「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

It does not need for the trigger component 24 that the word line 26 is maintained at high voltage during the access period of the memory cell 21.例文帳に追加

トリガ部品２４は、メモリセル２１のアクセス期間中にワード線２６が高電圧に維持されることを必要としない。 - 特許庁

The cell stack line 41 is constituted by alternately stacking two or more unit cells 50 and two or more rectangular plate-shaped separators 52.例文帳に追加

セルスタック列４１は、複数の単セル５０と、複数の矩形板状のセパレータ５２とを交互に積層して構成される。 - 特許庁

In a delay line circuit, when coincidence is detected by the third detection part, the delay cell at the returning place is switched.例文帳に追加

遅延ライン回路では、第３の検出部により一致が検出された場合に折り返し場所の遅延セルを切り替える。 - 特許庁

A global write-buffer 12 drives a global data line 13 in accordance with input data <;0>; to be written in a memory cell MC.例文帳に追加

グローバルライトバッファ１２は、メモリセルＭＣに書き込むべき入力データDATA<0>に応じてグローバルデータ線１３を駆動する。 - 特許庁

The mixing tank 27 is arranged in the second internal space and is connected in line with a cathode fuel entrance of the fuel cell module 220.例文帳に追加

混合槽27は、第二内部空間に設置し、燃料電池モジュール220の陽極燃料入口にライン連結している。 - 特許庁

A tunnel magnetoresistive device TMR constituting a MTJ memory cell is connected between a bit line BL and a strap SL.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、ビット線ＢＬとストラップＳＬとの間に接続される。 - 特許庁

A word line driver is provided for accessing a DRAM cell including a p-channel transistor 101 based on a conventional logic process.例文帳に追加

慣用のロジックプロセスによるｐチャネルトランジスタ１０１を含むＤＲＡＭセルにアクセスするためのワード線ドライバを提供する。 - 特許庁

A hydrogen-supply line for supplying hydrogen to a fuel cell stack 1 is sealed in an airtight container 8 together with water.例文帳に追加

燃料電池スタック１に水素を供給する水素供給ラインを水９と共に密閉容器８内に封入する。 - 特許庁

A reference bit line RBL is connected to the reference cell 21, and a precharge voltage is applied thereto when a reading operation is executed.例文帳に追加

リファレンスビット線ＲＢＬは、リファレンスセル２１に接続され、読み出し動作に際してプリチャージ電圧を印加される。 - 特許庁

In a memory cell array 1, a plurality of control areas CA are formed in the direction orthogonal to the direction of extension of a bit line.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、ビット線の延びる方向と直交する方向に複数の制御領域ＣＡを形成する。 - 特許庁

MAMMALIAN CELL LINE SUPPRESSED WITH PRODUCTION OF SECRETION TYPE LEUKOCYTE PROTEASE INHIBITORY PROTEIN, AND METHOD FOR PREPARING AND USING THE SAME例文帳に追加

分泌型白血球プロテアーゼ阻害蛋白の産生を抑制した哺乳動物細胞株、その作製法および利用法 - 特許庁

Back electrodes 140 are arranged on a part of the scribe line 121 and in the plurality of solar cell formation regions 120.例文帳に追加

裏面電極１４０は、スクライブ線１２１上の一部および複数の太陽電池形成領域１２０内に位置する。 - 特許庁

Thus, the plate line of the selected memory cell section 111 only becomes to high level, and all of the other plate lines become to low level.例文帳に追加

これにより、選択されたメモリセル部１１１のプレート線のみがハイレベルになり、他のプレート線はすべてローレベルになる。 - 特許庁

The threshold changing material is programmed to enable access to the core cell based upon a voltage applied to the word line.例文帳に追加

しきい値変化材料は、プログラムされて、ワード線に印加された電圧に基づいてコアセルに対するアクセスを可能にする。 - 特許庁

CELL LINE FOR STABLY EXPRESSING HA-5-HT6R FOR DETECTING SEROTONIN 6 RECEPTOR LIGAND IN HIGH EFFICIENCY例文帳に追加

セロトニン６受容体リガンドの高効率検出のための、ＨＡ−５−ＨＴ６Ｒを安定的に発現する細胞株 - 特許庁

STRUCTURE AND PROCESS FOR 6F2 TRENCH CAPACITOR DRAM CELL HAVING VERTICAL MOSFET AND 3F BIT LINE PITCH例文帳に追加

垂直ＭＯＳＦＥＴおよび３Ｆビット線ピッチを備えた６Ｆ２トレンチ・キャパシタＤＲＡＭセルのための構造およびプロセス - 特許庁

By the method for producing the arterivirus for increasing the yield of the arteivirus, the virulence of the arterivirus is maintained in the green monkey cell line.例文帳に追加

