「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a new established cell line of sturgeon origin which is expected to be used for diagnosis of virus infection of sturgeon and the like.例文帳に追加

チョウザメのウィルス感染症の診断などへの利用が期待されるチョウザメ由来の新規な株化細胞を提供すること。 - 特許庁

CANINE KIDNEY-DERIVED SUSPENDIBLE CULTURED CELL LINE AND METHOD FOR PRODUCING VACCINE OR PATHOGENIC MICROBE FOR INFECTION DIAGNOSIS USING THE SAME例文帳に追加

イヌ腎由来浮遊性培養細胞株およびこれを用いたワクチンまたは感染診断用病原微生物の生産方法 - 特許庁

A control gate 37 in a flash memory cell 11 is connected with a word line decoder 12 and a charge-up damage reduction circuit 14A.例文帳に追加

フラッシュメモリセル１１におけるコントロールゲート３７は、ワード線デコーダ１２と、チャージアップダメージ低減回路１４Ａと接続されている。 - 特許庁

A module cell connects in a straight line and serially a plurality of secondary cells 2 by inserting a metal-made dish-shaped connector 1.例文帳に追加

モジュール電池は、複数の二次電池２を、金属製の皿状接続体１を介して直線状に直列に接続している。 - 特許庁

Cell writing is carried out by applying a bias voltage to the common control gate line and source/drain of the sense transistor.例文帳に追加

セルの書き込みは、センストランジスタの共通コントロールゲートライン及びソース／ドレインに電圧のバイアスをかけることによりもたらされる。 - 特許庁

In addition, an antibody produced by a hybridoma cell line FOH1a/DLH3 (acceptance number FERM BP-7171) is especially satisfactorily used in the method.例文帳に追加

また、本発明においてはハイブリドーマセルラインFOH1a／DLH3（受託番号FERM BP-7171）により産生される抗体が特に好適に用いられる。 - 特許庁

To obtain a plotter which is short in pattern forming time and high in cell positioning precision and can accurately plot oblique line graphics.例文帳に追加

パターンの形成時間が短く、セルの位置決め精度がよく、かつ斜線図形に対して正確に描画できる描画装置を得る。 - 特許庁

Since the region S/D becoming the bit line is formed by two steps, its width can be arranged without increasing the cell area.例文帳に追加

ビット線となる領域Ｓ／Ｄを２回に分けて形成するので、その幅をセル面積の増大なく揃えることができる。 - 特許庁

The valve is mounted to the bypass line between the gas supply source and the humidifier, or between the gas supply source and the fuel cell stack.例文帳に追加

バルブは、ガス供給源と加湿器との間で、又は加湿器と燃料電池スタックとの間で、バイパスラインに配置される。 - 特許庁

Purified water is supplied to an electrolytic cell 6 from a purified water storage part 1b through an introduction line changeover valve 15 by using a pump 13.例文帳に追加

ポンプ１３は、浄水貯留部１ｂから導入路切替弁１５を介して電解槽６へ浄水を供給する。 - 特許庁

BASIC CELL, INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT SECTION, INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING SIGNAL LINE OF INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

基本セル、集積回路レイアウトセクション、集積回路レイアウト、集積回路デバイスおよび集積回路の信号線を設計する方法 - 特許庁

This mammalian cell line has a gene modified so as to suppress the production of a secretion type leukocyte protease inhibitory protein.例文帳に追加

分泌型白血球プロテアーゼ阻害蛋白の産生を抑制するように遺伝子が改変されている哺乳動物細胞株。 - 特許庁

Each interconnection line in which the lengths are optimized is ended by the leaf cell in the array, with which the interconnection lines are brought into contact lastly.例文帳に追加

長さを最適化した各相互接続線は、その相互接続線が最後に接触するアレイ内のリーフ・セルで終了する。 - 特許庁

To provide a solid oxide fuel cell system in which pressure change in a fuel line is suppressed by a simple constitution, and which is efficient.例文帳に追加

簡易な構成で燃料ラインの圧力変化を抑制し、効率のよい固体酸化物型燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

