Biを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2237件
To provide a method and apparatus for bi-directional current detection for a synchronous rectifier bi-directional converter system.例文帳に追加
同期整流器の双方向変換器システム向けの双方向電流感知のための方法及び装置を提供する。 - 特許庁
Bi concentration in the Sn-Bi layer should preferably be 1-2 wt.% for improved wetting properties.例文帳に追加
このSn−Bi層中のBi濃度は、十分なぬれ性を得るために1〜20重量%であることが望ましい。 - 特許庁
To obtain a bi-directional receiving system by which reception quality is improved in a server and also in a bi-directional receiver.例文帳に追加
サーバ及び双方向受信機両方の受信品質を向上させることができる双方向受信システムを得る。 - 特許庁
ANTENNA DEVICE, MOBILE DEVICE AND BI-DIRECTIONAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加
アンテナ装置及び移動体装置及び双方向通信システム - 特許庁
Also as a melting point depressing element, 5 or less percent by mass in the total of at least one type among Bi, In and Zn may be added.例文帳に追加
また、融点低下元素として、Bi、InおよびZnの少なくとも1種を合計で5質量%以下添加してもよい。 - 特許庁
Preferably, the concentration of the Bi in the Sn-Bi layer is 1 to 20 wt.% for the sufficient wettability.例文帳に追加
このSn−Bi層中のBi濃度は、十分なぬれ性を得るために1〜20重量%であることが望ましい。 - 特許庁
COATING LIQUID FOR FORMING Bi-BASED DIELECTRIC THIN FILM WITH PARAELECTRIC OR FERROELECTRIC PROPERTY, AND Bi-BASED DIELECTRIC THIN FILM例文帳に追加
常誘電性あるいは強誘電性のBi系誘電体薄膜形成用塗布液、およびBi系誘電体薄膜 - 特許庁
WOVEN BI- OR TRIFURCATE STENT AND ITS MANUFACTURE PROCESS例文帳に追加
編込二又および三又ステントおよびその製造方法 - 特許庁
These lines have bi-directional data transfer capability 例文帳に追加
これら回線は,両方向データ転送能力をもっている - コンピューター用語辞典
METHOD OF MANUFACTURING HIGH QUALITY Bi-BASED OXIDE SUPERCONDUCTOR THIN FILM例文帳に追加
高品質Bi系酸化物超電導薄膜の作製法 - 特許庁
Bi content and Sb content satisfy inequalities 0.01 % ≤ 0.000502x^3 + 0.00987x^2 + 0.0553x + [Sb] ≤ 10 %, where x denotes Bi content (%), and [Sb] denotes Sb content (%), respectively.例文帳に追加
0.01at% ≦0.000502x^3 + 0.00987x^2 +0.0553x+[Sb]≦10at% - 特許庁
It is preferable that Bi concentration in this Sn-Bi layer is 1-20 wt% for obtaining the sufficient wettability.例文帳に追加
このSn−Bi層中のBi濃度は、十分なぬれ性を得るために1〜20重量%であることが望ましい。 - 特許庁
BI-AXIAL HIGH-PERFORMANCE ESCAPEMENT, OR BHPE (EBHP)例文帳に追加
二軸式の高性能脱進機、またはBHPE(EBHP) - 特許庁
The concentration of Bi in the layer of Sn-Bi is preferably 1-20 wt.% to obtain the sufficient wettability.例文帳に追加
このSn−Bi層中のBi濃度は、十分なぬれ性を得るために1〜20重量%であることが望ましい。 - 特許庁
In this figure, the dashed lines show the bulk phase diagrams and the solid lines interpolate the experimental observations into the phase diagrams of Bi-Pb nanoparticles. 例文帳に追加
この図では、点線がバルク相図を示し、実線が実験で得た観察(結果)をBi-Pbナノ粒子の相図に内挿する。 - 科学技術論文動詞集
A bi-cubic interpolation processing part 103 carries out processing by a bi-cubic interpolation method with respect to the pixel data of the peripheral pixels, and it outputs pixel data (a bi-cubic interpolation result) of interpolated pixels.例文帳に追加
また、バイキュービック補間処理部103は、周辺画素の画素データに対してバイキュービック補間法による処理を行い、補間画素の画素データ(バイキュービック補間結果)を出力する。 - 特許庁
