例文 (24件) |
第3高調波の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24件
第3次高調波成分演算部202は、制限後の電圧指令値v^*_d、v^*_qと正弦波値sin3θ_re(θ_reは電気角)から、振幅が基本波成分振幅v^*_mの1/6である第3次高調波成分v^*_3を算出する。例文帳に追加
A tertiary harmonic component calculation 202 calculates a tertiary harmonic component v*_3 of 1/6 of the fundamental component amplitude v*_m in amplitude from the voltage command values v*_d, v*_q after the limit and a sine value sine 3θ_re (3θ_re is the electrical angle). - 特許庁
第2高調波発生素子には高屈折率層3と保護膜6が形成されている。例文帳に追加
The 2nd harmonic generation element is formed with a high refractive index layer 3 and a protective film 6. - 特許庁
半導体レーザ20から出射される基本波3は、光導波路2内で第1の高調波4に変換される。例文帳に追加
A fundamental wave 3 to be emitted from the semiconductor laser 20 is converted into a first higher harmonic wave 4 in the optical waveguide path 2. - 特許庁
波長変換部3は、第1レーザ光Laの第2高調波を発生する第1波長変換光学素子31と、第1レーザ光の第2高調波及び第2レーザ光Lbの和周波を発生する第2波長変換光学素子32とを備え、波長変換部3から190〜200nmの紫外レーザ光Lvが出力されるように構成される。例文帳に追加
The wavelength converting portion 3 comprises a first wavelength converting optical element 31 generating second harmonics of the first laser light La, and a second wavelength converting optical element 32 generating the sum frequency of the second harmonics of the first laser light and the second laser light Lb, and ultraviolet laser light Lv of 190-200 nm is outputted from the wavelength converting portion 3. - 特許庁
レーザ光第2高調波4により基板14を照射してこれを切断した後に、レーザ光基本波3により封止樹脂17を照射する。例文帳に追加
After the substrate 14 is cut by irradiating it with the laser beam second harmonic wave 4, the sealing resin 17 is irradiated with the laser beam fundamental wave 3. - 特許庁
変換用基板2が、基本波6を第二高調波8に変換する光導波路3および光導波路3に入射する基本波6の波長を固定するための反射グレーティング部5を備える。例文帳に追加
A conversion substrate 2 is provided with an optical waveguide 3 which converts fundamental waves 6 into second higher harmonic 8 and a reflection grating section 5 which fixes the wavelength of the waves 6 that made incident on the waveguide 3. - 特許庁
更に基板2から出射した基本波A1、A2、7の出力と第二高調波B1、B2、B3、8の出力とを測定する測定手段18A、18Bと、基本波の出力の測定値と第二高調波の出力の測定値とに応じて、光導波路3の端面から出射する第二高調波8の出力を制御する出力制御手段20を備えている。例文帳に追加
Moreover, this device is provided with measuring means 18A and 18B which measure the outputs of fundamental waves A1, A2 and 7 emitted from the substrate 2 and the outputs of second higher harmonics B1, B2, B3 and 8 and an output control means 20 which controls the output of the harmonic 8 emitted from the end face of the waveguide 3. - 特許庁
そのため第1インバータ2と第2インバータ3の出力電圧を合成すると、高調波が低減する。例文帳に追加
So, higher harmonics are reduced if the output voltages of the first inverter 2 and the second inverter 3 are synthesized. - 特許庁
加算器221、222等は、第3次高調波成分v^*_3を各相電圧指令値(基本波成分)に加算することにより、モータ6に印加すべき相電圧に対応する指令値v^*_u、v^^*_v、v^*_wを生成する。例文帳に追加
Adders 221, 222 and the like add the component v*_3 to each phase voltage command value (fundamental component), to generate the command values v*_u, v*_v, v*_w which correspond to the phase voltages to be applied to a motor 6. - 特許庁
固体レーザ結晶3の端面と出力ミラー4とで光共振器を形成し、その中に波長変換結晶5が設けられ、基本波12から第二高調波13を発生する。例文帳に追加
An optical resonator is made of the end face of the solid-state laser crystal 3 and an output mirror 4, and a wavelength converting crystal 5 is provided therein, so that this device generates second harmonic waves 13 from the fundamental waves 12. - 特許庁
