「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

In the memory cell of the SRAM in the semiconductor device, a via VS1 to be electrically connected to a third wiring M32 as a word line is directly connected to a contact plug CPS1 electrically connected to a gate wiring part GHA1 of an access transistor T1.例文帳に追加

半導体装置におけるＳＲＡＭのメモリセルでは、アクセストランジスタＴ１のゲート配線部ＧＨＡ１に電気的に接続されるコンタクトプラグＣＰＳ１に対して、ワード線としての第３配線Ｍ３２に電気的に接続されることになるヴィアＶＳ１が直接接続されている。 - 特許庁

A sense amplifier SA, whose first end BLS1 is electrically connected to the first bit line, generates one of the first electric potential and the second electric potential at the first end, according to the data contained in the memory cell, and generates the other of the first electric potential and the second electric potential at the second end BLS2.例文帳に追加

センスアンプＳＡは、第１端ＢＬＳ１を第１ビット線と電気的に接続され、且つメモリセルが有するデータに応じて第１端に第１電位および第２電位の一方を発生し、且つ第２端ＢＬＳ２に第１電位および第２電位の他方を発生する。 - 特許庁

The method contains maintenance of pressure bias between anode exhaust and cathode exhaust of a fuel cell stack so as to keep hydrogen density in a mixture gas at a level lower than a given percentage in case the anode exhaust gas is bled from the anode exhaust line and mixed with cathode exhaust gas.例文帳に追加

その方法は、アノード排気ガスがアノード排気ラインからブリードされ、カソード排気ガスと混合される場合に、混合ガス中で水素濃度を所定の百分率より低く維持するように、燃料電池スタックのアノード排出とカソード排出の間の圧力バイアスを維持することを含む。 - 特許庁

The composition and method for treating inflammation and other pathological symptoms by using the new blocking P-selectin antibody against the P-selectin, inhibiting the binding of an antibody secreted from a cell line of ATCC deposited number HB 11041, which is measured by competitive inhibition assay.例文帳に追加

本発明は、競合阻害アッセイにより測定される通り、Ｐ−セレクチンに対する、ATCC寄託番号HB 11041の細胞系により分泌される抗体の結合を阻害する新規のブロッキングＰ−セレクチン抗体を用いての、炎症及びその他の病理症状を処置するための組成物及び方法に関する。 - 特許庁

The human antibody enzyme is an antibody enzyme containing a polypeptide encoded with a human reproductive cell line gene in which a serine residue, an aspartic acid residue and a histidine residue are three-dimensionally structurally and adjacently present in a three-dimensional structure of an antibody predicted from an amino acid sequence.例文帳に追加

本発明のヒト抗体酵素は、アミノ酸配列から予測される抗体の立体構造中に、セリン残基、アスパラギン酸残基およびヒスチジン残基が立体構造上近接して存在するヒト生殖細胞系列遺伝子によりコードされるポリペプチドを含む抗体酵素である。 - 特許庁

A soluble LDL receptor comprising a DNA molecule encoding a soluble LDL receptor having an amino acid sequence practically corresponding to amino acid residue 4 to 292 of a mature LDL receptor is produced by culturing a cell line transformed by an expression vector.例文帳に追加

また、実質的に成熟ＬＤＬリセプターのアミノ酸残基４から２９２に対応するアミノ酸配列を有する可溶性ＬＤＬリセプターをコードするＤＮＡ分子よりなる発現ベクターで形質転換される細胞株を培養することにより、可溶性ＬＤＬリセプターを産生することができる。 - 特許庁

An irradiated domain A16 and an irradiated domain D19 are formed on the power-generating plane of the solar cell 15 through a circular window with a comparatively small open area of the dial and have a mutually equal area W1 symmetrically striding across the parting line 15DA.例文帳に追加

文字板の比較的小さな開口面積を有する円形窓を通してソーラーセル１５の発電面上に形成されるのは照射領域Ａ１６及び照射領域Ｄ１９であり、分割線１５ＤＡを跨いで対称に互いに等しい面積Ｗ１を有している。 - 特許庁

