「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

When the inputted ATM cell is decided as data to be capsulated, a capsulating means attaches a header for an IP line to the inputted ATM cell and capsulates the ATM cell.例文帳に追加

そして、入力されたATMセルがカプセル化すべきデータであると判定された場合には、カプセル化手段により、入力されたATMセルにIP回線用のヘッダを付加してカプセル化する。 - 特許庁

A TDM line interface circuit 3 always monitors whether or not a fault exists in a time division multiple line, and when the circuit 3 detects that the fault exists, the circuit 3 outputs a cell transmission stop signal stopping cell transmission to an ATM cell assembling and disassembling circuit 4 and stops a cell transmission operation to the ATM line.例文帳に追加

ＴＤＭ回線インタフェース回路３は時分割多重回線に障害が有るか否かを常時監視し、障害が有ることが検出された場合には、セルの送信を停止させるセル送信停止信号をＡＴＭセル組立分解回路４に出力し、ＡＴＭ回線に対するセル送信動作を停止させる。 - 特許庁

This cell is a content addressable memory (CAM cell), this CAM cell comprises a memory cell connected between a first node and a second node, a first data line transmitting a first data signal, a second data line transmitting a second data signal, and first and second switching devices connected between a match line and reference voltage in series and successively.例文帳に追加

コンテント・アドレッセブル・メモリ（ＣＡＭセル）であって、このＣＡＭセルは、第１及び第２ノードの間に連結されたメモリセル、第１データ信号を伝達する第１データライン、第２データ信号を伝達する第２データライン、そしてマッチラインと基準電圧との間に直列に順次に連結された第１及び第２スイッチングデバイスを含む。 - 特許庁

An output line LO11 between a driver cell 11 and a receiver cell 21 and an output line LO12 between a driver cell 12 and a receiver cell 22 are adjacently disposed at an inter-wiring distance of ≤0.42 nm (three times of the wiring width of the output lines LO11 and LO12).例文帳に追加

ドライバセル１１〜レシーバセル２１間の出力線ＬＯ１１とドライバセル１２〜レシーバセル２２間の出力線ＬＯ１２との間とは０．４２ｎｍ（出力線ＬＯ１１，ＬＯ１２の配線幅の３倍）以下の配線間距離を隔てて隣接配置されている。 - 特許庁

In the case of a single maximum cell (S16, NO), if there are stacked cell coordinates (S17a, YES), the stacked cell coordinates are registered as a ridge line (18a) according to weighting/minimization, the vicinity maximum cell coordinate is registered as the ridge line (S19), and processing is returned to a step S12.例文帳に追加

極大セルが１つの場合は（Ｓ１６，ＮＯ）、スタックされたセル座標があれば（Ｓ１７ａ，ＹＥＳ）、重みづけ／最短化に従いスタックされたセル座標を尾根線として登録し（１８ａ）、近傍極大セル座標を尾根線として登録し（Ｓ１９）、Ｓ１２へ戻る。 - 特許庁

The power supply wiring group includes: an interruption power supply line for connecting the power supply switch cell and the power interruption object cell through first layer metal wiring; and a reference potential supply line for connecting the power supply switch cell and the constantly energized cell through second layer metal wiring.例文帳に追加

電源配線群は、第１層メタル配線を介して電源スイッチセルと電源遮断対象セルを接続する遮断用電源供給線と、第２層メタル配線を介して電源スイッチセルと常時通電セルを接続する基準電位供給線とを含む。 - 特許庁

While a word line, to which a memory cell of a test target is connected, is driven in a defect detection test, driving of a word line to which a memory cell for applying active noise is connected is made possible, wherein data inverse to data written in the memory cell of the test target is written into the memory cell for applying active noise.例文帳に追加

不良検出試験の際に検査対象メモリセルが接続されたワード線を駆動している間に、検査対象メモリセルに書き込まれたデータの逆のデータが書き込まれたアクティブノイズ印加用メモリセルが接続されたワード線を駆動できるようにした。 - 特許庁

