「Cell Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

This Marek's disease vaccine is produced by collecting splenocyte from chickens inoculated with a large quantity of turkey herpes virus(HVT), isolating lymphocyte from the splenocyte, putting the lymphocyte to subculture to establish an established cell line capable of producing HVT, and producing the objective vaccine from the established cell line.例文帳に追加

七面鶏ヘルペスウイルス (HVT)を大量に接種した鶏のひなから脾細胞を採取し、これより分離したリンパ球の継代培養により HVTを産生する株化細胞を樹立し、この株化細胞よりマレック病ワクチンを製造する。 - 特許庁

Consequently, the mesenchymal stem cell line H-01 is not reproducible in confirmatory studies conducted by a person skilled in the art. Therefore, the mesenchymal stem cell line H-01 is not a microorganism that can be produced by a person skilled in the art on the basis of the description in the specification. 例文帳に追加

したがって、当業者が追試をした時に、再現性をもって間葉系幹細胞H01株を取得することはできないので、間葉系幹細胞H01株は明細書の記載に基づいて当業者が製造しうる微生物ではない。 - 特許庁

Signal charge from the charge storage part 109a of the pixel cell 101a is output to the output signal line 104a, and signal charge from the charge storage part 109b of the pixel cell 101b is output to the output signal line 104b.例文帳に追加

画素セル１０１ａの電荷蓄積部１０９ａからの信号電荷は、出力信号線１０４ａに出力され、画素セル１０１ｂの電荷蓄積部１０９ｂからの信号電荷は、出力信号線１０４ｂに出力される。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory that has a function to supply an optimal word line voltage even if cell transistor resistances are not equal by adjusting the word line potentials depending on characteristics of cell transistors to make their resistances equal.例文帳に追加

セルトランジスタの抵抗値が不均一であっても、セルトランジスタの特性に応じてセルトランジスタの抵抗値が一定になるようにワード線電位を調整して、最適なワード線電圧を供給する機能を有する強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To an inverted input terminal of a differential comparator 7, a source of a memory cell to be selected by a Y selector 4 is connected through wiring line 31a, and a source of a reference cell 32 is connected to a non-inverted input terminal through wiring line 31b.例文帳に追加

差動比較器７の反転入力端子には、Ｙセレクタ４によって選択されるメモリセルのソースが配線３１ａを介して接続されており、非反転入力端子には、基準セル３２のソースが配線３１ｂを介して接続されている。 - 特許庁

A plurality of global word lines 20, 21 are disposed in a memory cell of one line of a memory cell array, and each of the global word lines 20, 21 is formed in two wiring layers of upper and lower layers.例文帳に追加

メモリセルアレイの１行のメモリセルに対して複数のグローバルワード線２０、２１を配置し、その各々のグローバルワード線２０、２１を上層及び下層の２つの配線層に形成する。 - 特許庁

A program voltage is applied to the selected word lines and a first voltage is applied to the bit line BL3 connected to the third cell to program the third cell to the PV3 state.例文帳に追加

選択されたワード線にプログラム電圧を印加し、第３セルに連結されたビット線ＢＬ３には第１電圧（例えば０Ｖ）を印加して第３セルをＰＶ３状態にプログラムする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of increasing a processing capacity of a manufacturing line of a solar cell by forming an optical confinement shape and exposing a low-density layer of an impurity in a semiconductor region in one step.例文帳に追加

光閉じ込め形状形成と半導体領域の不純物の低濃度層の露出とを、１工程で行うことで、太陽電池の製造ラインの処理能力を高める。 - 特許庁

The light receiving intensity by each light receiving cell of a line sensor is analyzed by using the hyperbolic second function to determine a position xo in the light receiving cell arrangement direction of the edge of the shielding matter.例文帳に追加

そしてこのハイパボリックセカンド関数を用いてラインセンサの各受光セルによる受光強度を解析し、遮蔽物のエッジの前記受光セルの配列方向における位置ｘｏを求める。 - 特許庁

In the dummy memory cell (DC) 6, a plurality of unit transistors are connected to a dummy bit line DBL so that current capability between the cells is equal to that of the memory cell transistor MC.例文帳に追加

ダミーメモリセル（ＤＣ）６は、複数個の単位トランジスタが、セル同士の電流能力がメモリセルトランジスタＭＣと等価となるようにダミービット線ＤＢＬに対して接続されている。 - 特許庁

This interface circuit 8 has a speed adjustment FIFO 10, a write counter 11, a read counter 13, and an overflow discriminating section 12 and also a transmission line idle cell dummy cell conversion section 16.例文帳に追加