Even when operation this time is reading of data from a selected memory cell, the voltage Va at a pre-charge level is higher than a balance level, so difference among the potentials of one bit line and the input and output lines become large and the potentials of the input and output lines largely drop.例文帳に追加

このときの動作が選択されたメモリセルからのデータの読み出しの場合であっても、プリチャージレベルである電圧Ｖａがバランスレベルよりも高いので、一方のビット線の電位と入出力線の電位との差が大きくなり、その入出力線の電位は大きく下降する。 - 特許庁

By inputting a test mode signal to a test mode input terminal 6, a RAM 2 (special cell requiring the measurement of a standby current) of a semiconductor device 1 is set to a standby state through a dedicated test mode circuit 7 (such as an OR 4 inserted to a chip enable signal line 3, for example).例文帳に追加

テストモード入力端子６にテストモード信号を入力することにより、専用のテストモード回路７（例えば、チップイネーブル信号ライン３に介挿した論理和４）を介して半導体装置１のＲＡＭ２（スタンバイ電流の測定を要する特殊セル）をスタンバイ状態に設定する。 - 特許庁

At end parts inside the case 47 of the exhaust duct 51, a general exhaust line 29 is connected for guiding a consolidated exhaust 28 made by mixing a combustion exhaust 23 exhausted from a combustion chamber of a reformer 6 of a fuel treatment device 5 and a cathode exhaust 25 of a solid polymer fuel cell 1.例文帳に追加

排気ダクト５１の筐体４７内側の端部に、燃料処理装置５の改質器６の燃焼室より排出される燃焼排気２３と、固体高分子型燃料電池１のカソード排気２５とを混合させてなる総合排気２８を導くための総合排気ライン２９を接続する。 - 特許庁

The memory is also provided with a switch control circuit 10 turning off the boosting power source switch SWi corresponding to the other blocks excluding a voltage detecting circuit 9 detecting decline of a voltage level of the power source line 8 and a block in which the memory cell array 1 is selected by an output of this voltage detecting circuit 9.例文帳に追加

電源線８の電圧レベル低下を検知する電圧検出回路９と、この電圧検出回路９の出力によりメモリセルアレイ１の選択されているブロックを除き、他のブロックに対応する昇圧電源スイッチＳＷｉをオフにするスイッチ制御回路１０が設けられている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which the dielectric breakdown of an insulation film provided between a word line and a shield wiring can be suppressed, and a variance in threshold voltage in a memory cell transistor can be also suppressed by alleviating capacity coupling between adjacent floating gates, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ワード線とシールド配線との間に設けられた絶縁膜の絶縁破壊を抑制でき、且つ隣り合う浮遊ゲート間の容量結合を軽減してメモリセルトランジスタの閾値電圧の変動を抑制できる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A memory cell 11 of this ferroelectric memory is provided with a N channel MOS transistor 12 being a selection transistor, a ferroelectric capacitor 13, a node 14 between the selection transistor 12 and the ferroelectric capacitor 13, and a resistor 15 for short-circuiting connection of the node 14 and a plate line.例文帳に追加

本発明の強誘電体メモリのメモリセル１１は、選択トランジスタであるＮチャンネルＭＯＳトランジスタ１２、強誘電体キャパシタ１３、選択トランジスタ１２と強誘電体キャパシタ１３間のノード１４、ノード１４とプレート線ＰＬ間をショートするための抵抗１５を備えている。 - 特許庁

In a memory cell array 2, a plurality of word lines WLp are arranged for selecting memory cells 1 in the row direction thereof and also read bit line pairs RBLt, RBLc are arranged for reading out data from the memory cells 1 in the direction orthogonal to the word lines WLp.例文帳に追加

メモリセルアレイ２には、メモリセル１を行方向において選択するため複数のワード線ＷＬｐが配列されると共にと、メモリセル１からのデータ読み出しを行うためワード線ＷＬｐと直交する方向に読み出しビット線対ＲＢＬｔ、ＲＢＬｃが配列される。 - 特許庁