The human lymphocytic leukocyte includes human leukocyte T cell line L-MAT cell and Jurkat cells selected by apoptosis sensitivity to the dioxin compound and human lymphoblast T cell line such as Molt-4 cell or the like.例文帳に追加

前記リンパ性白血球には、ダイオキシン類化合物に対するアポトーシス感受性によって選抜されたヒト白血球Ｔ細胞株Ｌ-ＭＡＴ細胞、及びＪｕｒｋａｔ細胞やＭｏｌｔ−４細胞などのヒトリンパ芽球性Ｔ細胞株が含まれる。 - 特許庁

After the charge, a selected memory cell is connected to the bit line, the reference bit line is connected to a reference voltage generating circuit, and a voltage differential type sense amplifier amplifies difference voltage between voltage of the bit line decreased by discharge of the selected memory cell and voltage of the reference bit line generated by the reference voltage generating circuit, to thereby read out memory cell data.例文帳に追加

その後、選択されたメモリセルがビット線に導通され、リファレンスビット線が参照電圧生成回路に導通され、電圧差動型センスアンプが、メモリセルの放電により低下するビット線の電圧と参照電圧生成回路によって発生するリファレンスビット線の電圧との差電圧を増幅して、メモリセルデータを読み出す。 - 特許庁

In each data buffer 16 having a memory cell array 11 and plural pairs of data line connected to this cell, a spare cell array 11a and a pair of spare data line, and in which each data line and a pair of spare data line are connected, a write-in buffer section of the buffer 16 is constituted of each data buffer and pairs of buffer output terminal.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１とこれに接続される複数のデータ線対、予備セルアレイ１１ａとこれに接続される予備データ線対を有し、各データ線対及び予備データ線対の接続される各データバッファ１６は、書き込みバッファ部がバッファ入力端子対とバッファ出力端子対をもって構成される。 - 特許庁

A power wiring line or a ground wiring line 101 for a flip-flop circuit 103, and a power wiring line or a ground wiring line 102 for a standard cell 104 other than the above are arranged in different systems.例文帳に追加

フリップフロップ回路１０３用の電源配線又はグランド配線１０１と、それ以外のスタンダードセル１０４用の電源配線又はグランド配線１０２とは、各々、別系統で配置される。 - 特許庁

The acceleration test is selected among (1) word line voltage application time extension, (2) bit line charging time extension, (3) bit line voltage rise, (4) word line application voltage rise, and (5) memory cell power supply potential drop.例文帳に追加

加速試験は、１）ワードライン電圧印加時間延長、２）ビットライン充電時間延長、３）ビットライン電圧上昇、４）ワードライン印加電圧上昇、５）メモリセル電源電位下降の内から選択される。 - 特許庁

Furthermore, the fuel cell system FCS includes a pump 71 arranged in a pipe line 53 so as to generate water flow in a first pipe line including the pipe line 55 and a second pipe line including the pipe line 56, and a pressure loss part 56a is installed in the pipe line 56.例文帳に追加

更にこの燃料電池システムＦＣＳは、管路５５を含む第１管路及び管路５６を含む第２管路の水流を生じさせるように管路５３に配置されたポンプ７１を備え、管路５６には圧力損失部５６ａが設けられている。 - 特許庁

The cytokine in the sample to be tested is detected according to the method comprising a step culturing basophil globular cell line derived from DO11.10 transgenic mouse spleen cell or a mastocyte like cell line, preferably a cell line of Accession No. FERM P-20652, in a sample to be tested, a step detecting cytokine according to the proliferation of the cell line, or screens the cytokine producing cells which produces cytokine.例文帳に追加

