサン化合物を溶解させるための有機溶媒とを含ませる。例文帳に追加

An organometallic compound, a siloxane compound and an organic solvent for dissolving the organometallic compound and siloxane compound are incorporated into a liquid raw material for a chemical vapor growth method. - 特許庁

有機金属気相成長法により、少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体を製造するに際して、有機金属化合物の気化に用いるキャリアガスをインジウム源の有機金属化合物では窒素とし、インジウム源以外の有機金属化合物では水素とすることによって、有機金属化合物の汚染を低減する。例文帳に追加

When a gallium nitride semiconductor containing at least indium is produced by organo-metallic CVD system, contamination of organic metal compound is reduced by employing nitrogen as a carrier gas for gasifying the organic metal compound of an indium source and employing hydrogen for the organic metal compound other than indium source. - 特許庁

保護膜１２は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。例文帳に追加

The protective film 12 can be deposited by ion-plating, expansive thermal plasma, the plasma-excited chemical vapor deposition method, the organic metal vapor deposition method, the organic metal vapor deposition epitaxy, sputtering, electronic beams, plasma spray or the like. - 特許庁

有機金属化学気相成長法によるＰｒＭｎＯ３／ＣａＭｎＯ３超格子構造を有するＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING PrxCa1-xMnO3 THIN FILM HAVING PrMnO3/CaMnO3 SUPERLATTICE STRUCTURE BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION - 特許庁

有機金属化学気相成長法用原料液及び該原料液を用いたＨｆ−Ｓｉ含有複合酸化物膜の製造方法例文帳に追加

RAW MATERIAL LIQUID FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND METHOD OF PRODUCING Hf-Si CONTAINING COMPLEX OXIDE FILM USING THE RAW MATERIAL LIQUID - 特許庁

有機金属化学的気相成長法によるグレーディングＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の堆積方法例文帳に追加

DEPOSITION METHOD OF GRADING PRXCA1-XMNO3 THIN FILMS BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁

ゲルマニウム酸化鉛（ＰＧＯ）薄膜の金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）およびアニーリングのための方法およびシステム例文帳に追加

PROCESS AND SYSTEM FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION(MOCVD) FOR LEAD GERMANIUM OXIDE (PGO) THIN FILM AND ANNEALING - 特許庁

このＧａＮ基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。例文帳に追加

A GaN semiconductor layer 2 is formed on the GaN substrate 1 by an organic metal chemical vapor phase growth method. - 特許庁

サファイア基板上に約５μｍのＧａＮ膜を例えば有機金属気相成長法により形成する。例文帳に追加

A GaN film of about 5μm is formed on the sapphire substrate by a metal organic vapor phase epitaxy method. - 特許庁

有機金属気相成長法及びそれにより形成したＩＩＩ族窒化物系化合物半導体光素子例文帳に追加

ORGANIC METAL VAPOR PHASE EPITAXY METHOD, AND NITRIDE-BASED III GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT FORMED THEREBY - 特許庁

このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。例文帳に追加

A GaN semiconductor layer 2 is formed on the GaN monocrystal board 1 by a metalorganic chemical vapor deposition method. - 特許庁

有機金属気相成長法に関し、Ｐｂを含むペロブスカイト構造結晶膜を所定結晶方位に優先配向させる。例文帳に追加

To preferentially orient a crystal film with a perovskite structure containing Pb in a predetermined crystal orientation with respect to a metal organic vapor phase growth method. - 特許庁

この方法では、活性層のための第１のIII−Ｖ化合物半導体層１９を有機金属気相成長炉２５で形成する。例文帳に追加

A first III-V compound semiconductor layer 19 for an active layer is formed in an organometallic vapor growth furnace 25. - 特許庁

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of packing a solid organometallic compound in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor-phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period. - 特許庁

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a solid organometallic compound can be packed in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period. - 特許庁

有機金属気相成長法を用いてＣドープ化合物半導体を成長する際に、成長速度の低下や固相組成のずれを抑制することができる結晶の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a crystal which can prevent the decline in growth rate and the deviation in solid phase composition when growing a C-doped compound semiconductor using the metal organic vapor phase epitaxy. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emission layer portion 24 is formed by metal organic chemical vapor deposition, and the current diffusion layer 7 whose conductivity type is n-type is formed on the light emission layer portion 24 by hydride vapor-phase deposition. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process. - 特許庁

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にＧａＡｓ_１−ａＰ_ａ（０．５≦ａ≦０．９）よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。例文帳に追加

The layer 24 is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the blocking layer 7 made of GaAs_1-aP_a (0.5≤a≤0.9) is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process. - 特許庁