このインタフェース回路８は、速度調整用ＦＩＦＯ１０、ライトカウンタ１１、リードカウンタ１３、オーバフロー判定部１２に加えて伝送路空きセル−ダミーセル変換部１６を有する。 - 特許庁

A storing main body 1, which is a hollow cell structure formed by arranging a hollow cell to individually store the printed incense stick 2 in a parallel line, is contained in a protect case 3.例文帳に追加

印刷された線香２を個別に収納するための中空セルを並列に並べて形成した中空セル構造体である収納主体１を保護ケース３に内包した。 - 特許庁

A source of an adjacent memory cell MC3 is clamped to fixed potential by a second selection transistor TRs4, and 0 v is applied to a source of an adjacent memory cell MC1 by a bit line selection transistor TRd0.例文帳に追加

隣接するメモリセルMC3のソースは、第２の選択トランジスタTRs4によって一定電位にクランプされ、隣接するメモリセルMC1のソースは、ビット線選択トランジスタTRd0によって0vに印加される。 - 特許庁

The voltage control part 14 holds a selected bit line 17s at predetermined voltage or more in which no erroneous writing occurs in an unselected cell 15 during writing in a selected cell 15s.例文帳に追加

電圧制御部１４は、選択セル１５ｓへの書き込み動作時、非選択セル１５に誤書き込みが発生しない所定の電圧以上に選択ビット線１７ｓを保持する。 - 特許庁

The information on the number of times of writing in a memory cell array 101 is read from an address control memory cell 105 by a reading circuit 196, and passed to a word line decoder 103.例文帳に追加

メモリセルアレイ１０１に書き込み動作を行った回数に関する情報を、アドレス制御用メモリセル１０５から読み出し回路１０６により読み出し、ワード線デコーダ１０３に渡す。 - 特許庁

A first dummy memory cell DMC1 storing a first logic and a second dummy memory cell DMC2 storing a second logic being opposite to the first logic are connected to a dummy word line DWL.例文帳に追加

第１論理を記憶する第１ダミーメモリセルＤＭＣ１と、第１論理と反対の第２論理を記憶する第２ダミーメモリセルＤＭＣ２とが、ダミーワード線ＤＷＬに接続されている。 - 特許庁

Measured results are plotted via the SOHs, and are approximated to one broken-line graph to obtain a correspondence correlation data between the open circuit voltage Ec per one cell and the discharge voltage VC per one cell.例文帳に追加

測定結果をＳＯＨを介してプロットし、１本の折れ線グラフに近似して１セル当たりの開回路電圧Ｅｃと１セル当たりの放電電圧Ｖｃとの対応データを得た。 - 特許庁

To enhance durability of metallic piping or the like in a water supply line of a fuel cell power generating system by removing a fluorine component contained in circulation water for cooling of the fuel cell power generating system.例文帳に追加

燃料電池発電システムの冷却用循環水に含まれるフッ素成分を除去して当該システムの送水ラインの金属製配管等の耐久性を向上させる。 - 特許庁

Also, in a selection row, the data is written only to the memory cell corresponding to the selected source line, therefore, the disturbance to the unselected memory cell column can be reduced.例文帳に追加

また、選択行において、選択ソース線に対応するメモリセルに対して、データの書込が行なわれるだけであり、非選択列のメモリセルに対するディスターバンスを低減することができる。 - 特許庁

Therefore, even the short circuiting line 3 arranged on a discharging cell exists, its existence is not periodic so that a shield for the light emission from the discharging cell is hard to identify visually by human eyes.例文帳に追加

これにより放電セル上に配置される短絡線３が存在しても、その存在が周期的ではないので放電セルからの発光の遮蔽は人間の目で視認しにくい。 - 特許庁

When a memory cell MC12 is read out, a discharge transistor selecting circuit 47 discharges selectively a bit line BL2 connected to the memory cell MC12 and two bit lines BL0, BL1 being adjacent to it.例文帳に追加

放電トランジスタ選択回路４７は、メモリセルＭＣ12を読み出す際に、メモリセルＭＣ12に接続されたビット線ＢＬ2とそれに隣接する２本のビット線ＢＬ0,ＢＬ1とを選択的に放電する。 - 特許庁

Thus, a time interval from reading of data from the memory cell to be tested to a bit line to the start of amplifying operation by a corresponding amplifier is made to be constant without depending on the position of the memory cell.例文帳に追加

これにより、試験するメモリセルからビット線にデータが読み出されてから、対応するセンスアンプが増幅動作を開始するまでの時間間隔をメモリセルの位置に依存せず一定になる。 - 特許庁

