「薄面化」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

光の利用効率が高く正面方向の輝度の高い、かつ薄型化が可能な大面積の面光源素子および表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plane light source element of a large area with a high utilization efficiency and a high brightness in a front direction which can be thinned. - 特許庁

（１）生体の皮膚表面に下着のように、表面が多極磁化したマグネットシート（厚みが薄く、幅が広い）を大面積で当てる。例文帳に追加

(1) A magnet sheet (in a thin thickness and a wide width) whose surface is multipole-magnetized is applied, in a large area, to the surface of the skin of a living body so as to be like underwear. - 特許庁

薄肉化した芯金表面の樹脂被覆層表面の平滑性を向上させる樹脂被覆ローラ表面の平滑装置を提供する。例文帳に追加

To provide a surface smoothing apparatus of a resin coated roller for enhancing the surface smoothness of the thin-walled resin coating layer on the surface of a core metal. - 特許庁

基本操作を装置前面から可能、且つ筐体上面を平面にしながら、記録装置の薄型化を図る。例文帳に追加

To thin a recording device while a basic operation is enabled from a device front face, and also an enclosure upper face is made plane. - 特許庁

弗化カルシウム基板の表裏両面に酸化アルミニウム薄膜および二酸化ケイ素薄膜を多層成膜形成する光吸収の少ない酸化物多層膜光学素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide multilayer film optical element which has an oxide aluminum thin film and a silicon dioxide thin film on both the top and reverse surfaces of a calcium fluoride substrate in layers and is small in light absorption. - 特許庁

酸化ジルコニウムを主成分とする金属酸化物薄膜用組成物を電球ガラス基材表面に付与し、結晶化させることにより、容易に金属酸化物薄膜を有する電球用ガラスが提供される。例文帳に追加

The glass for electric bulb with a metal oxide film is readily provided, by attaching a composite for metal oxide film with zirconium oxide as a major component on the surface of a base material for the bulb glass and by crystallizing it. - 特許庁

半導体基板の表面を酸化膜で保護しつつ、金属酸化物薄膜形成時に酸化膜の酸素を還元して成膜を行うことで、高品質な金属酸化物薄膜を得る。例文帳に追加

To provide a high-quality metal oxide thin film by protecting the surface of a semiconductor substrate by an oxide film, and forming a film by reduction of oxygen of the oxide film at the time of forming the metal oxide thin film. - 特許庁

銀系薄膜（１１）をベースとし、その両面に酸化インジウムと銀との固溶域を実質的に持たない金属元素の酸化物との混合酸化物からなる透明酸化物薄膜（１２，１３）を形成する。例文帳に追加

A thin silver film (11) is used as a base, and transparent, thin oxide films (12 and 13) made of a mixed oxide comprising indium oxide and an oxide of a metal element which forms substantially no solid solution with silver are formed on both sides of the film (11). - 特許庁

酸化マグネシウム膜１は、酸化マグネシウム薄膜部４と、その表面から成長して酸化マグネシウム薄膜部４と一体になっている酸化マグネシウム板状結晶５の集合体６とを有している。例文帳に追加

The magnesium oxide film 1 is provided with an aggregate 6 of a magnesium oxide thin film part 4 and magnesium oxide plate crystal 5 growing from the surface of and integrated with the magnesium oxide thin film part 4. - 特許庁

薄層化のための精製の繰り返しを行うことなく、また面方向のサイズ（粒径）の縮小をほとんど発生させずに酸化黒鉛粒子の薄層化を促進できる酸化黒鉛粒子含有液の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a graphite oxide particle-containing liquid, in which thinning of graphite oxide particles can be accelerated without repeating purification for thinning, while substantially avoiding reduction in surface-direction size (particle size). - 特許庁

絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。例文帳に追加

A film deposition method of performing deposition processing to a workpiece W on whose surface an insulation layer 1 is formed includes: a first thin film formation process of forming a first thin film 60 consisting of first metal; an oxidation process of oxidizing the first thin film to form an oxide film 60A; and a second thin film formation process of forming a second thin film 62 containing second metal on the oxide film. - 特許庁

ＡＬＤによる酸化物薄膜又は窒化物薄膜と基板との界面特性を確実に高く維持することができると共に、成膜のスループットを低下せず、更にＣＶＤ法を利用することによって基板との界面をなすＡＬＤ高膜質層が損傷劣化する虞のない酸化物薄膜又は窒化物薄膜堆積体を提供すること。例文帳に追加

To provide an oxide thin film or a nitride thin film deposition element which can maintain the interface property of the oxide thin film by ALD and can highly maintain the substrate certainly, and without a possibility that an ALD high film quality layer which makes an interface with the substrate may be damaged and deteriorated, by utilizing a CVD method without lowering the throughput of depositing. - 特許庁

両面金属化ポリプロピレンフィルムの表面への金属薄膜の形成時に、一方の面に設けられた、外部電極と接続される第一の金属薄膜を先に形成し、その後に他方の面に第二の金属薄膜を形成することにより、引き出し電極と外部電極との接続を安定させる。例文帳に追加