ＤＯ１１．１０トランスジェニックマウス脾臓細胞由来好塩基球様ないしマスト細胞様細胞株、好ましくは、受託番号ＦＥＲＭ Ｐ−２０６５２の細胞株を、被検試料中で培養する培養工程、前記細胞株の増殖に基づいて、サイトカインを検出する検出工程を含む方法によって、被検試料中のサイトカインを検出し、又はサイトカインを産生するサイトカイン産生細胞をスクリーニングする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit comprises first and second lines having specified line resistance and line capacitance, and a standard cell having a first cell terminal connectable with the output terminal of a first semiconductor circuit through the first line and a second cell terminal connectable with the input terminal of a second semiconductor circuit through the second line wherein the first cell terminal is connected with the second cell terminal.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路は、所定の配線抵抗および配線容量を有する第１および第２配線と、第１の半導体回路の出力端子と第１配線を介して接続可能な第１のセル端子、および第２の半導体回路の入力端子と第２配線を介して接続可能な第２のセル端子を有し、第１のセル端子と第２のセル端子が接続されたスタンダードセルとを備える。 - 特許庁

An objective cell for programming is a device which is on the left side of an intersection of a selection control line CGn+1, a selection bit line BLn+1 and a selection word line WLn.例文帳に追加

プログラミングの目標セルは、選択制御線ＣＧｎ＋１と選択ビット線ＢＬｎ＋１と選択ワード線ＷＬｎとの交差点における左側のデバイスである。 - 特許庁

To provide a word line reset circuit and method for reducing the charge leak of a memory cell connected with a non-selected word line at the time of resetting a selected word line.例文帳に追加

選択されたワード線のリセット時における非選択ワード線に接続されたメモリセルの電荷リークを減少できるワード線リセット回路及び方法を提供する。 - 特許庁

Then, the bit line work mask 22 is removed, a word line 7 composed of a gate electrode is formed on the charge trap layer 3 and the bit line insulating film 10, and the memory cell is established.例文帳に追加

その後、ビット線加工マスク２２を除去して、電荷トラップ層３及びビット線絶縁膜１０上に、ゲート電極からなるワード線７を形成して、メモリセルを完成する。 - 特許庁

A rewrite data line, which is arranged in parallel with a match line, is arranged and a rewrite transistor is inserted between the rewrite data line and an accumulation node within a dynamic CAM cell.例文帳に追加

マッチ線に平行な再書き込みデータ線を設け、再書き込みデータ線とダイナミックＣＡＭセル内の蓄積ノードとの間に再書き込み用のトランジスタを挿入する。 - 特許庁

A grating line is formed inside the external form having an arbitrary smooth contour by defining the external form of the grating line by cell structure having a side thinner than grating line width.例文帳に追加

格子線幅よりも細かい辺を持つセル構造により、格子線の外形を規定することにより、任意で滑らかな輪郭を持つ外形の内部に格子線を形成する。 - 特許庁

When the data are written into a memory cell MM00, a voltage of 8V level is applied to a memory gate line MG0, a voltage of 5V level is applied to a source line SL0, a voltage of 1.5V level is applied to a selection gate line CG0 respectively.例文帳に追加

メモリセルＭＭ００にデータを書き込む際、メモリゲート線ＭＧ０に８Ｖ程度、ソース線ＳＬ０に５Ｖ程度、選択ゲート線ＣＧ０に１．５Ｖ程度を印加する。 - 特許庁

The word line driving circuit controls a voltage level of corresponding sub-word line inside the memory cell block responding to a logical level of the global word line and an inputted address signal.例文帳に追加

ワードライン駆動回路は、グローバルワードラインの論理レベルと入力されるアドレス信号とに応答して、メモリセルブロック内部の対応するサブワードラインの電圧レベルを制御する。 - 特許庁

The device includes a memory cell array in which a plurality of memory cells are arranged, wherein each memory cell MC is formed between a bit line and a word line at an intersection of the bit line BL extending in X direction with the word line WL extending in Y direction differ from the X direction.例文帳に追加

複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイを備え、各メモリセルＭＣは、Ｘ方向に延びたビット線ＢＬと、Ｘ方向とは異なるＹ方向に延びたワード線ＷＬとが交差する位置に、それぞれ、ビット線とワード線とに挟まれて形成されている。 - 特許庁