固体レーザー光源であるポンピングチャンバーユニット3から出射された基本波レーザー光は、第1の非線形光学結晶ユニット20で、第2高調波に変換される。例文帳に追加
A basic laser beam emitted from a pumping chamber unit 3 which is a solid-state laser beam source is converted to second higher harmonics by a first nonlinear optical crystal unit 20. - 特許庁
YAGレーザ発振器1から光ファイバ3を経て出射される基本波レーザ光2を、コリメートレンズ4により平行化し、次いで、波長変換素子5によって第2高調波レーザ光12に変換し、この第2高調波レーザ光12の光束を集光レンズ6で縮小させたうえ、加工対象物に照射する。例文帳に追加
A fundamental wave laser beam 2 emitted from a YAG laser beam oscillator 1 via an optical fiber 3 is paralleled by a collimating lens 4, then converted into a second higher harmonic laser beam 12 by a wavelength conversion element 5, the second higher harmonic laser beam 12 is converged by conversion lens 6 and an object to be machined is irradiated with the laser beam. - 特許庁
半導体レーザ1と、半導体レーザ1から出射される基本光を波長変換する第二高調波発生素子2とを少なくとも備えたレーザ光発生装置10であって、 第二高調波発生素子2から出射される基本光及び変換光がセルフォックレンズ3に導入され、変換光がコリメートして出射されるように構成したこと。例文帳に追加
A laser beam generator 10 including at least a semiconductor laser 1 and a second harmonic generation element 2 for converting the wavelength of fundamental light emitted from the semiconductor laser 1 is configured so that the fundamental light emitted from the second harmonic generation element 2 and the conversion light are introduced to a SELFOC lens 3 and the conversion light is collimated and emitted. - 特許庁
LD1からの励起光が、励起光学系2を介して固体レーザ媒質3を励起し、基本波を発振させ、固体レーザ媒質3の端面と出力ミラー4とで形成される共振器内に設けられた非線形光学素子5が、基本波から第二高調波を前後に発振する。例文帳に追加
The stimulation light from an LD1 stimulates a solid-state laser medium 3 via the stimulating optical system 2, and oscillates fundamental waves, and a nonlinear optical element 5, which is provided within a resonator made of the end face of a laser medium 3 and an output mirror 4, oscillates the second harmonics back and forth from the fundamental waves. - 特許庁
基本周波数に奇数次高調波を中心に含んだ入力矩形信号SSQは、信号出力部2からキャリア周波数(f)のN倍(Nは2以上の自然数)周波数で出力される第1信号SR(N×f)と共に復号部3に入力される。例文帳に追加
The input rectangular signal SSQ including an odd number-order harmonic in the center of the reference frequency is inputted to a demodulator 3 together with the first signal SR (N×f) outputted by an N (N is a natural number equal to or more than 2) times frequency of a carrier frequency (f) from a signal output portion 2. - 特許庁
それ故、受電点における受電電力が振動することもなく、第1の電力変換器3の交流側の電流高調波が増加することもなくなる。例文帳に追加
Therefore, received power at the power-receiving point does not vibrate, and a current harmonic wave of an AC side of the first power converter 3 does not increase as well. - 特許庁
非線形素子で構成された第2高調波発生用波長変換素子、和周波発生用波長変換素子を固体レーザ活性媒質を含む共振器内に挿入して、和周波レーザビームを発生させる波長変換レーザ装置において、共振器内に少なくとも一個以上の偏光方向回転素子を配置した。例文帳に追加
Related to a wavelength conversion laser device wherein a second harmonic generating wavelength conversion element comprising a non- linear element and a sum frequency generation wavelength conversion element 5 are inserted in a resonator comprising a solid-state laser active medium 2 to generate a sum frequency laser beam, at least one polarization direction rotating element 3 is provided in the resonator. - 特許庁
