「BASE TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type base region 104 has a part A positioned between an n^--type drift region 116 and an n^+-type emitter region 122.例文帳に追加

ｐ型ベース領域１０４は、ｎ^−型ドリフト領域１１６とｎ^＋型エミッタ領域１２２の間に位置する部分Ａを有する。 - 特許庁

DRUM CORE, DRUM-TYPE RECTANGULAR CORE AND VARIABLE TYPE LINEARITY CHOCK COIL USING THEM, VARIABLE TYPE LINEARITY CHOKE COIL WITH BASE, AND RECTANGULAR TRANSFORMER例文帳に追加

ドラムコア，ドラム型直交コア及びそれらを用いた可変型リニアリティーチョークコイル，ベース付き可変型リニアリティーチョークコイル並びに直交トランス - 特許庁

In other words, a PN-type parasitic diode is formed by a P-type base region 12 and the N-type region 21 at the lower part of the boundary part of the base contact region 14.例文帳に追加

言い換えれば、ベースコンタクト領域１４の境界部の下方において、Ｐ型のベース領域１２およびＮ型領域２１によりＰＮ型の寄生ダイオードが形成されている。 - 特許庁

An npn bipolar transistor consists of a first semiconductor layer group sharing constituted of the n-type emitter layer 12, the p-type base layer 13, the active layer 14, and the n-type base layer 15.例文帳に追加

ｎ型エミッタ層１２、ｐ型ベース層１３、活性層１４、及びｎ型ベース層１５からなる第１の半導体層群区分からｎｐｎ型のバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

This semiconductor device 1 includes: an n- type base region 14 formed on a semiconductor substrate 10; and an n+ type buffer region 13 formed on the undersurface of the n- type base region 14.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０に設けられたｎ−型ベース領域１４と、ｎ−型ベース領域１４の下面に設けられたｎ＋型バッファ領域１３とを有する。 - 特許庁

A pnp bipolar transistor consists of a second semiconductor layer sharing constituted of a p-type base layer 13, the active layer 14, the n-type base layer 15 and the p-type emitter layer 16.例文帳に追加

ｐ型ベース層１３、活性層１４、ｎ型ベース層１５、及びｐ型エミッタ層１６からなる第２の半導体層群区分からｐｎｐ型のバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

A barrier formed of the n+-type silicon single crystal area 28 and a p-type base area 14a has a value by which a hole cannot be diffused from the n+-type silicon single crystal area 28 to the p-type base area 14a.例文帳に追加

ｎ^+型シリコン単結晶領域２８とｐ型ベース領域１４ａとで形成されるバリアは、ホールがｎ^+型シリコン単結晶領域２８からｐ型ベース領域１４ａに拡散できない値である。 - 特許庁

In the base layer 3, a p^+ layer 12, whose p-type impurity concentration is higher than an average value of the p-type impurity concentration of the base layer 3 and is smaller in thickness than the base layer is formed adjacent to the boundary between the base layer 3 and p-type polysilicon layer 8.例文帳に追加

ベース層３において、ベース層３とｐ型ポリシリコン層８との界面近傍には、ｐ型不純物濃度がベース層３のｐ型不純物濃度の平均値より高く、厚さがベース層の厚さに比して極めて薄いｐ^+層１２が形成されている。 - 特許庁

A barrier layer 32 of first conductive type of dopant concentration higher than that of the first base is disposed between the first base layer and the second base layer.例文帳に追加

第１ベース層と第２ベース層との間に、第１ベース層よりも不純物濃度が高い第１導電型のバリア層３２が配設される。 - 特許庁

When the lamp 20 is desired to be used as the handgrip type, an inserting base 21 is inserted into a support base 10 and mounting the base 21 at a trestle 6.例文帳に追加

スリットランプ２０を据え置き型として使用したい場合は、差し込み台２１を支持台１０に挿入して架台６に取り付ける。 - 特許庁

The separation type balance lower limb exercise apparatus includes a foot mounting base, and two grip bars formed independently of the foot mounting base.例文帳に追加

足載せ台と、別に形成された２本の握り棒とで分離型バランス下肢運動具を構成している。 - 特許庁

The base material is a receptive layer base material in which a porous type receptive layer 12 is formed on its surface.例文帳に追加

また、前記基材が、その表面に、多孔質型受容層１２が形成された受容層付基材である。 - 特許庁

DOORWAY STRUCTURE FOR BASE-ISOLATED BUILDING, UNIT-TYPE BASE-ISOLATED BUILDING WITH THE DOORWAY STRUCTURE, AND BUILDING UNIT例文帳に追加

免震建築物の出入り口構造、及び該出入り口構造を備えたユニット式免震建物並びに建物ユニット - 特許庁

That key structure includes a key cap, a base plate, and the pinching type support member between the key cap and the base plate.例文帳に追加