Then, a light shielding film 105 is formed in at least a region covering the memory cell 100 on the interlayer insulating film 106, and a part of this light shielding film 105 is formed so as to further extend into a film from the surface of the interlayer insulating film 106, in the vicinity of the bit line contact plug 109.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜１０６上の少なくともメモリセル１００を覆う領域に、遮光膜１０５が形成され、当該遮光膜１０５の一部は、ビット線コンタクトプラグ１０９の近傍において、層間絶縁膜１０６の表面から膜中にさらに延出して形成されている。 - 特許庁

For the sealing seal 10 for a cell, separation lines 14a, 14b and 14c are formed on boundaries between the dry cells, and tab pieces 16a, 16b and 16c for imparting tensile force for cutting it along the separation lines are formed by cutting out at least one side edge on the extension of each separation line.例文帳に追加

電池用封印シール１０は乾電池間の境界上にミシン目１４ａ、１４ｂ、１４ｃと、各ミシン目の延長線上の少なくとも一方の側縁を切り欠き、ミシン目に沿って切断するための引張り力を付与するツマミ片１６ａ、１６ｂ、１６ｃとが形成される。 - 特許庁

The liquid crystal advertisement poster is constituted of a solar cell layer 2 covering the surface of a liquid crystal display 2, a back light 3 arranged at the back of the liquid crystal display 2, a battery 4, a control board 5 and an RF module 6 connected to a public line.例文帳に追加

本発明の実施の形態である液晶型広告ポスターは、液晶ディスプレイ２の表面を覆うソーラーセル層１、液晶ディスプレイ２の背面に設置されたバックライト３、バッテリー４、コントロール基板５、及び公衆回線と接続しているＲＦモジュール６で構成されている。 - 特許庁

Since a time T can be secured for the photosensitive cells arranged in some row until noise suppression processing is performed after the power supply line 10 is brought into the high level, the substrate potential of the photosensitive cell becomes substantially constant between respective pixels and a noise-suppressed reproduction image can be read out from the sensor.例文帳に追加

よって、電源ライン１０がハイレベルになってから、ある行に配列された感光セルについて雑音抑圧処理を行うまでに時間Ｔを確保できるので、感光セルの基板電位が各画素間でほぼ一定となり、センサから雑音の少ない再生画像を読み出すことができる。 - 特許庁

To provide a check method of a cell voltage of a communication device with which it is possible to check the power source voltage of respective communication device centrally controlled in a monitor center utilizing a dial-up line network with small current consumption and without giving adverse effects to the dial-up network.例文帳に追加

公衆電話回線網を利用して監視センターで集中管理される各通信装置の電源電圧のチェックを、電流消費が少なく、公衆電話回線網に悪影響を及ぼすことなく行なうことのできる通信装置の電池電圧チェック方法を提案すること。 - 特許庁

Outside a memory cell region 110 where line-and-space (L&S) periodicity of an active area D1 and an element isolation region D1S is disordered, active areas D2a and D2b wider than the active area D1, and an element isolation region D2S disposed between the active areas D2a and D2b are formed.例文帳に追加

アクティブエリアＤ１及び素子分離領域Ｄ１Ｓのラインアンドスペース（Ｌ&Ｓ）の周期性が崩れるメモリセル領域１１０の外側には、アクティブエリアＤ１より幅が広いアクティブエリアＤ２ａ、Ｄ２ｂと、アクティブエリアＤ２ａとＤ２ｂ間に配置された素子分離領域Ｄ２Ｓが形成されている。 - 特許庁

When discharging an IP address to the home gateway device 10, a DHCP server 13 transfers an identifier based on line ID to the home gateway device 10 and transmits the identifier and the information of the home gateway device 10 also to a server (felt cell base station GW) 14 on the network 11.例文帳に追加

