「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

When the potential of the source line SL0 is controlled to the first voltage, a cell current corresponding to an erasing state or a writing state flows into a memory cell.例文帳に追加

ソース線ＳＬ０の電位が第１の電圧に制御されたとき、メモリセルには、消去状態又は書込状態に応じたセル電流が流れる。 - 特許庁

Stacking components such as a unit cell 2 are stacked on a jig 110 in each station of a production line 101, and a fuel cell stack 1 is assembled.例文帳に追加

製造ライン１０１上の各ステーションで、単セル２等の積層部品をにある治具１１０上に積み上げ、燃料電池スタック１を組み立てる。 - 特許庁

Power generation in a fuel cell is performed in a state that the anode, a fuel circulation line, and the vapor-liquid separator of the fuel cell are closed from the outside.例文帳に追加

燃料電池のアノード、燃料循環ラインおよび気液分離器が外部から閉止された状態で、燃料電池における発電が行われる。 - 特許庁

To provide a method for expressing a recombinant product gene in a CHO established cell line; and to provide a recombinant CHO host cell and a new expression vector construct.例文帳に追加

CHO株化細胞に組換え産物遺伝子を発現するための方法に、並びに組換えCHO宿主細胞および新規の発現ベクター構築物を提供する。 - 特許庁

Thus, bit line currents simultaneously flow in a memory cell array MCA and a reference memory cell array RMCA and a high speed sensing operation is conducted.例文帳に追加

そのため、メモリセルアレイＭＣＡとリファレンスメモリセルアレイＲＭＣＡとにおいて同時にビット線電流が流れ、高速なセンス動作を行なうことが可能となる。 - 特許庁

The cell line is provided, being such that a vector containing a gene encoding a potassium channel is transduced into a cell expressing the T-type α1H calcium channel.例文帳に追加

Ｔ−型α１Ｈカルシウムチャンネルを発現する細胞にカリウムチャンネルをコードする遺伝子を含むベクターが形質導入された細胞株を提供する。 - 特許庁

Each cell image obtained by photographing cells cultured in a cell culture dish equipped with a fixed line pattern with changing time is prepared.例文帳に追加

所定のラインパターンを設けた細胞培養ディッシュ内で培養された細胞を時間を変化させて撮影することにより得られた各細胞画像を用意しておく。 - 特許庁

During the step in which memory cells are read and refreshed, the main reference cell and a subreference cell connected to the reference bit line and the bit lines are activated.例文帳に追加

メモリセルを読み出してリフレッシュする段階において、基準ビット線およびビット線に接続された主基準セルおよび副基準セルが活動化される。 - 特許庁

When warming up the fuel cell, the fuel cell is operated while an air theoretical ratio is set to less than 1.0 (theoretical value) (see the dotted line in Fig. 2).例文帳に追加

燃料電池を暖機する場合には、エアストイキ比を１．０未満（理論値）に設定した状態で燃料電池を運転する（図２の点線部分参照）。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic material storage device having a memory cell arrangement suitable for a memory cell arrangement appropriate for higher integration, especially for a folding bit line configuration.例文帳に追加

高集積化に適したメモリセル配置、特に折り返し型ビット線構成に適したメモリセル配置を有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, influence for magnetic layer 12, 14 of the cell 20 affected by a magnetic field generated when a current is made to flow in a word line 26 of the cell 10 is prevented in the same way.例文帳に追加

このため、ワード線２６に電流を流したときに発生する磁界がセル１０の磁性層１２，１４に及ぼす影響も、同様に回避される。 - 特許庁

The write digit line WDL, corresponding to the memory cell row including the memory cell targeted for writing data, is selectively activated, when writing the data.例文帳に追加

データ書込時には、データ書込対象のメモリせルが含まれるメモリセル行に対応するライトディジット線ＷＤＬが選択的に活性化される。 - 特許庁

At least one end of the first write line passes through the upper end or the lower end of the memory cell array, while the other end passes through the left or right end of the memory cell array.例文帳に追加

