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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > BASE TYPEの意味・解説 > BASE TYPEに関連した英語例文

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BASE TYPEの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 4464



例文

In the main cell, a second base layer 7 of the second conduction type and emitter layer 8 of the first conductive type are installed, and in the dummy cell, a buffer layer 9 of the second conductive type is installed.例文帳に追加

メインセル内に第2導電型の第2ベース層7と第1導電型のエミッタ層8とが配設され、ダミーセル内に第2導電型のバッファ層9が配設される。 - 特許庁

An n-type turn-off channel layer 8 is formed inside the p-type base layer 4 in such a manner that it contacts the side surface of the groove 5, and a p-type drain layer 9 is formed on its surface.例文帳に追加

p型ベース層4内には、溝5の側面に接してn型ターンオフ用チャネル層8が形成され、その表面にp型ドレイン層9が形成される。 - 特許庁

A second vertical bipolar transistor 2 is also composed of a second N-type emitter region 23, a second P-type base region 22, and a second N-type collector region 21.例文帳に追加

第2縦型バイポーラトランジスタ2も、N型の第2エミッタ領域23と、P型の第2ベース領域22と、N型の第2コレクタ領域21とにより構成されている。 - 特許庁

The n-type base region (2) has a recombination region (21) formed between the p-type base region (3) and a collector electrode (8), and the recombination region (21) acquires minority carriers accumulated around the recombination region (21) within the n-type base region (2) and improves the recovery property of the diode.例文帳に追加

N型ベース領域(2)は、P型ベース領域(3)とコレクタ電極(8)との間に形成された再結合領域(21)を備え、再結合領域(21)は、N型ベース領域(2)内で再結合領域(21)の周辺に蓄積された少数キャリアを捕獲し、ダイオードのリカバリー特性を改善する。 - 特許庁

例文

The conductive member 4 is constructed of a crown type body 4a having a recess part with an inside diameter complementary to the base body 3 outside diameter and a lead wire 4b protruded from the crown type body 4a, and the base body 3 and the conductive member 4 are connected together when the base body 3 end part is crowned with the crown type body 4a.例文帳に追加

導通部材4を基体3外径と相補的な内径の凹部を有する冠状体4aと冠状体4aから突出するリード線4bにより構成し、かつ、冠状体4aの基体3端部への冠着により基体3と導通部材4とを接合する。 - 特許庁


例文

In a mobile wireless communication system including a base station 30 of a first type operating over a first air interface, and a base station 32 of a second type operating over a second air interface, a method for reselection by a mobile station 40 installed on a cell associated with the first base station 30 of the first type, and the second base station 32 of the second type is provided.例文帳に追加

第1のエアインタフェースを介して作動する第1のタイプの基地局(30)と、第2のエアインタフェースを介して作動する第2のタイプの基地局(32)とを含む移動無線通信システムにおいて、第1のタイプのものである第1の基地局(30)および第2のタイプのものである第2の基地局(32)に関連したセル上に設営された移動局(40)によって再選択する方法。 - 特許庁

The P-N rectifying junction includes a base region of first conductivity type (e.g., P-type) provided in the substrate and a semiconductor layer of second conductivity type extending between the base region and the light collecting surface.例文帳に追加

前記P−N整流接合は、前記基板に提供される第1導電型(例えば、P型)のベース領域及び前記ベース領域と前記光受容表面との間に延長される第2導電型の半導体層を含む。 - 特許庁

An n-type single crystal semiconductor layer is formed on the intrinsic base area 9 within the opening 101, and a p-type outer base area 14 is formed on the outer peripheral part by introducing a p-type impurity from a BSG layer 13.例文帳に追加

開口101の内部で真性ベース領域9の上にn型の単結晶半導体層を形成し、その外周部にBSG層13からp型不純物を導入してp型の外部ベース領域14を形成する。 - 特許庁

In an open MIS semiconductor device, N+-type source regions 7, whose flat outer forms are octagonal, are selectively formed in a p-type base region 4 so that they are adjacent to the side edges of a P+-type base region 5.例文帳に追加

開示されているMIS型半導体装置は、P型ベース領域4にはP^^+型ベース領域5の側縁部に隣接するように選択的に平面形状の外形が八角形のN^+型ソース領域7が形成されている。 - 特許庁

例文

The main electrodes are provided on the surface of the second-conductive-type base layer and surfaces of the first-conductive-type source layers, and at a deeper position than the gate electrodes in the trenches and the second-conductive-type base layer.例文帳に追加

主電極は、第2導電形ベース層の表面上及び第1導電形ソース層の表面上に設けられると共に、トレンチ内におけるゲート電極及び第2導電形ベース層よりも深い位置に設けられた。 - 特許庁

例文

The coatings of different kinds selected from a water base coating, a non-water dispersion type coating, and a solvent type coating are used.例文帳に追加

複数の塗料として、水系塗料、非水分散型塗料及び溶剤型塗料のうちの互いに異なる種類の塗料を用いる。 - 特許庁

A concentration of a first conductivity type impurity contained in the base layer is lower than a concentration of a first conductivity type impurity contained in the drift layer.例文帳に追加

