「CMOS element」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the space efficiency of the part of a resistance element in a CMOS semiconductor device.例文帳に追加

ＣＭＯＳ半導体装置において抵抗素子の部分のスペース効率の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

This ceramic package 1 is used for mounting the imaging element 23, such as the CCD or CMOS.例文帳に追加

本発明のセラミックパッケージ１は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳといった撮像素子２３を実装するためのものである。 - 特許庁

The CMOS image element has a interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate having a photodiode region.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージ素子は、フォトダイオード領域を有する半導体基板上に層間絶縁膜が形成される。 - 特許庁

To provide a dual gate CMOS semiconductor device, wherein the boron punch-through of a PMOS element and a short channel effect of an NMOS element are suppressed.例文帳に追加

ＰＭＯＳ型素子のボロン突抜けおよびＮＭＯＳ型素子の短チャネル効果を抑制することができる、デュアルゲートＣＭＯＳ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To form a power MISFET of optional characteristics, a CMOS circuit for controlling, a resistor element, and a capacitor element on one chip without increasing the number of steps.例文帳に追加

工程数を増やすことなく所望の特性のパワーＭＩＳＦＥＴ、制御用ＣＭＯＳ回路、抵抗素子および容量素子を一つのチップに形成する。 - 特許庁

To obtain a solid-state image sensing element which does not require a color filter and a prism, is manufactured readily and is excellent in color separation accuracy, in a CCD solid-state image sensing element and a CMOS solid-state image sensing element; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＣＤ型固体撮像素子やＣＭＯＳ型固体撮像素子において、カラーフィルタやプリズムを用いる必要がなく、また製造が容易で、良好な色分解精度を得る。 - 特許庁

Additionally, a latch circuit 17 comprising a CMOS device maintains output when the power supply of the Hall element 14 is broken.例文帳に追加

また、ＣＭＯＳデバイスからなるラッチ回路１７はホール素子１４の電源が遮断された時の出力を保持する。 - 特許庁

To provide a structure of a pixel circuit of a CMOS image sensor including an element which can adjust sensitivity or spectral response.例文帳に追加

感度又はスペクトル応答を調節できる素子を含むＣＭＯＳイメージセンサーのピクセル回路の構造を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS element which can optimize its performance by providing gate electrodes having different work functions.例文帳に追加

仕事関数が異なるゲート電極を有することにより素子性能の最適化を図ったＣＭＯＳ素子を提供する。 - 特許庁

The circuit is equipped with CMOS inverters 10 and 20 and an RS flip-flop 30, and the CMOS inverter 10 has a resistance element R1 connected between a power source and a PMOS transistor P10.例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータ１０、２０と、ＲＳフリップフロップ３０とを備え、ＣＭＯＳインバータ１０は、電源及びＰＭＯＳトランジスタＰ１０との間に抵抗素子Ｒ１を接続された構成になっている。 - 特許庁

An output terminal of the oscillation element 61 is adjacent to a CMOS digital integrated circuit 66 with the built-in CMOS Schmitt trigger inverter 67d on the power supply board 81.例文帳に追加

また、電源基板８１上においては、発振素子６１の出力端子が、ＣＭＯＳシュミットトリガインバータ６７ｄを内蔵したＣＯＭＳデジタル集積回路６６と隣接した状態になっている。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of securing preferable charge transfer efficiency without any degradation of element uniformity by forming a double n-type ion implantation region, and provide a manufacturing method of the CMOS image sensor.例文帳に追加

ｎ型イオン注入領域を二重に形成することにより、素子の均一度の低下なく、良好な電荷移送効率を確保できるＣＭＯＳイメージ・センサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element, capable of optimizing characteristics of a CMOS integrated circuit without yield reduction.例文帳に追加

収率が低下することなくＣＭＯＳ集積回路の特性を最適可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the CMOS imaging element has come out of control, soft resetting is executed to initialize a register (Step S20).例文帳に追加

ＣＭＯＳ撮像素子が制御不能状態になった場合に、まず、レジスタを初期化するためのソフトリセットを実行する（ステップＳ２０）。 - 特許庁

To improve reflection prevention efficiency of a back irradiation type CMOS solid-state imaging element to elevate photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像素子における反射防止効率を向上して光電変換効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining sufficient surge resistance by an element itself, and preventing the latch-up of a CMOS transistor.例文帳に追加

素子自体で十分なサージ耐量が得られ、且つＣＭＯＳトランジスタのラッチアップを防止した半導体装置を提供する。 - 特許庁

An LED chip is bonded onto an image pickup chip whereon a two-dimensional image pickup element such as CCD or CMOS is formed to achieve miniaturization.例文帳に追加

ＣＣＤ、ＣＭＯＳなどの二次元撮像素子が形成された撮像チップ上にＬＥＤチップをボンディングし、小型化を図る。 - 特許庁

The CMOS inverter 20 has a resistance element R2 connected between the ground and an NMOS transistor N20.例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータ２０は、グランド及びＮＭＯＳトランジスタＮ２０との間に抵抗素子Ｒ２を接続された構成になっている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing, in particular a vertical CMOS image sensor with respect to a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子において、特に垂直型シーモスイメージセンサー（ＣＭＯＳ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ）を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Then the movable mirrors 121a and 121b are retracted from the optical path to make an imaging element (CMOS sensor 130) to pick up the image.例文帳に追加