少なくとも１つの第１書き込み線の一端はメモリセルアレイの上端または下端を通り、他端はメモリセルアレイの左端または右端を通る。 - 特許庁

At the time of write-in process for the prescribed memory cell, voltage drop (V1-V2) is caused in the selected word line(WL) connected to this memory cell.例文帳に追加

所定のメモリセルへの書き込み過程の際に、このメモリセルに接続された選ばれたワードライン（ＷＬ）において電圧降下（Ｖ１−Ｖ２）が生じる。 - 特許庁

A solar cell module is manufactured by resin-sealing a solar cell having a surface electrode to which a tab line is connected using an adhesive agent by using a decompression laminator.例文帳に追加

太陽電池モジュールは、接着剤でタブ線が接続された表面電極を有する太陽電池セルを、減圧ラミネータを用いて樹脂封止して製造する。 - 特許庁

When a memory cell is abnormal as a result of discrimination, an internal address of a memory cell is outputted from a signal line L3 through a fail address extracting means 25.例文帳に追加

判定の結果、メモリセルが異常の場合には、該メモリセルの内部アドレスが、フェイルアドレス抽出手段２５を介して信号線Ｌ３から出力される。 - 特許庁

A bit line BL of a memory cell array 11 is selected by a column gate 12, and connected to a sense amplifier 13.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１のビット線ＢＬはカラムゲート１２により選択されてセンスアンプ１３に接続される。 - 特許庁

The gate wirings (PGo, PGe) of the selection transistors of the memory cells are arranged corresponding to each memory cell line.例文帳に追加

メモリセルの選択トランジスタのゲート配線（ＰＧｏ，ＰＧｅ）は、各メモリセル行に対応して配置される。 - 特許庁

To easily correct a ruled line or cell automatically extracted from a form document image or the like.例文帳に追加

帳票文書画像などから自動抽出された罫線やセルを容易に修正できるようにする。 - 特許庁

The line width of the active gate of the first cell is the same size as or size almost similar to the OPC structure.例文帳に追加

第１のセルのアクティブ・ゲートの線幅は、ＯＰＣ構造と同一のサイズか、ほぼ同様のサイズである。 - 特許庁

An standing conveyance line 50 to convey an LC cell substrate 1 in an upright state is arranged.例文帳に追加

液晶セル基板１を起立させた状態で搬送するための起立搬送ライン５０が設けられている。 - 特許庁

The first index C1 means the number of overlapping cells in a line direction, in which a plurality of cell lines are aligned.例文帳に追加

第１指数Ｃ１は複数のセル行が並ぶ列方向についてセルの重なり個数を意味する。 - 特許庁

A memory cell consisting of one transistor 8 and one capacitor 9 is connected to the digit line BLT0.例文帳に追加

デジット線ＢＬＴ０に１個のトランジスタ８と１個のキャパシタ９とからなるメモリセルが接続されている。 - 特許庁

A line CCD 61 performs the main scanning of the reading of a film picture in the arraying direction of a CCD cell.例文帳に追加

ラインＣＣＤ６１により、ＣＣＤセルの配列方向にフイルム画像の読み取りの主走査を行う。 - 特許庁

To solve a problem that drain-disturb may occur in a memory cell on the same bit line at the time of writing to a flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの書き込み時、同一ビット線上のメモリセルに対して、ドレインディスターブが発生する。 - 特許庁

The second inverter is responsive to a second data signal provided by the memory cell over the second bit line.例文帳に追加

第２インバータは、第２ビット線に亘ってメモリセルによって提供された第２データ信号に応答する。 - 特許庁

The first inverter is responsive to a first data signal provided by the memory cell over the first bit line.例文帳に追加

第１インバータは、第１ビット線に亘ってメモリセルによって提供された第１データ信号に応答する。 - 特許庁

Further, a well line WL0 is connected to a p type well region in which the memory cell M00 is formed.例文帳に追加

さらに、メモリセルＭ００が形成されたｐ型ウエル領域にはウエル線ＷＬ０が接続される。 - 特許庁

The disclosed is related to a new Felidae cell line which is easily infective with the FIV and the method for using the same.例文帳に追加