そのキー構造は、キーキャップ、ベースプレート、及び、そのキーキャップとそのベースプレートとの間のはさみ型支持部材を含む。 - 特許庁

This thermal actuator 15 includes an element 10 of a base part and a cantilever type element 20 extending from the element of the base part.例文帳に追加

サーマルアクチュエーター１５は基部の要素１０と基部の要素から延在するカンチレバー型要素２０を含む。 - 特許庁

When a N-type emitter region 15 is formed within a P-type base region 14, a ring-type LOCOS oxide film 16, that is opened in the region to which the N-type emitter region 15 is to be formed, is provided on the P-type base region 14 (Fig. 3(a)).例文帳に追加

Ｐ型ベース領域１４内にＮ型エミッタ領域１５を形成するに際し、Ｐ型ベース領域１４上にＮ型エミッタ領域１５の形成予定場所が開口した輪状のＬＯＣＯＳ酸化膜１６を設ける（図３（ａ））。 - 特許庁

A vertical semiconductor device 1 has an N-type epitaxial layer 12 and a P-type base layer 13 formed on an N^+type silicon substrate 11, and also has N^+type source layers 14 and P^+ type carrier extraction layers 15 formed on the base layer 13.例文帳に追加

縦形の半導体装置１において、Ｎ^＋型のシリコン基板１１上に、Ｎ型のエピタキシャル層１２及びＰ型のベース層１３を形成し、ベース層１３上にＮ^＋型のソース層１４及びＰ^＋型のキャリア抜き層１５を形成する。 - 特許庁

A parasitic pnp transistor is arranged where p-type emitters 27 and 28 are formed in the n-type well 12 at a position near the ends of the p-type well 13, the n-type well 12 is set to be a base, and the p-type well 13 to be the collector and the base is connected to the Vdd terminal 3.例文帳に追加

ｐ型ウェル１３の端部に近い位置でｎ型ウェル１２内にｐ型エミッタ２７，２８が形成され、ｎ型ウェル１２をベース、ｐ型ウェル１３をコレクタとし、ベースがＶｄｄ端子３に接続された寄生ｐｎｐトランジスタが設けられる。 - 特許庁

A support body 5 which makes a base material 4 hold the water cure type resin 3 is disposed.例文帳に追加

基材４に水硬化性樹脂３を保持させた支持体５を設ける。 - 特許庁

RESIN COMPOSITION FOR COATING AND ONE PACK TYPE COATING FOR BASE COAT USING SAME例文帳に追加

塗料用樹脂組成物及びそれを用いた１液型ベースコート用塗料 - 特許庁

RADIO FREQUENCY TRANSMITTER OF CDMA TYPE MOBILE COMMUNICATION BASE STATION SYSTEM例文帳に追加

ＣＤＭＡ方式移動通信基地局システムの無線周波数送信装置 - 特許庁

An exchange 3 receives the type 11 sent by the base station 2 and connects the signal to a subscriber of this type 11 within an area covered by the base station 2.例文帳に追加

交換機３は、基地局２が送信した種別１１を受け、この基地局２がカバーするエリア内にあるこの種別１１の加入者に接続する。 - 特許庁

METHOD FOR COUPLING DIFFERENT TYPE OF METAL ON SURFACE OF BASE METAL, AND METAL COMPONENT例文帳に追加

金属母材表面の異種金属材結合方法及び金属部品 - 特許庁

At the cell portion C, a P-type base layer 14 is formed on the epitaxial layer 12, and an N-type source layer 15 is formed at part on the base layer 14.例文帳に追加

セル部Ｃにおいては、エピタキシャル層１２上にＰ型のベース層１４を形成し、ベース層１４上の一部にＮ型のソース層１５を形成する。 - 特許庁

PAPER BASE MATERIAL FOR CHIP TYPE ELECTRONIC COMPONENT STORAGE MOUNT, AND MOUNT USING THE SAME例文帳に追加

チップ型電子部品収納台紙用紙基材及びそれを用いた台紙 - 特許庁

The buried layers are selectively provided in the first-conductive-type base layer.例文帳に追加

埋め込み層は、第１導電形ベース層中に選択的に設けられた。 - 特許庁

DELAY SYNCHRONIZATION LOOP CIRCUIT, DIGITAL PRE-DISTORTION TYPE TRANSMITTER, AND RADIO BASE STATION例文帳に追加

遅延同期ループ回路、ディジタルプリディストーション型送信機、および無線基地局 - 特許庁

Preferably, the FRP type base material contains FRP and a polyolefin.例文帳に追加

好ましくは、該ＦＲＰ系基材がＦＲＰとポリオレフィンとを含有している。 - 特許庁

CELL ELEMENT LAYER BASE AND CELL PLATE FOR SOLID ELECTROLYTE TYPE FUEL CELL例文帳に追加

電池要素層支持体及び固体電解質型燃料電池用セル板 - 特許庁

PLANAR MG-AL BASE HYDROTALCITE TYPE GRAIN POWDER AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

板状Ｍｇ−Ａｌ系ハイドロタルサイト型粒子粉末及びその製造法 - 特許庁

BASE STATIONS OF PLURAL NETWORK CONNECTION TYPE COMMUNICATION SYSTEMS, AND CONNECTION METHOD OF EM例文帳に追加

複数ネットワーク接続型通信システムの基地局およびその接続方法 - 特許庁

A diverter layer 39 of second conductive type is disposed on the first base layer so as to be able to discharge a carrier of second conductive type from the first base layer.例文帳に追加