It is constituted by means for controlling utilization factor of gas in at least one of a fuel line and an air line of a fuel cell body and means for controlling humidity of an exit of at least one side of the fuel line and the air line of the fuel cell body.例文帳に追加

燃料電池本体の燃料ライン及び空気ラインの少なくとも何れか一方のガスの利用率を制御する手段を具備し、燃料電池本体の燃料及び空気の少なくいずれか一方の出口の湿度を抑制する構成とする。 - 特許庁

A data read terminal of a memory cell MS1, to which a power supply voltage VDD is supplied, is connected to or disconnected from a bit line and a cell selecting terminal is connected to a word line WL.例文帳に追加

電源電圧ＶDDを供給されるメモリセルＭＳ１のデータ読み出し端子がビット線に接続され又は分離されており、セル選択端子がワード線ＷＬに接続されている。 - 特許庁

To provide a novel insulin-secreting beta cell line capable of being implanted in a human organ so as to secret a biological product which the cell line normally secrets under a culturing condition.例文帳に追加

培養条件下においてその細胞系が通常分泌する生物学的物質をヒトの臓器に移植されても分泌可能な新規のインシュリン分泌β細胞系を提供する。 - 特許庁

To provide a lingual cancer cell proliferation inhibitor having a novel component having inhibition of the proliferation of SCCKN which is a cell line of lingual cancer and furthermore high safety as an active ingredient.例文帳に追加

舌癌のell lineであるSCCKNの増殖抑制作用を有し、更に安全性が高い新規な成分を有効成分とする舌癌細胞増殖抑制剤を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thereby in this nonvolatile semiconductor memory device, data of the memory cell to be selected can be stably read out even for the memory cell of the normal bit line adjoining the dummy bit line.例文帳に追加

よって、本発明の不揮発性半導体メモリ装置では、ダミービット線に隣接するノーマルビット線のメモリセルに対しても、選択されるメモリセルのデータは安定的に読み出され得る。 - 特許庁

The impurity area and the word line are driven, and in the same memory cell array, for instance, a plurality of memory cells on the word line of cell arrays 1,...n+1,..., 2n+1,... are operated in parallel.例文帳に追加

そして、不純物領域およびワード線を駆動して、同じメモリセルアレイ内で、たとえばセル列１，…ｎ＋１，…，２ｎ＋１，…の同一ワード線上の複数のメモリセルを並列に動作させる。 - 特許庁

As a result of zealous study, a culturing cell line with continuous subculture property (NIAS-Bm-Ke17) is created from silkworm embryonic tissue-derived NIAS-Bm-Ke1 cell line by cloning.例文帳に追加

本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討し、カイコの胚子組織由来のNIAS-Bm-Ke1細胞株から連続継代性の培養細胞株（NIAS-Bm-Ke17）をクローニングにより作出した。 - 特許庁

The gate electrode of the selection transistor in the first memory cell is connected to a first gate line, and the gate electrode of the selection transistor in the second memory cell is connected to a second gate line.例文帳に追加

第一のメモリセルにおける選択トランジスタのゲート電極は、第一のゲート線に接続され、第二のメモリセルにおける選択トランジスタのゲート電極は、第二のゲート線に接続される。 - 特許庁

To provide a new-character cell line transduced with a calcium channel, and to provide a high-efficiency method for retrieving a T-type α1H calcium channel inhibitor based on the cell line.例文帳に追加

カリウムチャンネルが導入された新しい形質の細胞株を提供し、これを基にしたＴ−型α１Ｈカルシウムチャンネル抑制剤の高効率検索方法を提供する。 - 特許庁

A word line coupled to the defective cell is replaced by a spare word line by a coding part responding to the block address selecting the memory cell array block in which the repair address and the defective cells are caused.例文帳に追加

リペアアドレスと不良セルとが発生したメモリセルアレイブロックを選択するブロックアドレスに応答するコーディング部により、不良セルと連結されるワードラインがスペアワードラインに置換される。 - 特許庁

In the memory cell /C, the relation between connection of a capacitor between the bit line /BL and the word line RWL and stored data is set oppositely to the relation in the memory cell C.例文帳に追加

