「薄面化」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

アセン系化合物を用いて、大面積化が容易であり、低コスト化が可能となる塗布法によって、効率の良い有機薄膜太陽電池を与える有機薄膜太陽電池用薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a thin film for organic thin film solar cell which provides an organic thin film solar cell superior in efficiency by an applying method capable of obtaining a large area easily and at low cost by using an acene-group compound. - 特許庁

又、このような反射面を用いることでリフレクタを薄型化できると同時に出射光の拡散効果を高めることが出来、その薄形化を図ることでＬＥＤ照明装置の薄形化を実現できる。例文帳に追加

Further, when such a reflecting face is applied, the reflector can be made thinner as well as a diffusing effect of the emitted light can be enhanced, and a thin construction of the LED device can be materialized by making the reflector thinner. - 特許庁

表面薄層成長工程において表面薄層を、最終的に得るべき目標厚さに対し、冷却工程時において該表面薄層を形成する窒化物の分解により生ずる該表面薄層の厚さ減少を補償する補償厚さを部増しした形で成長する。例文帳に追加

The skin layer in a skin layer growing process is grown so as to make its thickness equal to the sum of its final target thickness and a compensatory thickness compensating for a thickness reduction which occurs in the skin layer in a cooling process due to the decomposition of a nitride forming the skin layer. - 特許庁

透明高分子フィルムの少なくとも一方面に、有機分を含有する金属酸化物薄膜と、銀（Ａｇ）を主成分とし、ビスマス（Ｂｉ）を含有する銀系薄膜とが積層されており、銀系薄膜の少なくとも一方面には、有機分を含有する金属酸化物薄膜よりも薄い金属酸化物薄膜が形成されている透明積層フィルムとする。例文帳に追加

In the transparent laminated film, a metal oxide film containing an organic component and a silver based film containing silver (Ag) as a main component and bismuth (Bi) are laminated on at least one side of a transparent polymer film, and a metal oxide film which is thinner than the metal oxide film containing the organic component is formed on at least one side of the silver based film. - 特許庁

本発明は、薄い導波路フィルムを通じて光を誘導し、面発光させることで発光キーパッドの薄型化を実現する。例文帳に追加

Thin-type light-emitting keypad is realized by guiding light through the thin waveguide film and carrying out surface light emission. - 特許庁

アモルファス薄膜を溶融加熱により結晶化させる際に、結晶薄膜の表面に突起が形成されるのを防止する。例文帳に追加

To prevent protrusions from being formed on the surface of a crystal thin film during crystallizing an amorphous thin film by melt heating. - 特許庁

この場合、第３の電極板１２はチタン薄板からなり、その表面には酸化チタンからなる光干渉用薄膜１３が設けられている。例文帳に追加

In this case, the third electrode 12 comprises a titanium sheet on whose surface a light interference thin film 13 composed of titanium oxide is provided. - 特許庁

本発明は、金属酸化物表面上に、所望の官能基を有するオルガノシロキサン薄膜及び薄膜のパターンを形成させることを課題とする。例文帳に追加

To form an organosiloxane thin film having a desired functional group and a pattern of the thin film on a metal oxide surface. - 特許庁

容器本体３は内壁面１８にアモルファス炭素、アモルファス珪素薄膜、珪素酸化物からなる薄膜を備える。例文帳に追加

The container body 3 includes, on an inner wall surface 18, a membrane comprising amorphous carbon, an amorphous silicon film and a silicon oxide. - 特許庁

この薄膜トランジスタは結晶化された半導体薄膜とその一面側にゲート絶縁膜を介して重ねられたゲート電極とで構成されている。例文帳に追加

These TFTs are composed of crystallized semiconductor thin films and gate electrodes superposed via gate insulating films on one side thereof. - 特許庁

次いで、薄板化された基板２１の裏面２１Ｂに対してレーザ加工又は機械加工を施し、薄肉部分２６を形成する。例文帳に追加

The rear side 21B of the substrate 21 made thin is subjected to laser beam machining or machine work to form a thin part 26. - 特許庁

