「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory cell array 11 includes a bit line BL (BLT or BLN) to which a plurality of memory cells 21 are connected.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１は、複数のメモリセル２１が接続されたビット線ＢＬ（ＢＬＴ又はＢＬＮ）を有する。 - 特許庁

The correlation value operating device is composed of a DRAM memory cell array 10, a word line driver 12 and a sense amplifier 14.例文帳に追加

相関値演算装置は、ＤＲＡＭメモリセルアレイ１０と、ワード線ドライバ１２と、センスアンプ１４とで構成される。 - 特許庁

To provide a device for easily correcting the displacement of an anode and a cathode, which have been placed in line in an electrolytic cell.例文帳に追加

電解槽に整列させたアノードやカソードの位置ずれを，容易に直すことができる器具を提供する。 - 特許庁

A memory cell changes the potential of a bit line from a pre-charge potential to a discharge potential in accordance with the holding data.例文帳に追加

メモリセルは、保持するデータに対応してビット線の電位をプリチャージ電位から放電電位へ変化させる。 - 特許庁

To provide an embedded bit line type read/program nonvolatile memory cell and an array of the cells capable of achieving high density.例文帳に追加

高密度を実現できる埋込ビット線型読取り／プログラム不揮発性メモリセル及びアレイを提供する。 - 特許庁

Also, the memory cell is provided with a body plate line 106 controlling a potential of a body 105 of the electric field effect type transistor.例文帳に追加

かつ、その電界効果型トランジスタのボディ１０５の電位を制御するボディプレート線１０６を備えている。 - 特許庁

A first memory cell MC111 is disposed on the opposite side of a semiconductor substrate SB of a first line WL11.例文帳に追加

第１のメモリセルＭＣ１１１は、第１のラインＷＬ１１の半導体基板ＳＢと反対側に配されている。 - 特許庁

A second memory cell MC211 is disposed on the opposite side of the semiconductor substrate SB of the second line BL11.例文帳に追加

第２のメモリセルＭＣ２１１は、第２のラインＢＬ１１の半導体基板ＳＢと反対側に配されている。 - 特許庁

To provide a new human antibody structure equipped with a human germ cell line gene structure and derived fragment of the same.例文帳に追加

ヒト胚細胞系遺伝子構造を具えた新規なヒト抗体構造及びその誘導フラグメントの提供。 - 特許庁

To provide a DNA aptamer exhibiting specific bondability to human hepatocellular liver carcinoma cell line HepG2.例文帳に追加

ヒト肝臓がん細胞ＨｅｐＧ２に特異的な結合性を示すＤＮＡアプタマーの提供を目的とする。 - 特許庁

An interlayer dielectric is formed on the memory cell array, and the metal bit line 212 is embedded therein.例文帳に追加

メモリセルアレイ上には層間絶縁膜が形成されており、金属ビット線２１２は、それに埋め込み形成されている。 - 特許庁

To prevent concentration of current to a source line driver in a semiconductor memory provided with a non-volatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルを備えた半導体記憶装置においてソース線ドライバへの電流集中を防止する。 - 特許庁

Thereby, the data are corrected to a correct expected value within the defect of the cell data of 1 bit per 1 word line.例文帳に追加

これにより、通常１ワード線あたり１ビットの本セルデータの不良までなら、正しい期待値に訂正される。 - 特許庁

To provide a semiconductor protection circuit enhancing a degree of freedom in voltage which can be applied to a word line of a memory cell during operation.例文帳に追加

動作時に、メモリセルのワード線に印加できる電圧の自由度を高めた半導体保護回路を提供する。 - 特許庁

Gaps 103 and 104 are formed between a word line W1 of a memory cell transistor and n+ type diffusion regions N21 and N12.例文帳に追加

メモリセルトランジスタのワード線Ｗ_1 とｎ^+ 型拡散領域Ｎ_21，Ｎ_12との間に、隙間１０３，１０４を形成する。 - 特許庁

A first transistor TR2 is provided between a true node A of a SRAM memory cell 102 and the true bit line (BLT).例文帳に追加

第１トランジスタＴＲ２は、ＳＲＡＭメモリセル１０２の真ノードＡと真ビットライン（ＢＬＴ）の間に設けられる。 - 特許庁

Further, a cell separation insulating wall 33 is installed along the central line of the X electrode 22 and the Y electrode 23 in the cells.例文帳に追加