The write-once type optical recording medium is provided with a recording layer containing at least Bi, B and O on a substrate, and the atomic ratio of Bi to B in the recording layer is 3/7≤Bi/B≤8.例文帳に追加
基板上に、少なくとも、Bi、B及びOを含有する記録層を備え、記録層におけるBiとBの原子比が3/7≦Bi/B≦8である追記型光記録媒体である。 - 特許庁
To reproduce a left audio-signal L and a right audio-signal R by using the function of a Bi-Amp while outputting the audio-signals of surround rear left audio-signal and surround rear right audio-signal without providing a dedicated amplifier for Bi-Amp.例文帳に追加
Bi-Amp専用のアンプを設けることなく、サラウンド後方左音声信号およびサラウンド後方右音声信号の音声信号を出力した状態で、Bi-Ampの機能を使用し、左音声信号Lおよび右音声信号Rを再生する。 - 特許庁
The Bi-based copper oxide high-temperature superconductive article 1 represented by a composition formula (Bi_2-xB_x)Sr_2CuO_z and substituted with B has a Bi(B)(2201) structure in which a part of Bi of a Bi-blocking layer 2 is substituted with B, BO_3^3- or both of them.例文帳に追加
組成式(Bi_2-x B_x )Sr_2 CuO_z で表され、Bで置換したBi系銅酸化物高温超伝導体1であって、、Biブロッキング層2のBiの一部をB、BO_3 ^3-、又はその両方で置換したBi(B)(2201)構造を有している。 - 特許庁
BI-DIRECTIONAL PRINTING WITH CONSIDERATION TO MECHANICAL VIBRATION OF PRINT HEAD例文帳に追加
印刷ヘッドの機械的な振動を考慮した双方向印刷 - 特許庁
METHOD OF BI-DIRECTIONAL PRINTING CONSIDERING MECHANICAL VIBRATION OF PRINT HEAD例文帳に追加
印刷ヘッドの機械的な振動を考慮した双方向印刷 - 特許庁
The collector, base and emitter of the bi-polar transistor Q2 are respectively connected to the emitter, base and collector of the bi-polar transistor Q1.例文帳に追加
バイポーラトランジスタQ2のコレクタ、ベース及びエミッタは、バイポーラトランジスタQ1のエミッタ、ベース及びコレクタにそれぞれ接続されている。 - 特許庁
The Bi-Sn-based solder has a composition of Bi-1 to 10 mass% Sn, and the diameter of the solder wire is 0.2-1.0 mm.例文帳に追加
Bi−Sn系はんだはBi−1〜10質量%Snの組成であり、はんだ線の直径が0.2〜1.0mmである。 - 特許庁
FORMING METHOD OF Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM, AND ADJUSTING METHOD OF COATING SOLUTION FOR FORMATION OF Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM例文帳に追加
Bi系強誘電体薄膜の形成方法、およびBi系強誘電体薄膜形成用塗布液の調製方法 - 特許庁
This leadless solder is composed by incorporating, by weight %, 0.1 to 2.0% Cu, 0.01 to 20.0% In, 0.01 to 1.5% P, 0.1 to 6.5% Bi and the balance Sn into the solder.例文帳に追加
本発明による無鉛半田は重量%で、Cu:0.1〜2.0%、In:0.01〜2.0%、P:0.01〜1.5%、Bi:0.1〜6.5%、残量Snを含んで組成される。 - 特許庁
Preferably, the crystallization promoting layer contains Bi and the recording layer has a metastable Sb_3Te phase belonging to the space group Fm3m.例文帳に追加
結晶化促進層はBiを含み、記録層は空間群Fm_3mに属する準安定Sb_3Te相を有することが好ましい。 - 特許庁
The bi-directional pump motor 24 is connected to an electric motor generator.例文帳に追加
両方向ポンプモータ24は電動モータジェネレータに接続される。 - 特許庁
MIXING METHOD, BI-DIRECTIONAL CASCADE CONNECTION DIGITAL MIXER AND ITS PROGRAM例文帳に追加
ミキシング方法、双方向カスケード接続デジタルミキサおよびプログラム - 特許庁
MATERIAL FOR FORMING Bi BASED FERROELECTRIC THIN FILM, Bi BASED FERROELECTRIC ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE ELEMENT例文帳に追加
Bi系強誘電体薄膜形成用材料、Bi系強誘電体素子、およびBi系強誘電体素子の製造方法 - 特許庁
