「BORON PHOSPHIDE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

BORON PHOSPHIDE BASE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND BORON PHOSPHIDE BASE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

リン化硼素系半導体層、その製造方法、及びリン化硼素系半導体素子 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING IT, LIGHT-EMITTING DIODE AND BORON PHOSPHIDE TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

リン化硼素系半導体素子、その製造方法、発光ダイオードおよびリン化硼素系半導体層 - 特許庁

METHOD FOR VAPOR PHASE GROWING BORON PHOSPHIDE LAYER, BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

リン化硼素層の気相成長方法、リン化硼素系半導体素子およびＬＥＤ - 特許庁

BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

リン化硼素系半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

リン化硼素系半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

BORON-PHOSPHIDE BASED ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

リン化硼素系半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer, containing boron, is composed of mixed crystal of boron arsenide phosphide(BAsP) or boron phosphide(BP).例文帳に追加

含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を砒化リン化硼素（ＢＡｓＰ）混晶あるいはリン硼素（ＢＰ）から構成する。 - 特許庁

To provide a boron phosphide-based semiconductor element by utilizing a high-resistance boron phosphide-based semiconductor layer.例文帳に追加

高抵抗のリン化硼素系半導体層を形成し、その高抵抗のリン化硼素系半導体層を利用してリン化硼素系半導体素子を製造する。 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

リン化硼素系半導体素子、その製造方法、および発光ダイオード - 特許庁

The barrier layer is formed from the amorphous boron phosphide (BP) semiconductor layer.例文帳に追加

障壁層を非晶質のリン化硼素（ＢＰ）系半導体層から構成する。 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE CRYSTAL GROWTH METHOD ON SILICON CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン結晶基板上へのリン化ボロン結晶成長法 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LED AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

リン化硼素系半導体発光ダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

pn JUNCTION TYPE BORON PHOSPHIDE GROUP SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子およびその製造方法 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD AND LAMP例文帳に追加

リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法およびランプ - 特許庁

BORON PHOSPHIDE BASED SEMICONDUCTOR, PRODUCING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT THEREOF例文帳に追加

リン化硼素系半導体、その製造方法及び半導体素子 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE BASED SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

リン化硼素系半導体層、その製造方法、半導体素子 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING DIODE LAMP例文帳に追加

リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法およびＬＥＤランプ - 特許庁

An evaporation preventing layer is made of a boron phosphide semiconductor.例文帳に追加

蒸発防止層をリン化硼素（ＢＰ）系半導体から構成する。 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

リン化硼素系半導体素子、その製造方法およびＬＥＤ - 特許庁

The low-resistance boron phosphide semiconductor layer is composed of a lower polycrystalline layer and an upper single crystal layer, and for instance, the boron phosphide semiconductor light emitting device excellent in both rectifying characteristics and emission intensity is formed by the use of the low-resistance boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

低抵抗のリン化硼素系半導体層を多結晶の下層と、単結晶の上層とから構成することとし、例えば、整流特性と発光強度に優れるリン化硼素系半導体発光素子を構成する。 - 特許庁

A gallium nitride phosphide laminated light emitting structure is formed on a substrate via a boron phosphide(BP) buffer layer.例文帳に追加

基板上にリン化硼素（ＢＰ）系緩衝層を介して窒化リン化ガリウム系積層発光構造を形成する。 - 特許庁

This boron phosphide-based semiconductor element is constituted by utilizing the oxygen-containing boron phosphide-based semiconductor layer containing boron and phosphorus as constituent elements and, in addition, oxygen.例文帳に追加

