「BASE TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A trench gate 17 is formed to get at the n-type drift layer 10 passing through the p-type base layer 11.例文帳に追加

トレンチ・ゲート１７はｐ型ベース層１１を貫通してｎ型ドリフト層１０に達するように形成されている。 - 特許庁

The emitter layer 13 is N-type semiconductor region, and the second base layer 14 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

エミッタ層１３は、Ｎ型半導体領域であり、第２のベース層１４は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁

In this field effect transistor(FET), a large number of P-type base regions 14 having N-type source regions 15 are arranged.例文帳に追加

本発明のＦＥＴは、ｎ型ソース領域１５を有するｐ型ベース領域１４が多数配列されている。 - 特許庁

Preferably, the base material polymer of the paint layer 16 is 2-liquid type urethane resin or 2-liquid type epoxy resin.例文帳に追加

好ましくは、 上記ペイント層１６の基材ポリマーが、二液型ウレタン樹脂又は二液型エポキシ樹脂である。 - 特許庁

The complex heater (1) is formed by joining a disk type ceramic heater (7) and a disk type metal base (9).例文帳に追加

複合ヒータ（１）は、円盤状のセラミックヒータ（７）と円盤状の金属ベース（９）とを接合したものである。 - 特許庁

The collector layer 11 is an N-type semiconductor region and the first base layer 12 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

コレクタ層１１は、Ｎ型半導体領域であり、第１のベース層１２は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁

That is, n-type wells are driven to the base body of a flash memory, and p-type wells and slit structures are arrayed on the n-type wells at intervals.例文帳に追加

即ち、フラッシュメモリのベース体にｎ型ウェルを打ち込み、該ｎ型ウェル上には間隔をおいてｐ型ウェルとスリット構造とを配列する。 - 特許庁

The second conductive type current diffusion layer 17 is formed covering the second conductive type base layer 15 and the first conductive type current block layer 16.例文帳に追加

第２導電型の電流拡散層は、第２導電型の下地層および第１導電型の電流ブロック層を覆って形成される。 - 特許庁

A trench groove 6 is formed which penetrates the n^+-type emitter region 4 and the p^--type base region 2 and reaches to the n^--type substrate 1.例文帳に追加

ｎ^＋型エミッタ領域４及びｐ^−型ベース領域２を貫通してｎ^−型基板１まで到達するトレンチ溝６が形成されている。 - 特許庁

In the N-type region 202, an N-type drain region 213 and a P-type collector region 203 are formed separately from the base region.例文帳に追加

Ｎ型領域２０２内にベース領域とは離隔してＮ型のドレイン領域２１３及びＰ型のコレクタ領域２０３が形成されている。 - 特許庁

An n^+-type region 2a is formed apart from a p-type base region 3 below a contact region 5 in an n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２のうちコンタクト領域５の下方において、ｐ型ベース領域３から離間するようにｎ^+型領域２ａを形成する。 - 特許庁

An n-type drift layer 13 and a p-type base layer 15 are formed adjacent on the surface of a p-type semiconductor active layer 11.例文帳に追加

ｐ型の半導体活性層１１の表面にｎ型のドリフト層１３とｐ型のベース層１５とが互いに隣接するように形成される。 - 特許庁

On the P type SiGe layer 7, a P type Si layer 8 including N+ type emitter region 19 and the external base region is formed.例文帳に追加

そのＰ型ＳｉＧｅ層７上にＮ＋型エミッタ領域１９と外部ベース領域とを含むＰ型Ｓｉ層８が形成されている。 - 特許庁

To set logical interfaces X2 between a radio base station eNB and peripheral radio base stations eNBs, and logical interfaces S1 between the radio base station eNB and MMEs (Mobile Management Entities)/UPEs (User Plane Entities) by an autonomous action in the radio base station eNB of a plug-and-play type.例文帳に追加

プラグ・アンド・プレイ型の無線基地局ｅＮＢにおいて、自律的な動作で周辺ｅＮＢや上位ノードとの間にＸ２、Ｓ１論理インタフェースを設定する。 - 特許庁

The IC socket 1 for mounting a TSOP type semiconductor device H is constructed of a first base 2, a second base 3, and a third base 4.例文帳に追加

ＴＳＯＰ形の半導体装置Ｈを装着するＩＣソケット１は、第１ベース２、第２ベース３、および第３ベース４から構成されている。 - 特許庁

Furthermore, a p+ epitaxial layer 6, whose conductive type is the same as that of the base layer 4, is formed on the base layer 4 between the base electrode 15 and the SiO2 film 14.例文帳に追加

そして、ベース電極１５とＳｉＯ_2 膜１４との間のベース層４上に、ベース層４と同じ導電型のｐ^+ エピタキシャル層６が形成されている。 - 特許庁

The base corner parts of the groove parts are covered by the p-base regions 4, and the centers of the base parts of the groove parts are brought into contact with the n-type semiconductor region 3.例文帳に追加