COMPRESSION OF BI-LEVEL IMAGE WITH EXPLICIT REPRESENTATION OF INK CLUSTER例文帳に追加
インククラスタの明示的な表現を用いた2レベルイメージの圧縮 - 特許庁
Ag-Bi-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
Ag−Bi系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
To provide a Bi-based piezoelectric material with excellent piezoelectric characteristics.例文帳に追加
圧電特性が良好なBi系圧電材料を提供する。 - 特許庁
The names are formed by taking the first syllable of the names of the decimal prefix with roughly the same size, followed by "bi" for "binary". 例文帳に追加
名前は、だいたい同じくらいの 10 進接頭語の最初の音節に、2 進数であることを意味する "bi" を足したものになる。 - JM
The Bi-containing hot-dip galvanizing is characterized in that the content of a Bi component in a molten zinc in a plating bath is 0. 00-2.5% by mass.例文帳に追加
メッキ浴の溶融亜鉛中にBi成分が0.050〜2.5質量%の範囲で含有していることを特徴とする。 - 特許庁
DISPLAY DEVICE WITH IMAGING FUNCTION AND BI-LATERAL COMMUNICATION SYSTEM例文帳に追加
撮像機能付き表示装置、及び双方向コミュニケーションシステム - 特許庁
MONOLITHIC, BI-METALLIC TURBINE BLADE DAMPER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE DAMPER例文帳に追加
モノリシック及びバイメタルタービンブレードダンパ並びにその製造方法 - 特許庁
To reduce the number of signals of a driving circuit driving bi- directionally.例文帳に追加
双方向に駆動する駆動回路の信号数を削減する。 - 特許庁
BI-FUEL ENGINE AND MIXTURE RATIO ESTIMATION METHOD OF BLENDED FUEL例文帳に追加
バイフューエルエンジンおよび混合燃料の混合比率推定方法 - 特許庁
Ge-Bi ALLOY TARGET FOR SPUTTERING AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加
スパッタリング用Ge−Bi合金ターゲット及びその製造方法 - 特許庁
The core spun yarn includes a bi-component polyester filament and an elastomeric fiber.例文帳に追加
二成分ポリエステルフィラメント及びエラストマー繊維を含むコアヤーン。 - 特許庁
A jet 9 of molten metal composed of the Sn-Bi alloy is injected through a nozzle 8 into the cooling liquid layer and solidified.例文帳に追加
その冷却液体層中にノズル8から、Sn−Bi系合金より作った溶融金属のジェット9を噴射し凝固させる。 - 特許庁
To provide optically active 6-bromo-1,1'-bi-2-naphthol.例文帳に追加
光学活性6−ブロモ−1,1′−ビ−2−ナフトールを提供する。 - 特許庁
A constant current circuit 10 outputs the sum of the collector currents of the third bi-polar transistor Q3 and the fourth bi-polar transistor Q4.例文帳に追加
定電流回路10は、第3バイポーラトランジスタQ3および第4バイポーラトランジスタQ4のコレクタ電流の和を出力する。 - 特許庁
DETECTION OF RESIDUAL FUEL OF BI-FUEL ENGINE, AND AUTOMATIC FUEL CHANGE DEVICE例文帳に追加
バイフューエルエンジンの燃料残検出と燃料自動切換装置 - 特許庁
(A) Changes in the bilateral/ bi-regional amount of trade (export plus import) and share例文帳に追加
① 2 国・地域間の貿易(輸出+輸入)額とシェアの変化 - 経済産業省
The method of manufacturing the a-axis oriented Bi-based oxide superconductor thin film involves an epitaxial growth process using an LaSrAlO_4 single crystal substrate of a (110) plane or an LaSrGaO_4 single crystal substrate of a (110) plane, for which the lattice constant matches well with the (100) plane of the Bi-based oxide superconductor film.例文帳に追加
a軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、Bi系酸化物超電導薄膜の(100) 面と格子定数の整合性の良い(110)面のLaSrAlO_4単結晶基板又は(110)面のLaSrGaO_4単結晶基板を用いてエピタキシャル成長することにある。 - 特許庁
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