A gate of a transistor of a memory cell is formed isolated by an insulating film and is led in the reverse direction of the bit line BL.例文帳に追加

メモリセルのトランジスタのゲートＧａｔｅは、それぞれ絶縁膜で分離形成され、ビット線ＢＬと逆方向に引き出される。 - 特許庁

A memory cell connected to a word line WL2 is in a lock mode state, all correspondent memory cells MC are in a conduction state.例文帳に追加

ワード線ＷＬ２に接続されるメモリセルはロックモード状態にあり、対応のメモリセルＭＣは、すべて導通状態にある。 - 特許庁

To provide a fuel cell system preventing performance drop or water plugging even if an air supply line malfunctions.例文帳に追加

空気供給系に支障が生じても性能低下や水詰まりの発生を防止できる燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device capable of realizing a cell array using a write line extending slantly along an easily magnetized axis.例文帳に追加

磁化容易軸方向に対して斜めに延びる書き込み線を用いたセルアレイを実現可能な磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

Respective word lines are provided with a word line activating circuit 91 having a temporary memory circuit 91a for storing word line non-activation information for non-activating a word line of a defective memory cell and a non-activation address detecting circuit 91b for detecting whether the redundant memory cell is used in accordance with the word line non-activation information and an address specifying signal.例文帳に追加

不良メモリセルのワード線を非活性化するためのワード線非活性化情報を格納する一時記憶回路９１ａと、前記ワード線非活性化情報と前記アドレス指定信号とに応じ、前記冗長メモリセルを使用するか否かを決定する非活性アドレス検知回路９１ｂとを有したワード線活性化回路９１を、各ワード線に対して設ける。 - 特許庁

The semiconductor memory 50 comprises a word line WL, a global bit line GBL, and a local bit line LBL arranged while crossing one another, a memory cell array region 1 containing a plurality of ferroelectric memory cells 3 connected to the word line WL and local bit lines LBL, and a transfer gate transistor 4 arranged at the lower portion of the memory cell array region 1.例文帳に追加

この半導体記憶装置５０は、互いに交差するように配置されたワード線ＷＬとグローバルビット線ＧＢＬおよびローカルビット線ＬＢＬと、ワード線ＷＬおよびローカルビット線ＬＢＬに接続された複数の強誘電体メモリセル３を含むメモリセルアレイ領域１と、メモリセルアレイ領域１の下方に配置されたトランスファゲートトランジスタ４とを備えている。 - 特許庁

When the semiconductor memory is entered to a refresh-mode, a retention time of a memory cell is measured for each word line, a plurality of refresh-periods corresponding to the retention time of the memory cell are set, and the memory cell is refreshed according to the plurality of refresh-periods.例文帳に追加

半導体記憶装置がリフレッシュモードにエントリーされた時、ワード線毎にメモリセルのリテンション時間を測定し、メモリセルのリテンション時間に対応する複数のリフレッシュ周期を設定し、複数のリフレッシュ周期にしたがってメモリセルをリフレッシュする。 - 特許庁

To provide an image input system capable of displaying only a certain required cell image and specifying the cell image by a line number and a string number as is the case with an original table so that an image limited to the certain cell can be obtained.例文帳に追加

本発明の目的は、必要なあるセル画像だけを表示することができ、あるセルに限定した画像が得られるようにセル画像を元の表と同様に行番号と列番号で指定できる画像入力システムを提供することにある。 - 特許庁

The inter-ATM-station trunk 10 is provided with N sets of channel extract/ insertion circuits 101, N sets of communication information cell assembling/ disassembling circuits 102, a common line signal ATM cell assembling/ disassembling circuit 103, and an ATM cell multiplexer/demultiplexer circuit 104.例文帳に追加

ＡＴＭ局間トランク１０は、Ｎ個のチャンネル抽出／挿入回路１０１、Ｎ個の通信情報ＡＴＭセル化／デセル化回路１０２、共通線信号ＡＴＭセル化／デセル化回路１０３及びＡＴＭセル多重分離回路１０４を備える。 - 特許庁

