「BASE TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, a trench 13 is formed in a portion pinched by a p-type base layer 4 and an n-type buffer layer 7 of the surface layer of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

また、ｎ型ドリフト層３の表面層のｐ型ベース層４およびｎ型バッファ層７に挟まれた部分にトレンチ１３が設けられている。 - 特許庁

In end parts and at the bottom section of a cell section, corner sections of an n^+-type source region 5, a p-type base region 4, and an n^--type drift region 3 are formed into a circular-arc shape.例文帳に追加

セル部の終端部及び底部において、ｎ^+型ソース領域５、ｐ型ベース領域４、ｎ^-型ドリフト領域３の各コーナー部を円弧形状とする。 - 特許庁

An epitaxial layer 3 has an N-type region 4 formed at its base portion, and a P-type body region 5 is formed to be in contact with the N^--type region 4.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、その基層部にＮ^-型領域４が形成され、Ｐ型のボディ領域５がＮ^-型領域４に接して形成されている。 - 特許庁

A source electrode 8 is formed over the n+ type source region 3 and the p+ type base contact region 9 in the p type well region 4.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域３とｐ形ウェル領域４におけるｐ^+形ベースコンタクト領域９とに跨る形でソース電極８が形成されている。 - 特許庁

On the front surface of the p-well 4B, an n^+-type emitter layer 31 and a p^+-type base electrode layer 32 for the vertical type npn bipolar transistor 30 are formed.例文帳に追加

Ｐウエル４Ｂの表面には、縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタ３０のＮ＋型のエミッタ層３１、Ｐ＋型のベース電極層３２が形成されている。 - 特許庁

A p-type column layer 13 forming a superjunction structure is formed on the n-type epitaxial layer 12, and a p-type base layer 14 is formed on the column layer 13.例文帳に追加

このｎ型エピタキシャル層１２に、スーパージャンクション構造を形成するｐ型カラム層１３が形成され、ｐ型ベース層１４がこの上部に形成される。 - 特許庁

In the p-type base layer 4, a n-type turn-off channel layer 8 contacting the sides of the grooves 5 is formed, and a p-type drain layer 9 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

ｐ型ベース層４内には、溝５の側面に接してｎ型ターンオフ用チャネル層８が形成され、その表面にｐ型ドレイン層９が形成される。 - 特許庁

A source electrode 8 is so formed as to bridge between the n+ type source region 3 and a p+ type base contact region 9 in the p-type well region 4.例文帳に追加

ｎ^+形ソース領域３とｐ形ウェル領域４におけるｐ形ベースコンタクト領域９とに跨る形でソース電極８が形成されている。 - 特許庁

The base agent includes: (A) an alkylglucoside type nonionic surfactant; (B) an ester type nonionic surfactant; and (C) a monoester type oil which is liquid at 25°C.例文帳に追加

基剤は、（Ａ）アルキルグルコシド型非イオン性界面活性剤と（Ｂ）エステル型非イオン性界面活性剤と、（Ｃ）２５℃で液状のモノエステル型油剤とを含有する。 - 特許庁

A semiconductor base body 2 for a diode chip 1 is constituted of an n^+-type semiconductor area 5, an n-type semiconductor area 6, and a p^+-type semiconductor area 7.例文帳に追加

ダイオードチップ１の半導体基体２をＮ^＋型半導体領域５とＮ型半導体領域６とＰ^＋型半導体領域７とで構成する。 - 特許庁

In addition, pluralities of n^+-type diffusion regions 13 (cathodes) and p^+-type diffusion regions 14 (base electrodes) are alternately arranged on the surface of the p-type well 7.例文帳に追加

また、Ｐウエル７の表面に夫々複数個のＮ^＋拡散領域１３（カソード）及びＰ^＋拡散領域１４（ベース電極）を交互に配列する。 - 特許庁

An ESD protective device in a region B is provided with a p^+-type contact region 16E and an n^+-type source region 17E on the surface of a p-type base layer 14.例文帳に追加

領域ＢのＥＳＤ保護素子は、ｐ型ベース層１４の表面にｐ＋型コンタクト領域１６Ｅ及びｎ＋型ソース領域１７Ｅを備えている。 - 特許庁

An n-type resurf region 202 and a p-type base region 206 adjacent to each other are formed in surface portions of a p-type semiconductor substrate 201.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板２０１の表面部にＮ型リサーフ領域２０２及びリサーフ領域２０２と隣り合うＰ型ベース領域２０６が形成されている。 - 特許庁

The base of the transistor comprises a heavily doped p-type single crystal SiGeC layer, and its emitter comprises an n-type single crystal Si layer.例文帳に追加

又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。 - 特許庁

The substrate cassette base 72 stores the sequential type substrate cassettes and feeds substrates in the sequential type substrate cassettes.例文帳に追加

基板カセット台７２は、順次式基板カセットを収納するとともに、順次式基板カセット内の基板を搬出する。 - 特許庁

A P-type base region 2 is stretched from a main surface 1a of an N- type substrate 1 to the perpendicular direction of the main surface 1a.例文帳に追加

