例文 (999件) |
薄面化の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4253件
サファイア基板の主面に薄いシリコンを成長し、窒化物半導体層を厚く成長する。例文帳に追加
A thin silicon substrate grows on a main surface of a sapphire substrate, for the nitride semiconductor layer to grow thick. - 特許庁
こうして薄膜化されたn型GaN基板1の第2の主面にn側電極を形成する。例文帳に追加
An n-side electrode is formed on the second main surface of the n-type GaN substrate 1 thinned down. - 特許庁
セラミックス基板及びセラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法例文帳に追加
CERAMIC SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING THIN FILM ON COARSE SURFACE OF CERAMIC SUBSTRATE - 特許庁
裏面5bを研削して半導体ウエハ5を薄厚化した後にBGテープ25を剥離する。例文帳に追加
After a thickness of a semiconductor wafer 5 is reduced by grinding a back surface 5b, the BG tape 25 is peeled. - 特許庁
金属誘導側面結晶化方法を用いた薄膜トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加
THIN FILM TRANSISTOR USING METAL INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION METHOD AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
この酸化被膜により、加熱調理容器の外表面は薄茶色に着色される。例文帳に追加
The surface of the heat cooking vessel is colored to light brown with this oxidation- coating film. - 特許庁
薄膜成長に適した平坦な表面を持つ酸化亜鉛単結晶基板を得る。例文帳に追加
To obtain a zinc oxide single crystal substrate having a flat surface suitable for growing a thin film. - 特許庁
その反射光(4b)の光強度は、薄膜2の表面温度に依存してわずかに変化する。例文帳に追加
Light intensity of its reflected light (4b) changes slightly, depending on the surface temperature of the thin film 2. - 特許庁
ガラス板4bの上面には酸化チタンの薄膜5が付着されている。例文帳に追加
A thin film 5 of titanium oxide is attached on the upper face of a glass plate 4b. - 特許庁
この際、半導体基板のトレンチによる開口表面に薄い酸化膜を形成する。例文帳に追加
At this time, a thin oxide film is formed on the surface of an opening of the trench of the semiconductor substrate. - 特許庁
半導体基板11は、裏面11a側から受光を行うように薄板化されている。例文帳に追加
The semiconductor substrate 11 is made so laminar as to receive light from its backside surface 11a side. - 特許庁
結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING THIN FILM FORMED OF ORIENTED CRYSTAL OF TUNGSTEN OXIDE ON SURFACE OF SUBSTRATE HAVING LOW CRYSTALLINITY - 特許庁
また、プラズマ反応器の構造を非常に薄く構成することができて設備の面積を最小化できる。例文帳に追加
The floor area of a facility is minimized by very thinly constituting a structure of a plasma reactor. - 特許庁
シリコン酸化膜17の表面には撥水性の有機薄膜19が形成されている。例文帳に追加
A water repellent organic thin film 19 is formed on the surface of the silicon oxide film 17. - 特許庁
極薄粗面化フィルムおよびそれを得るための原反シート、その製造方法例文帳に追加
ULTRATHIN ROUGHENED FILM AND MASTER SHEET FOR MANUFACTURING IT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
表面および結合性が向上された窒化アルミニウム薄膜の製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING ALUMINUM NITRIDE THIN FILM HAVING IMPROVED SURFACE AND BONDING CHARACTERISTIC - 特許庁
金属薄板表面にすず化合物被膜が形成されていることを特徴とするシャドウマスク。例文帳に追加
The metal thin plate surface of the shadow mask is formed with a tin compound film coating. - 特許庁
そして、そのコート層3の外周面に、イソシアネートからなる薄い硬化層4が形成されている。例文帳に追加
In addition, a thin hard layer 4 of isocyanate is formed on the circumferential face of the coating layer 3. - 特許庁
ガラス基板の粗面化方法およびそのガラス基板を用いた薄膜多結晶Si太陽電池例文帳に追加
METHOD FOR ROUGHENING GLASS SUBSTRATE, AND THIN FILM POLYCRYSTALLINE SILICON SOLAR BATTERY USING THE SAME - 特許庁
AlN層表面が清浄であれば、GaN系III族窒化物薄膜(0001)が成長する。例文帳に追加
The GaN- based group III nitride thin membrane (0001) is grown, if the surface of the AlN layer is clean. - 特許庁
該薄膜は物理的,化学的蒸着法により、超砥粒表面に形成される。例文帳に追加
The thin membrane is formed on the super abrasive grain surface by a physical or chemical deposition method. - 特許庁
半導体ウエハの薄層化方法および半導体ウエハの裏面研削装置例文帳に追加
METHOD OF REDUCING THICKNESS OF SEMICONDUCTOR WAFER AND DEVICE FOR GLIDING BACK FACE OF SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁
一方の面に外部接続端子が形成された半導体装置の薄型化を可能にする。例文帳に追加
To achieve thinning of a semiconductor device having an external connection terminal formed on one side. - 特許庁
次に、結晶基板101の主表面の上に、インジウムを含む窒化物の薄膜121を形成する。例文帳に追加
Then, a thin film 121 of nitride containing indium is formed on the main surface of the crystal substrate 101. - 特許庁
