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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Cell Lineの意味・解説 > Cell Lineに関連した英語例文

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Cell Lineの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2917



例文

A conductive line (3) forming a word line (WL) of a memory cell (MC) and a conductive line (5) forming a memory cell plate electrode (CP) are formed in different wiring layers.例文帳に追加

メモリセル(MC)のワード線(WL)を形成する導電線(3)とメモリセルセルプレート電極(CP)を形成する導電線(5)とを、異なる配線層に形成する。 - 特許庁

For example, when the memory cell M1 is read, a bit line linked to the memory cell M1 is precharged to Vsr, a bit line linked to the memory cell M2 is grounded and the memory cell M2 is set turned 'on' at all times.例文帳に追加

例えば、メモリセルM1の読み出し時、メモリセルM1に繋がるビット線をVsrにプリチャージし、メモリセルM2に繋がるビット線を接地し、メモリセルM2を常にオン状態にする。 - 特許庁

This semiconductor memory is provided with a BIST(built-in self test) computing unit 14 and a special algorithm for a defective memory cell, word line, and a bit line, and a redundant memory cell, a bit line, and a word line are determined.例文帳に追加

故障したメモリセル、ワードラインならびにビットラインのために、BIST計算ユニット14および特別なアルゴリズムを用いて、冗長的なメモリセル、ビットラインならびにワードラインを求める。 - 特許庁

An electrostatic screening line SL is made on the sub bit line SB of the redundant memory cell array, and the data line DL to be connected to the ordinary memory cell array is made on the electrostatic screening line SL.例文帳に追加

冗長メモリセルアレイのサブビット線SB上に静電遮蔽線SLを形成し、通常メモリセルアレイに接続されるデータ線DLを静電遮蔽線SL上に形成する。 - 特許庁

例文

To solve the problem that a phenomenon is minimized in which a threshold distribution in a bit in the memory cell surrounded by a bit line and word line rises when completing the writing to a memory cell using the adjacent bit line and word line.例文帳に追加

隣接のビット線及びワード線を用いたメモリセルへの書き込み完了時に、それらに囲まれたビットのメモリセルにおけるしきい値分布の上昇現象を最小化する。 - 特許庁


例文

To provide a memory device having bit line equalizer in a cell array, and a method for arranging a bit line equalizer in a cell array.例文帳に追加

セルアレイにビットライン均等化部を備えたメモリ装置及びビットライン均等化部をセルアレイに配置する方法を提供する。 - 特許庁

HUMAN KIDNEY CELL LINE, TRANSFORMANT AND MEDICINE-EVALUATING METHOD例文帳に追加

ヒト腎臓細胞株、形質転換体、及び薬物評価方法 - 特許庁

An integrated circuit includes an OTP memory cell and a sense amplifier 20 coupled to the memory cell via a first bit line and a second bit line.例文帳に追加

集積回路は、OTPメモリセルと、第1および第2ビット線を介してメモリセルに接続されたセンスアンプ20とを備える。 - 特許庁

WIRELESS BASE STATION, WIRELESS CELL DETECTION DEVICE AND LINE CONNECTION DEVICE例文帳に追加

無線基地局、セル無線検出装置および回線接続装置 - 特許庁

例文

The cell dimension X in the direction of main word line is set at 3.2 μm and the cell dimension Y in the direction of bit line is set at 1.5 μm.例文帳に追加

また、主ワード線方向のセル寸法Xを3.2μmとし、ビット線方向のセル寸法Yを1.5μmに形成する。 - 特許庁

例文

CELL LINE FOR PRODUCING ANTI-C-REACTIVE PROTEIN MONOCLONAL ANTIBODY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND MONOCLONAL ANTIBODY PRODUCED BY THE CELL LINE例文帳に追加

抗C反応性タンパク質モノクローナル抗体産生細胞ライン、その作製方法、およびそれにより産生されたモノクローナル抗体 - 特許庁

In a direct current line, a vanadium redox-flow cell is connected.例文帳に追加

直流ラインには、バナジウムレドックスフロー電池が結合されている。 - 特許庁

The bit line group 43-1 corresponds to the sub-cell array 41-1, and the bit line group 43-2 corresponds to the sub-cell array 41-2.例文帳に追加

ビット線群43−1はサブセルアレイ41−1に対応し、ビット線群43−2はサブセルアレイ41−2に対応する。 - 特許庁

The connection line is arranged between a cell and the peripheral gate pattern.例文帳に追加

前記接続線はセルと周辺ゲートパターンとの間に位置する。 - 特許庁

As opposed to a selected memory cell, the potential of unselected word line WL3 of a memory cell adjacent to a source line side is set to 0 V.例文帳に追加

選択メモリセルに対しソ−ス線側に隣接するメモリセルの非選択ワ−ド線WL3の電位は、0Vに設定される。 - 特許庁

When the dynamic reference cell is provided on the same word line with a core cell, the constant current source applied to a core cell data line operates during program verification, so that the difference of current is provided between the core cell and the dynamic reference cell.例文帳に追加