ミドリザル細胞系において、アルテリウイルスのビルレンスは維持され、ウイルスの収率は高まるアルテリウイルスの産生方法。 - 特許庁

To provide a CLL (Chronic lymphocytic leukemia) cell line, CLL-AAT and to prepare an antibody using the same and characterize the same.例文帳に追加

ＣＬＬ株、ＣＬＬ−ＡＡＴならびにこれらの細胞を使用する抗体の調製および特徴づけること。 - 特許庁

It is wired to a periphery of a cell via word lines 56, 57 and a bit line 55, or can be wired thereto.例文帳に追加

それは、語線５６,５７およびビット線５５を介してセル周辺に結線され、あるいは結線することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the resistance of an interconnect line can be prevented from increasing during fabrication process even the memory cell area is reduced.例文帳に追加

メモリセル面積が減少しても製造時における配線抵抗の増大を防止できる半導体装置の提供。 - 特許庁

The bit latch includes circuits (213-215) changing the bit latch from the first state to the second state in accordance with a signal on a corresponding bit line generated in accordance with word line voltage on a selected word line being equal or larger than threshold voltage of a memory cell on a corresponding bit line connected to a selected word line.例文帳に追加

ビットラッチは、選択されたワード線に接続された対応するビット線上のメモリセルの閾値電圧より大きいか等しい選択されたワード線上のワード線電圧に応じて生成された対応するビット線上の信号に応じてビットラッチを第１状態から第２状態に変える回路(213−216)を含む。 - 特許庁

This device is provided with a word line driving circuit 2 driving a word line connected to a memory cell and resetting the word line, and the device is constituted so that a reset level of the word line driving circuit 2 set when reset operation of the word line is performed is switched between a first potential of a ground potential and the like and a second potential of a negative potential and the like.例文帳に追加

メモリセルに接続されたワード線を駆動してワード線をリセットするワード線駆動回路を備え、ワード線のリセット動作を行う際に設定されるワード線駆動回路のリセットレベルを、接地電位等の第１の電位と、マイナス電位等の第２の電位との間で切り替えるように構成される。 - 特許庁

An EEPROM is mounted, the array comprises a plurality of a NROM memory cell, each memory cell is connected to one word line and two word lines, each NROM cell is erasable individually and programmable individually without disturbing a cell being not yet selected.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭアレイも記載され、該アレイは、複数のＮＲＯＭメモリセルを含み、各メモリセルは、１本のワード線および２本のワード線に接続され、各ＮＲＯＭセルは、選択されていないセルをあまり外乱することなく、個々に消去可能であると共に個々にプログラム可能である。 - 特許庁

A memory cell 1 is a nonvolatile memory cell having a single-layer polysilicon structure, and is provided with a selection transistor T1 connected to a word line SWL, a cell transistor T2 connected to the selection transistor T1 in series, and a capacitor C1 connected to a gate of the cell transistor T2.例文帳に追加

メモリセル１は、単層ポリシリコン構造を有する不揮発性のメモリセルであり、ワード線ＳＷＬに接続された選択トランジスタＴ１と、該選択トランジスタＴ１に直列に接続されたセルトランジスタＴ２と、該セルトランジスタＴ２のゲートに接続されたキャパシタＣ１とを備える。 - 特許庁

By heating fuel molecule compounds 2 for the fuel cell in a fuel tank in a heating means 3, the fuel for the fuel cell is discharged from the fuel molecule compounds 2 for the fuel cell, and the fuel for the fuel cell discharged can be taken out from an exhaust line 1b.例文帳に追加

燃料貯槽１内の燃料電池用燃料分子化合物２を加熱手段３で加熱することにより、燃料電池用燃料分子化合物２から燃料電池用燃料を放出させ、放出させた燃料電池用燃料を排出ライン１ｂから取り出すことができる。 - 特許庁

The magnetic resistance memory and its manufacturing method is constituted of the memory cell to store an information, a conductive wire to change a magnetization direction of the memory cell by generating a magnetic field, and at least one magnetic flux concentrating island to concentrate flux onto the memory cell located between the conductive line and the memory cell.例文帳に追加

情報を保存するメモリセルと、磁場を発生させて前記メモリセルの磁化方向を変化させる導電線と、導電線とメモリセルの間に位置してメモリセルに磁束を集中させる少なくとも１つの磁束集束アイランドとを備える磁気抵抗メモリおよびその製造方法。 - 特許庁

This device is provided with two groups of dummy cell columns having respectively fixed dummy cells 21A, 21B and dummy bit lines 13A, 13B, two groups of dummy word lines 12A, 12B accessing respectively each fixed dummy cell 21A, 21B of each dummy cell column, and a dummy cell control circuit 9 selecting dummy word line 12A, 12B.例文帳に追加