この転写された錫薄膜表面をハロゲン化処理した後、セラミックス薄膜素子を第二の基板上へ転写する。例文帳に追加

After the transferred tin thin-film surface has been halogenated, the ceramics thin film element is transferred onto a second substrate. - 特許庁

薄型・大画面液晶ディスプレイのバックライトユニットに組み込まれる発光モジュールの薄型化を推進する。例文帳に追加

To attain a thin light-emitting module which is assembled in the backlight of a liquid crystal display having a thin and large screen. - 特許庁

この内側薄板23における周縁部26および凹部27の底面を、外側薄板21に熱硬化性の接着剤により接着する。例文帳に追加

A bottom surface of the peripheral edge part 26 and the recessed part 27 in this inside thin plate 23, is adhered to the outside thin plate 21 by a thermosetting adhesive. - 特許庁

本発明の埋設型枠５は、薄肉の型枠材１の表面に、改質硫黄の固化体からなる防食材４を薄膜状に付着させた。例文帳に追加

In this embedded form 5, a corrosion-proof material 4 formed of a solidified body of reformed sulfur is stuck in a thin film state to the surface of a thin-walled form material 1. - 特許庁

大量の大面積かつ均一な酸化物薄膜を、低温で高速に、かつ安定的に基材上に堆積する薄膜作成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film forming device stably depositing a large amt. of uniform oxide thin film of a large area on a base material at a low temp. and a high speed. - 特許庁

窒化アルミ薄膜を成膜した後に表面を研磨するに当たり、平均表面粗さが小さく、研磨レートのばらつきも小さく、しかも研磨後の表面の残留物が少ない窒化アルミ薄膜表面が得られる研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing method for obtaining an aluminum nitride thin-film surface with less average surface roughness, polishing rate scattering, and surface residue after polishing when the surface is to be polished after the aluminum nitride thin-film has been formed. - 特許庁

本発明は、層面同士の積層数の少なく且つ層面の面方向に沿った面積の大きい薄片化黒鉛を製造する薄片化黒鉛の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing flaky graphite, with which the flaky graphite having a few lamination layers of layer faces with one another and having a large area along the surface direction of the layer faces is produced. - 特許庁

金属板を金属板巻き戻しリールに設置する工程と、金属箔を金属箔巻き戻しリールに設置する工程と、金属板を金属板巻き戻しリールから巻き戻し金属板表面を活性化して金属板表面に第１の金属薄膜を形成する工程と、金属箔を金属箔巻き戻しリールから巻き戻し金属箔表面を活性化して金属板表面に第２の金属薄膜を形成する工程と、活性化した第１の金属薄膜面と第２の金属薄膜面とを圧接し、金属板表面に形成された第１の金属薄膜面が、金属箔表面に形成された第２の金属薄膜面と接するように積層する。例文帳に追加

The surface of the activated first metal membrane and the surface of the second metal membrane are brought into contact with each other under pressure and the surface of the first metal membrane formed on the surface of the metal sheet is laminated to the surface of the second metal membrane formed on the surface of the metal foil. - 特許庁

凝固化或いは巨大粒子化した酸化膜研磨用スラリーを単位粒子に粉砕し、ウエハー薄膜表面に傷を発生させることなく、ウエハー薄膜表面の平坦化を行う。例文帳に追加

To obtain a flat surface of a wafer thin film without giving any damage on the surface of wafer thin film by milling the coagulated slurry or large size particle slurry for polishing an oxide film into the unit particles. - 特許庁

基板露出面だけへの半導体薄膜の選択成長、酸化物パターン面む含む全面に半導体薄膜の成長、あるいは高濃度に不純物を含む半導体薄膜の成長が可能で、各種半導体装置の形成に適する半導体薄膜成長装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor thin film growing device suitable for forming various semiconductor devices for selectively growing a semiconductor thin film only on a substrate exposed surface, growing a semiconductor thin film over the whole face including an oxide pattern face, and growing a semiconductor thin film containing impurities at a high concentration. - 特許庁