ｎ^-型基板１の主表面１ａから主表面１ａの垂直方向にｐ型ベース領域２を延設する。 - 特許庁

A power MOSFET 21 has an n-type drift layer 10 and a p-type base layer 11 laminated and formed thereon.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ２１は、ｎ型ドリフト層１０とその上に積層形成されたｐ型ベース層１１とを具備する。 - 特許庁

This member has a surface layer composed of a base material and an anatase-type titania crystal or a rutile-type titania crystal.例文帳に追加

基材と、アナターゼ型チタニア結晶またはルチル型チタニア結晶からなる表面層を備えた部材が開示されている。 - 特許庁

In this caisson type aseismatic quaywall, a base isolating layer is provided at the lower face of a riprap mound of the caisson type quaywall.例文帳に追加

本発明のケーソン式耐震岸壁においては、ケーソン式岸壁の捨石マウンドの下面に免震層を設ける。 - 特許庁

A chemical conversion film is formed on the surface of a metallic base material of iron type metal.例文帳に追加

鉄系金属製の金属母材の表面に化成処理被膜を形成する。 - 特許庁

BASE ISOLATING AND REFURBISHING METHOD FOR EXISTING BUILDING AND CARRIAGE-TYPE INSTALLING APPARATUS USED IN IT例文帳に追加

既存建物の免震改修工法及びそれに用いる台車型据付装置 - 特許庁

A second conductivity-type base layer 13 is formed on the charge storage layer 12.例文帳に追加

電荷蓄積層１２上に第２導電型のベース層１３が形成されている。 - 特許庁

METHOD FOR DETECTING ELONGATION REACTION OF PRIMER, METHOD FOR DISCRIMINATING TYPE OF BASE, APPARATUS FOR DISCRIMINATING THE TYPE OF BASE, APPARATUS FOR DETECTING PYROPHOSPHORIC ACID, METHOD FOR DETECTING NUCLEIC ACID AND SAMPLE SOLUTION-INTRODUCING CHIP例文帳に追加

プライマーの伸長反応検出方法、塩基種判別方法、塩基種判別装置、ピロリン酸の検出装置、核酸の検出方法および試料溶液導入チップ - 特許庁

All of the base drawer p^+-type diffusion layers 14A-14E are connected to a base contact 8, and all of the emitter n^+-type diffusion layers 15A-15I are connected to an emitter contact 9.例文帳に追加

全てのベース引き出しＰ＋拡散層１４Ａ〜１４Ｅをベースコンタクト８に接続し、全てのエミッタＮ＋拡散層１５Ａ〜１５Ｉをエミッタコンタクト９に接続する。 - 特許庁

A collector n^+-type diffusion layer 16 is arranged between the neighbored base emitter regions.例文帳に追加

隣接するベース・エミッタ領域の間にコレクタＮ＋拡散層１６を配置する。 - 特許庁

To provide a firmly coupled structure of H-type PC piles and a base slab when an underground space is formed by providing the base slab to a wall body continuously providing the H-type PC piles thereto.例文帳に追加

Ｈ型ＰＣ杭を連設した壁体に底版を設けて地下空間を形成する場合、Ｈ型ＰＣ杭と底版との強靭な結合構造を提供する。 - 特許庁

The p-well 4B is used as the base of the vertical type npn bipolar transistor 30.例文帳に追加

このＰウエル４Ｂは、縦型ＮＰＮバイポーラトランジスタ３０のベースに用いられる。 - 特許庁

AQUEOUS COLORED THERMOSETTING TYPE BASE COATING MATERIAL AND METHOD FOR FORMING COATED FILM BY USING THE SAME例文帳に追加

水性着色ベース熱硬化型塗料とそれを使用した塗膜形成方法 - 特許庁

The base material of each thin type flexible optical disk is constituted of a plastic sheet.例文帳に追加

また、それぞれの薄型フレキシブル光ディスクの基材は、プラスチックシートで構成される。 - 特許庁

A P type base layer 18 is formed in the upper part of the second semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｐ型のベース層１８が第２半導体層１２の上部に形成されている。 - 特許庁

FLOATING BODY DAMPING APPARATUS, AND FLOATING BODY TYPE BASE ISOLATED STRUCTURE EQUIPPED WITH FLOATING BODY DAMPING APPARATUS例文帳に追加

浮体減衰装置、及び浮体減衰装置を備えた浮体式免震構造物 - 特許庁

The water dispersion type adhesive composition comprises an acrylic copolymer as a base polymer.例文帳に追加

アクリル系共重合体をベースポリマーとする水分散型粘着剤組成物である。 - 特許庁

P-type base regions 14 are formed in the surface region of the drift region 13, and further, N^+-type source regions 5 are formed in the surface regions of the base regions 14.例文帳に追加

ドリフト領域１３の表面領域にＰ型のベース領域１４を形成し、さらに、ベース領域１４の表面領域にＮ^＋型のソース領域１５を形成する。 - 特許庁

An n-type first base layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1 having a first main face and second main face, and a p-type second base layer 3 is formed on its upper layer.例文帳に追加