DHCPサーバ１３がIPアドレスをホームゲートウェイ装置１０に払い出す際に、回線IDを元にした識別子をホームゲートウェイ装置１０に渡すと共に、DHCPサーバ１３がネットワーク１１上のサーバ（フェルトセル基地局GW）１４にも識別子およびホームゲートウェイ装置１０の情報を送信する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor integrated circuit, connection is temporarily cut (S11) in a first place between the clock-gated cell which controls the output of a clock signal in accordance with the input of a control-system signal and a control-system signal line which supplies the control-system signal.例文帳に追加

半導体集積回路の製造方法において、まず最初に、制御系信号の入力に応じてクロック信号の出力を制御するクロックゲーテッドセルとそれに制御系信号を供給する制御系信号線との間が一時的に切断される（Ｓ１１）。 - 特許庁

In a solid polymer electrolyte fuel cell and its manufacturing method, make a machinery processing by a skilled engineer unnecessarily, enhance the strength of the introduction line, and make downsizing possible, and reduce man-hours, dissolve problems such as corrosion in a long time use and gas leak.例文帳に追加

固体高分子電解質型燃料電池およびその製造方法において、熟練技術者による機械的加工を不要にし、導入口の強度を高め、小型化を可能とし、組み付け工数を低減し、長時間の使用による腐食およびガスリーク等の問題を解消すること。 - 特許庁

In shipping the system, the ion exchanger 40 is replaced with a unused ion exchanger 40N which is incorporated in parallel to a fuel cell 12 in a bypass line 32 of the cooling system 20 so that the cooling medium can be circulated and supplied into the unused ion exchanger 40N (Steps S130-140).例文帳に追加

そして、システム出荷に際しては、冷却系２０のバイパス経路３２においてイオン交換器４０を未使用イオン交換器４０Ｎと交換して燃料電池１２と並行に組み込み、その未使用イオン交換器４０Ｎへの冷媒の循環供給を可能としておく（ステップＳ１３０〜１４０）。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device provided with a memory cell and a peripheral circuit having openings of different aspect ratio on the same substrate wherein a barrier metal is formed with good coverage in the opening and contact resistance of a plug and a bit line provided in the opening and a polysilicon plug is stabilized and reduced.例文帳に追加

メモリセル部と周辺回路部とを同一基板上に設けた半導体装置が異なるアスペクト比の開口を有し、この開口にカバレッジ性の良い開口内バリアメタルを形成するとともに、開口に設けたプラグとビット線およびポリシリコンプラグとのコンタクト抵抗の安定化、低減化をはかる。 - 特許庁

To provide a sealant dropping device capable of preventing a failure of cell gap due to mixture of a solidified sealant in a syringe into a seal line without requiring a washing process by making the syringe filled with the sealant disposable while directly dropping the sealant on a seal line forming area of a substrate, and by replacing the used syringe with a new syringe after the prescribed number of dropping of the sealant.例文帳に追加

基板のシールライン形成領域にシーラントを直接滴下すると共に、シーラントが充填されるシリンジを使い捨てにし、設定された回数のシーラントの滴下後、使用済みのシリンジを新しいシリンジに交換して使用することにより、洗浄工程を必要とせず、シリンジ内の固形化されたシーラントのシールラインへの混入によるセルギャップの不良を防止できるシーラント滴下装置を提供する。 - 特許庁

The fuel cell device is equipped with an electromotive part 52 having an anode and a cathode and generating power by chemical reaction; a fuel tank 54 housing fuel; a circulation line 60 circulating fuel supplied frtm the fuel tank and air through the electromotive part; and a gas purification filter 76 installed in the circulation line, and including a catalyst part for purifying gas component in exhaust material from the electromotive part.例文帳に追加

燃料電池装置は、アノードおよびカソードを有し、化学反応により発電する起電部５２と、燃料を収容した燃料タンク５４と、燃料タンクから供給された燃料および空気を起電部を通して循環させる循環系６０と、循環系に設けられ、起電部からの排出物中の気体成分を浄化する触媒部を有したガス浄化フィルタ７６と、を備えている。 - 特許庁