ベース層に含まれる第1導電型の不純物濃度は、ドリフト層に含まれる第1導電型の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

A p^+-type collector region 203 and an N^+-type drain region 213, are formed in separation from the base region within the resurf region 202.例文帳に追加

リサーフ領域202内にベース領域とは離隔してp^+ 型コレクタ領域203及びN^+ 型ドレイン領域213が形成されている。 - 特許庁

This device is equipped with a plate type electrode 7 which has a stylus electrode part 7b formed in a saw tooth shape on one long-side side of a long plate type base part 7a.例文帳に追加

長板状の基部7aの一方の長辺側に針電極部7bが鋸歯状に形成された板状電極7を備える。 - 特許庁

Phosphor as an n-type impurity and boron as a p-type impurity are contained in the emitter region RE and the base region RB, respectively.例文帳に追加

エミッタ領域REにはN型不純物としてのリンが、ベース領域RBにはP型不純物としてのボロンが含有されている。 - 特許庁

METHOD FOR CONTAINING STATIONARY TYPE MOBILE STATION, BASE STATION TO EXECUTE THE METHOD, STATIONARY TYPE MOBILE STATION AND MOBILE STATION例文帳に追加

移動通信システムにおける固定型移動局収容方法とその方法を実施するための基地局、固定型移動局、移動局 - 特許庁

The heat sink further comprises a base to which a heat generating body is loaded, a first type heat radiating fin 35, and a second type heat radiating fin 37.例文帳に追加

ヒートシンクは、発熱体が装着されるベースと第1のタイプの放熱フィン35と第2のタイプの放熱フィン37とを備えている。 - 特許庁

In an n-type main semiconductor layer 1, in a region between a p channel layer 2 and an n^+ type field stop layer 5, an n-type low concentration base layer 14 and an n-type extremely low concentration base layer 15 of which the impurity concentration is lower than that are alternately repeatedly provided perpendicular to a first main plane of the n-type main semiconductor layer 1.例文帳に追加

n型主半導体層1において、pチャネル層2とn^+型フィールドストップ層5の間の領域に、n型低濃度ベース層14およびそれよりも不純物濃度の低いn型極低濃度ベース層15が、n型主半導体層1の第一主面に垂直に交互に繰り返し設けられる。 - 特許庁

A light-emitting device 100 comprises: an n-type GaN semiconductor base 113; a plurality of n-type GaN rod-shaped semiconductors 121 formed spaced apart from one another on the n-type GaN semiconductor base 113 in an upright position; and a p-type GaN semiconductor layer 123 covering the n-type GaN rod-shaped semiconductors 121.例文帳に追加

この発光素子100は、n型GaN半導体基部113と、n型GaN半導体基部113上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のn型GaN棒状半導体121と、n型GaN棒状半導体121を覆うp型GaN半導体層123とを備えた。 - 特許庁

To provide a straight tube type fluorescent lamp allowing easy separation of lamp base from a straight bulb.例文帳に追加

直管形バルブと口金の分離を容易に行える直管形蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

The transfer type image protective film comprises an image protective layer 3 laminated on a base film 1 via a non-transfer release layer 2.例文帳に追加

基材フィルム1上に非転写性剥離層2を介して画像保護層3を積層する。 - 特許庁

A field emission type display element has a field emission element on the cathode base of an envelope.例文帳に追加

電界放出形表示素子は、外囲器の陰極基板上に電界放出素子を有する。 - 特許庁

DESIGN SUPPORT METHOD AND DESIGN SUPPORT SYSTEM OF EXPOSURE-TYPE COLUMN BASE PART OF BEAM FRAME OF POLE WITH BRACE例文帳に追加

ブレース付き柱・梁架構の露出型柱脚部の設計支援方法および設計支援システム - 特許庁

The optical fiber holding device is equipped with a base body 1, a plate type elastic member 2, and a pressure member 3.例文帳に追加

光ファイバ保持装置は、基体1と板状弾性部材2と押圧部材3とを備える。 - 特許庁

In this case, the transfer layer is adhered to the base material to be transferred with an ionizing radiation curing type adhesive.例文帳に追加

この際、転写層は電離放射線硬化型接着剤で被転写基材に接着させる。 - 特許庁

A plurality of meshing chain type expansion devices 42 are arranged in the circumferential direction of an annular base 40.例文帳に追加

環状ベース40の周方向に複数の噛合チェーン式伸縮装置42を配置する。 - 特許庁

The lamp includes a base part 2 screwed to a screw type lamp socket and a light emitting part 1.例文帳に追加

ねじ込み型のランプソケットに螺合する口金部2および出光部1を有するランプである。 - 特許庁

Then the thickness of the substrate 1 is reduced and the substrate 1 is adhered to a belt type base sheet 6 having flexibility.例文帳に追加

次に、基板1を薄層化して、柔軟性を有する帯状のベースシート6に貼り付ける。 - 特許庁

(2) The notebook type desk calendar is provided with the legs turnably by 180° with respect to the inserting base 4.例文帳に追加