When the metal thin film is formed on surfaces of both-surface metallized polypropylene film, a first metal thin film, which is provided on one surface and connected to the external electrode, is formed in first, and then a second metal thin film is formed on the other surface to stabilize connection between a drawing electrode and the external electrode. - 特許庁

表面に酸化スズ,酸化チタン,酸化インジウムなどの電導性薄膜を焼きつけ,透明で電導性のあるガラス例文帳に追加

a transparent and electroconductive glass, the surface of which is stained with an electroconductive film made of {tin oxide}  - EDR日英対訳辞書

面実装型半導体装置の小型化、薄型化と低コスト化、及び寄生インダクタンスの減少を図る。例文帳に追加

To contrive the miniaturization, thinning, cost reduction and decrease of the parasite inductance of a face mounting type semiconductor device. - 特許庁

表面に微細な凹凸パターンを有する基板の品質の安定化を図り、さらなる薄型化、小型化も可能とする。例文帳に追加

To achieve stabilization in the quality of a substrate having a fine uneven pattern on its surface and further achieving the thickness reduction and miniaturization of the substrate. - 特許庁

真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜１０は、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる下地絶縁膜６の上面に形成されている。例文帳に追加

The semiconductor thin film 10 consisting of intrinsic zinc oxide is formed on the upper surface of an underlying insulating film 6 consisting of silicon oxide or silicon oxynitride. - 特許庁

この極く薄いチタン酸化膜１０を窒化物半導体２の上に残存させて表面安定化膜として使用し、リーク電流を低減させる。例文帳に追加

The very thin titanium nitride film 10 is left on the nitride semiconductor 2 and is used as a surface stabilizing film so as to reduce the leakage current. - 特許庁

低温酸化により酸化速度を制御できるようにするとともに、界面準位の少ない極薄膜のゲート酸化膜を形成できるようにする。例文帳に追加

To control the oxidation rate by low-temperature oxidation and also to form a gate oxide film being an ultrathin film with few interfacial levels. - 特許庁

次に残りの窒化膜を全面除去して薄いゲート酸化膜を形成することにより、異なった膜厚のゲート酸化膜を得る。例文帳に追加

Then, the remaining nitride film is eliminated on the entire surface and a thin gate oxide film is formed, thus obtaining the gate oxide film with a different film thickness. - 特許庁

その後、ＧａＮ基板１０裏面を機械的に研磨して薄膜化し、化学機械研磨によって研磨傷を除去し、平坦化する。例文帳に追加

Thereafter, the GaN substrate 10 is thinned through mechanical polishing of the bottom surface thereof, and then scratches are removed through chemical mechanical polishing, to thereby planarize the bottom surface. - 特許庁

ランプイメージを顕在化させることなく、面光源装置の薄型化と低コスト化を実現することができる仕組みを提供する。例文帳に追加

To provide a structure capable of realizing thinning and low cost of a surface light source device without making a lamp image obvious. - 特許庁

軽量化を図って操作力を軽減でき、そして、薄型化を図って前倒し時、荷室床面に合わせてフラット化を可能にする。例文帳に追加

To reduce operation force by lightening the weight and to realize flatness adapted for a floor surface of a baggage room upon forward falling by thinning the thickness. - 特許庁

消費電力の抑制，薄型化，高精細化並びに大画面化が容易であり、設置場所が限定されない表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device in which suppressing power consumption, making the device thin, making it high definition, and making it large screen can be easily performed and for which the installation place is not limited. - 特許庁

アンテナの薄型化、組立工程の簡略化に優れ、アンテナを小型化できるビームスキャン用平面アンテナを提供する。例文帳に追加

To provide a planar antenna for beam scanning capable of excellently thinning an antenna, simplifying an assembly process and miniaturizing the antenna. - 特許庁

また、遮光膜７の表面は酸化されないため、遮光膜７の薄膜化が図れ、画素の微細化に対応できる。例文帳に追加

Since the surface of the light shielding film 7 is not oxidized, in addition, the thickness of the film 7 can be reduced and the picture elements can be made finer. - 特許庁

薄型化、小面積化、狭額縁化を実現できる液晶表示装置およびこれを用いた携帯端末を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display apparatus which is capable of realizing a reduced thickness and area and narrowed frame of the display apparatus and to provide a portable terminal using the same. - 特許庁

長時間通電加熱しても窒化タンタル薄膜ヒータの表面が酸化して抵抗値が劣化しない光導波路素子を提供する。例文帳に追加

To provide an optical waveguide element which is not deteriorated in a resistance value by the oxidation of the surface of a thin tantalum nitride film heater in spite of electrical heating for a long time. - 特許庁

表面に微細な凹凸パターンを有する基板の品質の安定化を図り、さらなる薄型化、小型化も可能とする。例文帳に追加

To attempt to stabilize the quality of a substrate having a fine concavo-convex pattern on a front surface, and to further enable the wall thinning and miniaturation. - 特許庁

構造を簡略化することができ、低コスト化を図ることができるとともに、薄型化を図ることができる背面投射型表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a rear projection type display device whose structure can be simplified, whose cost can be reduced and which can be made thinner. - 特許庁

