「CMOS element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

CMOS ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＣＭＯＳ素子及びその製造方法 - 特許庁

SCANNING STRUCTURE OF CMOS STORAGE ELEMENT例文帳に追加

ＣＭＯＳ記憶素子用のスキャン構造 - 特許庁

CMOS IMAGE ELEMENT WITH IMPROVED FILL FACTOR例文帳に追加

フィルファクタが改善されたＣＭＯＳイメージ素子 - 特許庁

CMOS SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

ＣＭＯＳ半導体素子とその製造方法 - 特許庁

ACTIVITY ELEMENT, CMOS CIRCUIT USING THE ELEMENT, AND DISPLAY DEVICE USING THE ELEMENT例文帳に追加

能動素子、これを用いたＣＭＯＳ回路及びこれを用いた表示装置 - 特許庁

CMOS SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＣＭＯＳ半導体素子およびその形成方法 - 特許庁

A CMOS image pickup element has a plurality of pixels.例文帳に追加

ＣＭＯＳ撮像素子は複数の画素を有する。 - 特許庁

CMOS OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体素子のＣＭＯＳ及びその製造方法 - 特許庁

To form local wiring between a silicon CMOS element and a germanium CMOS element easily, in a silicon-germanium three-dimensional structure CMOS.例文帳に追加

シリコン−ゲルマニウム立体構造ＣＭＯＳにおいて、シリコンＣＭＯＳ素子とゲルマニウムＣＭＯＳ素子との間の局所配線を容易に形成する。 - 特許庁

CMOS TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＣＭＯＳ型固体撮像素子及びその製造方法 - 特許庁

ACTIVE ELEMENT AND CMOS CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE USING THE ACTIVE ELEMENT例文帳に追加

能動素子、これを用いたＣＭＯＳ回路及びこれを用いた表示装置 - 特許庁

CMOS ELEMENT WITH IMPROVED PERFORMANCE, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

性能が向上されたＣＭＯＳ素子及びその製造方法 - 特許庁

Thereby the germanium CMOS element is formed on a single crystal germanium.例文帳に追加

そして、単結晶のゲルマニウム上にゲルマニウムＣＭＯＳ素子を形成する。 - 特許庁

IMAGE PICKUP DEVICE, CMOS TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

撮像装置並びにＣＭＯＳ型固体撮像素子及びその駆動方法 - 特許庁

This MEMS element 10 is manufacturing by the CMOS manufacturing process.例文帳に追加

また、このＭＥＭＳ素子１０は、ＣＭＯＳ製造プロセスによって製造される。 - 特許庁

Each cMUT element ovelies a respective CMOS cell in one-to-one correspondence.例文帳に追加

各ｃＭＵＴ素子は、１対１対応でそれぞれのＣＭＯＳセルを覆う。 - 特許庁

IMAGING SYSTEM EMPLOYING CMOS SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND IMAGE PICKUP APPARATUS例文帳に追加

ＣＭＯＳ型固体撮像素子を用いた撮像システムおよび撮像装置 - 特許庁

CMOS IMAGE ELEMENT HAVING HIGH LIGHT CONDENSING EFFICIENCY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

高い集光効率を有するＣＭＯＳイメージ素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method for resetting a CMOS imaging element in an endoscope apparatus with its endoscope insertion part tipped with the CMOS imaging element to shoot endoscopic images, which enables the CMOS imaging element to be restored to a normal state as quickly as posible when the CMOS element has come out of control.例文帳に追加

内視鏡挿入部の先端に内視鏡画像を撮影するためのＣＭＯＳ撮像素子を備えた内視鏡装置において、ＣＭＯＳ撮像素子が制御不能となった場合に、可能な限り迅速に正常な状態に復旧できるようにした内視鏡装置におけるＣＭＯＳ撮像素子のリセット方法を提供する。 - 特許庁

A low dielectric strength CMOS element 30 and a high gate dielectric strength MOS element 32, having a gate oxide film 6 thicker than the low dielectric strength CMOS element 30 are formed on the same semiconductor substrate 1.例文帳に追加

低耐圧ＣＭＯＳ素子３０と、低耐圧ＣＭＯＳ素子３０よりも厚いゲート酸化膜６を有する高ゲート耐圧ＭＯＳ素子３２とを、同一半導体基板１に備えている。 - 特許庁

CMOS/MEMS INTEGRATED INK JET PRINTING HEAD HAVING HEATER ELEMENT FORMED IN CMOS PROCESS, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＣＭＯＳ工程で形成したヒーター要素を有するＣＭＯＳ／ＭＥＭＳ集積型インクジェット印刷ヘッド及びその製造方法 - 特許庁

This CMOS imaging element 54 is arranged at a tip of an insertion part of the endoscope.例文帳に追加

内視鏡の挿入部先端には、ＣＭＯＳ撮像素子５４が配置される。 - 特許庁

To enhance the linearity of an output of a CMOS active pixel sensor element.例文帳に追加

ＣＭＯＳ能動ピクセルセンサ素子における出力の線形性を向上する。 - 特許庁

An endoscopic insertion part is tipped with a CMOS imaging element forming a CMOS sensor 58 and its peripheral circuit in one chip.例文帳に追加

内視鏡挿入部の先端には、ＣＭＯＳセンサ５８と周辺回路が１チップに形成されたＣＭＯＳ撮像素子が配置される。 - 特許庁

A digital output buffer circuit 53 is constituted of a CMOS inverter and a control circuit or element 4a is of a CMOS selector circuit.例文帳に追加

デジタル出力バッファ回路５３はＣＭＯＳインバータで構成され、制御回路乃至素子４ａはＣＭＯＳセレクタ回路で構成される。 - 特許庁

A silicon substrate having a silicon CMOS element is prepared (12), and an insulating layer is formed on the top of the element (14).例文帳に追加

