「表面炭化」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

本発明の固体支持体は、オリゴヌクレオチドまたはＤＮＡ断片を表面に担持可能な固体支持体において、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化珪素、炭化タンタル、炭化トリウム、炭化チタン、炭化ウラン、炭化タングステンまたは炭化ジルコニウム等の表面処理層が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

A solid substrate which can carry oligonucleotide or a DNA fragment on its surface has a surface treatment layer of a hafnium carbide, niobium carbide, silicon carbide, tantalum carbide, thorium carbide, titanium carbide, uranium carbide, tungsten carbide, zirconium carbide, etc., on its surface. - 特許庁

炭化水素流体に露出した表面を被覆する方法例文帳に追加

METHOD FOR COATING SURFACES EXPOSED TO HYDROCARBON FLUIDS - 特許庁

増大された表面積を有する炭化水素吸着装置例文帳に追加

HYDROCARBON ADSORBING DEVICE HAVING ENLARGED SURFACE AREA - 特許庁

炭化珪素単結晶ウェハ表面の研磨方法例文帳に追加

POLISHING METHOD OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER SURFACE - 特許庁

炭化珪素単結晶ウェハ表面の仕上げ研磨方法例文帳に追加

METHOD FOR FINISH POLISHING SURFACE OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER - 特許庁

炭素基材表面への炭化珪素膜の形成方法例文帳に追加

METHOD OF FORMING SILICON CARBIDE FILM TO SURFACE OF CARBON BASE MATERIAL - 特許庁

表面を有する炭化珪素基板が準備される。例文帳に追加

A silicon carbide substrate having a surface is prepared. - 特許庁

表面処理複合炭化物およびその製造方法例文帳に追加

SURFACE TREATMENT COMPOUND CARBIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

炭化ケイ素基板の表面再構成方法例文帳に追加

METHOD FOR RECONSTITUTING SURFACE OF SILICON CARBIDE SUBSTRATE - 特許庁

炭化層は、摺動部の表面に形成されている。例文帳に追加

The carbonization layers are formed on the surface of the sliding section. - 特許庁

ローラ母材表面に、炭化物を体積比で20〜70％含む金属−炭化物複合皮膜を備える。例文帳に追加

A mother material surface of the roller is covered by a metal- carbide composite coating containing a carbide of 20-70 vol.%. - 特許庁

前処理において、シリコン単結晶基板１３の表面を炭化処理して炭化処理層を形成する。例文帳に追加

In a pretreatment, the surface of a silicon single crystal substrate 13 is carbonized to form a carbonized layer. - 特許庁

炭化物を含まない表面層と、前記の焼結体と炭化物とで構成される内層とから成る。例文帳に追加

The compact comprises a surface layer containing no carbonized matter and an inner layer composed of the sintered compact and a carbonized matter. - 特許庁

単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板例文帳に追加

METHOD FOR FLATTENING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE - 特許庁

単結晶炭化ケイ素基板の表面改良方法及びその改良された単結晶炭化ケイ素基板、並びに、単結晶炭化ケイ素成長方法例文帳に追加

SURFACE IMPROVEMENT METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND IMPROVED SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND GROWING METHOD OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE - 特許庁

炭化珪素コーティング部材は、炭化珪素焼結体である基体２の表面２ａに化学蒸着による炭化珪素膜２を形成してなる。例文帳に追加

The silicon carbide coating member is obtained by forming a silicon carbide film 2 by chemical vapor deposition on the surface 2a of a substrate 2 formed as a silicon carbide sintered compact. - 特許庁

炭化珪素単結晶の表面の炭化を防止しつつ、昇華用原料の底部に炭化珪素の多結晶が析出することを抑制する。例文帳に追加

To effectively suppress the deposition of a polycrystal of silicon carbide on the bottom part of a raw material for sublimation while preventing the carbonization of the surface of a silicon carbide single crystal. - 特許庁

木材の表面を炭化した後または木材の表面を炭化する際に、その木材を圧縮成形してもよい。例文帳に追加

After or when the surface of the wood is carbonized, the wood may be compression-molded. - 特許庁

より簡便に炭化ケイ素基板の表面のマイクロパイプを閉塞することができる炭化ケイ素基板の表面再構成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reconstituting the surface of a silicon carbide substrate, by which the micro-pipes in the surface of the silicon carbide substrate can be blocked up more easily. - 特許庁

（ａ）シランカップリング剤により表面処理がされた炭化珪素。例文帳に追加

(a) Silicon carbide is surface-treated by a silane coupling agent. - 特許庁

炭化珪素基板の表面処理方法および半導体装置例文帳に追加

SURFACE TREATMENT METHOD FOR SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