また、セルにＸ電極２２およびＹ電極２３の中心線に沿ってセル分離隔壁３３を設ける。 - 特許庁

A conductor is represented by a line and the face of a cell having a side intersecting that conductor is divided by that conductor.例文帳に追加

導体は線で表現し、その導体が辺を横切るセルの面は、その導体を境にして分割する。 - 特許庁

The plurality of signal-line drawing portions are arranged around the memory cell array and are connected to the plurality of signal lines.例文帳に追加

複数の信号線引き出し部は、メモリセルアレイの周辺に配され、複数の信号線に接続されている。 - 特許庁

The signal control part arranged at one end side of a cell array column performs input and output of a signal to and from the global line.例文帳に追加

セルアレイの列の一端側に配置された信号制御部は、グローバル線に信号を入出力する。 - 特許庁

The conjunctival epithelial cell line expresses an exogenous immortalizing gene.例文帳に追加

本発明は外因性不死化遺伝子を発現し得る結膜上皮細胞株、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An SONOS structure cell is formed by providing a bit-line diffusion layer in shallow trenches in which a conductive film is embedded.例文帳に追加

導電体膜が埋め込まれたシャロートレンチ溝内にビットライン拡散層を設けてＳＯＮＯＳ構造セルとする。 - 特許庁

To write or read a plurality of memory transistors continuing to a word line in parallel in a VG memory cell array.例文帳に追加

ＶＧ型メモリセルアレイにおいて、ワード線に連なる複数のメモリトランジスタを並列に書き込みまたは読み出す。 - 特許庁

In order to operate a bit line in GND-VCC, a back gate voltage of 4 V is applied to a cell well in programming.例文帳に追加

ビットラインをＧＮＤ〜ＶＣＣで動作させるために、プログラム時にセルウェルに４Ｖのバックゲート電圧を印加する。 - 特許庁

Liquid fuel containing hydrazines is supplied to an anode of a fuel cell from one end of a fuel circulation line.例文帳に追加

燃料循環ラインの一端から燃料電池のアノードにヒドラジン類を含む液体燃料が供給される。 - 特許庁

A sense amplifier 30 amplifies a signal read out from the memory cell MC through the bit line BL.例文帳に追加

センスアンプ３０は、この状態のビット線ＢＬを介してメモリセルＭＣから読み出される信号を増幅する。 - 特許庁

The cell line produces a monoclonal antibody reactive with human, monkey, cow, rabbit, sheep, dog, cat, pig and goat LAM-1.例文帳に追加

この細胞系はヒト、サル、ウシ、ウサギ、ヒツジ、イヌ、ネコ、ブタおよびヤギLAM-1 と反応するモノクローナル抗体を産生する。 - 特許庁

CELL LINE PRODUCING HUMAN ANTI-C-REACTIVE PROTEIN MONOCLONAL ANTIBODY, ITS PREPARATION AND MONOCLONAL ANTIBODY例文帳に追加

抗ヒトＣ反応性タンパク質モノクローナル抗体産生細胞ライン、およびその作製方法、ならびにモノクローナル抗体 - 特許庁

ANTI-HUMAN HEMOGLOBIN MONOCLONAL ANTIBODY, CELL LINE PRODUCING THE SAME AND KIT CONTAINING THE SAME FOR DETECTING HUMAN HEMOGLOBIN例文帳に追加

抗ヒトヘモグロビンモノクローナル抗体、およびそれを産生する細胞株またはそれを含むヒトヘモグロビン検出用キット - 特許庁

The power regeneration circuit 10 regenerates the electric power which is accumulated in the bit line of the memory cell array 2 and discharged.例文帳に追加

電力回生回路１０は、メモリセルアレイ２のビット線に蓄積され、放電された電力を回生する。 - 特許庁

To facilitate thickly forming an electrode with a narrow line width, in a method of manufacturing a square solar cell.例文帳に追加

四角形の太陽電池セルの製造において、簡単に線幅の細い電極を厚く形成できるようにする。 - 特許庁

Therefore, each memory cell 10 is erased or programmed according to the voltage applied to each source line SL.例文帳に追加

従って、各メモリセル１０は、それぞれのソース線SLに印加されている電圧に応じてイレース又はプログラムされる。 - 特許庁

Also, the second wiring 82A connects the power source line 11 to the first node 1 of the general-purpose logic cell 60'.例文帳に追加