また、遮光膜７の表面は酸化されないため、遮光膜７の薄膜化が図れ、画素の微細化に対応できる。例文帳に追加

In addition, since the surface of the light shielding film 7 is not oxidized, the film 7 can be thinned to support the production of fine pixels. - 特許庁

卑金属薄膜４、誘電体薄膜５および上部電極６の側面は卑金属薄膜４と同じ金属原子を含む卑金属酸化物７で覆われている。例文帳に追加

Side surfaces of the base metal thin film 4, dielectric thin film 5, and upper electrode 6 are covered with base metal oxide 7 containing the same metal atom with the base metal thin film 4. - 特許庁

半導体薄膜を表面に有する基板上にレーザ光を照射して、半導体薄膜を融解・結晶化させる際に用いられる、半導体薄膜の粒径均一性の判定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for determining the uniformity of particle size in a semiconductor thin film used in melting and crystallizing the semiconductor thin film by radiating a laser beam onto a substrate having the semiconductor thin film on the surface. - 特許庁

プラズマを安定・均一化でき、大面積で均一な半導体薄膜を成膜することができるプラズマＣＶＤ方法を用いた半導体薄膜の製造方法および半導体薄膜製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing semiconductor thin film and a semiconductor thin film manufacturing apparatus utilizing a plasma CVD method for stably uniforming plasma and forming a large area uniform semiconductor thin film. - 特許庁

この工程により結晶性半導体薄膜１０３の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。例文帳に追加

By this process, the surface of the crystalline semiconductor thin film 103 is markedly planarized, and defects in grain boundaries or crystal grains are eliminated and thus a single-crystal semiconductor thin film or a substantially single-crystal semiconductor thin film is obtained. - 特許庁

この工程により結晶性半導体薄膜１０４の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。例文帳に追加

By this process, the surface of the crystalline semiconductor thin film 104 is markedly planarized and defects in grain boundaries or crystal grains are eliminated, and thus a single-crystal semiconductor thin film or a substantially single-crystal semiconductor thin film is obtained. - 特許庁

適切な工程条件下で表面研磨工程を適用して薄い厚いを有する強誘電体薄膜を具現することができ、強誘電体薄膜の劣化を顕著に改善することができる。例文帳に追加

By going through a surface polishing process under appropriate process conditions, thin and thick ferroelectric thin films can be embodied, thus substantially improving deterioration of the ferroelectric thin film. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１の表面に、Ａｓ薄膜２と、Ｇａ_2Ｏ_3薄膜４と、Ａｓ薄膜５と、で構成される３層無機レジスト酸化膜１０を形成する。例文帳に追加

A three-layer inorganic resist oxidation film 10 including an As thin film 2, a Ga_2O_3 thin film 4 and an As thin film 5 on the surface of a GaAs substrate 1. - 特許庁

基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを照射して酸化物膜を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method of a mask blank having the thin film for forming a transfer pattern on a substrate, after forming a thin film on the substrate, an oxide film is formed by radiating ozone gas to a surface of the thin film. - 特許庁

第１金属薄膜および／または第２金属薄膜の少なくとも一方面には、さらに金属酸化物より主に構成されるバリア薄膜が形成されていることが好ましい。例文帳に追加

On at least one surface of the first metallic thin film and/or the second metallic thin film, a barrier thin film mainly composed of a metal oxide is preferably formed. - 特許庁

薄膜基板１と裏面電極２であるモリブデン薄膜の間に融点または軟化点が４００℃以下の薄膜４を形成した太陽電池。例文帳に追加

In this solar cell, a thin film 4 having a melting point or softening point of ≤400°C is formed between the thin film substrate 1 and a thin molybdenum film which is formed as a rear electrode 2. - 特許庁

薄型テレビのディスプレイパネル構体の背面に配設されている制御回路基板をフロントキャビネットとスタンドユニットおよびスピーカーユニットの各筐体に配設して薄型テレビの薄型化を図る。例文帳に追加

To make a thin type television thin by distributingly arranging a control circuit substrate disposed at the back of a display panel structure of a thin type television into each housing of a front cabinet, a stand unit and a speaker unit. - 特許庁

金属薄板と高分子化合物との積層体であって、金属薄板表面に付与されている樹脂層内の気泡率が体積比で０％〜５％であることを特徴とする金属薄板積層体を用いる。例文帳に追加

This metal thin sheet laminate is a laminate comprising a metal thin sheet and a polymer compound and characterized in that the resin layer applied to the surface of the metal thin sheet has a void volume of 0-5%. - 特許庁

単結晶シリコン薄膜の膜厚バラツキを抑えつつ、単結晶シリコン薄膜を鏡面化することができるシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon thin-film transfer wafer in which a single crystal silicon thin-film can be mirror finished while suppressing film thickness variation of the single crystal silicon thin-film. - 特許庁

本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide a new method for manufacturing a substrate for a thin film element, which can provide the substrate for the thin film element, which is superior in surface smoothness and can suppress the deterioration of characteristics of the thin film element. - 特許庁