物品上への炭化水素熱劣化堆積を防止するための表面処理例文帳に追加

SURFACE TREATMENT FOR PREVENTING HYDROCARBON THERMAL DEGRADATION DEPOSIT ON ARTICLE - 特許庁

繊維の表面に炭素皮膜を有する炭化けい素繊維とその製法例文帳に追加

SILICON CARBINE FIBER HAVING CARBON FILM ON SURFACE OF FIBER, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

レーザ照射によるコバルト含有炭化タングステン表面処理方法例文帳に追加

METHOD FOR SURFACE-TREATING COBALT-CONTAINING TUNGSTEN CARBIDE BY IRRADIATION WITH LASER - 特許庁

コークス炭化炉蓋の石炭層表面レベラー装入口開閉蓋例文帳に追加

OPENING/CLOSING LID FOR INSERTION INLET OF COAL LAYER SURFACE LEVELER OF COKE CARBONIZATION OVEN COVER - 特許庁

粉体表面平坦化治具及び炭化ケイ素単結晶の製造方法例文帳に追加

TOOL FOR FLATTENING SURFACE OF POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

黒鉛系材料は、例えば、表面に炭化ホウ素を有する黒鉛である。例文帳に追加

The graphite-based material is, e.g. graphite having boron carbide on the surface. - 特許庁

これにより、炭化珪素単結晶１０の成長表面を平坦にできる。例文帳に追加

Thus, the growing surface of silicon carbide single crystal 10 can be flattened. - 特許庁

比表面積が大きく力学特性が向上した炭化珪素フォーム例文帳に追加

SILICON CARBIDE FOAM WITH HIGH SPECIFIC SURFACE AREA AND IMPROVED MECHANICAL PROPERTIES - 特許庁

シリコン含浸炭化ケイ素部材およびその表面処理方法例文帳に追加

SILICON-IMPREGNATED SILICON CARBIDE MEMBER AND SURFACE TREATMENT METHOD OF THE SAME - 特許庁

珪素基板１の上に炭化珪素単結晶層２を形成したのち、この炭化珪素単結晶層２の上に、該炭化珪素単結晶層２の表面と比較して表面の凹凸が大きな表面荒れ層３を形成する。例文帳に追加

A silicon carbide single crystal layer 2 is formed on a silicon substrate 1 and a surface-roughened layer 3 having the surface large in unevenness in comparison with that of the surface of the silicon carbide single crystal layer 2 is formed on the silicon carbide single crystal layer 2. - 特許庁

配合する高石炭化度炭の表面破壊粉コークス量と低石炭化度炭の表面破壊粉コークス量とを別々に求め、これらを高石炭化度炭と低石炭化度炭の配合割合で加重平均することにより、上記推定に用いる表面破壊粉コークス量とする。例文帳に追加

The surface break powder coke amount used in the above estimation is determined by separately determining the surface break powder coke amount of the blended high-coalification-rank coals and the surface break powder coke amount of the low-coalification-rank coals and taking the average of the amounts weighted by the blending ratios of these high-coalification-rank coals and low-coalification-rank coals. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device using the silicon carbide single-crystal substrate, a metal contamination removing process for the silicon carbide surface is applied which comprises: a step of oxidizing the silicon carbide surface; and a step of removing a film mainly composed of silicon dioxide, the film being formed on the silicon carbide surface in the step. - 特許庁

炭素を供給しＳｉ基板表面を加熱することにより表面を炭化させて炭化珪素を形成する工程と、炭化後に炭素と珪素を供給して炭化珪素を成長させる工程からなり、前記Ｓｉのoffcut基板表面にはテラス５とステップ６が多数存在した。例文帳に追加

This method comprises a step for forming a silicon carbide by supplying a carbon and then heating the surface of the Si substrate to carbonize the surface, and a step for growing the silicon carbide by supplying the carbon and the silicon after carbonizing. - 特許庁

炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのＢＥＴ比表面積比（＝金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のＢＥＴ比表面積／炭化ケイ素粗粉体のＢＥＴ比表面積）が２０〜８０で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が１〜１０％であることを特徴とする。例文帳に追加

This silicon carbide fine powder is formed by adding metal oxide fine particles or silicon carbide fine particles to a silicon carbide crude powder and has a ratio of BET specific surface area (=BET specific surface area of the metal oxide fine particles or the silicon carbide fine particles/BET specific surface area of the silicon carbide crude powder) of 20-80 and a content of the metal oxide fine particle or silicon carbide fine particle of 1-10%. - 特許庁

炭化珪素の表面を化学処理し、処理後の炭化珪素を微量酸素の含有する雰囲気において該炭化珪素が分解して該炭化珪素の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該炭化珪素から珪素原子を除去して、該炭化珪素の表面から内部へ生成成長させてカーボンナノチューブを得る。例文帳に追加