生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた希薄銅合金線を提供する。例文帳に追加
To provide a dilute copper alloy wire having high productivity and excellent in conductivity, softening temperature and surface quality. - 特許庁
生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた希薄銅合金線材を提供する。例文帳に追加
To provide a dilute copper alloy wire rod having high productivity and excellent conductivity, softening temperature and surface quality. - 特許庁
表面層115cは,大気圧プラズマCVD法により薄膜形成された無機酸化物である。例文帳に追加
The surface layer 115c is an inorganic oxide formed as a thin film by an atmospheric pressure plasma CVD method. - 特許庁
圧電デバイスの薄肉化による撓みを抑制した、表面実装型の圧電デバイスを提供する。例文帳に追加
To provide a surface-mounted piezoelectric device that exhibits reduced deflection caused by reduced thickness of the piezoelectric device. - 特許庁
この状態で半導体基板10の裏面を研磨して薄化した後、開孔15を形成する。例文帳に追加
After the rear surface of the semiconductor substrate 10 is thinned by grinding, an opening 15 is formed. - 特許庁
薄化領域TNRの表面上に、活物質層AE1が形成される。例文帳に追加
An active material layer AE1 is formed over the surface of the thinned area TNR. - 特許庁
装置の薄型化を図りつつも被走査面での色ずれの少ない光走査装置を提供する。例文帳に追加
To provide an optical scanning apparatus that has little color shift on a surface to be scanned while a thin size of the scanner is achieved. - 特許庁
酸化亜鉛薄膜及び弾性表面波デバイス並びにこれらの製造方法例文帳に追加
ZINC OXIDE THIN FILM, SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
光硬化性樹脂の薄膜33はモールド31の第1主面側に形成しても良い。例文帳に追加
The thin film 33 of the photosetting resin may be formed on the first principal plane side of the mold 31. - 特許庁
活物質薄膜の表面に酸化錫層が形成されていることを特徴としている。例文帳に追加
A tin oxide layer is formed on a surface of the active material thin film. - 特許庁
埋め込み酸化膜の厚い部分と薄い部分における基板表面の段差を減少させる。例文帳に追加
To reduce a step on a surface of a substrate between a thick portion and a thin portion of a buried oxide film. - 特許庁
半導体チップの裏面研削による薄型化を精度よく、経済的に行う。例文帳に追加
To precisely and economically make a semiconductor chip thin by polishing its reverse surface. - 特許庁
プレス後の表面品質に優れた焼付硬化性高強度薄鋼板およびその製造方法例文帳に追加
BAKE-HARDENABLE HIGH-STRENGTH STEEL SHEET SUPERIOR IN SURFACE QUALITY AFTER HAVING BEEN PRESSED, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁
径大かつ薄型の穴を、容易にかつ短時間にて路面に形成して、工期の短期化を図る。例文帳に追加
To easily form thin holes with a large diameter in the road within a short period of time to reduce a construction period of time. - 特許庁
次いで、ウェハ1上に実装された小径チップ3を裏面側から薄型化する。例文帳に追加
Then, the small-diameter chips 3 packaged on the wafer 1 are thinned from the rear face side. - 特許庁
トレンチ51の側面に沿うゲート酸化膜59を薄く均一な厚さとする。例文帳に追加
A thickness of a gate oxide film 59 along a side surface of a trench 51 is made thin and uniform. - 特許庁
1:被測定部材の表面の所定位置に耐酸化性金属の薄層を設ける。例文帳に追加
(1) The thin layer of oxidation-resistant metal is provided for a prescribed position in the surface of a member to be measured. - 特許庁
2枚の拡散層42は、各々片面が高排水性を有し、剛性が増して薄層化可能である。例文帳に追加
The two diffusion layers 42 include high drainage performance on each side, and can be thinned with rigidity increased. - 特許庁
光硬化性樹脂の薄膜はモールドの第1主面側に形成しても良い。例文帳に追加
The thin film of photocurable resin can be formed on a first main face-side of the mold. - 特許庁
片面に信号端子を有するメモリカードを2枚装填する場合に薄型化を可能とする。例文帳に追加
To provide a memory card contacting structure which can reduce the thickness when mounting two memory cards having a signal terminal on one side. - 特許庁
ディスプレイ装置の薄型化を図ると共に画面の輝度ムラも解消できるようにする。例文帳に追加
To make a display device small in thickness, and to eliminate the luminance unevenness of a screen. - 特許庁
散発的な点を除いた自然な形で薄板の表面欠陥をグループ化できるようにする。例文帳に追加
To group surface defects on a thin plate in a natural manner except scattered points. - 特許庁
トレンチは高ドープ材料で充填し、基板は裏面から薄型化する。例文帳に追加
A trench is filled with a high dope member and a substrate is made thin from the back side. - 特許庁
配線の上面からの深さが少なくとも5nmまでの表層部を除去し、薄層化する。例文帳に追加
A surface layer is removed by at least 5 nm in depth from the surface of the wiring, for thinning. - 特許庁
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