基板1と、この基板1の主面1a上に突出するリッジ型光導波路3とを備えている光導波路デバイスを製造する方法であって、前記光導波路デバイスが第二高調波発生デバイスで、前記リッジ形光導波路が擬似位相整合型の周期分極反転構造を有し、アブレーション加工法によって前記リッジ型光導波路を形成する。例文帳に追加
In a method for manufacturing an optical waveguide device equipped with a substrate 1 and the ridge type optical waveguide 3 projecting on the main surface 1a of the substrate 1, the optical waveguide device is a second higher harmonic generating device and the ridge type optical waveguide has a dummy phase matching type cyclic polarization inversion structure and is formed by an abrasion processing method. - 特許庁
基材1の両面に透明電極層2,3が形成された透明導電膜のパターニングにおいて、YAGまたはYVO_4レーザー4の基本波または第2高調波を用いることで、片面のみの精度の高いパターニングが可能となる。例文帳に追加
When patterning the transparent conductive film with transparent electrode layers 2 and 3 formed on both sides of a base material 1, high-accuracy patterning on one side only is allowed by using the fundamental wave or the second higher harmonic wave of YAG or YVO_4 laser 4. - 特許庁
第2高調波短パルスレーザ光3にて溶融池1の発光強度よりも強く照明される時の溶接部の像と、基本波短パルスレーザ光31のファンビーム32による母材12表面の光切断像39を、カメラ4で同時に撮影させる。例文帳に追加
The image of the weld zone when it is illuminated more intensely than the light emission intensity of a molten pool 1 with the second harmonic short pulse laser beams 3 and the optical cutting image 39 on the surface of a base material 12 with fan beams 32 of the fundamental harmonic short pulse laser beams 31 are simultaneously picked up by the camera 4. - 特許庁
半導体レーザ1のDBR領域1−2に注入される波長可変電流をモード内波長可変電流ILDmcに設定すれば、このモード内波長可変電流ILDmcをモード境界のギャップ電流値から十分に離して設定できるので、SHGレーザ3からの第2高調波パワーを最大近傍で安定させることができる。例文帳に追加
By setting the wavelength changing current which is injected in a DBR region 1-2 of the semiconductor laser 1 is set as an in-mode wavelength changing current I LDmc, it can be set to be sufficiently separated from a gap current value of a mode boundary, so that the second higher harmonic power from the SHG laser 3 can be stabilized in the vicinity of the maximum. - 特許庁
薄膜トランジスタ19は、ソースおよびドレイン領域3を含み、Nd:YAG(イットリウム−アルミニウム−ガーネット)第2高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜4と、半導体膜4を覆う層間絶縁膜6とを有する。例文帳に追加
The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4. - 特許庁
図1、図2と図3の様に、全反射膜付きバックファシトとファイバピグテール側全反射ファイバブラッグ格子と構成されるLD共振器内部に、非線形光学結晶を置くことにより、近赤外LD波長から可視波長へ効率よく変換するLDファイバピグテール第二高調波出力共振器構造。例文帳に追加
As shown in Figures 1, 2, and 3, a nonlinear optical crystal is arranged in an LD resonator composed of a Back Facet coated with a total reflection film and a fiber pigtail-side total reflection fiber Bragg diffraction, thereby constituting the LD fiber pigtail second harmonic output resonator which efficiently converts a near infrared LD wavelength to a visible wavelength. - 特許庁
希土類元素イオンのうち少なくともPr^3+が添加された固体レーザー結晶14を、GaN系レーザーダイオード11から発せられたレーザービーム10によって励起し、それにより得られた固体レーザービーム20を光波長変換素子16に通して紫外域の第2高調波21等に波長変換する。例文帳に追加
This laser-diode pumped solid-state laser excites solid laser crystal 14 to which at least Pr3+ among rare earth element ions is added with the laser beam 10 emitted by a GaN-based laser diode 11 and passes the obtained solid-state laser beam 20 through a light wavelength converting element 16 for conducting wavelength conversion to a 2nd higher harmonics 21, etc., in the ultraviolet range. - 特許庁
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