溝部の底部コーナー部はｐベース領域４に覆われており、溝部の底部の中央部はｎ型の半導体領域３に接している。 - 特許庁

The oligonucleotide for detecting human adenovirus type 5 E1A and E1B gene has a specific base sequence or the substantially same base sequence as that of the specific base sequence.例文帳に追加

特定の塩基配列またはそれらと実質的に同一の塩基配列を有する、ヒトアデノウイルス５型のＥ１ＡおよびＥ１Ｂ遺伝子検出用オリゴヌクレオチド。 - 特許庁

At least a soft capsule base material containing starch and native type gellan gum, a soft capsule sheet using the soft capsule base material and a soft capsule using the base material are provided.例文帳に追加

少なくとも、デンプンとネイティブ型ジェランガムを含有するソフトカプセル基剤、前記ソフトカプセル基剤を用いたソフトカプセルシート、並びにソフトカプセルを提供する。 - 特許庁

A method of examining the susceptibility of the examinee to hypertension by determining the type of base on the nth line of the base sequence of the X gene of the examinee and comparing the base with a standard in which when the base type is A the susceptibility is low, and when the type is G the susceptibility is high 例文帳に追加

被検者に由来するX遺伝子の塩基配列のn番目における塩基の種類を決定し、当該塩基の種類がAである場合にはかかり易く、Gである場合にはかかりにくいという基準と比較することにより、被検者の高血圧症へのかかり易さを試験する方法。 - 特許庁

A circular arc type rail 40 is mounted on a base 41 fixed to the elevating body.例文帳に追加

昇降体に固定されたベース４１には円弧型レール４０を取り付ける。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING COATING FILM, LAMINATED COATING FILM AND SOLVENT TYPE SOLID BASE COATING MATERIAL例文帳に追加

塗膜形成方法並びに積層塗膜及び溶剤型ソリッドベース塗料 - 特許庁

An emitter region 10 of a second conductivity type is provided in the base region 9.例文帳に追加

ベース領域９には第２導電型のエミッタ領域１０が設けられる。 - 特許庁

A box-type electronic component 0410 is placed on a base substrate 0400.例文帳に追加

ベース基板０４００の上に箱型電子部品０４１０が設置されている。 - 特許庁

A first conductive type emitter (11) is formed on the surface of the base (6).例文帳に追加

第１導電型のエミッタ（１１）は、ベース（６）の表面部に形成されている。 - 特許庁

FOUNDATION BASE ISOLATION STRUCTURE USING TWO LAYER SEPARATION TYPE FOOTING AND ITS REPAIR METHOD例文帳に追加

２層分離型フーチングを用いた基礎免震構造およびその補修方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF RACK GUIDE BASE BODY FOR RACK PINION TYPE STEERING DEVICE AND RACK GUIDE例文帳に追加

ラックピニオン式舵取装置におけるラックガイド基体の製造方法及びラックガイド - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING BASE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR TYPE SUBSTRATE ON INSULATOR例文帳に追加

絶縁体上の半導体タイプの基板のためのベース基板を製造する方法 - 特許庁

PAPER BASE MATERIAL FOR USE AS CHIP-TYPE ELECTRONIC COMPONENT STORAGE MOUNT AND STORAGE MOUNT USING THE SAME例文帳に追加

チップ型電子部品収納台紙用紙基材及びそれを用いた台紙 - 特許庁

NON-DAMAGE SELF-CENTERING TYPE BASE-ISOLATION AND SEISMIC-CONTROL MECHANISM INTENDED FOR STEEL BRIDGE例文帳に追加

鋼橋梁を対象とした無損傷自己復元型免震・制震機構 - 特許庁

Consequently, impurity profile of the p-type base layer 3 is flat in the lateral direction.例文帳に追加

このため、ｐ型ベース層３の横方向の不純物プロファイルは平坦である。 - 特許庁

LEARNING TYPE RADIO PACKET TRANSFER METHOD AND RADIO BASE STATION USING THIS METHOD例文帳に追加

学習型無線パケット転送方法および該方法を用いた無線基地局 - 特許庁

FIXING DEVICE FOR VARIABLE INCLINATION TYPE GOLF TRAINING BASE, AND METHOD OF FIXING ACTION例文帳に追加

自在可変傾斜式ゴルフ練習台の固定装置および固定動作方法 - 特許庁

A second conductivity-type second base layer 12 is formed on the first surface.例文帳に追加

第２導電型の第２のベース層１２は、第１面上に形成されている。 - 特許庁

A p-type first base region 2a and a p-type second base region 2b are formed on an upper surface of an n-type source region 4, a source electrode 5 is provided on a lower surface of the n-type source region 4, and a drain electrode 9 is formed on an upper surface of the p-type second base region 2b via an insulating film.例文帳に追加