それぞれ固定ダミーセル２１Ａ，２１Ｂ及びダミービット線１３Ａ，１３Ｂを有する２組のダミーセル列と、各ダミーセル列の各々の固定ダミーセル２１Ａ，２１Ｂをそれぞれアクセスする２組のダミーワード線１２Ａ，１２Ｂと、ダミーワード線１２Ａ，１２Ｂの選択を行うダミーセル制御回路９とを備える。 - 特許庁

The transmitter receives and stores one or more short cells extracted from multiplexed ATM cells and transmits the short cell when the short cell exists or an idle cell when no short cell exists respectively to the receiver via the serial transmission line.例文帳に追加

前記送信装置は、多重化されたＡＴＭセルより抽出される1個以上のショートセルを受信、記憶を行い、ショートセルが存在する場合に、ショートセルを、また、ショートセルが存在しない場合に、アイドルセルを、それぞれ前記シリアル伝送路を介して、前記受信装置に送信する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit device which can increase the access speed to the memory cell of the memory cell section of a DRAM by reducing the resistance of the bit line or capacity connection of the memory cell section by siliciding the diffusion layer of a logic circuit section in a chip in which the memory cell section and the logic section of a peripheral circuit integrally coexist.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル部と、周辺回路のロジック部とを一体化した混載チップで、論理回路部の拡散層を珪化物化して高速化、高集積化しつつ、メモリセル部のビット線接続や容量接続の抵抗を低減して該セルへのアクセスの高速化を可能にする装置を提供する。 - 特許庁

The boosting voltage of the conductive layer 18 is applied to a non-selective memory cell, and as the memory cell located between the selective memory cell and the bit line has a negative threshold voltage in erasing state, the high-speed transmission of boosting voltage can be accomplished.例文帳に追加

導電層１８の昇圧電圧を非選択メモリセルに伝達し、かつ選択メモリセルとビット線間のメモリセルが消去状態の負のしきい値電圧を有するので、昇圧電圧の伝達を高速に実現できる。 - 特許庁

A second voltage lower than the first voltage is applied to the source of the selected cell and the sources of memory cells that share a bit line with the selected cell, and electrons are injected into the charge storage region of the selected cell to program.例文帳に追加

前記選択セルのソース及び前記選択セルとビットラインを共有するメモリセルのソースに前記第１電圧よりも低い第２電圧を印加して、前記選択セルの前記電荷貯蔵領域に電子を注入させてプログラムする。 - 特許庁

The plurality of second cell surfaces 5 are folded in a state in which the adjacent second cell surfaces 5, 5 are inclined in directions different from each other through a second fold line 6 formed on a boundary between both of the second cell surfaces 5, 5.例文帳に追加

複数の第２セル面５は、互いに隣接する第２セル面5,5同士が、該両第２セル面5,5間の境界に形成された第２折曲線６を介して互いに異なる方向に傾斜した状態に折曲している。 - 特許庁

Furthermore, the solar cell module is formed of a combination of solar cell arrangement patterns line-symmetrical to each other, whereby an electric discharge can be restrained between the solar cells, and a magnetic field induced by a solar cell circuit can also be restrained.例文帳に追加

さらに、線対称性を有する太陽電池配列パターンの組み合わせで太陽電池モジュールを構成することで、太陽電池間の放電を抑制できるとともに、太陽電池回路による磁場発生を抑制できる。 - 特許庁

In the second row, the second cell adjacent to the first power supply cell 20 disposed in the first row and the first power line 62 are not directly connected but are connected via the first power supply cell 20 disposed in the first row.例文帳に追加

第２行において、第１行に配置された第１電源供給セル２０に隣接する第２セルと第１電源配線６２とは、直接接続されず第１行に配置された第１電源供給セル２０を介して接続される。 - 特許庁

To enable a ferroelectric memory device to reduce a cell area more than that of a 2T2C type cell and unnecessitate a reference potential, a cell plate drive line and its drive circuit.例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリ装置において、２Ｔ２Ｃ型セルよりもセル面積を小さくできるとともに、リファレンス電位やセルプレート駆動線とその駆動回路を不要にできるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

If the memory cell transistor is a conducting cell, after electric charges of corresponding bit lines BL0 to BLm are discharged, immediately, read operation and verify operation of a memory cell transistor selected by the word line WLr_i are started.例文帳に追加

もし、そのメモリセルトランジスタがコンダクティングセルの場合には、対応するビット線ＢＬ０〜ＢＬｍの電荷をディスチャージさせた後、直ちに、ワード線ＷＬｒ＿ｉによって選択されるメモリセルトランジスタの、リード動作およびヴェリファイ動作を開始する。 - 特許庁