This rolling stock 1, which carries a fuel cell 20 for generating power by performing reaction between hydrogen and oxygen and a hydrogen tank 30, is equipped with a switching unit 21 which switches a state of supplying the drive unit 22 of itself 1 with power supplied from an aerial line 11 via a pantagraph 10 and a state of supplying the drive unit 22 of itself 1 with power generated with a fuel cell 20.例文帳に追加

水素と酸素との反応を行って電力を発生させる燃料電池２０と，水素タンク３０とを搭載した鉄道車両１であって，パンタグラフ１０を介して架線１１から供給された電力を鉄道車両１の駆動装置２２に給電する状態と，燃料電池２０で発生させた電力を鉄道車両１の駆動装置２２に給電する状態とに切替える切替装置２１を備えている。 - 特許庁

An electrolysis operation method is for an electrolytic water generator which comprises an electrolytic cell 11 electrolyzing supplied water to be electrolyzed and the storage tank 12 to which electrolytic water generated in the electrolytic cell 11 is supplied through an introduction pipe line 14, and starts electrolysis operation when a prescribed amount of the electrolytic water staying in the storage tank 12 is consumed to supply the prescribed amount of electrolytic water into the storage tank 12.例文帳に追加

供給される被電解水を電解する電解槽１１、および、電解槽１１にて生成された電解生成水を導入管路１４を通して供給される貯溜タンク１２を備え、貯溜タンク１２内に滞溜する電解生成水が所定量消費された場合に電解運転を開始して、貯溜タンク１２内に所定量の電解生成水を供給するようにした電解水生成装置の電解運転方法である。 - 特許庁

When a request to access to a defective memory cell is made, write data are supplied to the repair memory element SC from the write amplifier WAMP through the bit line MIO by turning on the switch SW2 in write operation, and data read out from the repair memory element SC are supplied to the read amplifier RAMP without using the bit line MIO by turning off the switch SW1 and turning on the switch SW3 in read operation.例文帳に追加

不良メモリセルへのアクセスが要求された場合、ライト動作時においては、スイッチＳＷ２をオンすることによりライトアンプＷＡＭＰからビット線ＭＩＯを介して救済記憶素子ＳＣにライトデータを供給し、リード動作時においては、スイッチＳＷ１をオフしスイッチＳＷ３をオンすることにより、救済記憶素子ＳＣから読み出されたリードデータをビット線ＭＩＯを介することなくリードアンプＲＡＭＰに供給する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device including an OTPROM, each memory cell transistor 101 has a drain 102 electrically connected to a projecting part 107 formed integrally with a bit line 105 at directly under the projecting part 107, and the device is programmed by fusing the bases 106 of the predetermined projecting parts 107 selected for the bit line 105.例文帳に追加

本発明のＯＴＰＲＯＭを含む半導体集積回路装置は、各メモリセルトランジスタ１０１のドレイン１０２が、ビット線１０５と一体に形成された突出部１０７の直下で突出部１０７に電気的に接続されており、選択された所定の突出部１０７のビット線１０５に対する付け根１０６がレーザ１１２で溶断されプログラムされたことを特徴とするＯＴＰＲＯＭを含む半導体集積回路装置である。 - 特許庁

The transmission speed control method includes: a step of notifying a maximum permissible transmission speed of the user data to the mobile station UE when a wireless line control station RNC starts communication of the mobile station UE or when the cell connected by the mobile station UE is changed; and a step of automatically increasing the transmission speed of the user data up to the maximum permissible transmission speed notified from the wireless line control station RNC.例文帳に追加

本発明に係る伝送速度制御方法は、無線回線制御局ＲＮＣが、移動局ＵＥが通信を開始する際に、又は、移動局ＵＥが接続するセルが変更される際に、移動局ＵＥに対してユーザデータの最大許容伝送速度を通知する工程と、移動局ＵＥが、無線回線制御局ＲＮＣから通知された最大許容伝送速度までユーザデータの伝送速度を自動的に上げていく工程とを有する。 - 特許庁

