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First layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24472件
Next, a second insulating layer 3 having a pore 3a is formed on the first insulating layer 1.例文帳に追加
次に、孔部3aを有する第2の絶縁層3を第1の絶縁層1上に形成する。 - 特許庁
A substrate is prepared, and a first insulation layer and a metallic layer are formed on the substrate in this order.例文帳に追加
基板を準備し、第一の絶縁層と金属層をこの順序でその上に形成する。 - 特許庁
A hole 12A is provided to the predetermined position by etching the first conductor layer using the resist layer.例文帳に追加
そのレジスト層を用い、第1の導体層をエッチングして所要の個所に穴12Aを設ける。 - 特許庁
The lower semiconductor layer is a first conductive layer formed on the n-type substrate 101.例文帳に追加
下部半導体層は、n型基板101上に形成された第1導電型の層である。 - 特許庁
Thereafter, the surface of the first doped layer 540a is coated with a second semiconductor layer 550a.例文帳に追加
その後、第1のドーピング層540aの表面を第2の半導体層550aで被覆する。 - 特許庁
The first metal layer contains zinc, and the second metal layer does not contain zinc but contains tin.例文帳に追加
第1の金属層は亜鉛を含有し、第2の金属層は亜鉛を含有せず錫を含有する。 - 特許庁
A semiconductor area 9 is provided between the first clad layer 5 and the second clad layer 7.例文帳に追加
半導体領域9は、第1のクラッド層5と第2のクラッド層7との間に設けられている。 - 特許庁
The first sealing resin layer 4 and the lid 9 are sealed with a second sealing resin layer 10.例文帳に追加
そして、第1封止樹脂層4と蓋体9とを第2封止樹脂層10で封止する。 - 特許庁
Thermal deformation is not generated in the compound semiconductor layer during a formation period of the first layer.例文帳に追加
前記化合物半導体層は、第1の層の形成期間中に熱変形を生じない。 - 特許庁
This semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 20, a first layer 30, and a second layer 40.例文帳に追加
半導体装置1は、半導体基板20と、第1層30と、第2層40とを備える。 - 特許庁
The compound is selectively eliminated from the compound layer 8 so as to form a first metal layer 6a.例文帳に追加
この化合物層8から化合物を選択的に除去し、第1金属層6aを形成する。 - 特許庁
The nitride film layer, the first polysilicon layer and the substrate 100 are etched to form a trench 108.例文帳に追加
窒化膜層、第1ポリシリコン層及び基板100をエッチングしてトレンチ108を形成する。 - 特許庁
The surface of the layer is so flattened that a protruding part 6a of the first nitride gallium layer 6 is exposed.例文帳に追加
次に、第1の窒化ガリウム層6の凸部6aが露出するまで表面を平坦化する。 - 特許庁
An electroluminescent fluorescence material positions between the first dielectric layer and the second dielectric layer.例文帳に追加
エレクトロルミネッセンス蛍光物質は第1誘電体層と第2誘電体層との間に位置する。 - 特許庁
Then a piezoelectric layer 22 is deposited on the first electrode layer 26 by using, for instance, the sputtering method.例文帳に追加
次いで、第1電極層26上に圧電層22を、例えばスパッタリング法を用いて成膜する。 - 特許庁
The first adhesive layer and the second adhesive layer are a vinyl or acrylic polymer.例文帳に追加
第1の接着剤層および第2の接着剤層は、ビニル系またはアクリル系ポリマーである。 - 特許庁
The second layer 52 is doped with Zn up to the same dopant atom concentration, and is in contact with the first layer.例文帳に追加
第2の層(52)も同じドーパント原子濃度までZnでドーピングされ、第1の層と接触している。 - 特許庁
The first layer 12 is formed with a more resistive semiconductor than the front layer of the underlying substrate.例文帳に追加
第1の層12は、下地基板の表層部よりも高抵抗の半導体で形成されている。 - 特許庁
The second electrode layer 5b is formed on the first electrode layer 5a by plating.例文帳に追加
第2の電極層5bは、第1の電極層5a上にめっき法により形成されている。 - 特許庁
The transfer portion 321 includes a first ink design layer 325 and a thermoactive adhesive agent layer 323.例文帳に追加
前記転写部321は、第一のインキデザイン層325及び熱活性接着剤層323を含む。 - 特許庁
The second electrode layer 8b is formed to be set thicker than the first metal layer 8a.例文帳に追加
第二の電極層8bは、第一の金属層8aよりも厚くなるように形成されてなる。 - 特許庁
The external element 11 includes a first electrode layer 51a and a second electrode layer 51b.例文帳に追加
外部電極51は、第1の電極層51aと、第2の電極層51bとを有している。 - 特許庁
A thickness of the first semiconductor layer 12n is smaller than that of the second semiconductor layer 13p.例文帳に追加
第1の半導体層12nの厚みは、第2の半導体層13pの厚みよりも薄い。 - 特許庁
The band gap of the second quantum well layer is larger than the band gap of the first quantum well layer.例文帳に追加
第2の量子井戸層のバンドギャップが該第1の量子井戸層のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁
Further, the first dielectric layer 5a has a larger dielectric constant than the second dielectric layer 5b.例文帳に追加