The cell characteristic inspection circuit 450 is coupled to a sensing line of a page buffer section 420 and outputs a control signal according to a distribution state of the cell using a read-out voltage and a program verifying voltage about a selected memory cell.例文帳に追加

頁バッファ部４２０のセンシングラインに連結され、選択したメモリセルに対して読み出し電圧とプログラム検証電圧を用いてセル分布状態による制御信号を出力するセル特性検査回路４５０を有する。 - 特許庁

In order to attach a coupling member 10 on a frame 5, first, multiple solar cell modules 1 are arranged so that the sides of the multiple solar cell modules 1 make a straight line, and the coupling member 10 is fitted into the frame 5 so that the frame 5 of the two solar cell modules 1 is covered.例文帳に追加

連結部材１０をフレーム５に取付けるには、先ず複数の太陽電池モジュール１の辺を揃えて並べ、２つの太陽電池モジュール１のフレーム５に跨るように、連結部材１０をフレーム５に嵌め込む。 - 特許庁

CDw108 was purified/isolated from a cell lysate of T cell leukemia cell line HPB-ALL by the immunoprecipitation method using anti-CDw108 antibody and the two-dimensional electrophoresis, and the amino acid sequence of the N-terminal peptide consisting of 20 amino acid residues was determined by a peptide sequencer.例文帳に追加

Ｔ細胞白血病細胞株HPB-ALLの細胞溶解液より、抗CDw108抗体を用いた免疫沈降法と二次元電気泳動により精製単離し、ペプチドシークエンサーにてN末端ペプチド20残基のアミノ酸配列を決定した。 - 特許庁

To provide a ferroelectric storage device in which a cell plate line of an adjacent ferroelectric memory cell can be made common without destructing data held in a ferroelectric capacitor in an adjacent non-selection ferroelectric memory cell.例文帳に追加

隣接非選択強誘電体メモリセル内の強誘電体キャパシタに保持されているデータを破壊することなく、隣接する強誘電体メモリセルのセルプレート線を共通にすることができる強誘電体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a hydrogen exhaust device of a fuel cell system enhancing performance and stability of a fuel cell stack by decreasing the hydrogen concentration of hydrogen-containing exhaust gas (anode offgas) exhausted from a hydrogen exhaust line of a fuel cell stack.例文帳に追加

燃料電池スタックの水素排気ラインから排出される水素を含有する排気（アノードオフガス）の水素濃度を低下させ、燃料電池スタックの性能と安定性とを向上させた燃料電池システムの水素排気装置を提供する。 - 特許庁

A main data line MDL_-Rl for read-out is formed on a memory cell array, a main data line MDL_-Aj for automatic write and erasure is formed in a region being apart from the memory cell array, and page read-out substance corresponding to dual work is realized using three layers metal wiring.例文帳に追加

メモリセルアレイ上に読み出し用の主データ線ＭＤＬ＿Ｒｌを形成し、メモリセルアレイから離れた領域にオート用の主データ線ＭＤＬ＿Ａｊを形成し、三層メタル配線を用いてデュアルワーク対応のページ読み出し品を実現した。 - 特許庁

It is confirmed that the expression of RAMP mRNA decline in the skeletal muscle-derived cell line of DMD(Duchenne muscular dystrophy) and BMD (Becker muscular dystrophy) patients compared to human normal skeletal muscle-derived cell line, and it is found that this new gene is useful for diagnosing or treating muscular dystrophy.例文帳に追加

また、ヒト正常骨格筋由来の細胞株に比べDMD患者およびBMD患者の骨格筋由来の細胞株ではRAMP mRNAの発現が低下していることを確認し、本遺伝子が筋ジストロフィーの診断や治療に有用であることを見出した。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes: a first power supply line (VDD); a second power supply line (VSD); a first cell arrangement area (2) in which a first standard cell is provided; and a switch area (4) in which a switching transistor (5) and a decoupling capacitance (6) are arranged.例文帳に追加

第１電源線（ＶＤＤ）と、第２電源線（ＶＳＤ）と、第１スタンダードセルを有する第１セル配置領域（２）と、スイッチトランジスタ（５）とデカップリング容量（６）を有するスイッチ領域（４）とを具備する半導体集積回路を構成する。 - 特許庁

Each one line is connected to each global bit line GB from 128 main bit lines MB shared by memory cell arrays MCA00 and MCA02 and 128 main bit lines MB shared by memory cell arrays MCA01 and MCA03.例文帳に追加

各グローバルビット線ＧＢには、メモリセルアレイＭＣＡ００及びＭＣＡ０２に共有された１２８本のメインビット線ＭＢ並びにメモリセルアレイＭＣＡ０１及びＭＣＡ０３に共有された１２８本のメインビット線ＭＢから１本ずつが接続されている。 - 特許庁