ｎ型ソース領域４の上面にｐ型第１ベース領域２ａおよびｐ型第２ベース領域２ｂが形成され、該ｎ型ソース領域４の下面にソース電極５が設けられ、ｐ型第２ベース領域２ｂの上面に絶縁膜を介してドレイン電極９が形成されている。 - 特許庁

In the power semiconductor device as an IEGT, a p-type collector layer 13, an n-type buffer layer 14 and a n-type base layer 15 are formed on a collector electrode in this order, and a main cell 21 and a dummy cell 22 are alternately provided on an upper surface of the n-type base layer 15 along a direction parallel to the n-type base layer 15.例文帳に追加

ＩＥＧＴである電力用半導体装置において、コレクタ電極上にｐ型コレクタ層１３、ｎ型バッファー層１４、ｎ型ベース層１５をこの順に設け、ｎ型ベース層１５上に、ｎ型ベース層１５の上面に平行な方向に沿ってメインセル２１及びダミーセル２２を交互に設ける。 - 特許庁

The volume type hologram layer 2 is peeled off from the base 1 and a tacky adhesive layer 8 is formed on the surface of the volume type hologram layer 2 from which the base 1 is peeled off, and further the tacky adhesive layer 8 is provided with a base 9.例文帳に追加

体積型ホログラム層２から基材１を剥離し、基材１が剥離された体積型ホログラム層２の面に粘着層８を形成し、さらに粘着層８に基材９を設ける。 - 特許庁

Furthermore, a base electrode 5 is provided on the p-type base layer 3 located adjacent to the n-type emitter layer 4, a collector layer 6 is provided on the n-type collector layer 2, and an emitter electrode 7 is provided on the n-type emitter layer 4.例文帳に追加

さらに、ｐ型ベース層３上にはｎ型エミッタ層４に隣接してベース電極５が設けられ、ｎ型コレクタ層２上にはコレクタ電極６が設けられ、ｎ型エミッタ層４上にはエミッタ電極７が設けられている。 - 特許庁

A transistor is formed into a bevel structure which comprises an N+ type first collector region 2, an N- type second collector region 3, a P- type first base region 4, a P+ type second base region 5, and emitter region 6.例文帳に追加

Ｎ^＋形の第１のコレクタ領域２とＮ^−形の第２のコレクタ領域３とＰ^−形の第１のベース領域４とＰ^＋形の第２のベース領域５とエミッタ領域６とを有するトランジスタをベベル構造に形成する。 - 特許庁

In a P-type base region 2, an N+ type source region 3 is stretched from the main surface 1a to the perpendicular direction, and an N+ type drain region 4 is stretched so as to leave from the P-type base region 2, interposing a drift region 1c.例文帳に追加

また、ｐ型ベース領域２内において、主表面１ａから垂直方向にｎ^+型ソース領域３を延設し、ドリフト領域１ｃを挟んでｐ型ベース領域２から離間するようにｎ^+型ドレイン領域４を延設する。 - 特許庁

This structure is provided with a p-type layer 3a in a lower part of a center part of a p-type base region 3 connected between adjacent cells, specifically, a lower part of a body p-type layer 5 brought into contact with a source electrode 12 within the p-type base region 3.例文帳に追加

隣接するセル同士間で繋がったｐ型ベース領域３の中央部の下部、具体的にはｐ型ベース領域３のうちソース電極１２と接触させられるボディｐ型層５の下部にｐ型層３ａを備える。 - 特許庁

An upper press base part 3a is fitted to an elevation type cylinder 2, and a lower press base part 3b is connected to the lower edge thereof.例文帳に追加

上プレス基部３ａは、昇降式のシリンダ２に取り付けられ、その下端には下プレス基部３ｂが連結されている。 - 特許庁

A base side connecting projection 20A of the male-type connecting terminal 20 is directly connected to the light emitting element loaded-base 14.例文帳に追加

また、雄型接続端子２０基板側接続突起２０Ａは発光素子搭載基板１４に直接接続されている。 - 特許庁

EXHAUST GAS CLEANING CATALYST, METHOD FOR MANUFACTURING EXHAUST GAS CLEANING CATALYST AND METHOD FOR MANUFACTURING CATALYST BASE MATERIAL, AND HONEYCOMB TYPE CATALYST BASE MATERIAL例文帳に追加

排ガス浄化触媒、排ガス浄化触媒の製造方法、触媒基体の製造方法及びハニカム型触媒基体 - 特許庁

A plurality of P^+-type emitter regions 8 are formed in a surface layer in the N-type base region 7 to be arranged in the longitudinal direction of the N-type base region 7 with a nearly equal spacing therebetween.例文帳に追加

また、Ｎ型ベース領域７内の表層部には、複数のＰ^+型エミッタ領域８が、互いにほぼ等間隔を空けて、Ｎ型ベース領域７の長手方向に並んで形成されている。 - 特許庁