「Behind the Mask」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Next, the exposed photoresist film is developed, leaving behind the photoresist pattern with at least one concave portion formed corresponding to the slit of the mask.例文帳に追加

次に、露出されたフォトレジスト膜は現像され、マスクのスリットに対応して形成された少なくとも一つの凹部を有するフォトレジストパターンを残す。 - 特許庁

The eye mask 13 is constituted of a main body 11 of the eye mask, a closely contacting material 20 attached to the peripheral edge of the back surface, a gauze 19 fixed to the main body 11 by the peripheral edge held tightly between the closely contacting material 20 and the main body 11, and behind-the-ear bands 18 provided on both sides of the main body 11.例文帳に追加

アイマスク１３はアイマスク本体１１と、その背面周縁部に取り付けられる密着材２０と、密着材２０とアイマスク本体１１との間に周縁部が挟持されることによりアイマスク本体１１に固定されるガーゼ１９と、アイマスク本体１１の両側部に設けられる耳掛けバンド１８とから構成されている。 - 特許庁

This peeling device patterns a paste film on a substrate through sand blast processing using a mask formed of a resist film in specific pattern, and then removes the resist film used as the mask for the sand blade processing; and a dedicated nozzle Na is installed behind nozzles N for peeling the resist film off the substrate G so that only the solid resist film C on the substrate G is sprayed.例文帳に追加

レジスト膜からなる所定パターンのマスクを介してのサンドブラスト加工により基板上のペースト膜をパターニングした後に、そのサンドブラスト加工のマスクとして使用したレジスト膜を除去するための剥離装置であって、基板Ｇにおけるレジスト膜の剥離を行う複数のノズルＮの後方に、基板Ｇにおけるベタ状レジスト膜Ｃのみにスプレーが当たるように専用ノズルＮａを設置する。 - 特許庁

This opening 103 is positioned on a bottom face inside a recess face behind a contact face of the depositing mask 21 with the base plate 101, and the opening 103 of the depositing mask 101 is separated from the base plate 101 with a predetermined gap space 23, and depositing particles from a depositing source 105 are deposited on the base plate 101 through the opening 103.例文帳に追加

この開口部１０３は、蒸着マスク２１が基板１０１と接触する面から後退させた凹面内の底面に有し、蒸着マスク１０１の開口部１０３を基板１０１から所定のギャップ空間２３をもって離間して蒸着源１０５からの蒸着粒子粒を開口部１０３を通して基板１０１に蒸着する - 特許庁

The laser beam machining apparatus 1 includes: a laser source 2 emitting laser beams 6; and an electron type mask mechanism 5 arranged behind the laser source 2 and covering materials to be worked 9, 10, and the laser beam machining apparatus 1 works or joins the materials to be worked 9, 10.例文帳に追加

上記課題は、レーザ光６を発するレーザ源２及びレーザ源２の後方に配置され加工材料９、１０を覆う電子式マスク機構５を有する加工材料９、１０を加工又は接合するレーザ加工装置１により解決される。 - 特許庁

A color filter 10R, a color filter 10G, and a color filter 10B formed of negative resist films are exposed at the same time by using a photo mask shading the areas to be connected with transparent pixel electrodes behind each source electrode 8.例文帳に追加

各ソース電極８の後に透明画素電極に接続される領域を遮光するフォトマスク１１を使用してネガ型レジスト膜からなるカラーフィルタ１０Ｒ、カラーフィルタ１０Ｇ及びカラーフィルタ１０Ｂを同時に露光する。 - 特許庁

An image processor 4 generates a combined image data obtained by combining lateral image data, obtained by vertically and horizontally inverting a peripheral image behind the vehicle imaged by a camera 2, with mask image data for masking a predetermined area including a lower edge part of the lateral image data.例文帳に追加

画像処理装置４は、カメラ２により撮像された車両後方の周辺画像を縦横反転した横向き画像データと、この横向き画像データの下端部分を含む所定の領域をマスクするためのマスク画像データとを合成した合成画像データを生成する。 - 特許庁

Based on an operational status of an internal combustion engine, a mask time Tmsk from ignition timing to the start of detection of an ion current peak value is set so that the detection of the ion current peak value is started behind the generation timing of a combustion ion current peak value by an initial flame immediately after ignition timing.例文帳に追加

内燃機関の運転状態に基づいて、点火タイミング直後の初期火炎による燃焼イオン電流ピーク値の発生時期よりも遅れて、イオン電流ピーク値の検出を開始するように、点火タイミングからイオン電流ピーク値の検出を開始するまでのマスク時間Ｔｍｓｋを設定する。 - 特許庁

A surface 28 to be ground of a thin finished semiconductor wafer 27 is dry-etched by using a mask 29 composed of a resist, and a rib 30 is formed corresponding to a scribe line 24 by leaving the thickness of a substrate 20 behind, and a cavity 31 corresponding to a chip 23 is recessed so as to encircle the cavity with the rib 30.例文帳に追加

薄仕上げ半導体ウエハ２７の被研削面２８にレジストからなるマスク２９を使用してドライエッチングを施し、スクライブライン２４に対応したリブ部３０をサブストレート２０の厚みを残して形成し、チップ部２３に対応した窪み３１をリブ部３０で囲むように陥没させる。 - 特許庁