To provide a device for connecting a solar cell substrate, capable of suppressing cracks and warpage of the solar cell substrate and improving the yield, even for a thin solar cell substrate to be warped by its weight in point support or line support.例文帳に追加

点支持や線支持では自重で反りを生じるような薄い太陽電池基板であっても、太陽電池基板の割れや反りの発生を抑制して歩留りを向上させることができる太陽電池基板の接続装置を得るものである。 - 特許庁

The water electrolytic apparatus is provided with a solar cell 12 for supplying DC power to a water electrolytic cell 11, and a rectifier 14 for converting AC power of a line power source to DC power to supply DC power to the water electrolytic cell 11.例文帳に追加

水電解装置は、水電解槽11に直流電力を供給する太陽電池12と、系統電源13の交流電力を直流電力に変換して水電解槽11に直流電力を供給する整流器14とを備えている。 - 特許庁

To obtain the subject cell line by fusing a splenic cell of a mammal immunized with a C-reactive protein(CRP) with a melanoma cell and then by detecting a produced antibody regarding its binding capacity to CRP, a complement and serum amyloid P by an immunity measuring method.例文帳に追加

ヒトＣ反応性タンパク質（ＣＲＰ）の検出に有用な抗ＣＲＰモノクローナル抗体であって、補体Ｃ１ｑおよび血清アミロイドＰとの交叉性が可能な限り低い抗ＣＲＰモノクローナル抗体を効率よく提供すること。 - 特許庁

As a result, different from a case providing one side flow-out port on a side wall or bottom wall of the electric cell 12 or lower of the electrolytic cell 12, stagnant water inside the electrolytic cell 12 is not flown out from the intake pipe line 25 at the time of reverse-voltage cleaning.例文帳に追加

このため、一方の流出口を電解槽１２の側壁及び底壁又は電解槽１２の下方に設けた場合と異なり、逆電洗浄時、取水管路２５から電解槽１２内の滞留水が流出することはない。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the number of memory cells per bit line is increased by dissolving a current of a bit line caused regularly by an off-leak current of a memory cell, enlarging of the scale of a memory cell array is realized, and chip area can be reduced.例文帳に追加

メモリセルのオフリーク電流により定常的に生じるビット線の電流を解消することにより、ビット線あたりのメモリセル数を増加させ、メモリセルアレイの大規模化を実現し、チップ面積の低減が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The gate voltage switch circuit 15 supplies, through a row decoder 20, a word line voltage VWL (= voltage VrtminL) outputted by the data read-out gate voltage generating circuit 70 to a word line WL to which a selection memory cell belonging to a memory cell 30 is connected.例文帳に追加

ゲート電圧スイッチ回路１５は，データ読み出しゲート電圧発生回路７０が出力するワード線電圧ＶＷＬ（＝電圧ＶｒｔｍｉｎＬ）をロウデコーダ２０を介して，メモリセル３０に属する選択メモリセルが接続されているワード線ＷＬに供給する。 - 特許庁

The selection circuit 5 is provided with a first switch for switching between connection and nonconnection of a first bit line pair connected to a memory cell column belonging to the block 7a of the array part 7 to a second bit line pair connected to a memory cell column belonging to a block 7b.例文帳に追加

そして、選択回路５において、アレイ部７のブロック７ａに属するメモリセル列に接続された第１のビット線対を、ブロック７ｂに属するメモリセル列に接続された第２のビット線対に接続するか否かを切り換える第１のスイッチを設ける。 - 特許庁

An antibody specifically binding to cat-originated α1 microglobulin is also provided, preferably, the antibody is produced using a cell line, Mouse-Mouse hybridoma α1-m mAb1 (Acceptance Number: FERM AP-21910), or a cell line, Mouse-Mouse hybridoma α1-m mAb2 (Acceptance Number: FERM AP-21911) with the protein as an antigen.例文帳に追加