第１主面及び第２主面を有する半導体基板１に、ｎ型の第１ベース層２が設けられ、その上層にｐ型の第２ベース層３が設けられている。 - 特許庁

Thus, it is not necessary to form the P+ type contact layer 17 on a surface of the P type base layer 13 in parallel to the N+ type source layer 18, and the N+ type source layer 18 can be narrowed.例文帳に追加

これによりＰ型ベース層１３の表面にＮ＋型ソース層１８と並列にＰ＋型コンタクト層１７を形成する必要がなくなりＮ＋型ソース層１８の幅を狭くできる。 - 特許庁

On the surface side of a semiconductor substrate of a first conductive type (for example, n-type) of a collector region 1, a base region 3 of a second conductive type (for example, p-type) is formed.例文帳に追加

コレクタ領域１とする第１導電形（たとえばｎ形）の半導体基板の表面側に第２導電形（たとえばｐ形）のベース領域３が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first-conductive-type base layer; a second-conductive-type base layer provided on the first-conductive-type base layer; gate insulating films; first-conductive-type source layers selectively provided on a surface of the second-conductive-type base layer, adjacent to the gate insulating films; gate electrodes provided inside the gate insulating films in trenches; and main electrodes.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、第１導電形ベース層と、第１導電形ベース層の上に設けられた第２導電形ベース層と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に隣接して第２導電形ベース層の表面に選択的に設けられた第１導電形ソース層と、トレンチ内におけるゲート絶縁膜の内側に設けられたゲート電極と、主電極とを備えた。 - 特許庁

A gate electrode is positioned via a gate insulation film on the p-type base, held between the n-type source layer and the n-type drain layer, and a drain electrode is formed on the surface of the p-type anode layer and the n-type drain layer.例文帳に追加

ｎ型ソース層とｎ型ドレイン層の間に挟まれたｐ型ベース上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が位置し、ｐ型アノード層とｎ型ドレイン層の表面にドレイン電極が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device for electric power in an embodiment includes a p-type collector layer 1, an n-type base layer 3, a p-type base layer 4, an n-type source layer 5, a gate electrode 8, an inter-layer insulating film 9, a collector electrode 11, and an emitter electrode 12.例文帳に追加

実施形態の電力用半導体装置は、ｐ形コレクタ層１と、ｎ形ベース層３と、ｐ形ベース層４と、ｎ形ソース層５と、ゲート電極８と、層間絶縁膜９と、コレクタ電極１１と、エミッタ電極１２と、を備える。 - 特許庁

Since the n-type semiconductor base body becomes an n-type drift region 12, a semiconductor base body region 42 of a parallel pn layer comprising the p-type partition region 11 and the n-type drift region 12 is formed, with a drain electrode 14 vapor-deposited on the rear surface.例文帳に追加

ｎ型半導体基体はｎ型ドリフト領域１２となるため、ｐ型仕切領域１１とｎ型ドリフト領域１２とから成る並列ｐｎ層の半導体基体領域４２が形成され、裏面にドレイン電極１４を蒸着する。 - 特許庁

A tuning-fork type resonator piece 1 includes a pair of vibration arms 3, 4 whose base ends are connected to a base 2 and extended therefrom, and supporting arms 7, 8 which are connected to the base and arranged on both sides of the base in a width direction.例文帳に追加

音叉型振動片１は、基部２にそれぞれ基端を結合して延長する１対の振動腕３，４と、基部に結合してその幅方向両側に配置した支持腕７，８とを備える。 - 特許庁

The expansion and contraction type shaking-out rod is constituted so as to be capable of holding both of a contraction state that a base upper part 4 is housed in a base rod 5 and an expansion state that the base upper part 4 is drawn out of the base rod 5.例文帳に追加

元上４を元竿５に収納する収縮状態と、元上４を元竿５より引き出した伸長状態との何れの状態も保持可能な伸縮式振出竿を構成する。 - 特許庁

The resistive-film type touch panel comprises a movable base and a fixed base integrated in endless shape together, and a spacer shaped to consist of four sides except inside body and located between the movable base and the fixed base.例文帳に追加

抵抗膜式タッチパネルにおいて、可動基板と固定基板とが無端状に一体化され、中抜きの４辺からなる形状のスペーサを可動基板と固定基板との間に有している。 - 特許庁

For application to the bulb type LED lamp, a substrate which is a longitudinal type along the direction of a center line of a base and disposed at a position offset from the center line of the base is used inside a body including the base.例文帳に追加

電球形ＬＥＤランプに適用するには、口金を含む本体の内側に、口金の中心線の方向に沿って縦形でかつ口金の中心線に対してオフセットした位置に配置する基板を用いる。 - 特許庁

To provide a steel-frame exposed type column base part structure which improves slip-type hysteresis in a column base part when horizontal force is applied to a column and realizes the column base part having high energy absorption performance.例文帳に追加

柱に水平力が作用したときの柱脚部におけるスリップ型の履歴を改善し、エネルギー吸収能力の高い柱脚部を実現することができる鉄骨造の露出形柱脚部構造を提供する。 - 特許庁