しかも、第1の誘電体層5aは、第2の誘電体層5bよりも誘電率が高い。 - 特許庁
The second epitaxial crystal layer is composed of the same crystal as that of the first epitaxial crystal layer.例文帳に追加
第2のエピタキシャル結晶層は前記第1のエピタキシャル結晶層と同じ結晶からなる。 - 特許庁
The second ink receiving layer 4b is partially provided to the outside of the first ink receiving layer 4a.例文帳に追加
第二のインク受理層4bは第一のインク受理層4aの外面に部分的に設ける。 - 特許庁
The metal nitride layer contains a metal capable of reducing the first metal oxide layer 15.例文帳に追加
金属窒化物層は、第一の金属酸化物層を還元させることができる金属を含む。 - 特許庁
The second optical wavelength conversion layer 26 is disposed on the first optical wavelength conversion layer 24.例文帳に追加
第2の光波長変換層26は、第1の光波長変換層24の上に設けられている。 - 特許庁
A first gallium nitride-based semiconductor layer 17 covers the whole major surface 15a of an active layer 15.例文帳に追加
第1の窒化ガリウム系半導体層17は、活性層15の主面15aの全体を覆う。 - 特許庁
When the second layer 720 is peeled away from the first layer 710, a flat-shaped photo print is obtained.例文帳に追加
第2層720を第1層710から剥がすと平坦形状のフォトプリントが得られる。 - 特許庁
The air electrode 103 is formed with two layers of a first layer 103a and a second layer 103b.例文帳に追加
空気極103が、第1層103aと第2層103bとの2層から構成されている。 - 特許庁
In this case, the first diffusion layer 12 has conductive type opposite to that of the second diffusion layer 13.例文帳に追加
ここで、第1拡散層12と第2拡散層13は、反対の導電型を有している。 - 特許庁
The first layer part 21 and the second layer part 22 are arranged around the coupling part 31.例文帳に追加
第1層部分21および第2層部分22は、連結部31の回りに配置されている。 - 特許庁
The backing board material is arranged in a first enclosing layer of a wall, and covered with a second enclosing layer.例文帳に追加
細長い下地板材は、壁の第1の包囲層に配置され、第2の包囲層で覆われる。 - 特許庁
The pattern forming layer is disposed on the metal supporting layer and has a first surface with a molding pattern formed thereon.例文帳に追加
パターン形成層は金属支持層上に配置され、第1面に成形パターンが形成される。 - 特許庁
A lamination gate composed of the first conductive layer and second conductive layer is formed on the active region.例文帳に追加
アクティブ領域の上部に第1導電層と第2導電層との積層ゲートを形成する。 - 特許庁
Next, the width of the first layer 102 is made smaller than the width of the second layer 103 by ashing.例文帳に追加
次に、アッシングによって、第1の層102の幅を第2の層103の幅よりも小さくする。 - 特許庁
A semiconductor device comprises a first conductive layer, a second conductive layer, an insulation layer with a connection hole formed between the first conductive layer and the second conductive layer, and a third conductive layer connected to the first conductive layer and the second conductive layer and having at least a part of its end formed inside the connection hole.例文帳に追加
第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層及び第2の導電層の間に形成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第1の導電層及び第2の導電層に接続すると共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第3の導電層と、を有する半導体装置である。 - 特許庁
This layer bond is composed of at least one first conductive layer which faces the power semiconductor component and forms at least one first conductor path, an insulating layer continuous with the first conductive layer by layer bonding, and a second layer which is also continuous with the insulating layer by layer bonding to face the power semiconductor component and forms at least one second conductor path.例文帳に追加
この層結合は、パワー半導体構成要素に面し少なくとも1つの第1導体パスを形成している少なくとも1つの第1導電層と、層結合で連続している絶縁層と、層結合で更に連続しパワー半導体構成要素に対向し少なくとも1つの第2導体パスを形成している第2層とから成っている。 - 特許庁
Moreover, the display device is fabricated so that it has the first electrode layer consisting of an indium-zinc oxide containing silicon dioxide and tungsten oxide, the electroluminescent layer on the first electrode layer, and the second electrode layer on the electroluminescent layer, and so that the electroluminescent layer has a layer that is contacted with the first electrode layer and that contains an organic compound and an inorganic compound.例文帳に追加
また酸化珪素及び酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物からなる第1の電極層と、第1の電極層上に電界発光層と、前記電界発光層上に第2の電極層とを有し、電界発光層は、第1の電極層に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有するように表示装置を作製する。 - 特許庁