硼素とリンとを構成元素として含み、さらに酸素を含有する含酸素リン化硼素系半導体層を利用してリン化硼素系半導体素子を構成する。 - 特許庁

To enable a barrier layer to be formed from a boron phosphide semiconductor layer whose front surface is flat enough for realizing a flat pn junction interface in a boron phosphide semiconductor light emitting device equipped with a barrier layer formed of the boron phosphide semiconductor layer and a light emitting layer formed of a I-II nitride semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層からなる障壁層とＩＩＩ族窒化物半導体層からなる発光層とを具備したリン化硼素系半導体発光素子において、平坦なｐｎ接合界面を顕現するに充分な表面の平坦性に優れるリン化硼素系半導体層から障壁層を形成する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子及び発光ダイオード - 特許庁

Nitrogen acts as an isoelectronic trap impurity in a boron phosphide based semiconductor.例文帳に追加

窒素はリン化硼素系半導体中で等電子的トラップ不純物として作用する。 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

リン化硼素系化合物半導体素子、及びその製造方法、並びに発光ダイオード - 特許庁

BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法、および発光ダイオード - 特許庁

P-N JUNCTION BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LIGHT- EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD AND LIGHT SOURCE FOR DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源 - 特許庁

BORON PHOSPHIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER AND VAPOR- PHASE GROWTH METHOD THEREFOR例文帳に追加

リン化硼素系半導体層の気相成長方法およびリン化硼素系半導体層 - 特許庁

In a method of manufacturing the boron phosphide based semiconductor layer wherein a boron phosphide based semiconductor layer containing boron (B) and phosphorus (P) as constituent elements is formed by vapor growth on the surface of the crystalline substrate, particles containing either boron or phosphorous are formed in advance on the surface the crystalline substrate, and then the boron phosphide based semiconductor layer is formed by vapor phase growth.例文帳に追加

結晶基板の表面上に、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素系半導体層を気相成長させるリン化硼素系半導体層の製造方法に於いて、結晶基板の表面に、硼素またはリンの何れかを含む粒子を予め形成し、その後結晶基板の表面上に、リン化硼素系半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

A p-type ohmic electrode provided in contact with the front surface of a conductive boron phosphide semiconductor layer having p-type conductivity (p-type boron phosphide semiconductor layer) is composed of lanthanum-iron-antimony (La-Fe-Sb) alloy layer.例文帳に追加

ｐ形の伝導を呈する導電性のリン化硼素半導体層（ｐ形リン化硼素半導体層）の表面に接触させて設けるｐ形オーミック電極をランタン・鉄・アンチモン（Ｌａ・Ｆｅ・Ｓｂ）合金層から構成する。 - 特許庁

To provide a boron phosphide type semiconductor device, in which a characteristic is advanced, providing a polycrystalline boron phosphide type semiconductor layer stably including twins which have twin faces having specific crystal directions.例文帳に追加

本発明は、特定の結晶方向を双晶面とする双晶を安定して含む多結晶のリン化硼素系半導体層を備えることにより、特性の向上したリン化硼素系半導体素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a boron phosphide layer of a single crystal having little crystal defect density cannot be stably formed due to a large lattice mismatching degree of an Si single crystal substrate and the boron phosphide layer.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板とリン化硼素層との大きな格子不整合度に因り、結晶欠陥密度の少ない単結晶のリン化硼素層を安定して形成できない問題点を解決する。 - 特許庁

To provide a boron phosphide-based compound semiconductor element which has a joint structure of a III group nitride semiconductor layer and a boron phosphide layer and which is superior in element characteristic.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層とリン化硼素層との接合構造を有する、素子特性に優れたリン化硼素系化合物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a boron phosphide buffer layer which readily and stably provides a continuous boron phosphide base crystal layer on a crystal substrate with unified crystal orientation.例文帳に追加

結晶基板上に、画一的な結晶面方位を有する連続性のあるリン化硼素系結晶層を簡便に且つ安定してもたらすためのリン化硼素緩衝層の形成方法を提供する。 - 特許庁

To stably obtain an n-type or p-type boron-phosphide based semiconductor layer with precisely controlled carrier density by adding n-type or p-type impurities when the boron-phosphide based semiconductor layer is formed by a vapor-phase growing means.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を気相成長手段により成長する際、ｎ形またはｐ形不純物を添加して、精密に制御されたキャリア濃度のｎ形またはｐ形のリン化硼素系半導体層を安定して得る。 - 特許庁