A flow regulation means 8 is installed in the upstream of the fuel cell 1 and in the downstream of an air compressor 4 in an air feeding line of this fuel cell system FCS.例文帳に追加

燃料電池システムＦＣＳの空気供給ラインにおける燃料電池１の上流側であって、空気圧縮機４の下流側に、流量調整手段８が配設されている。 - 特許庁

The width in gate length direction of a gate electrode 18 in a memory cell is less than a half of a cell pitch C which is the length form the center of a source line connect 31 to the center of a drain contact 32.例文帳に追加

メモリセル内のゲート電極１８のゲート長方向の幅を、ソース線コネクト３１の中心からドレインコンタクト３２の中心までの長さであるセルピッチＣの１／２未満とする。 - 特許庁

The burner 5 is arranged above the upper end of the fuel cell body 1, and the anode off-gas line 2 extends toward the upper side from the upper end of the fuel cell body 1.例文帳に追加

バーナ５は燃料電池本体１の上端部よりも上方に配置されていて、アノードオフガスライン２は燃料電池本体１の上端部から上方に向かって延びている - 特許庁

To provide a more efficient recombinant cell line having low RCA content and producing a replication-defective adenovirus at a production level of e.g. the production of a wild-type adenovirus from 293 cell lines.例文帳に追加

少ないＲＣＡを有し、２９３細胞株からの野生型アデノウイルス産生のような産生レベルで、複製欠損アデノウイルスを産生するより効率的な組換え細胞株を提供する。 - 特許庁

Thus, the cell with the guaranteed minimum cell rate is outputted by connection, even when a large amount of information is inputted temporarily concerning the output of an ATM line.例文帳に追加

これにより、例えばＡＴＭ回線の出力には、一時的に多量に情報が入力されても、コネクション別に最低セルレートが保証されたセルを出力することができる。 - 特許庁

Source/drain regions of cell transistor Mi and an adjacent cell transistor Mi-1 or Mi+1 are electrically connected in common by a column line SDLi or SDLi+1.例文帳に追加

セルトランジスタＭｉと、隣接セルトランジスタＭｉ−１またはＭｉ＋１とは、そのソース・ドレイン領域が、列線ＳＤＬｉまたはＳＤＬｉ＋１により電気的に共通に接続されている。 - 特許庁

The fuel cell power generation system 1 warms the supplied water by exhaust heat from a fuel cell, and supplies it to an uppermost part of the hot water tank 2 through a hot water supply line 12.例文帳に追加

燃料電池発電装置１は、燃料電池からの排熱により供給された水を温水とし、温水供給ライン１２を通じて貯湯槽２の最上部へ供給する。 - 特許庁

To obtain a cell which expresses a fibrillar collagen, to provide a method for human disease treatment using the collagen derived from a stable cell line and to obtain a recombinant procollagen or a recombinant collagen.例文帳に追加

本発明は、繊維性コラーゲンを発現する細胞、及び該安定細胞系由来の該コラーゲンを用いるヒトの病気治療の方法、組換えプロコラーゲンまたは組換えコラーゲンに関する。 - 特許庁

The first switch is brought into conduction for an initial period and is thereafter brought into non-conduction to a bit line shared by the first non-selected multilevel memory cell and the second non-selected multilevel memory cell.例文帳に追加

第１の非選択多値メモリセルおよび第２の非選択多値メモリセルで共有するビット線に対しては、第１スイッチが読み出し期間の初期段階で導通しその後非導通とされる。 - 特許庁

When the fuel cell 50 is in the normal operating state, water within the circulating pipe line 81 is allowed to flow in order of the fuel cell 50, the reformer 40 and the engine 30 to cool them.例文帳に追加

燃料電池５０が定常運転状態のときには、循環管路８１内の水を燃料電池５０，改質器４０，エンジン３０の順に流してこれらを冷却する。 - 特許庁

On the occurrence of a fault in an interface for an active or stand-by system line, no active system cell arrives in a header conversion section 31, but a standby system cell reaches there instead.例文帳に追加

現用系回線または現用系回線インタフェースに障害が発生した場合、ヘッダ変換部３１には現用系セルが流れてこなくなり、代わりに予備系セルが流れてくる。 - 特許庁

The total resistance of bit lines is reduced by making the bit line diffusion layer on which no transistor is formed broader in width or higher in concentration in the flat cell type memory cell area of the semiconductor device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセル領域にてトランジスタを形成しないビット線拡散層を幅広とするか、または拡散層濃度を高くすることにより、ビット線全体としての抵抗を低くする。 - 特許庁

