「CS-X」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

For example, the bit line driver BLDj switches the direction of a voltage applied to the ferroelectric capacitor Cs according to the input data X(t).例文帳に追加

たとえば、ビットラインドライバＢＬＤｊは、入力データＸ（ｔ）に応じて、強誘電体キャパシタＣｓに印加する電圧の向きを切り換える。 - 特許庁

When a user accesses a network server NS-x, corresponding to a target analytical instrument A-x from an arbitrary computer for control PC and sends authentication information, such as the user name, the password or the like, an authentication server CS-x executes a user authentication, on the basis of information stored in an authentication information storage section CD-x.例文帳に追加

ユーザが任意の制御用コンピュータＰＣから目的の分析装置Ａ−ｘのネットワークサーバＮＳ−ｘにアクセスし、ユーザ名やパスワード等の認証情報を送信すると、認証サーバＣＳ−ｘが認証情報保存部ＣＤ−ｘに保存された情報に基づいてユーザ認証を行う。 - 特許庁

When reference potential c is assumed to be zero during computing action, the ferroelectric capacitor Cs will not undergo polarization inversion even if second computed data x=1 are imparted to the ferroelectric capacitor Cs in the residual polarized state s (first computed data) =0.例文帳に追加

演算動作において基準電位ｃ＝０とした場合、残留分極状態ｓ（第１の被演算データ）＝０の強誘電体コンデンサＣｓに第２の被演算データｘ＝１を付与しても強誘電体コンデンサＣｓは分極反転を起こさない。 - 特許庁

A bit line driver BLDj switches voltages applied to the first and second terminals 21 and 22 of the ferroelectric capacitor Cs according to the input data X(t).例文帳に追加

ビットラインドライバＢＬＤｊは、入力データＸ（ｔ）に応じて、強誘電体キャパシタＣｓの第１端子２１および第２端子２２に印加する電圧を切り替える。 - 特許庁

It is possible to use the first outside I/O control mode (CS mode) that enables the output of N of selection signals from a prescribed mode designation signal (CS/ECS signal) and the second outside I/O control mode (ECS mode) that enables the output of N+X of selection signals by being switched from one to the other.例文帳に追加

所定のモード指定信号（ＣＳ／ＥＣＳ信号）に基づいてＮ個の選択信号を出力可能な第１の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＣＳモード）と、Ｎ個＋Ｘ個の選択信号を出力可能な第２の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＥＣＳモード）とに切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁

This arithmetic processing unit can be selected for use to a first external I/0 control mode (CS mode) capable of outputting N selection signals or a second external I/0 control mode (ECS mode) capable of outputting (N+X) selection signals based on the prescribed mode specification signal (CS /ECS signal).例文帳に追加

所定のモード指定信号（ＣＳ／ＥＣＳ信号）に基づいてＮ個の選択信号を出力可能な第１の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＣＳモード）と、Ｎ個＋Ｘ個の選択信号を出力可能な第２の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＥＣＳモード）とに切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁

The red phosphor has a chemical formula (1) A_2Eu(MO_4)(PO_4), wherein A is Li, Na, K, Rb, Cs, or Ag, and M is Mo, W, or a combination thereof (Mo_xW_(1-x)).例文帳に追加

赤色蛍光体は、以下に示す化学式（１） Ａ_２Ｅｕ（ＭＯ_４）（ＰＯ_４）を有し、ここでＡがＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，ＣｓまたはＡｇであり、ＭがＭｏ，Ｗまたはその組み合わせ（Ｍｏ_ｘＷ_（１−ｘ））である。 - 特許庁

The arithmetic processing device can be used with the mode switched to a first outside input/output control mode (a CS mode) in which the N number of selection signals can be output based on a prescribed mode specifying signal (a CS/ECS signal) or to a second outside input/output control mode (an ECS mode) in which the N + X number of selection signals can be output.例文帳に追加

所定のモード指定信号（ＣＳ／ＥＣＳ信号）に基づいてＮ個の選択信号を出力可能な第１の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＣＳモード）と、Ｎ個＋Ｘ個の選択信号を出力可能な第２の外部Ｉ／Ｏ制御モード（ＥＣＳモード）とに切り換えて使用できるようにする。 - 特許庁

The position information in the X axis direction of a hitting point HP is set on the basis of the position information in the X axis direction of the meet cursor CS, the position information in a Y axis direction of the hitting point HP is set by automatic adjustment, and a hit processing of the hitting point HP and a ball (object) is performed.例文帳に追加

ヒッティングポイントＨＰのＸ軸方向での位置情報をミートカーソルＣＳのＸ軸方向での位置情報に基づいて設定し、ヒッティングポイントＨＰのＹ軸方向での位置情報を自動調整により設定し、ヒッティングポイントＨＰとボール（オブジェクト）とのヒット処理を行う。 - 特許庁