ダイナミックリファレンスセルが、コアセルと供に同一ワードライン上に設けられる場合には、コアセルデータラインに加えられる定電流源がプログラムベリファイ中に動作し、コアセル及びダイナミックリファレンスセル間に電流差を与える。 - 特許庁

Also, a power source line 17 for an inside cell formed with a power source pad 17a for the inside cell and a ground line 19 for the inside cell formed with a ground pad 19a for the inside cell are formed in the cell area 7.例文帳に追加

内部セル領域7に、内部セル用電源パッド17aが形成された内部セル用電源ライン17と、内部セル用グランドパッド19aが形成された内部セル用グランドライン19が形成されている。 - 特許庁

The message on the ring line is transmitted by a cell of ATM type and the transmitted message replaces an idle cell.例文帳に追加

リング線上のメッセージはATMタイプのセルであり、送信されるメッセージは空セルに代わる。 - 特許庁

A source line SL is formed between a memory cell MC1 and a memory cell MC2, in the manner of self-alignment.例文帳に追加

メモリセルMC1とメモリセルMC2の間に自己整合的にソース配線SLを形成する。 - 特許庁

The scorpion fish cell line is a fibroblastoid cell derived from the tail fin of scorpion fish (Sebastiscus marmoratus, genus Sebasticus, family Scorpaenidae, order Scorpaeniformes).例文帳に追加

カサゴ細胞株は、カサゴ目フサカサゴ科カサゴ属カサゴの尾ヒレ由来の繊維芽様細胞である。 - 特許庁

METHOD FOR DETECTING CYTOKINE, SCREENING METHOD FOR CYTOKINE SENSITIVE CELL LINE AND CYTOKINE PRODUCING CELL例文帳に追加

サイトカインの検出方法、サイトカイン感受性細胞株及びサイトカイン産生細胞のスクリーニング方法 - 特許庁

A method for producing the human fat precursor cell line is provided, comprising repeating subculture of fat precursor cells extracted from human fat cell.例文帳に追加

ヒト脂肪組織から採取した脂肪前駆細胞に対し、継代培養を繰り返すこと。 - 特許庁

A source line S1 is shared by a memory cell MC1A and a memory cell MC8A.例文帳に追加

本発明では、ソース線S1がメモリセルMC1AとメモリセルMC8Aで共通となっている。 - 特許庁

A memory cell array block 202 outputs a data signal of a memory cell through an I/O line 216.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック202は、メモリセルのデータ信号をI/Oライン216を介して出力する。 - 特許庁

The memory cell 161a and the memory cell 161b arranged in the direction of column are activated by a word line WL1.例文帳に追加

列方向に並ぶメモリセル161a,メモリセル161bをワード線WL1で活性化する。 - 特許庁

To provide cell lines and vectors expressing simian adenovirus gene, and to provide methods of using the cell line.例文帳に追加

サルアデノウイルス遺伝子を発現する細胞系、ベクターおよび細胞系の使用方法の提供。 - 特許庁

To reduce a noise propagated through a power line from a clock unit cell to a logical unit cell.例文帳に追加

電源配線を介してクロックユニットセルから論理ユニットセルに伝搬されるノイズを低減する。 - 特許庁

SOLAR CELL MODULE, MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL MODULE, REEL WITH TAB LINE WOUND THEREABOUT例文帳に追加

太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、タブ線が巻装されたリール巻装体 - 特許庁

The cell is preferably murine mesoderm system cultured stem cell line, in particular, MC3T3-E1, ATDC5, or C3H10T1/2.例文帳に追加

細胞は、マウス中胚葉系幹細胞培養株、就中、MC3T3-E1,ATDC5,またはC3H10T1/2であることが好ましい。 - 特許庁

Further, a word line 26 of the cell 20 is apart more from magnetic layers 12, 14 of the cell 10.例文帳に追加

なお、セル20のワード線26は、セル10の磁性層12,14と距離的に更に離れている。 - 特許庁

The third conductive layer is wired to the word line WL and does not include the bit line BL, the bit line bar, the first voltage line, and the second voltage line within the memory cell 101a.例文帳に追加

第三導電層は、ワードラインWLに対して配線され、メモリセル101a内で、ビットラインBL、ビットラインバー、第一電圧ライン、及び第二電圧ラインがない。 - 特許庁

To provide an immortalized blood vessel capillary epithelial cell line that retains the intrinsic functions and properties in the tissues originating from the cell line, a method for establishing the cell line, and a method for screening useful substances by using the immortalized blood vessel capillary epithelial cell line.例文帳に追加

細胞株の由来する組織における本来の機能・特性を保持する不死化毛細血管周皮細胞株及びその樹立方法並びに当該不死化毛細血管周皮細胞株を用いた有用物質のスクリーニング方法を提供すること。 - 特許庁

An internal cell conversion section 41 converts the internal cell after priority control into a conventional ATM cell without the priority control information and outputs the ATM cell to a transmission line.例文帳に追加

内部セル変換部41は、優先制御後の内部セルを上記優先制御情報のない通常のATMセルに変換して伝送路に出力する。 - 特許庁

Data in the I/O data line is written in the bit line 110, successively, written in a memory cell 105.例文帳に追加