第２導電型のキャリアを第１ベース層から排出することができるように、第１ベース層上に第２導電型のダイバータ層３９が配設される。 - 特許庁

An N^+ type source layer 19 is formed on the base layer 18.例文帳に追加

Ｎ^＋型のソース層１９がベース層１８の上部に形成されている。 - 特許庁

CUTTER BODY BASE MACHINE, CUTTER BODY, THROW-AWAY TYPE ROTATING TOOL, AND ITS CLAMPING METHOD例文帳に追加

カッターボディ本体、カッターボディ、スローアウェイ式回転工具、及びそのクランプ方法 - 特許庁

Nitrogen ions N+ are implanted into the surface layer part of a p type base region 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の表層部に窒素（Ｎ^+ ）をイオン注入する。 - 特許庁

SINGLE BASE TYPE FLUORESCENT LAMP, USE OF AMALGAM SUPERCOOLING PREVENTIVE MATERIAL AND WIND SHIELDING MATERIAL, AND METHOD FOR PREVENTING SUPERCOOLING OF AMALGAM OF SINGLE BASE TYPE FLUORESCENT LAMP例文帳に追加

片口金形蛍光ランプ及びアマルガム過冷却防止材及び遮風材の使用及び片口金形蛍光ランプのアマルガムの過冷却を防止する方法 - 特許庁

An n-type emitter region 4 is formed in the base region 3.例文帳に追加

そのベース領域３内にｎ形のエミッタ領域４が形成されている。 - 特許庁

HEAT TREATMENT OF VERTICAL TYPE CONTINUOUS ANNEALING FURNACE FOR COPPER AND COPPER ALLOY BASE STRIP例文帳に追加

銅・銅合金系ストリップ用竪型連続焼鈍炉の熱処理方法 - 特許庁

EXTRUSION-MOLDED TILE BASE, AND WET TYPE MOLDING DIE FOR THE SAME例文帳に追加

押出成形タイル素地及び該押出成形タイル素地の湿式成形金型 - 特許庁

Thus, only by exchanging the base board, the play component can be recycled for the other machine type and further, the base board can be easily recycled for the other machine type as well.例文帳に追加

これにより、基板を取り換えるだけで遊技部品を他の機種で再利用することができ、また基板を他の機種で再利用することも容易である。 - 特許庁

In the corresponding deep N+ type region 14, a P+ type base region 26 for absorbing the surge is formed along the deep N+ type region 14 on the opposite side to a P+ type base region 17, and a ground electrode 27 is formed on the corresponding P+ base region.例文帳に追加

当該ディープＮ＋型領域１４においてＰ＋型ベース領域１７とは反対側にディープＮ＋型領域１４に沿ってサージ吸収用のＰ＋型ベース領域２６が形成され、当該Ｐ＋型ベース領域上にグランド電極２７が形成されている。 - 特許庁

By forming such a structure, a path of a surge current is set to n-type drift layer 2 → p-type layer 3a → p-type base region 3a → body p-type layer 5.例文帳に追加

このような構造とすることで、サージ電流の経路をｎ型ドリフト層２→ｐ型層３ａ→ｐ型ベース領域３ａ→ボディｐ型層５とすることが可能となる。 - 特許庁

The GaAs chip 14 includes a p-type GaAs base layer 34 (p-type GaAs layer) and an n-type GaAs emitter layer 36 (n-type GaAs layer) formed thereon.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４は、ｐ型ＧａＡｓベース層３４（ｐ型ＧａＡｓ層）と、その上に形成されたｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６（ｎ型ＧａＡｓ層）を有する。 - 特許庁

According to one embodiment, an insulated gate type bipolar transistor of reverse conducting type comprises: a second base layer of type N; a buffer layer of type N; a first collector layer of type N; a second collector layer of type P; a third collector layer of type P; and a collector electrode.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、Ｎ型の第二のベース層と、Ｎ型のバッファ層、Ｎ型の第一のコレクタ層、Ｐ型の第二のコレクタ層、Ｐ型の第三のコレクタ層、及びコレクタ電極が設けられる。 - 特許庁

The p type base region 105 is so formed on the main surface 12 as to adjoin the n type source region 103.例文帳に追加

ｐ型ベース領域１０５はｎ型ソース領域１０３に隣接するように主表面１２に形成される。 - 特許庁