シリコンＣＭＯＳ素子を有するシリコン基板を準備し（１２）、該素子の上部に絶縁層を形成する（１４）。 - 特許庁

To solve the following problem: correlation of images is eliminated in the connection part of an imaging element when using an amplification-type imaging element such as a CMOS type imaging element.例文帳に追加

ＣＭＯＳ型撮像素子等の増幅型撮像素子を用いた場合、撮像素子の接続部で画像の相関がなくなる。 - 特許庁

As the light receiving element, a CCD or CMOS light receiving element, and measurement is performed by analyzing an image obtained from the light receiving element.例文帳に追加

受光素子として、ＣＣＤ又はＣＭＯＳ受光素子を用い、受光素子から得られた画像を解析することにより測定する。 - 特許庁

CMOS CIRCUIT WITH BUILT-IN PASSIVE ELEMENT OF LOW CONTACT RESISTANCE, AND FORMING METHOD THEREOF例文帳に追加

低接触抵抗の受動素子を内蔵するＣＭＯＳ回路、およびその形成方法 - 特許庁

When the CMOS imaging element fails to be restored to a normal state, device resetting is executed (Step S26).例文帳に追加

正常な状態に復旧しない場合には、デバイスリセットを実行する（ステップＳ２６）。 - 特許庁

As the CMOS circuit, it is characterized by using the activity element.例文帳に追加

また、本発明のＣＭＯＳ回路としては、前記能動素子を用いたことを特徴とする。 - 特許庁

MANUFACTURE OF CMOS ELEMENT FOR IMPROVING MOBILITY OF ELECTRON AND HOLE例文帳に追加

電子及び正孔の移動度を向上させることができるＣＭＯＳ素子の製造方法 - 特許庁

CMOS INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT WITH BURIED SILICON GERMANIUM LAYER, SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

埋め込みシリコンゲルマニウム層をもつＣＭＯＳ集積回路素子及び基板とその製造方法 - 特許庁

To provide a CMOS image element having high light condensing efficiency and its manufacturing method.例文帳に追加

高い集光効率を有するＣＭＯＳイメージ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved method of manufacturing an integrated circuit with both a GaN element and a CMOS element.例文帳に追加

ＧａＮ素子およびＣＭＯＳ素子の両方を備えた集積回路を製造するための改善した方法を提供する。 - 特許庁

A logic circuit is structured by a 74HCT type CMOS gate element 10 of Hi level input voltage VIH=2 V(min) and Lo level input voltage VIL=0.8 V(max) in correspondence to a TTL level input (0 to 5 V).例文帳に追加

TTLレベル入力（0〜5V）に対応しHiレベル入力電圧V_IH＝2V(min)、Loレベル入力電圧V_IL ＝0.8V(max)の74HCTタイプCMOSゲート素子10によってロジック回路を構成する。 - 特許庁

Also, the camera 6 uses a CCD or a CMOS image pickup element capable of performing a high-speed image pickup.例文帳に追加

また、カメラ６には、高速撮像可能なＣＣＤもしくはＣＭＯＳ撮像素子を用いる。 - 特許庁

To provide a resistance element suitable for semiconductor devices containing CMOS transistors of a salicide structure.例文帳に追加

サリサイド構造のＣＭＯＳトランジスタの含んだ半導体装置に適した抵抗素子を提供する。 - 特許庁

The present invention is to connect each one of the constant current sources consisting of CMOS 31 and 32 between a CMOS circuit 2 and a power supply 91 and the ground 92 respectively, and then to connect a resistor element 3 in parallel with the CMOS circuit 2.例文帳に追加

ＣＭＯＳ回路２と電源９１，グランド９２との間にそれぞれＭＯＳ３１，３２からなる定電流源を接続し、その接続点間にＣＭＯＳ回路２と並列に抵抗素子３を接続する。 - 特許庁

In this ratio circuit, an N channel MOS transistor 12 of one CMOS circuit 10 constitutes a driving element, and a P channel MOS transistor 18 of the other CMOS circuit 16 constitutes a load element.例文帳に追加

このレシオ回路では、一方のＣＭＯＳ回路１０のＮチャネルＭＯＳトランジスタ１２が駆動素子を構成し、他方のＣＭＯＳ回路１６のＰチャネルＭＯＳトランジスタ１８が負荷素子を構成する。 - 特許庁

To provide a CMOS type solid-state imaging element that includes fine pixels and has high sensitivity and low color mixing.例文帳に追加

微細な画素で高感度、低混色のＣＭＯＳ型固体撮像素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To form an effective punch-through stopper without increasing the junction capacitance in a CMOS element.例文帳に追加

ＣＭＯＳ素子において、接合容量を増大させることなく、効果的なパンチスルーストッパを形成する。 - 特許庁

For example, structure using an analog switch 100 by a three-input, one-output CMOS element is indicated.例文帳に追加

例えば３入力、１出力のＣＭＯＳ素子によるアナログスイッチ１００を使用した構成を示す。 - 特許庁

To provide a CMOS semiconductor device, in which the limit of fine fabrication of elements can be relaxed and the pattern size of a CMOS element region be minimized.例文帳に追加

素子の微細化上の制限が緩和され、ＣＭＯＳトランジスタあるいはＣＭＯＳ素子領域のパターンサイズを縮小化し得るＣＭＯＳ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which an area occupied by a PD is increased by simplifying the layout of a photoelectric conversion element and a plurality of CMOS transistors in a pixel.例文帳に追加

画素内の光電変換素子と複数のＣＭＯＳトランジスタとのレイアウトを単純にして、ＰＤの占有する面積を大きくするＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 - 特許庁