In time of the magnification, when the table having imperfect cell not including a character is present inside the series of small forms designated as the adjustment target, the table is magnified such that a changeable area (a margin and a line space) except an area occupied by a character and a margin on a boundary side is enlarged.例文帳に追加

その拡大時においては、調整対象として指定された一連の小組の中に、文字を含まない不完全セルを持つ表があったときには、その表は、文字が占める領域と境界側の余白とを除く変更可能領域（余白及び行間）が引き伸ばされるようにして、拡大される。 - 特許庁

The word line pattern is formed by patterning a floating gate pattern 57a covering the first active region 53a, a first gate interlayer insulating film 64a formed on the whole surface of a cell array region having the floating gate pattern and a second conducting film 69 formed on the first gate interlayer insulating film 64a.例文帳に追加

ワードラインパターンは第１活性領域５３ａを覆う浮遊ゲートパターン５７ａ、浮遊ゲートパターンを有するセルアレイ領域の全面に形成された第１ゲート層間絶縁膜６４ａ及び第１ゲート層間絶縁膜６４ａの上に形成された第２導電膜６９をパターニングして形成する。 - 特許庁

In each memory cell column, a bit line BL is connected with data buses DBa and DBb respectively through a drive switch at a node Na corresponding to one end side and a node Nb corresponding to the other end side, and connected with a reversed phase data bus/WDB through the drive switch in an intermediate node Nm.例文帳に追加

各メモリセル列において、ビット線ＢＬは、一端側に相当するノードＮａおよび他端側に相当するノードＮｂにおいて、駆動スイッチをそれぞれ介してデータバスＤＢａおよびＤＢｂと接続され、中間ノードＮｍにおいて、駆動スイッチを介して逆相データバス／ＷＤＢと接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can impress at least one of the polarities of a voltage across the variable resistor element without the voltage drop by eliminating the effect of the voltage drop equal to the threshold voltage when impressing a positive voltage from the source line side to the memory cell having a variable resistor element and selection transistor.例文帳に追加

可変抵抗素子と選択トランジスタを備えたメモリセルに対しソース線側から正電圧を印加する場合の閾値電圧分の電圧降下の影響を解消し、可変抵抗素子の両端間に印加する電圧の少なくとも一方の極性は、当該電圧降下なしに印加可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Current to be outputted from a transistor Q16 of a constant current circuit 12 is supplied to a band gap cell circuit 14 as bias current through a current mirror circuit 26 and a constant voltage line 23 from which reference voltage VBG is outputted, folded by the current mirror circuit 26 and becomes bias current of an operational amplifier 15.例文帳に追加

定電流回路１２のトランジスタＱ１６から出力される電流は、カレントミラー回路２６と基準電圧ＶBGが出力される定電圧線２３とを通してバンドギャップセル回路１４にバイアス電流として供給されるとともに、カレントミラー回路２６で折り返されてオペアンプ１５のバイアス電流となる。 - 特許庁

The cell plate drive circuits 11, 12 are connected to an amplifier circuit control signal line 18 controlling an amplifier circuit 17 through the control circuit 16, and switch a potential of voltage outputted to the drive lines 9, 10 before and after of amplifying operation for potentials of bit lines 8, 9 of the amplifier circuit 17.例文帳に追加

セルプレート・ドライバ回路１１，１２は制御回路１６を介して増幅回路１７を制御する増幅回路制御信号線１８と接続されており、増幅回路１７のビット線８，９の電位に対する増幅動作の前後でドライブ線９，１０に出力する電圧の電位を切り替える構成となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which arriving time difference of clock can be suppressed between respective flip-flops, arriving time of a clock signal being inputted to the flip-flop can be shorted, and the flip-flop, other cell and normal signal line can be arranged efficiently on a semiconductor chip.例文帳に追加