The program current is made to flow forward the second side from the first side so as to cross a bit line connected to the resistive memory cell in the first resistive memory cell block.例文帳に追加

前記プログラム電流は前記第１抵抗型メモリセルブロック内の抵抗型メモリセルに接続されたビットラインを横切るように前記第１側部から前記第２側部に向けて流れる。 - 特許庁

Thereby, on the conveyance line 10 of the bonding device 1000 for the polarizing plate, the liquid crystal cell substrate 1 is conveyed in the direction of extension of short edges of the liquid crystal cell substrate 1.例文帳に追加

これにより、偏光板貼付装置１０００の搬送ライン１０において、液晶セル基板１は、液晶セル基板１の短辺が延びる方向に沿って搬送されることになる。 - 特許庁

Since a data write current in the direction of row is made to flow only in the write digit line corresponding to a selected memory cell block, erroneous write of data in an unselected memory cell can be prevented.例文帳に追加

行方向のデータ書込電流は、選択メモリセルブロックに対応するライトディジット線ＷＤＬのみで流されるので,非選択メモリセルに対するデータ誤書込の発生を抑制できる。 - 特許庁

Furthermore, the CAM cell comprises a pair of comparison circuits for comparing a data value stored in one side of the SRAM cell, with a search data value given on a corresponding search line.例文帳に追加

ＣＡＭセルはさらに、各々が、ＳＲＡＭセルの一方に記憶されたデータ値と対応のサーチ線上に与えられたサーチデータ値とを比較するための１対の比較回路を含む。 - 特許庁

The invention provides a human CD4^-T cell leukemia cell line designated D1.1 (ATCC Accession No. CRL10915), constitutively providing contact-dependent helper function to B cells.例文帳に追加

この発明はまたＢ細胞に接触依存性ヘルパー機能を本質的に付与し得るＤ１．１と呼ばれるＡＴＣＣ受付番号ＣＲＬ１０９１５のヒトＣＤ４^-Ｔ細胞白血病細胞。 - 特許庁

In a re-arrangement process, the multilayer wiring primitive cells extracted in the multilayer wiring primitive cell extraction process are arranged in a line in a cell arranging region along the long side direction of the rectangular partitions.例文帳に追加

再配列工程は、多層配線プリミティブセル抽出工程にて抽出した多層配線プリミティブセルを矩形区画の長辺方向に沿ったセル配置領域に列状に配列する。 - 特許庁

The state of the memory cell M4 is sensed by comparing the potential of the bit line MBL0 connected to the drain of the memory cell 4 with a generated reference potential by a differential sense amplifier 16.例文帳に追加

メモリセルＭ４のドレインに接続されたビット線ＭＢＬ０の電位と、生成されたリファレンス電位とを差動センスアンプ１６で比較することにより、メモリセルＭ４の状態をセンスする。 - 特許庁

When the memory cell S that is deeply depleted by erasing exists, the drain voltage of the memory cell S is raised, by lowering the voltage of the word line to a negative voltage, and the writing is permitted.例文帳に追加

消去時に深くデプリートしたメモリセルＳが存在する場合、ワード線の電圧を負電圧まで下げることにより、メモリセルＳのドレイン電圧が上昇し、書き込みが可能となる。 - 特許庁

To establish a cell line capable of producing an extracellular particle(EP) without containing a nucleocapsid by transducing a part of a virus gene of Japanese B encephalitis into a cell utilizing a gene recombination technique.例文帳に追加

遺伝子組換え技術を利用して日本脳炎ウイルス遺伝子の一部を細胞に導入し、ヌクレオカプシドを含まない細胞外粒子（ＥＰ）を産生する細胞系を確立すること。 - 特許庁

A return hydrogen gas cooling device 8 and a water trapping device 9 are arranged on a recycle line 21 returning and recycling the excessive hydrogen gas exhausted from the fuel cell 4 back to the fuel cell 4.例文帳に追加

燃料電池４から排出された余剰水素ガスを燃料電池４に戻してリサイクルするリサイクルライン21に、リターン水素ガス冷却器８と水落とし装置９を設けた。 - 特許庁

The absorption spectrum of the gas cell is measured while scanning the wavelength and the wavelength of the bright line spectrum of the light source is determined with the absorption wavelength (precise wavelength) of the gas cell as a criterion.例文帳に追加

波長スキャンしながらガスセルの吸収スペクトルを計測し、光源の輝線スペクトルの波長をガスセルの吸収波長（精度よく波長が求まっている）を基準として決定する。 - 特許庁