An information recording and reproducing device includes: a first electrode layer 13; a second electrode layer 11; a recording layer 12 provided between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 11, and a means to record information by impressing voltage between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 11 to change the resistance of the recording layer 12.例文帳に追加
本発明の例に係る情報記録再生装置は、第1の電極層13と、第2の電極層11と、第1の電極層13と第2の電極層11との間にある記録層12と、第1及び第2の電極層11,13間に電圧を印加して記録層12の抵抗を変化させて情報を記録する手段とを備える。 - 特許庁
In the semiconductor light emitting device having a metal layer, a first cladding layer, a light emitting layer, a second cladding layer and a first electrode layer on the side of the upper surface of a support substrate and having a second electrode layer on the side of the lower surface of the support substrate, the first surface facing the light emitting layer of the metal layer presents a rugged shape.例文帳に追加
支持基板の上面の側に、金属層、第1クラッド層、発光層、第2クラッド層および第1電極層を有し、前記支持基板の下面の側に第2電極層を有する半導体発光素子において、前記金属層の、前記発光層と対向する第1表面が、凹凸形状を呈することを特徴とする。 - 特許庁
In such a semiconductor laser, the difference between the Eg (band gap energy) of the first guide layer 4 and the second guide layer 8 and the Eg of the active layer 6 is made 0.66 times or less of the difference between the Eg of the first cladding layer 3 and the second cladding layer 9 and the Eg of the active layer 6.例文帳に追加
このような半導体レーザにおいて、第1ガイド層4、第2ガイド層8のEg(バンドギャップエネルギー)と活性層6のEgとの差が、第1クラッド層3、第2クラッド層9のEgと活性層6のEgとの差の0.66倍以下となるようにする。 - 特許庁
A first metal layer 5 is formed on the surface of the silicon substrate 2 so that the first metal layer 5 faces a protective layer non-formation area where the protective layer 4 is not formed and a part of the protective layer non-formation area is exposed after the protective layer 4 is pattern-formed.例文帳に追加
シリコン基板2の表面上に、保護層4がパターン形成された後、保護層4が形成されていない保護層非形成領域と対向し、その保護層非形成領域の一部が露出するように、第1金属層5が形成される。 - 特許庁
The antireflection film 100 has a three-layer composition comprising: a substrate 110; a first layer 101 laminated on the substrate 110; a second layer 102 laminated on the first layer 101; and a third layer 103 laminated on the second layer 102.例文帳に追加
反射防止膜100は、基板110と、基板110上に積層された第1層101と、第1層101上に積層された第2層102と、第2層102上に積層された第3層103と、による3層構成になっている。 - 特許庁
The high density thin line mounting structure is provided with a first semiconductor element arranged on a super-thin line circuit layer, an insulating layer on a phase identification plane, an outer layer circuit layer above the first semiconductor element and a solder mask bottom on the outer layer circuit layer.例文帳に追加
本発明高密度細線実装構造は、超細線回路層上に装置される第一半導体素子、相同平面上の絶縁層、該第一半導体素子上方の外層回路層、該外層回路層上のソルダーマスクボトムを含む。 - 特許庁
A basic layer signal storage portion 101, a first extension layer signal storage portion 102 and a second extension layer signal storage portion 103 store a basic layer signal, a first extension layer signal and a second extension layer signal obtained by hierarchically encoding video content.例文帳に追加
基本レイヤ信号記憶部101、第1拡張レイヤ信号記憶部102、第2拡張レイヤ信号記憶部103は、映像コンテンツを階層符号化して得られた基本レイヤ信号、第1拡張レイヤ信号、第2拡張レイヤ信号を記憶している。 - 特許庁
The clad layer 4 is formed by sequentially laminating a first clad layer 4A, a second clad layer 4B and a third clad layer 4C on the optical guide layer, and a periodic uneven plane is formed on a surface of the first clad layer 4A to form a diffraction grating.例文帳に追加
クラッド層4は、第1クラッド層4A、第2クラッド層4B、及び第3クラッド層4Cを光ガイド層上に順次積層してなり、第1クラッド層4Aの表面は周期的な凹凸面を有しており、回折格子が形成されている。 - 特許庁
A structure is adopted in which at least a soft magnetic lining layer 2, an intermediate layer 5, a magnetic recording layer 6, and a first protective layer 7 are sequentially deposited on a nonmagnetic substrate 1, and a liquid lubricant layer 8 is deposited on the first protective layer 7.例文帳に追加
非磁性基体1上に、少なくとも軟磁性裏打ち層2と中間層5と磁気記録層6と第一保護層7とが順に形成された構造を有しており、さらに第一保護層7の上に液体潤滑剤層8が形成されている。 - 特許庁
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