(2) 前記脚部を差込み台に180°回転可能に付設された卓上用手帳式カレンダー。 - 特許庁

The first polysilicon layer 14a is provided on the base diffusion layer 12 and has the second conductivity type.例文帳に追加

第1ポリシリコン層14aは、ベース拡散層12上に設けられ、第2導電型である。 - 特許庁

A thin-film resistor 22a is provided in the base 14 of the tuning fork type piezoelectric vibrating chip 10.例文帳に追加

このような音叉型圧電振動片10の基部14に薄膜抵抗22aを設けている。 - 特許庁

Source regions 240 are the first-conductivity-type and formed shallower than the base regions 210.例文帳に追加

ソース領域240は第1導電型であり、ベース領域210より浅く形成されている。 - 特許庁

A disc type installing base 3 is fixed by a fixing jig 4 in the vicinity of a flange 2.例文帳に追加

フランジ2に近接して固定治具4により円盤状の取付盤3が固定されている。 - 特許庁

To provide a method for depositing an oxide thin film on a base material by an ALD type method.例文帳に追加

ALD式方法によって基材上に酸化物薄膜を製造する方法の提供。 - 特許庁

NON-AQUEOUS DISPERSION RESIN COMPOSITION FOR COATINGS AND COATINGS FOR ONE LIQUID TYPE BASE COATING USING THE SAME例文帳に追加

塗料用非水分散型樹脂組成物及びそれを用いた1液型ベースコート用塗料 - 特許庁

To prevent occurrence of slight vibration of a traverse base during reproduction of a disk in a slot-in type disk device.例文帳に追加

スロットイン型ディスク装置で、ディスク再生時のトラバースベースの微振動の発生を防止する。 - 特許庁

A channel layer is formed onto the base layer and embedded collector region to make up a storage-type channel.例文帳に追加

ベース層及び埋込コレクタ領域上にチャネル層を形成し、蓄積型チャネルを構成する。 - 特許庁

A plurality of p-type rings 124a to 124e are formed around a p-base region 13a.例文帳に追加

pベース領域13aの周りには複数のp型リング124a〜124eが形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR CONNECTING TEMPERATURE-INDEPENDENT QUARTZ BASE ARRAY GRATING TYPE OPTICAL WAVEGUIDE ELEMENT TO OPTICAL FIBER例文帳に追加

温度無依存性石英系アレイ格子型光導波路素子と光ファイバとの接続方法 - 特許庁

ULTRAVIOLET RAY REACTION CROSSLINKING TYPE ADHESIVE COMPOSITION, RUBBER COMPOSITE, AND ADHESION METHOD FOR BASE MATERIAL AND RUBBER例文帳に追加

紫外線反応架橋型接着剤組成物、ゴム複合体、及び基材とゴムとの接着方法 - 特許庁

In this slot machine, a main control base MB1 for a reel rotating type slot machine is used.例文帳に追加

このスロットマシンには、リール回転式スロットマシン用の主制御基板MB1が転用されている。 - 特許庁

PIECE SPLICING TYPE VOICE SYNTHESIZER, METHOD, AND METHOD OF CREATING VOICE PIECE DATA BASE例文帳に追加

素片接続型音声合成装置及び方法、並びに音声素片データベースの作成方法 - 特許庁

The pile-type improvement bodies 1 reach a base layer S11 over the unliquefied layer S12.例文帳に追加

杭式改良体1は、非液状化層S12を超えて基盤層S11に到達している。 - 特許庁

A solder surface 30 is placed on the upper part of the base 10 for protecting the conductor type 20.例文帳に追加

はんだ面30がコンダクター型20を保護するために土台10の上部に設置されている。 - 特許庁

To provide a thin cooling structure that is suitable for a subrack of an outdoor type radio communication base station.例文帳に追加

屋内型の無線通信基地局のサブラックに適した薄型の冷却構造を提供する。 - 特許庁

The atomic layer plating is used for providing firm films on a plurality of disk type base materials.例文帳に追加

原子層めっきは複数のディスク型基材上に固い被膜を提供するために使用される。 - 特許庁

The base diffusion layer 12 is provided near a surface of the substrate 11 and has a second conductivity type.例文帳に追加

ベース拡散層12は、基板11の表面近傍に設けられ、第2導電型である。 - 特許庁

A pin type fixing device 25 is provided between the arm 15 of the work device 10 and the receiving base 21.例文帳に追加

作業装置10のアーム15と受け台21との間にはピン式固定装置25を設ける。 - 特許庁

A driving type fitting construction 12 is constituted on the lower end of the base plate part 11 of a fixed member 1.例文帳に追加

固定部材1の基板部11の下端に叩き込み型嵌着構造12を構成する。 - 特許庁

例文

The proper position of each neck is divided by making the outer look of a general flange type ball valve to a base.例文帳に追加

一般のフランジ式ボールバルブの外観をベースとし、各ネックの適当な位置を区分する。 - 特許庁




  
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