| 意味 | 例文 |
Cell Lineの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2917件
To provide a semiconductor device having a construction, in which a plurality of memory cells each including a first transistor, a second transistor and a capacitor element are arranged as a matrix, and a wiring that is also called a bit line for connecting one of the memory cells with another memory cell, and a source electrode or a drain electrode in the first transistor are electrically connected through the source electrode or a drain electrode in the second transistor.例文帳に追加
第１のトランジスタと第２のトランジスタと容量素子とを各々含む複数のメモリセルをマトリクス状に配置し、メモリセルの一と他のメモリセルとを接続する配線（ビット線とも呼ぶ）と、第１のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極と、が、第２のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極を介して電気的に接続した構成とした半導体装置を提供する。 - 特許庁
The integrated circuit memory includes a circuit for individually activating word lines in a first one memory cell per bit operation mode, simultaneously activating at least two word lines in a second operation mode where two or more memory cells are dedicated to each data bit, and providing a word line sequence when first converting stored data in the array of memory cells from the first operation mode to the second operation mode.例文帳に追加
集積回路メモリは回路を含み、回路は、１ビットごとに１メモリセルの第１の動作モードにおいてワード線を個別に活性化し、各データビット専用に２個以上のメモリセルが与えられる第２の動作モードにおいて少なくとも２つのワード線を同時に活性化し、メモリセルのアレイに記憶されたデータを第１の動作モードから第２の動作モードへ最初に切替えるときにワード線シーケンスを与える。 - 特許庁
b) genes or vectors, characterized by the succession of nucleotides or with reference to the process for obtaining the same, to a figure such as a restriction map, and to a deposit number of a host cell line comprising them, respectively; or c) proteins or monoclonal antibodies characterized by the succession of amino acids or by a combination of parameters, such as: source, molecular weight and a functional feature.例文帳に追加
(b) 遺伝子又はベクターであって，ヌクレオチドの系列によって，又はそれを取得する方法，制限地図等の形態，又はそれを構成する宿主細胞系の保存数の各々との関連において特徴付けられているもの，又は(c) 蛋白質又はモノクロナル抗体であって，アミノ酸系列，又は出所，分子量及び機能的特徴等の要素の組合せによって特徴付けられるもの - 特許庁
In a TC parallel unit serially connected type ferroelectric memory, a dummy upper electrode 25 which is not connected to another element is disposed in a capacitor of a terminal end of the block in which a block selecting transistor 6 or a plate line is disposed, so that an upper electrode 20 in the capacitor used for the cell is not disposed at an outermost periphery to prevent a deterioration of the ferroelectric capacitor characteristics.例文帳に追加
ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいて、ブロック選択トランジスタ６、又は、プレート線が配置されるメモリセルブロックの終端のキャパシタ内に、他の素子に接続されないダミー上部電極２５を配置し、メモリセルに使用しているキャパシタ内の上部電極２０が最外周にこない様にして、ブロック終端部における、強誘電体キャパシタ特性の劣化を防止する。 - 特許庁
The screening method is a novel method for quickly and easily screening antiallergic factors without using an allergy onset model culture system for suppressing the IgE antibody production but by measuring a decrease in an expression level of NOV-derived protein correlated thereto using human T-lymphocyte leukemia cell line MOLT-4, or measuring a binding capacity of the NOV-derived protein itself with a test substance.例文帳に追加
ＩｇＥ抗体の生産を抑制するアレルギー発症モデル培養系を利用せず、それに相関するＮＯＶ由来タンパク質の発現量減少をヒトＴリンパ球性白血病細胞株Ｍｏｌｔ−４を利用して計測するか、又は、ＮＯＶ由来タンパク質そのものと被検物質との結合能を測定することにより、新規に方法として、抗アレルギー因子を迅速、簡便にスクリーニング可能にする方法である。 - 特許庁