また、酸化物強誘電体薄膜のように、表面が露出していない場合は、該薄膜の形成前に、該薄膜を形成する下地層の表面に、同様の活性酸素を照射する。例文帳に追加

When the surface is not exposed like an oxide ferroelectric thin film, the surface of the underlayer for forming the thin film is irradiated with the active oxygen before forming the thin film. - 特許庁

化学蒸着方法による銅薄膜形成における新たな原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）（ＡＯＴＭＳ）、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＯＴＭＳ）を用いて、緻密で、表面が鏡面光沢を有し、かつ比抵抗が良好な銅薄膜を形成できる銅薄膜形成方法を提案する。例文帳に追加

To provide a copper thin film forming method which can form a dense copper thin film with a surface having a specular gloss and with a satisfactory specific resistance, by using Cu (hfac)(AOTMS) and Cu (hfac)(VOTMS) which are new materials for forming a copper thin film with a chemical vapor deposition method. - 特許庁

薄膜表面のみならず薄膜断面を含めた３次元的な磁化状態の情報を高分解能で得ることができるＭＦＭを用いた磁性薄膜の磁極分布断層解析法を提供すること。例文帳に追加

To provide information of a three-dimensional magnetized condition including not only a thin film surface but also a thin film cross-section with high resolution. - 特許庁

基板６２ａの一方の表面上に膜厚が段階的に変化するよう薄膜６２ｂが形成された薄膜板６２を試料面上に載置し、光を薄膜６２ｂに照射する。例文帳に追加

A thin film plate 62 formed with thin films 62b so as to stepwise change their film thicknesses on one surface of a substrate 62a is placed on a sample surface and the thin films 62b are irradiated with light. - 特許庁

ｎ型 III族窒化物半導体表面にニッケル薄膜を形成し、該ニッケル薄膜の表面にさらにアルミニウム薄膜を載置した２層構造のｎ型電極とする。例文帳に追加

A nickel thin film is formed on the surface of an n-type III group nitride semiconductor, and an n-type electrode of a 2-layer structure in which an aluminum thin film is further mounted to a surface of the nickel thin film is formed. - 特許庁

この酸化物基板の清浄化方法によって酸化物基板の表面を清浄化する工程と、清浄化した酸化物基板の表面に酸化物半導体結晶を成長させて酸化物半導体薄膜を得る工程とを有することを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of an oxide semiconductor thin film includes processes of: cleaning the surface of the oxide substrate by the cleaning method of the oxide substrate; and growing an oxide semiconductor crystal on the surface of the cleaned oxide substrate to obtain the oxide semiconductor thin film. - 特許庁

比誘電率が大きくリーク電流が小さな酸化ニオブ薄膜および／または酸化タンタル薄膜の上下面に上部電極及び下部電極を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。例文帳に追加

To provide a high dielectric thin film capacitor having an upper electrode and a lower electrode on the upper and lower surfaces of a niobium oxide thin film and/or a tantalum oxide thin film having a large specific inductive capacity and a small leakage current. - 特許庁

合金薄帯を急冷することができ、かつ、形状と表面状態の良好な析出硬化型合金薄帯を得ることができる析出硬化型合金薄帯の製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a production device for a precipitation hardening type alloy thin strip which can rapidly cool an alloy thin strip, and also, can obtain the precipitation hardening type alloy thin strip having satisfactory shape and surface conditions. - 特許庁

表面及び結合特性の向上を目的とする窒化アルミニウム薄膜の処理方法において、窒化アルミニウム薄膜蒸着後に前記薄膜の後処理工程としてマイクロ波プラズマ処理をすることを特徴とする。例文帳に追加

In the method of treating the aluminum nitride thin film for the purpose of improving surface and bonding characteristics, microwave plasma treatment is carried out, after the vapor deposition of the aluminum nitride thin film, as a step of aftertreatment for the thin film. - 特許庁

有機薄膜であって、基板の表面に形成された薄膜であって、薄膜を構成する分子の一部が、基板表面に化学吸着し、前記基板表面に化学吸着している分子に、基板表面に吸着していない分子が結合してなるものである。例文帳に追加