次に、可動ミラー１２１ａ及び１２１ｂを光路内から退避させて撮像素子（ＣＭＯＳセンサ１３０）に撮像させる。 - 特許庁

To provide an MEMS element, using an MOSFET structure, small-sized and having high detection sensitivity, and a manufacturing method of an inexpensive MEMS element by a CMOS manufacturing process.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ構造を用いた、小型で、検出感度が高いＭＥＭＳ素子と、ＣＭＯＳ製造プロセスによる安価なＭＥＭＳ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-n junction element in nano scale or semiconductor element of nano scale such as CMOS, by utilizing nano particles with no mask or fine pattern.例文帳に追加

マスクや微細パターンなしにナノ粒子を利用し、ナノスケールのｐ−ｎ接合素子またはＣＭＯＳのようなナノスケールの半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for improving the reliability of a semiconductor integrated circuit device having a CMOS transistor, a capacitive element, and a resistance element on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上にＣＭＯＳトランジスタ、容量素子および抵抗素子を有する半導体集積回路装置の信頼性を向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁

A threshold voltage control circuit 7 controls the threshold voltages of the NMOS element and PMOS element of a CMOS semiconductor circuit included in hardware 3.例文帳に追加

しきい値電圧制御回路７は、ハードウェア３に含まれるＣＭＯＳ半導体回路のＮＭＯＳ素子及びＰＭＯＳ素子のしきい値電圧をそれぞれ制御する。 - 特許庁

A magnetoresistance element 15A for reference is provided so that element surfaces are at 900 each other to a magnetoresistance element 15B for detection separately from the magnetoresistance element 15B for detection to prevent influence by magnetism to be detected, thus outputting an oscillation signal with a phase according to the magnetoresistance value of each magnetoresistance element from both the CMOS gates 10A and 10B.例文帳に追加

検出用磁気抵抗素子１５Ｂとは別に、検出すべき磁気に影響されないように検出用磁気抵抗素子１５Ｂに対して素子面同士が９０度の角度をなすようにして基準用磁気抵抗素子１５Ａを設けて、両CMOSゲート１０Ａ，１０Ｂから各磁気抵抗素子の磁気抵抗値に応じた位相の発振信号が出力されるように構成した。 - 特許庁

In the image sensor 1 which includes a CMOS type solid imaging element 12 having an electronic shutter function, a lens 10 and a flash, an electronic shutter pulse, an optical system moving pulse and a flash pulse are generated by a pulse generating circuit in the CMOS type solid imaging element 12.例文帳に追加

電子シャッタ機能を有するＣＭＯＳ型固体撮像素子１２、レンズ１０、フラッシュを備えるイメージセンサ１において、ＣＭＯＳ型固体撮像素子１２内のパルス生成回路によって電子シャッタパルス、光学系移動パルス及びフラッシュパルスを生成する。 - 特許庁

A load element of a CMOS inverter 13 is constituted of PMOS transistors 14, 15 which are connected in series and of which the gates are connected, a load element of a CMOS inverter 17 is constituted of PMOS transistors 18, 19 which are connected in series and of which the gates are connected.例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータ１３の負荷素子は、直列接続してゲート同士を接続してなるＰＭＯＳトランジスタ１４、１５で構成し、ＣＭＯＳインバータ１７の負荷素子は、直列接続してゲート同士を接続してなるＰＭＯＳトランジスタ１８、１９で構成する。 - 特許庁

An imaging apparatus comprises an imaging lens 101, a CMOS imaging element 104, and a frequency detector 111 extracting a predetermined frequency component showing an in-focus condition from an output of the CMOS imaging element 104 for control of a focus mechanism of the imaging lens 101.例文帳に追加

撮像装置は、撮像レンズ１０１と、ＣＭＯＳ撮像素子１０４と、ＣＭＯＳ撮像素子１０４の出力から合焦状態を示す所定の周波数成分を抽出し撮像レンズ１０１のフォーカス機構の制御に供する検波部１１１とを有する。 - 特許庁

To provide technology obtaining characteristic information of a photodiode cell constituting a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor in a TEG (test element group) cell.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサを構成するフォトダイオードセルの特性情報をＴＥＧセルにおいて得ることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as a CMOS device where an element isolation width is reduced and reliability is high, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離幅が縮小され、かつ信頼性の高いＣＭＯＳデバイスなどの半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an element for easily detecting missing of a high melting- point metal silicide film, related to a gate electrode of a CMOS having a salicide structure.例文帳に追加

サリサイド構造のＣＭＯＳのゲート電極における高融点金属シリサイド膜の欠落を容易に検出し得る素子を提供する。 - 特許庁

CMOS LOGIC CIRCUIT ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE, AND METHOD FOR DESIGNING SEMICONDUCTOR CIRCUIT USED IN THE MANUFACTURE例文帳に追加