Structural members forming cell structure when stretching the folding core is constituted by forming cutting lines and ruled lines for folding line forming at given positions to a sheet-like body having a given area in advance, the sheet-like body is folded into given forms and a plurality of the same are juxtaposed, sandwiched between upper and lower plate-like bodies by bonding, and stacked in given stages to form the folding core.例文帳に追加
折り畳みコアを展張した際にセル構造を形成する構造部材を、所定の面積を有するシート状体に対して、予め、所定の位置に切断線や折線形成用の罫線を形成することによって構成し、これを所定の形状に折り畳んだものを複数、並列させて、上下の板状体の間に接着などにより介装させ、これを所定の段数積層させて折り畳みコアとした。 - 特許庁
This bootstrap circuit is constituted so that a high potential power source voltage HVCC and a low potential power source voltage LVCC are sensed, clamp is performed at only the high potential power source voltage HVCC, and normal operation is performed at the low potential power source voltage LVCC, and read-out operation of a flash memory cell can be performed stably by controlling easily a level of word line boost voltage.例文帳に追加
高電位電源電圧ＨＶｃｃと低電位電源電圧ＬＶｃｃを感知し、高電位電源電圧ＨＶｃｃでのみクランプを行い、低電位電源電圧ＬＶｃｃでは正常動作を行うようにブートストラップ回路を構成してワードラインブースト電圧のレベルを容易に制御することにより、フラッシュメモリセルの読出動作を安定的に行うことが可能なブートストラップ回路を提示する構成としたことを特徴とする。 - 特許庁
While a bit line is pre-charged by two different voltage being the exact opposite each other having a first voltage value and a second voltage value, read-out can be performed in a memory cell, two voltage values obtained in this case are attained by enabling buffer to a first or a second capacitor respectively before these two voltage values are supplied to an evaluator to be compared.例文帳に追加
上記課題は、本発明によれば、ビットラインが２つの互いに異なる正反対の電圧に第１の電圧値及び第２の電圧値によってプリチャージされている間に、メモリセルは次々に読み出し可能であり、この場合に得られる２つの電圧値は、これら２つの電圧値が互いに比較されるために評価器に供給される前に、それぞれ第１の乃至は第２のキャパシタンスにバッファ可能であることによって解決される。 - 特許庁
To provide a method for producing an antigen in high yields by which the production of the antigen is increased and the antigen equal to natural type HBs antigen (derived from blood plasma) on the physicochemical and immunological characteristics of the antigen can be obtained when an established cell line derived from the human liver cancer tissue producing hepatitis B virus surface antigen (HBs antigen) is cultured to obtain the antigen from the cultured supernatant.例文帳に追加
Ｂ型肝炎ウイルス表面抗原（ＨＢｓ抗原）を産生するヒト肝癌組織由来の樹立細胞株を培養して、その培養上清から該抗原を得るに際し、該抗原の産生を高め、かつ、該抗原の物理化学的特性および免疫学的特性が天然型のＨＢｓ抗原（血漿由来）と同等である抗原を得ることを可能とする該抗原の高収率産生方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
A readout transistor 10 which reads data out by detecting the deviation of the polarization of the ferroelectric film of a selected ferroelectric capacitor 30 is connected to one end of a series circuit constituted by connecting multiple ferroelectric capacitors 30 successively in a bit-line direction and a memory cell block is composed of multiple ferroelectric capacitors 30, selection transistors 20, and one readout transistor 10.例文帳に追加
複数個の強誘電体キャパシタ３０がビット線方向に連続に接続されてなる直列回路の一端には、選択された強誘電体キャパシタ３０の強誘電体膜の分極の偏位を検知することによりデータを読み出す読み出しトランジスタ１０が接続されており、複数個の強誘電体キャパシタ３０、複数個の選択トランジスタ２０及び１個の読み出しトランジスタ１０によってメモリセルブロックが構成されている。 - 特許庁
The memory (diode ROM) comprises a plurality of selection transistors 2 each connected to each of a plurality of word lines WL to be turned on by selecting the corresponding word line, a plurality of memory cells 4 including diodes 3 having cathodes connected to drain regions of the selection transistors 2 respectively and a data determination circuit 8 connected to source regions of the selection transistors 2 for determining data read from the selected memory cell 4.例文帳に追加