According to a sealing-integrated membrane electrode assembly 20, the center Cm of a membrane electrode assembly MEA in the thickness direction is determined to be offset to the center Cs of a seal gasket 22 in the thickness direction toward an anode electrode by a distance X.例文帳に追加

シール一体型膜電極接合体２０は、膜電極接合体ＭＥＡの厚み方向の中心Ｃｍがシールガスケット２２の厚み方向の中心Ｃｓよりアノード電極側に距離Ｘだけオフセットされている。 - 特許庁

The particle powder of silver has a specific surface area (CS) of 50 m^2/cm^3 or larger, diameters of crystal grains (Dx) of 50 nm or smaller when measured by an X-ray technique, basic centers of 10.0/nm^2 or less, and acidic centers of 10.0/nm^2 or less.例文帳に追加

比表面積（ＣＳ）が５０ｍ^2／ｃｍ^3以上、Ｘ線結晶粒子径（Ｄｘ）が５０ｎｍ以下、塩基性点が１０.０個／ｎｍ^2以下および酸性点が１０.０個／ｎｍ^2以下の銀粒子粉末である。 - 特許庁

The catalyst contains a mixed metal oxide expressed in formula MOaVbMcNbdXeOf (M is an element selected from the group of Te and Sb, X is an element selected from the group of Li, Na, K, Cs or the like, and a, b, c, d, e, f are relative amount of atoms of respective element).例文帳に追加

実験式（１）ＭＯａＶｂＭｃＮｂｄＸｅＯｆ（１）［式中，ＭはＴｅおよびＳｂからなる群より選択される元素を，ＸはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ等の群より選択される元素を，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆはそれぞれの元素の原子相対量を表わす］で示される混合金属酸化物を含む触媒である。 - 特許庁

A pixel P consists of a transistor Tr which is connected to a scanning line X and a signal line Y and made conductive in response to a selection pulse, a pixel electrode to which the signal is written through the conductive transistor Tr and the auxiliary capacitance Cs which holds the written signal.例文帳に追加

画素Ｐは、走査線Ｘ及び信号線Ｙに接続し選択パルスに応答して導通するトランジスタＴｒと、導通したトランジスタＴｒを介して信号が書き込まれる画素電極と、書き込まれた信号を保持する補助容量Ｃｓとからなる。 - 特許庁

The auxiliary capacity electrode 17 connected to one of the pixel electrodes PE adjacent in the vertical direction Y and the auxiliary capacity electrode 17 connected to the other one of the pixel electrodes PE face the same auxiliary capacity line Cs, intersect with the signal line S and extend in the horizontal direction X.例文帳に追加

列方向Ｙに隣合う一方の画素電極ＰＥに接続された補助容量電極１７及び他方の画素電極ＰＥに接続された補助容量電極１７は、同一の補助容量線Ｃｓに対向し、信号線Ｓと交差して行方向Ｘに延在している。 - 特許庁

The processing of counting the time during which the meet cursor CS is positioned in an area set by the position information in the X axis direction of an impact point SP is performed, and the position information (shake width) in the Y axis direction of the hitting point HP is automatically adjusted on the basis of the obtained count time.例文帳に追加

着弾ポイントＳＰのＸ軸方向での位置情報により設定されるエリアに、ミートカーソルＣＳが位置した時間のカウント処理を行い、得られたカウント時間に基づいて、ヒッティングポイントＨＰのＹ軸方向での位置情報（ぶれ幅）を自動調整する。 - 特許庁

Since a joining portion 15A is supported with the projected portion 31, a downward force at the joining portion 15A is alleviated and the crystal alignment CX in the lateral growth region X of the n-side contact layer 15 is aligned with the crystal alignment CS of the seed crystal layer 11.例文帳に追加

突起部３１によって会合部１５Ａを支持させることによって、会合部１５Ａにおける下向きの力が緩和され、ｎ側コンタクト層１５の横方向成長領域Ｘにおける結晶方位ＣＸは、種結晶層１１の結晶方位ＣＳと同一になる。 - 特許庁

In the manufacturing method for the oxide containing a formulation represented by at least formula (I): Mo_1V_aX_bNb_cO_n (I) (wherein X represents at least one kind of element selected from Sb and Te), it is added with at least one kind of element selected from Cs and Rb to manufacture the oxide.例文帳に追加

本発明は、少なくとも下記式（Ｉ）で示される組成を含有する酸化物の製造方法において、Ｍｏ_1Ｖ_aＸ_bＮｂ_cＯ_n（Ｉ）（式中、ＸはＳｂ、Ｔｅから選ばれる少なくとも１種の元素を表す。）Ｃｓ及びＲｂから選ばれる少なくとも１種の元素を添加して酸化物を製造する製造方法を提供する。 - 特許庁