本発明はまた、FIV易感染性である新規のネコ科細胞株およびその利用法にも関する。 - 特許庁

The gate line of each cell block edge has an overhang expanded in a direction perpendicular to a longitudinal axis.例文帳に追加

各セルブロックエッジのゲートラインは長手方向軸線に垂直な方向に拡張されたオーバーハングを有する。 - 特許庁

The memory cell of a word line WL1 to which reference voltage is supplied is cut off when write-in.例文帳に追加

この書込みの際に基準電圧が供給されるワード線ＷＬ１のメモリセルがカットオフされる。 - 特許庁

The bit line BL of a memory cell array 11 is selected by a column gate 12 to be connected to a sense amplifier 13.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１のビット線ＢＬはカラムゲート１２により選択されてセンスアンプ１３に接続される。 - 特許庁

The SRAM cell MC1 includes the word lines WLA, WLB and connected with the word line WLA.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルＭＣ１はワード線ＷＬＡ、ＷＬＢを有し、ワード線ＷＬＡが接続されている。 - 特許庁

The SRAM cell MC2 includes the word lines WLA, WLB and connected with the word line WLB.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルＭＣ２はワード線ＷＬＡ、ＷＬＢを有し、ワード線ＷＬＢが接続されている。 - 特許庁

Each of the reading selection gates 65 is disposed outside from the bit line driver 50 for the memory cell array 10.例文帳に追加

読出選択ゲート６５は、メモリセルアレイ１０に対して、ビット線ドライバ５０よりも外側に配置される。 - 特許庁

MEMORY DEVICE EMPLOYING OPEN BIT LINE CELL ARCHITECTURE FOR PROVIDING IDENTICAL DATA TOPOLOGY ON REPAIR, AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

リペアーの際同一のデータトポロジーを有するオープンビットラインセル構造のメモリ装置及びその動作方法 - 特許庁

The two-step word line voltage signal offers a further excellent access obstruction margin to the bit cell 4.例文帳に追加

この２ステップワード線電圧信号は、ビットセル４に対してより良好なアクセス妨害マージンを提供する。 - 特許庁

On a gate of read selection switch SW of the reference cell, a read word line RWL(ref) is connected.例文帳に追加

レファレンスセルのリード選択スイッチＳＷのゲートには、リードワード線ＲＷＬ（ｒｅｆ）が接続される。 - 特許庁

To propose a memory array in which a coupling noise can be prevented to generate in a cell plate voltage line.例文帳に追加

セルプレート電圧線にカップリングノイズが発生するのを回避することのできるメモリアレイを提案する。 - 特許庁

A pad column where a plurality of the pads are arranged is arranged at one side of the bit line direction of the memory cell array.例文帳に追加

複数のパッドが配列されたパッド列は、メモリセルアレイのビット線方向一方側に配置されている。 - 特許庁

EXPRESSION VECTOR AND CELL LINE EXPRESSING VASCULAR ENDOTHELIAL GROWTH FACTOR D, AND METHOD OF TREATING MELANOMAS例文帳に追加

血管内皮増殖因子Ｄを発現する発現ベクターおよび細胞系、およびメラノーマを治療する方法 - 特許庁

The method for retrieving a T-type α1H calcium channel inhibitor using the cell line is also provided.例文帳に追加

該細胞株を使用してＴ−型α１Ｈカルシウムチャンネルの抑制剤を検索する方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor storage device includes an SRAM cell 101 and a word line driver 102.例文帳に追加

本発明に係る半導体記憶装置は、ＳＲＡＭセル１０１とワード線ドライバー１０２とを備えている。 - 特許庁

In a reflective screen, multiple cell elements 6 each having a concave prism shape are arranged in line so that a screen surface is configured.例文帳に追加

反射型スクリーンは、凹プリズム状のセル要素６を複数整列配置してスクリーン面を構成する。 - 特許庁

A moisture supply device 21 to supply moisture to a gas line L of the fuel cell stack S is installed.例文帳に追加

燃料電池スタックＳのガスラインＬに水分を供給する水分供給装置２１を設ける。 - 特許庁