メモリセル／Ｃにおいては、ビット線／ＢＬ及びワード線ＲＷＬ間のコンデンサの接続の有無と記憶データとの関係が上記メモリセルＣにおけるものと逆に設定されている。 - 特許庁

The switch is configured to switch a connection between connecting the memory cell array to the active power supply line and connecting the memory cell array to the data-retention power supply line.例文帳に追加

スイッチは、メモリセルアレイをアクティブ電力供給線に接続することと、メモリセルアレイをデータ保持電力供給線に接続することとの間で、接続を切り換えるように構成される。 - 特許庁

A selecting transistor STr is connected between one end of a memory cell block MB and a source line SL, and a bit line BL is connected to the other end of the memory cell block MB.例文帳に追加

メモリセルブロックＭＢの一方の端部とソース線ＳＬとの間に選択トランジスタＳＴｒが接続され、メモリセルブロックＭＢの他方の端部にビット線ＢＬが接続されている。 - 特許庁

The cushion part 8 has an upper cell 8a leading to the main air duct 7 along a straight line, a side cell 8b leading to the upper cell 8a and extending downwardly at the rear of the cushion part 8, a lower cell 8c leading to the side cell 8b and extending forwardly at the underside of the bag, and an intermediate cell 8d.例文帳に追加

クッション部８は、主気道７に一直線状に連なる上部小室８ａと、この上部小室８ａに連なりクッション部８の後部を下方に向う側部小室８ｂとこの側部小室８ｂに連なりバッグ下部を前方に向う下部小室８ｃと、中間の小室８ｄとを有する。 - 特許庁

To reduce a cell region and to reduce the number of manufacturing processes by eliminating the need for a voltage supply line and a contact in a gain cell.例文帳に追加

ゲインセル内に電源電圧供給線およびコンタクトを不要とし、セル面積の縮小および製造工程数を削減する。 - 特許庁

Leakage current of a MOS transistor in a memory cell is reduced by controlling the potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC.例文帳に追加

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁

The potential of a source line ssl of a driving MOS transistor in an SRAM memory cell MC is controlled so as to reduce the leakage current of MOS transistors in a memory cell.例文帳に追加

SRAMメモリセルMC内の駆動MOSトランジスタのソース線sslの電位を制御することでメモリセル内のMOSトランジスタのリーク電流を低減する。 - 特許庁

When a copy line B921 is activated, a copy circuit B3200 copies the value stored in the memory cell A1000 to the memory cell B2000.例文帳に追加

コピー線Ｂ９２１をアクティブにすると、コピー回路Ｂ３２００はメモリセルＡ１０００に保持された値をメモリセルＢ２０００にコピーする。 - 特許庁

A first voltage is applied to the drain of the selected cell and the drains of the memory cells that share at least a drain line with the selected cell.例文帳に追加

前記選択セルのドレイン及び少なくとも前記選択セルとドレインラインを共有するメモリセルのドレインに第１電圧を印加する。 - 特許庁

A resistor R1 is connected to a source line SL of each memory cell, rewriting operation of a memory cell is performed for each prescribed batch unit.例文帳に追加

各メモリセルのソース線ＳＬに抵抗Ｒ１が接続され、所定の一括した単位ごとにメモリセルの書戻し動作が行なわれる。 - 特許庁

ARPE-19 cells are evaluated as a platform cell line for encapsulated and unencapsulated cell-based delivery technology.例文帳に追加

ＡＲＰＥ−１９細胞を、カプセル化または非カプセル化された細胞ベースの送達技術に関するプラットホーム細胞株として評価した。 - 特許庁

When a copy line A911 is activated, a copy circuit A3100 copies the value stored in the memory cell B2000 to the memory cell A1000.例文帳に追加

コピー線Ａ９１１をアクティブにすると、コピー回路Ａ３１００はメモリセルＢ２０００に保持された値をメモリセルＡ１０００にコピーする。 - 特許庁