ネコ由来α１ミクログロブリンに特異的に結合する抗体であって、好ましくは、本発明のタンパク質を抗原とし、細胞株Mouse-Mouse hybridomaα1-m mAb1（受領番号：FERM AP-21910）または細胞株Mouse-Mouse hybridomaα1-m mAb2（受領番号：FERM AP-21911）により産生されたものである抗体。 - 特許庁

Consequently, defective reading is prevented even if voltage of the non-selection word line of the first cell array is made high and over program is caused, and variation of data is prevented by lowering voltage of the non-selection word line of the second cell array and suppressing read- disturbance.例文帳に追加

その結果，第１のセルアレイの非選択ワード線の電圧を高くして，オーバープログラムが発生してもリード不良を回避するようにし，第２のセルアレイの非選択ワード線の電圧は低くして，リードディスターブを抑制してデータが変化することを回避するようにする。 - 特許庁

The vias of the first multiple via cell section are placed on each of the grid line in the X direction and the grid line in the Y direction, corresponding to the L shape, so that there is not much difference between the spatial conditions in the X direction and the spatial conditions in the Y direction viewed from the first multiple via cell section.例文帳に追加

第１の多重ビアセル部のビアはＬ字状に対応してＸ方向のグリッド線とＹ方向のグリッド線の夫々に載るから、第１の多重ビアセル部から見たＸ方向のスペース条件と、Ｙ方向のスペース条件が大幅に相違しない。 - 特許庁

After that, a current is made to flow from the other side to one side of the word line WLn, and '1' is written in only the memory cell S3 by flowing a current from the other side to one side in only the bit line BLn+1, to which the memory cell S3 in which '1' is desired to write is connected.例文帳に追加

その後、ワード線ＷＬｎには他方から一方にかけて電流を流し、’１’を書き込みたいメモリセルＳ３が接続されているビット線ＢＬｎ＋１だけに他方から一方にかけて電流を流すことにより、メモリセルＳ３だけに’１’を書き込む。 - 特許庁

At the time of reading out the signal of a memory cell, one end of the cell is connected to an input terminal of an inversion amplifier through a signal line SL2, and the other end is connected to the output of the inversion amplifier through a signal line SL1, and signal voltage VBout is obtained from an output of the inversion amplifier.例文帳に追加

メモリセルの信号読み出し時に、セルの一端を信号線SL2を介し反転増幅器の入力端子に接続し他端を信号線SL1を介し反転増幅器の出力に接続して反転増幅器の出力より信号電圧Voutを得る。 - 特許庁

A conductive layer 118 having a coupling suppression function is inserted between the charge storage part 109a of the pixel cell 101a and the output signal line 104b and between the charge storage part 109b of the pixel cell 101b and the output signal line 104a.例文帳に追加

画素セル１０１ａの電荷蓄積部１０９ａと出力信号線１０４ｂとの間、および画素セル１０１ｂの電荷蓄積部１０９ｂと出力信号線１０４ａとの間には、カップリング抑制機能を有する導電層１１８が挿設されている。 - 特許庁

At a 1st addressing stage, the wall charges formed on a discharge cell, of which the 1st XY-electrode line pair is not displayed, are eliminated, and at the same time, the wall charges of the 2nd polarity are formed further around the Y-electrode of the discharge cell of which the 1st XY-electrode line pair is displayed.例文帳に追加

第１アドレス段階では、第１XY電極ライン双の表示されない放電セルに形成された壁電荷が消去されると同時に、第１XY電極ライン双の表示される放電セルのY電極周囲に第２極性の壁電荷がさらに形成される。 - 特許庁

The photomask 3 has a light-shielding section 31 in which a plurality of rectangular projections 31a project at a prescribed interval at the side of a memory cell region 1 from a line 31L set to a boundary line L1 between a memory cell region 1 and a peripheral circuit region 2.例文帳に追加

フォトマスク３は、メモリーセル領域１と周辺回路領域２との境界ラインＬ１に合わせたライン３１Ｌからメモリーセル領域１側に、長方形の凸部３１ａが所定間隔で複数個突出した形状の遮光部３１を有している。 - 特許庁