The organic thin film is formed on the surface of a substrate, wherein a part of molecules constituting the thin film is subjected to chemical adsorption on the surface of the substrate and molecules not adsorbed on the surface of the substrate are bonded to the molecules subjected to chemical adsorption on the surface of the substrate. - 特許庁

第１金属薄膜、第２金属薄膜、および、第３金属薄膜から選択される１種または２種以上の薄膜の少なくとも一方面には、さらに金属酸化物より主に構成されるバリア薄膜が形成されていることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, a barrier thin film composed mainly of the metal oxide is formed on at least one surface of one or more thin films selected from the first metal thin film, the second metal thin film, and the third metal thin film. - 特許庁

軟化温度が２００℃以下の基材の少なくとも片面に、屈折率１．２０〜１．３０の薄膜（Ａ）が形成されてなるか、あるいは、薄膜（Ａ）よりも屈折率が０．０１以上高い屈折率を有する薄膜（Ｂ）を介して薄膜（Ａ）が形成されてなる低屈折率薄膜。例文帳に追加

The low refractive index thin film is constituted by forming a thin film (A) of 1.20 to 1.30 refractive index at least on one surface of the base material with softening temperature of ≤200°C or forming the thin film (A) via a thin film (B) having refractive index higher than that of the thin film (A) by 0.01 or more. - 特許庁

薄型化、軽量化、大画面化、低コスト化に適した反射型電子黒板及びインタラクティブ型電子黒板システムを提供すること。例文帳に追加

To provide a reflection type electronic blackboard adapted to reductions in thickness, weight and cost and an increase in size of a screen and an interactive electronic blackboard system. - 特許庁

より大画面化，高輝度化，高精細化，薄型化した画像表示装置であっても冷却効果を高め、騒音の小さいものとする。例文帳に追加

To reduce noise by increasing cooling effects even when an image display device has a larger screen, higher brightness, higher definition, and is made thinner. - 特許庁

火災が続いたこともあって規模は次第に縮小化され、もとの勧学院の面影は薄れつつある。例文帳に追加

Its property has gradually been diminished due to several fires, and the vestige of the original Kangakuin has been fading.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この工程により、ポリシリコン薄膜２の表面の酸化を防止することができる。例文帳に追加

By this process, oxidation of the surfaces of the polysilicon thin film can be prevented. - 特許庁

金属誘導側面結晶化方法を用いた薄膜トランジスター及びその製造方法例文帳に追加

THIN FILM TRANSISTOR USING METAL INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION METHOD AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

チタン金属の表面に窒化チタンからなる高硬度の薄膜を密着性よく形成することである。例文帳に追加

To deposit a thin film of high hardness formed of titanium nitride on a surface of metal titanium with excellent adhesivity. - 特許庁

超砥粒表面の薄膜はチタン又はその化合物およびセラミックス素材のいずれかよりなる。例文帳に追加

The thin membrane of the super abrasive grain surface is made by either of titanium or its compound, and ceramic material. - 特許庁

ヘテロ接合界面の組成変化が急峻なヘテロ構造多層薄膜を製造する。例文帳に追加

To provide a heterostructure multilayered thin film with compositional steep variation at a heterojunction interface. - 特許庁

導体平板１にその表面に沿ってケーブル３を接続することにより、薄型化が図れる。例文帳に追加

The antenna can be made thin by connecting the cable 3 with the conductor plate 1 along the surface thereof. - 特許庁

サファイア基板上高臨界面電流超電導酸化物薄膜及びその作製方法例文帳に追加

HIGH CRITICAL FACE CURRENT SUPERCONDUCTING OXIDE THIN FILM ON SAPPHIRE SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

これにより良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜（ａ面ＧａＮ層）を得る。例文帳に追加

Thereby, the high-quality group III nitride semiconductor thin film (a Plane GaN layer) can be obtained. - 特許庁

形成した誘電体薄膜の成膜再現性を向上し、かつ表面モフォロジーを安定化し得る。例文帳に追加

To improve a film forming reproducibility of a formed dielectric thin film, and stabilize the surface morphology. - 特許庁