また、第２配線８２Ａは、電源線１１と、その汎用ロジックセル６０´の第１のノード１とを接続する。 - 特許庁

To provide a multifariously deficient adenovirus vector for gene cloning and expression, and to provide a complementary cell line.例文帳に追加

遺伝子クローニングおよび発現のための多重欠損アデノウイルスベクター系と相補的細胞系を提供する。 - 特許庁

Programming each cell is effected by voltage biasing a common control gate line and source/drain for a sensing transistor 12.例文帳に追加

セルのプログラミングは、共通の制御ゲートラインと、感知トランジスタのソース／ドレインとをバイアスする電圧により行われる。 - 特許庁

This is a monoclonal antibody LA2 against OspA that is secreted from the hybridize cell line ECACC 89091302.例文帳に追加

ハイブリドーマ−セルラインＥＣＡＣＣ８９０９１３０２から分泌された、ＯｓｐＡに対するモノクローナル抗体ＬＡ２。 - 特許庁

While data writing is not performed to the memory cell MC0A, the voltage of the local bit line LBL0 becomes 0V.例文帳に追加

メモリセルＭＣ０Ａにデータ書込が行なわれていない期間にはローカルビット線ＬＢＬ０の電圧は０Ｖになる。 - 特許庁

Data are transferred between registers and between memory cells of the register memory cell array through the internal data bus line.例文帳に追加

内部データバス線を介してレジスタ間データ転送およびレジスターメモリセルアレイのメモリセル間のデータ転送を行う。 - 特許庁

With this cell line, high level enzyme expression is achieved while using a low-protein tissue culture medium of nonanimal resources.例文帳に追加

非動物供給源の低タンパク質組織培養培地を用いつつ、高レベルの酵素発現が達成される。 - 特許庁

A request for reading data stored in a first memory cell connected to a first word line is received (S100).例文帳に追加

第１ワードラインと接続する第１メモリセルに格納されたデータを読み出すための要請を受信する（Ｓ１００）。 - 特許庁

The ReRAM cells M of the semiconductor memory device are each formed at an intersection of and between a bit line BL and a word line WL so that each ReRAM cell M is electrically connected to the bit line BL and the word line WL.例文帳に追加

本発明の実施形態による半導体メモリ装置におけるＲｅＲＡＭセルＭは、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの交差部かつ間に、それらビット線ＢＬとワード線ＷＬとに電気的に接続されるように形成されている。 - 特許庁

When the line switching request receiving part 431 receives the line switching request, an another line instructing part 432 instructs the mobile communication terminal that has transmitted the line switching request on an available base station different from the femto cell base station 400.例文帳に追加

別回線指示部４３２は、回線切換要求受信部４３１にて回線切換要求が受信された場合に、回線切換要求を発した移動通信端末にこのフェムトセル基地局４００とは別の利用可能な基地局を指示する。 - 特許庁

This device is provided with plural bit lines performing delivery and receipt of information with a memory cell, plural word lines WL selecting the memory cell taking out the information to the bit line, and spare word lines SWL relieving the word line connected to the memory cell which cannot take out the information normally.例文帳に追加

メモリセルと情報のやりとりを行う複数のビット線と、このビット線に情報を取り出すメモリセルを選択する複数のワード線ＷＬと、正常に情報を取り出すことができないメモリセルに接続されているワード線を救済するためのスペアワード線ＳＷＬとを具備する。 - 特許庁

While a first magnetic field Hy2 is added to a memory cell, a second magnetic field Hy1 through a word line 14 and a third magnetic field Hx through a bit line 16 are added to a selected memory cell 12, and when the second and third magnetic fields are synthesized, the information of the selected memory cell is switched.例文帳に追加

第１の磁界Ｈｙ２をメモリ・セルに加えている間に、選択されたメモリ・セル１２に、ワード線１４による第２の磁界Ｈｙ１と、ビット線１６による第３の磁界Ｈｘを加え、第２と第３の磁界が合成されたときに前記選択されたメモリ・セルの情報が切り換えられる。 - 特許庁

A NAND-type flash memory device has a memory cell array, divided into many unit memory cell arrays having many memory strings, many word line drivers arranged corresponding to each of unit memory cell arrays, and many source lines selected independently by a word line decoder.例文帳に追加

本発明よるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置は、多数のメモリストリングを各々有する多数の単位メモリセルアレイに分割されたメモリセルアレイと、単位メモリセルアレイ各々に対応して配置された多数のワードラインドライバと、ワードラインデコーダによって独立的に選択される多数のソースラインとを有する。 - 特許庁