「歪蓄積」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

前記第１及び第２展開物１，２を収納した際には、前記第１低剛性部材５の歪エネルギーを蓄積し、前記第１及び第２展開物１，２を展開する際には、前記第１低剛性部材５の前記歪エネルギーが解放されることにより前記第１及び第２展開物１，２を展開する。例文帳に追加

When the first and second expansion objects 1 and 2 are contained, strain energy of the first low rigid member 5 is accumulated, and when the first and second expansion objects 1 and 2 are expanded, the first and second expansion objects 1 and 2 are expanded by releasing the strain energy of the first low rigid member 5. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown. - 特許庁

Niを特定の範囲で含有するFe-Ni合金からなるリード線は、その変態点と、鉛フリーの軟質ガラスにおいて、その温度以下となると歪みが蓄積される臨界温度との差が大きいことで、当該臨界温度の近傍でリード線の熱膨張係数が急激に増加することが無く、リード線が過度に収縮されることを抑制する。例文帳に追加

The lead wire made of the Fe-Ni alloy containing Ni in a specific range, is restrained from being contracted excessively without rapidly increasing a thermal expansion coefficient of the lead wire in the vicinity of a critical temperature due to the large difference between its transformation point and the critical temperature at which stress accumulates in the lead-free soft glass when the temperature reaches the transition temperature or lower. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタスイッチ３とホールドキャパシタ４とを含んでなり、ＭＯＳトランジスタスイッチ３のバルク電位を入力信号Ｖｉｎと同位相で変化させるＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜容量及びＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間容量に蓄積される電荷を入力電圧に依存しない様にする事により高調波歪を軽減するトラックアンドホールド回路。例文帳に追加

This track and hold circuit comprises a MOS transistor switch 3 and hold capacitor 4, and higher harmonics distortion is reduced by constituting the circuit so that electric charges accumulated in a gate oxide film capacitor of the MOS transistor of which the bulk potential is varied in the same phase as an input signal Vln and a capacitor between a gate and a source of the MOS transistor do not depend on input voltage. - 特許庁

打撃時の杵先体４２の弾性変形は、最初は内側向きで最後は外側向きという、首振り状になるので、杵先体４２の弾性変形に偏りが発生せず、杵先体４２の弾性変形の偏りが蓄積されて徐々に形状が歪んで、長期間使用したときに球跳びが悪化するのを防止できる。例文帳に追加

The elastic deformation of the hitting unit 42 in striking is directed inward at first, and outward at last, and since it becomes oscillatory, so uneven elastic deformation will not occur in the hitting unit 42, thereby preventing deterioration of ball jumping in long-time use due to gradual distortion caused by accumulated uneven elastic deformation of the hitting unit 42. - 特許庁