本発明の課題は、各フリップフロップ間のクロック到達時間差を抑えることができ、フリップフロップに入力されるクロック信号のクロック到達時間を短縮することができ、半導体チップ上にフリップフロップ、その他のセル、及び通常信号線を効率的に配置することができる半導体装置を提供することである。 - 特許庁

The method for preparation of the antibody comprising the steps of: (i) generating an antibody to at least one antigen presented on the surface of a CLL cell line according to claim 1; and (ii) determining that the antibody binds with an antigen associated with CLL cells.例文帳に追加

抗体を調製するための方法であって、該方法は、以下の工程：（ｉ）請求項１に記載のＣＬＬ細胞株の表面上に提示される少なくとも１つの抗原に対する抗体を作製する工程；および（ｉｉ）該抗体が、ＣＬＬ細胞関連抗原に結合することを決定する工程、を包含する、方法。 - 特許庁

At the time stopping the operation of the fuel cell system, the gas supply line of both electrodes are purged by a purge gas supplied from a purge gas supply device 21, and then, a fuel gas branching valve 14 and an oxidant gas branching valve 18 are switched over and the fuel gas is supplied to the second electrode and the oxidant gas is supplied to the first electrode 11.例文帳に追加

燃料電池システムの運転停止時に、パージガス供給装置２１から供給するパージガスにより両極のガス供給ラインをパージした後、燃料ガス分岐バルブ１４と酸化剤ガス分岐バルブ１８を切り替え、燃料ガスを第二の電極１２へ、酸化剤ガスを第一の電極１１へ供給する。 - 特許庁

The fuel cell power generation device has a water treatment device 12 for treating recovered water of the device, and the temporary water treatment device 41 performing water treatment prior to water treatment of water supplied from the outside of the device to the a city water supply line with a water treatment device 12 is detachably attached.例文帳に追加

装置内で回収される回収水を水処理する水処理装置１２を備えた燃料電池発電装置であって、市水供給ラインに供給される装置外部からの水を水処理装置１２による水処理に先立って水処理する仮設水処理装置４１が着脱自在に接続されるように形成されている。 - 特許庁

By a voltage changeover circuit 14, a first boost voltage (VPP) is supplied to the main word driver 12 in a predetermined area to which the selected main word line MWL belongs, among a plurality of areas divided from a memory cell array, while in areas other than the area, a second boost voltage (VPPL) lower than the first boost voltage is supplied to the main word driver 12.例文帳に追加

電圧切り替え回路１４は、メモリセルアレイを分割した複数の領域のうち、選択されたメインワード線ＭＷＬが属する所定領域では第１の昇圧電圧（ＶＰＰ）を、それ以外の領域では第１の昇圧電圧より低い第２の昇圧電圧（ＶＰＰＬ）を、メインワードドライバ１２に供給する。 - 特許庁

For a memory cell connected to one word line, applying a erasure pulse for erasing information (S1), first verifying confirming shift of threshold voltage by applying this erasure pulse (S2), and second verifying operation confirming whether over-erasure is caused by applying the erasure pulse or not are performed.例文帳に追加

１ワード線につながるメモリセルに対して、情報を消去するための消去パルス印加（Ｓ１）と、この消去パルス印加によるしきい値電圧のシフトを確認する第１のベリファイ動作（Ｓ２）と、上記消去パルス印加によって過剰消去が発生したか否かを確認する第２のベリファイ動作（Ｓ３）とを行う。 - 特許庁

For a cell 1a to be detected, in which a pair of electrodes 121, 122 are formed on a solid electrolyte material 112, a microcomputer 28 is configured to input a test signal temporarily containing an alternative current component to a signal line connected to the electrodes 121, 122, and also to detect a response signal to this test signal.例文帳に追加

固体電解質材１１２に１対の電極１２１，１２２を形成した検出対象のセル１ａについて、マイクロコンピュータ２８が、一時的に交流成分を含む試験信号を、電極１２１，１２２と接続された信号線に入力するとともに、その応答信号を検出するようにする。 - 特許庁