このメモリ（ダイオードＲＯＭ）は、複数のワード線ＷＬの各々に接続され、対応するワード線ＷＬが選択されることによりオン状態になる選択トランジスタ２と、選択トランジスタ２のドレイン領域にカソードが接続されたダイオード３をそれぞれ含む複数のメモリセル４と、選択トランジスタ２のソース領域側に接続され、選択メモリセル４から読み出されるデータを判別するためのデータ判別回路８とを備えている。 - 特許庁
An operation method of the direct alcohol type fuel cell using a cation exchange membrane as a solid polyelectrolyte film, is characterized by supplying to its combustion chamber an alcohol with an impurity metal content of 0.1 ppm or less as a fuel alcohol, preferably methanol for example, by installing in the middle of a fuel alcohol delivery line to the combustion chamber an impurity metal removal device filled with the ion-exchange resin.例文帳に追加
固体高分子電解質膜としてカチオン交換膜を用いた直接アルコール型燃料電池において、燃料室への燃料アルコール供給ラインの途中にイオン交換樹脂が充填された不純物金属除去装置を設ける等して、燃料アルコールとして不純物金属の含有率が０．１ｐｐｍ以下のアルコール、好適にはメタノールを燃料室に供給することを特徴とする直接アルコール型燃料電池の運転方法。 - 特許庁
The objective human anti-CRP monoclonal antibody-producing cell line useful e.g. for the inspection of CRP of an acute phase reactant is obtained.例文帳に追加
この方法は、ＣＲＰで免疫した哺乳動物の脾臓細胞と、哺乳動物の骨髄腫由来の細胞ラインとを細胞融合して、融合細胞を得る工程；および、ＣＲＰに対して特異的なモノクローナル抗体を産生する細胞ラインを融合細胞の中からクローニングする工程であって、融合細胞から産生される抗体を、ＣＲＰ、補体Ｃ１ｑおよび血清アミロイドＰに対する結合能について免疫測定法により検定することを含む、工程を含む。 - 特許庁
ARPE-19 cells are found to be hardy (the cell line is viable under stringent conditions, such as in central nervous system or intra-ocular environment); can be genetically modified to secrete the protein of choice; have a long life span; are of human origin; have good in vivo device viability; deliver efficacious quantity of growth factor; trigger no or low level host immune reaction; and are non-tumorigenic.例文帳に追加
ＡＲＰＥ−１９細胞は、強いことが見出され（この細胞株は、中枢神経系または小室内環境のようなストリンジェントな条件下で生存可能である）；選択したタンパク質を分泌するように遺伝子改変され得；長い寿命を有し；ヒト起源であり；良好なインビボデバイスの生存能力を有し；効果的な量の成長因子を送達し；宿主免疫反応を誘発しないかまたは低いレベルの宿主免疫反応を誘発し、そして非腫瘍形成性である。 - 特許庁
The ferroelectrics memory cell used for an FeRAM element includes a first active region 10 including the gate of a depletion type transistor, a second active region 20 including the gate of an enhancement type transistor and abutting on the first active region 10, a word line 66 connected with the gates of the depletion type and enhancement type transistors, and a ferroelectrics capacitor for storing data therein and connected with the drain of the enhancement type transistor.例文帳に追加
ＦｅＲＡＭ素子に用いられる強誘電体メモリセルにおいて、空乏形トランジスタのゲートを含む第１活性領域１０と、エンハンスメント形トランジスタのゲートを含んで、前記第１活性領域と接する第２活性領域２０と、前記空乏形トランジスタのゲート及び前記エンハンスメント形トランジスタのゲートが接続されているワードライン６６と、データを貯蔵し、前記エンハンスメント形トランジスタのドレインに接続された強誘電体キャパシタとを含んでなる。 - 特許庁
To enable to eliminate products having lower reliability out of initial good products by testing margin for a reference potential of a bit line in the case that storage data is read out from a memory cell in a ferroelectric memory, improving reliability of products shipped, and to perform efficiently analysis of defect by making easy to discriminate whether defect of an initial defective product is caused by margin defect or by defect of a manufacturing process.例文帳に追加
強誘電体メモリに関し、メモリセルからビット線に記憶データが読み出された場合におけるビット線の電位の基準電位に対するマージンを試験し、初期良品からの信頼性の低い製品の除去を可能とし、出荷する製品の信頼性の向上を図ると共に、初期不良品については、その不良がマージン不良を原因とするものなのか、あるいは、製造プロセスの欠陥によるものなのかの識別を容易にし、不良解析の効率化を図る。 - 特許庁
A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加
第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁
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