ＣＭＯＳ論理回路素子、半導体装置とその製造方法およびその製造方法において用いる半導体回路設計方法 - 特許庁

A movable electrode 5 is formed on a CMOS element 23, and thereby area occupied by the MEMS device 1 on a surface of a substrate can be reduced as compared with a case where a movable electrode 5 is formed in a region separate from the CMOS element 23 to obtain the small MEMS device 1.例文帳に追加

ＣＭＯＳ素子２３上に可動電極５が形成されているので、ＣＭＯＳ素子２３とは別の領域に可動電極５を形成した場合と比較して、ＭＥＭＳデバイス１の基板表面に占める面積を少なくでき、小型のＭＥＭＳデバイス１を得ることができる。 - 特許庁

To provide a CMOS solid-state imaging element whose deteriorations in sensitivity and picture quality can be suppressed by suppressing diffusion of potassium elements included in slurry left to a silicon substrate side when CMP polishing is carried out, and to provide a manufacturing method of the CMOS solid-state imaging element.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨を行うことによって残留するスラリー中に含まれるカリウム元素のシリコン基板側への拡散を抑制し、感度や画質の劣化を抑制することができるＣＭＯＳ型固体撮像素子及びこうしたＣＭＯＳ型固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An oscillation element 61 for generating clock signals is connected to another element via a CMOS Schmitt trigger inverter 67d on a power supply board 18 of a Pachinko machine 1.例文帳に追加

パチンコ機１の電源基板１８においては、クロック信号を生成させるための発振素子６１が、ＣＭＯＳシュミットトリガインバータ６７ｄを介して他の素子と接続された状態になっている。 - 特許庁

To provide a CMOS of a semiconductor element in which characteristics, a yield and reliability of the element are improved by forming a nitride film on a surface of a gate oxide film and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート酸化膜表面に窒化膜を形成することで素子の特性、収率及び信頼性を向上させる半導体素子のＣＭＯＳ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor that improves its element characteristic by preventing dark current from occurring between the element isolation film and the photo-diode region, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離膜とフォトダイオード領域の間の暗電流の発生を防止して、素子の特性を向上させるようにしたＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The 74HCT type CMOS gate element 10 is operated to switch in both of 3 V system input (2.7 V to 3.3 V) and 5 V system input (4.5 V to 5.5 V), and a 5 V system voltage or a 3 V system voltage is output corresponding to a power source voltage to be supplied from an output destination circuit.例文帳に追加

74HCTタイプCMOSゲート素子10は3V系入力（2.7V〜3.3V）であっても5V系入力（4.5V〜5.5V）であってもスイッチング動作し、出力先回路から供給される電源電圧に応じて5V系電圧または3V系電圧が出力される。 - 特許庁

A layer p11 being a second conductivity type semiconductor layer is formed in the vicinity of an end of a transfer gate TG of a layer n2 being a first conductivity type semiconductor layer forming floating diffusion FD in an imaging element comprising a CMOS.例文帳に追加

CMOSからなる撮像素子における、フローティングディフュージョンＦＤを形成する第１導電型半導体層である層ｎ２の転送ゲートＴＧの端部付近に、第２導電型半導体層である層ｐ１１を形成する。 - 特許庁

To improve distortion of a captured image which occurs when a CMOS imaging element of a rolling shutter system is applied to an on-vehicle camera system.例文帳に追加

車載カメラシステムにおいてローリングシャッタ方式のＣＭＯＳ撮像素子を適用した場合に発生する撮影画像の歪を改善する。 - 特許庁

To prevent a saturation shading phenomenon and dynamic range reduction in a CMOS sensor wherein a unit pixel is composed of a light receiving element and three transistors.例文帳に追加

受光素子と３つのトランジスタで単位画素が構成されたＣＭＯＳセンサにおいて、飽和シェーディング現象やダイナミックレンジ減少を防止する。 - 特許庁

To obtain the optimization of two technologies (CMOS and CCD) where pinned photodiodes are integrated into an image sensing element of an active pixel sensor.例文帳に追加

ピン止め光ダイオードがアクティブ画素センサーの画像検知要素内に集積される２つの技術（ＣＭＯＳ及びＣＣＤ）の最適化を達成する。 - 特許庁

To provide a CMOS solid-state imaging element capable of suppressing a decrease in sensitivity even when respective pixels are made small-sized, and to provide an imaging apparatus.例文帳に追加

各画素のサイズを小さくしても、感度の低下を抑制することができるＣＭＯＳの固体撮像素子及び撮像装置を提供する。 - 特許庁

Since a noble metal is not required as the electrode material, the matching property with the existing CMOS process is high and the element can easily be manufactured.例文帳に追加

また、電極材料として必ずしも貴金属を必要としないので、既存のＣＭＯＳプロセスと整合性が高く容易に製造できる。 - 特許庁

To provide a CMOS of a semiconductor element for preventing a depletion effect of a gate electrode and a boron permeation phenomenon from occurring, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート電極の枯渇効果及び硼素浸透現象を防止する半導体素子のＣＭＯＳ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