Specifically, the optoelectronic device comprises light source, a waveguide, and a 1st signal line, and a cell is formed at an intersection between the waveguide and the 1st signal line and the cell comprises a photoactivation switch and an output device.例文帳に追加

具体的には、本発明に係るオプトエレクトロニクス装置は、光源と、導波管と、第1の信号線とから成り、前記導波管及び前記第1の信号線との交点にセルが形成され、該セルは、光活性化スイッチ及び出力装置とから成る事を特徴とする。 - 特許庁

Additionally, the cell chambers of the second line and the first row and the cell chambers in the second line and the 10th row have an external terminal of the aqueous solution secondary battery group 1 doubly working as an external terminal (positive electrode external terminal 6 and negative electrode external terminal 7) of the secondary battery 5 for the travelling vehicle.例文帳に追加

また、前記第２行第１列目のセル室と第２行第１０列目のセル室には、前記走行車輌用二次電池５の外部端子（正極外部端子６と負極外部端子７）を兼ねる水溶液系二次電池群１の外部端子を有している。 - 特許庁

The bit line total current of a cell current and an adjusting current flows in the bit line BL, and a reference line total current of a reference current and the adjusting current flows in the reference line, the current adjusting circuit makes an adjusting current flow in accordance with a reference current value so that current flowing in the reference line RL becomes the same even when the reference current value is varied.例文帳に追加

電流調整回路はリファレンス電流値に応じて、ビット線ＢＬにセル電流と調整電流のビット線合計電流、リファレンス線にリファレンス電流と調整電流のリファレンス線合計電流値が、リファレンス電流値を変えてもリファレンス線ＲＬに流れる電流が同じになるように調整電流を流す。 - 特許庁

Further, the segment to be displayed passes a grating cell 2002 and the intersection 2022 of a line connecting two center points 2011 and 2012 of a grating cell 2001 and an adjacent grating cell 2001 and the segment to be displayed is included in a specified area of the set grating cell 2002, so the grating cell 2002 including this intersection 2022 is set as a grating cell representing the segment to be displayed.例文帳に追加

また、表示すべき線分が格子セル２００２を通過しており、格子セル２００２および隣接する格子セル２００１の二つの中心点２０１１および２０１２を結ぶ線と表示すべき線分との交点２０２２が設定された格子セル２００２の所定の領域に含まれているために、この交点２０２２を含む格子セル２００２が表示すべき線分を表す格子セルとして設定される。 - 特許庁

Until data in a DRAM cell 101 is outputted to a bit line BLT and a sense amplifier circuit 104 is activated, a pre-charge circuit 105 is activated and a bit line BLN and referring potential line 10 of referring potential Vref are made into a conducting state.例文帳に追加

ＤＲＡＭセル１０１内のデータがビット線ＢＬＴに出力されてからセンスアンプ回路１０４が活性化されるまでの間、プリチャージ回路１０５を活性化してビット線ＢＬＮと参照電位Ｖref の参照電位線１０とを導通する。 - 特許庁

The memory element comprises a write line provided on a semiconductor substrate, an oxide film provided on the upper-side surface of the write line, a seed layer which contacts an oxide film, and an MTJ cell which is connected to the upper part of the seed layer and overlaps with the write line.例文帳に追加

半導体基板上に備えられるライトラインと、ライトライン上側表面に備えられる酸化膜と、酸化膜に接触されるシード層と、シード層上部に接続され、ライトラインと重なるＭＴＪセルを含むことを特徴とするメモリ素子である。 - 特許庁

When the data is written, write current is supplied to a selection digit line (DL) by a digit line drive circuit (2), and magnetization direction of a free layer of a memory cell, coupled with the digit line by a current induction magnetic field, is set in the direction opposite to a fixed layer.例文帳に追加

データ書込時、デジット線ドライブ回路（２）により、選択デジット線（ＤＬ）に書込電流を供給し、その電流誘起磁界により、デジット線に結合されるメモリセルの自由層の磁化方向を、固定層と反対の方向に設定する。 - 特許庁