This carbon nanotube is obtained by chemically treating the surface of silicon carbide, removing silicon atoms from the treated silicon carbide by heating it in an atmosphere including a slight amount of oxygen at a temperature at which silicon atoms are removed from the surface of the silicon carbide by its decomposition, and generating and growing the carbon nanotube from the surface of silicon carbide to its inside. - 特許庁

単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板例文帳に追加

METHOD OF REFORMING SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE THIN FILM, ION IMPLANTATION AND ANNEALING METHOD, AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

抄紙残渣に対して、成形、乾燥処理などの前処理を施し、これを炭化炉内で加熱、炭化することにより、高表面積を有する均一に炭化された無臭、無害の繊維状多孔質炭化物を得る。例文帳に追加

Pretreatments such as forming and drying are performed to a paper-making residue, and the resulting residue is heated and carbonized in a carbonization furnace to obtain a fibrous porous carbonized product which has a large surface area, and is uniformly carbonized, odorless and harmless. - 特許庁

この後、加熱コイル７−１を下方に移動させ、炭化珪素原料２全体を炭化珪素が昇華する温度とすることにより、炭化珪素の種結晶４の表面上に炭化珪素単結晶が成長する。例文帳に追加

Then the heating coil 7-1 is moved downward to heat the whole silicon carbide raw material 2 to the sublimation temperature of silicon carbide so as to grow a silicon carbide single crystal on the surface of a silicon carbide seed crystal 4. - 特許庁

窒化ホウ素（ＢＮ）で表面被覆された炭化ケイ素（ＳｉＣ）繊維を１０〜３０体積％含有した炭化ホウ素（Ｂ_4 Ｃ）からなる炭化ホウ素／炭化ケイ素繊維複合焼結体で中性子吸収材料を構成する。例文帳に追加

A neutron absorbing material is composed by a boron carbide/ silicon carbide fiber composite sintered body consisting of the boron carbide(B4C) containing silicon carbide(SiC) fiber whose surface is covered with boron nitride(BN) by 10-30 vol.%. - 特許庁

炭化珪素結晶によって構成される多孔質炭化珪素部材の表面の一部に、化学蒸着法による炭化珪素被覆層が形成されていることを特徴とする多孔質炭化珪素フィルター。例文帳に追加

The porous silicon carbide filter is characterized by forming a silicon carbide coating layer based on a chemical deposition method on a part of the surface of a porous silicon carbide member constituted of silicon carbide crystals. - 特許庁

炭化炉の内側密閉容器内に入れた被炭化物を１００％炭化し、炭化物の表面が酸化する事がなく、手で触っても炭の粉が着かないようにする炭製造方法及び炭製造装置を提供する。例文帳に追加

To produce a method and an apparatus for producing charcoal in which 100% of a material to be carbonized put in a hermetically sealed container on the inside of a carbonizing furnace is carbonized and the surface of carbonized material is not oxidized and attachment of charcoal powder to human hand is prevented when touching with the human hand. - 特許庁

シリコン基板の表面に向けて脂肪族飽和炭化水素または不飽和炭化水素からなる気体を照射して炭化珪素層を形成する場合に、シリコン基板の表面を均一に被覆することができるようにする。例文帳に追加

To evenly cover the surface of a silicon substrate with a silicon carbide layer when forming the silicon carbide layer, by irradiating a gas consisting of aliphatic saturated hydrocarbon or unsaturated hydrocarbon toward the surface of the silicon substrate. - 特許庁

体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であって、基板全表面の90%以上が、表面粗さ(Ra)1.0nm以下の炭化珪素単結晶面で覆われている炭化珪素単結晶基板である。例文帳に追加

The silicon carbide single crystal substrate has a volume resistivity of 0.001-0.012 Ωcm, and ≥90% of the entire substrate surface is coated with a silicon carbide single crystal surface having a surface roughness (Ra) of ≤1.0 nm. - 特許庁

炭化ケイ素を含む炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、炭化ケイ素を含む混合粉体を形成する工程と、混合粉体を所定の形状に成形し焼成する工程と、炭化ケイ素と同一純度を有する炭化ケイ素をターゲットとして用いて、焼成された炭化ケイ素焼結体の表面に炭化ケイ素膜をスパッタリング法により形成する工程とを有する。例文帳に追加

The method for the silicon carbide sintered body including silicon carbide includes steps of: forming a blending powder including silicon carbide; molding the blending powder in a predetermined form and sintering thereof; and forming a silicon carbide film on the surface of the sintered silicon carbide sintered body by the sputtering method. - 特許庁