次いで、ビット線上の電圧レベルをビット線に接続されているメモリセル内に格納する。 - 特許庁

A third line WL21 crosses the second line BL11 via the second memory cell MC211.例文帳に追加

第3のラインWL21は、第2のメモリセルMC211を介して第2のラインBL11に交差する。 - 特許庁

When a cell MC0 connected to a word line WL0L has low resistance, current flowing in the cell MC0 is larger than that in a dummy cell MR0, consequently a bit line SA_B becomes a lower potential than a bit line SA_T.例文帳に追加

ワード線WL0Lに接続されるセルMC0が低抵抗であった場合、ダミーセルMR0よりも流れる電流量が大きいため、ビット線SA_Bは、ビット線SA_Tよりも低い電位になる。 - 特許庁

When a noticing cell Sx is at a bit line BLx side, first, '0' of data is written in a cell S of a bit line BLx side, also '1' of data is written in a cell S of a bit line/BLx side.例文帳に追加

注目セルSxがビット線BLx側にある場合、先ず、通常モードを使って、ビット線BLx側のセルSにデータの“0”を、また、ビット線/BLx側のセルSにデータの“1”を書き込む。 - 特許庁

The NAND cell block 1 of a memory cell array comprises NAND cells in which a plurality of memory cell transistors MC are connected in series between a bit line BL and a source line SL.例文帳に追加

メモリセルアレイのNANDセルブロック1は、複数のメモリセルトランジスタMCがビット線BLとソース線SLの間に直列接続されたNANDセルにより構成される。 - 特許庁

To reduce the amount of charges of a bit line of a non-selected column which are discharged through a non-selected cell sharing a word line with a selected cell when data is read from the selected cell.例文帳に追加

選択セルからデータを読み出す際に、選択セルとワード線を共有する非選択セルを介して放電される非選択カラムのビット線の電荷量を低減する。 - 特許庁

A redundant cell array block section is constituted identically with a main cell array block section, when a defect is caused in a column address line, a column address of the main cell array block is used as a substitute for the defective column address line.例文帳に追加

冗長セルアレイブロック部をメインセルアレイブロック部と同一に構成され、カラムアドレスラインに欠陥が発生した時、メインセルアレイブロックのカラムアドレスに代替して使用する。 - 特許庁

A word line is connected to the gate electrode of the cell Tr of the corresponding cell, and a bit line is connected to the 1st impurity diffusion area of the corresponding cell Tr.例文帳に追加

ワードラインが、対応するセルのセルTrのゲート電極に接続され、ビットラインが、対応するセルTrの第1の不純物拡散領域に接続される。 - 特許庁

METHOD FOR CULTURING AND ESTABLISHING CELL STRAIN OF UNDIFFERENTIATED CELL DERIVED FROM EMBRYO OF MAMMAL USING SERUM-FREE CULTURE MEDIUM-FEEDERLESS CELL LINE例文帳に追加

無血清培地−無フィーダー細胞系を用いた哺乳動物胚由来未分化細胞の培養及び細胞株樹立方法 - 特許庁

A memory cell array 1 is constituted by arranging a memory cell MC of a current pull-in type at an intersection part of a bit line BL and a word line WL.例文帳に追加

メモリセルアレイ1はビット線BLとワード線WLの交差部に電流引き込み型のメモリセルMCを配置して構成される。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING ENCEPHALOPATHY MODEL NERVE CELL LINE AND USE OF THE SAME例文帳に追加

脳疾患モデル神経細胞株の製造方法及びその用途 - 特許庁

MATERIAL AND METHOD RELATING TO PRODUCTION AND MAINTENANCE OF CELL LINE例文帳に追加

細胞系の産生および維持に関連する物質および方法 - 特許庁

FUEL CELL GENERATING DEVICE INJECTING VAPOR INTO ANODE EXHAUST GAS LINE例文帳に追加

アノード排ガスラインに蒸気注入する燃料電池発電装置 - 特許庁

A sense amplifier circuit 4 amplifies the potential of a bit line in each memory cell.例文帳に追加

センスアンプ回路4は、各メモリセルのビット線の電位を増幅する。 - 特許庁

To boost a replica word line for selecting a replica cell and a word line for selecting a memory cell by using voltage having a certain difference.例文帳に追加

レプリカセルを選択するレプリカワード線とメモリセルを選択するワード線とに一定の差分を有した電圧を用いて昇圧させる。 - 特許庁

The sense amplifier is connected to the memory cell array through a bit line, and senses and amplifies data of a selected memory cell connected to the selected word line.例文帳に追加

センスアンプはビットラインを介してメモリセルアレイと接続され、選択されたワードラインに接続されたメモリセルのデータを感知増幅する。 - 特許庁

例文

The monoclonal antibody is produced by a hybridoma cell line VTxI-2, etc.例文帳に追加

モノクローナル抗体は、ハイブリドーマ細胞株VTxI-2等により産生される。 - 特許庁




  
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