To provide a method by which a low-resistance p-type boron phosphide layer (p-type boron phosphide semiconductor layer) can be formed stably on a crystalline substrate or a crystalline layer by a vapor phase growth method.例文帳に追加

結晶基板上または結晶層上に、低抵抗のｐ形リン化硼素層（ｐ形リン化硼素半導体層）を安定して気相成長するための手法を提供する。 - 特許庁

To provide a boron phosphide based semiconductor layer exhibiting direct transition recombination behavior, in which recombination efficiency of carriers is enhanced with regard to indirect transition compound semiconductor, i.e., boron phosphide.例文帳に追加

本来、間接遷移型の化合物半導体であるリン化硼素に関して、キャリアの再結合効率を向上させた直接遷移的な再結合挙動を呈するリン化硼素系半導体層を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the resistance of a conventional p-type boron phosphide layer is sensitively changed due to a slight quantitative change of a p-type impurity to be added in a means for forming the p-type boron phosphide layer.例文帳に追加

従来のｐ形リン化硼素系半導体層の形成手段における、添加するｐ形不純物の僅かな量的変動により、リン化硼素結晶層の抵抗が敏感に変動してしまう問題を解決する。 - 特許庁

To solve the problem that a conventional heat treatment technique needs to coat the surface of a boron phosphide layer with a silicon nitride protective layer so as to obtain a low-resistance boron phosphide semiconductor layer, and further needs heat treatment for a long time.例文帳に追加

従来の熱処理技術では、低抵抗のリン化硼素半導体層を得るために、リン化硼素層の表面に窒化珪素の保護膜を被着させる必要がある上に、長時間に亘る熱処理が要求される問題点を解決する。 - 特許庁

Furthermore, a second boron phosphide single crystal layer is grown in a vapor phase on the first boron phosphide single crystal layer, thus obtaining a joint body of the first boron phosphide single crystal layer and the second boron phosphide single crystal layer formed thereon as the boron phosphide single crystal substrate.例文帳に追加

裏面に溝を設けた珪素単結晶基板の表面に、２５０℃を超え１２００℃以下の基板温度でＭＯＣＶＤ法により、硼素とリンとを含む非晶質層を気相成長させ、該非晶質層上に、第１のリン化硼素（ＢＰ）単結晶層を気相成長させ、珪素単結晶基板を除去した後、第１のリン化硼素単結晶層上に、第２のリン化硼素単結晶層を気相成長させて、形成した第１のリン化硼素単結晶層と第２のリン化硼素単結晶層の接合体をリン化硼素単結晶基板とする。 - 特許庁

The p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor layer is formed by adding beryllium (Be) to the boron phosphide (BP)-based semiconductor layer provided on the surface of a single-crystal substrate and containing boron (B) and phosphorus (P) as constituent elements as the p-type impurity.例文帳に追加

単結晶からなる基板の表面上に設けられた、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系半導体層に、ｐ形不純物としてベリリウム（Ｂｅ）を添加し、ｐ形リン化硼素（ＢＰ）系半導体層を形成する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE BORON PHOSPHIDE SEMICONDUCTOR LAYER, COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, ZENER DIODE, AND LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の製造方法、化合物半導体素子、ツェナーダイオード、及び発光ダイオード - 特許庁

To enable the stable formation of a p-type ohmic electrode having a sufficiently low contact resistance on a boron phosphide based semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層上に接触抵抗の充分に低いｐ形オーミック電極を安定して形成することができるようにする。 - 特許庁

In addition, it is preferable in obtaining the LED with a stable light emitting wavelength to constitute the boron-phosphide-based semiconductor layer 106 as an undoped layer.例文帳に追加

また、リン化硼素系半導体層１０６は、アンドープ層であるのが、発光波長の安定したＬＥＤを得る上で好ましい。 - 特許庁