| 意味 | 例文 |
First layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24476件
The three-dimensional nonvolatile semiconductor memory comprises: a memory cell array 2 with multiple memory cells stacked on a semiconductor substrate and multiple first conductive layers connected with the multiple memory cells; a dummy laminate structure 13 with multiple second conductive layers stacked on the semiconductor substrate and surrounds the memory cell array 2; and a metal layer 23A arranged on the memory cell array 2 and the dummy laminate structure 13.例文帳に追加
実施形態に係わる三次元不揮発性半導体メモリは、半導体基板上に積み重ねられる複数のメモリセル及び複数のメモリセルに接続される複数の第1導電層を備えるメモリセルアレイ2と、半導体基板上に積み重ねられる複数の第2導電層を備え、メモリセルアレイ2を取り囲むダミー積層構造13と、メモリセルアレイ2上及びダミー積層構造13上に配置される金属層23Aとを備える。 - 特許庁
This nonvolatile semiconductor storage device has an electrically rewritable memory cell which is composed of a laminated floating gate and control gate on the semiconductor layer, and a plurality of threshold variable pulses having a stepwise high potentials with difference of a first voltage which is required for injecting one electron into the floating gate, are respectively impressed on the control gate of the memory cell during a predetermined period.例文帳に追加
本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートとを積層して構成された電気的に書き換え可能なメモリセルと、前記浮遊ゲートに電子1つを注入するために要する第1の電圧であって、前記第1の電圧の開きをもって段階的に高い電位を有する複数のしきい値変動パルスをそれぞれ一定期間前記メモリセルの制御ゲートに印加することを特徴とする。 - 特許庁
The electrode is formed by covalent bonding of a film of conductive particulate that is selectively formed by one layer on the surface of a wiring end or a lead wire end with a first organic film 21 that is selectively formed on the surface of the wiring end, or at the lead wire end by means of a second organic film formed on the surface of the conductive particulate, and another electrode is provided with different organic films.例文帳に追加
配線端部またはリード線端部の表面に選択的に1層形成された導電性微粒子の膜が配線端部表面またはリード線端部に選択的に形成された第1の有機膜と導電性微粒子表面に形成された第2の有機膜を介して互いに共有結合していることを特徴とする電極およびこれらの有機膜が互いに異なることを特徴とする請求項1記載の電極。 - 特許庁
The free magnetic structure comprises a synthesized anti-ferro magnetic structure (SAF)108 containing two or more ferro magnetic layers in anti-ferro magnetic coupling, and a first bias layer 110 which is coupled to the SAF for preventing decoupling of two or more ferro-magnetic layers in anti-ferro magnetic coupling.例文帳に追加
磁気抵抗素子106は、ピン磁気構造102と、自由磁気構造106と、ピン磁気構造と自由磁気構造との間に結合されているスペーサ層104とを含み、自由磁気構造は、2つ以上の反強磁性結合されている強磁性層を含む合成反強磁性構造(SAF)108と、2つ以上の反強磁性結合されている強磁性層のデカップリングを妨げる、SAFに結合されている第1のバイアス層110とを含む。 - 特許庁
A method of diffusing impurities into crystal silicon particles has process of forming silica glass containing impurities for a second conductive semiconductor on the surface of crystal silicon particles by introducing an impurity gas containing oxygen while inputting a great amount of first conductive crystal silicon particles into a diffusion pipe to make stir and process of forming a second conductive silicon layer by making impurities diffuse on the surface of the crystal silicon.例文帳に追加
結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法は、拡散管内に多数の第1導電型の結晶シリコン粒子を入れて攪拌させながら酸素を含んだ不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子の表面に第2の導電型用の不純物を含有した珪酸ガラスを形成する工程と、結晶シリコン粒子の表面に不純物を拡散させて第2の導電型のシリコン層を形成する工程とを有する。 - 特許庁
The first combustion furnace 1 is equipped with a combustor 2 designed to burn the raw material within the range of about 450 to about 600°C from the lower part of the raw material layer at the bottom of the raw material combustion chamber 10 with the direct fire.例文帳に追加
廃タイヤ等を原料とした廃タイヤ等乾留炭化装置であって、内部が原料燃焼室10に形成された第1燃焼炉1と、内部が生成ガス燃焼室40に形成された第2燃焼炉4がガス通路3を介して連通され、前記第1燃焼炉に、原料燃焼室の底部で原料をその原料層の下部から直火によって略450℃〜略600℃の範囲で燃焼させていくようにした燃焼装置2が設けられている。 - 特許庁
The method for manufacturing the electrophotographic glossy toner comprises a first step of melt-kneading at least a binder resin and yellow, magenta and cyan colorants and then carrying out pulverization and classification to prepare toner base particles, and a second step of melt-kneading at least the toner base particles and the pearl pigment formed by covering the flaky inorganic crystal substrate with the thin layer of titanium dioxide and then carrying out pulverization and classification.例文帳に追加
また、本発明の電子写真用光沢トナーの製造方法は、少なくとも結着樹脂とイエロー、マゼンタおよびシアンからなる着色剤とを溶融混練、粉砕分級してトナー母体粒子を製造する第1工程と、少なくとも前記トナー母体粒子と薄片状無機結晶基質上に二酸化チタンから成る薄層を被覆させたパール顔料とを溶融混練、粉砕分級する第2工程と、からなることを特徴とする。 - 特許庁
An electric field is supplied to the light emitting substance layer through the first electrode and the second electrode so that the light emitting substance layer can emit light.例文帳に追加
基板表面に第1の電極を形成する工程と、前記第1の電極の上層に発光物質層を形成する工程と、前記発光物質層の上に、前記発光物質層から出射した光が透過可能に形成された第2の電極を形成する工程と、前記第2の電極の形成された前記基板表面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を形成する工程に先立ち、前記第2の電極の形成された前記基板表面に、前記発光物質層に到達し得る条件で、前記発光物質層が発光し得る波長の光を照射する光照射工程とを含み、前記第1の電極と前記第2の電極とを介して前記発光物質層に電界を供給し、前記発光物質層を発光させるようにしたことを特徴とする。 - 特許庁
This device is provided with a first optical system equipped with a semiconductor laser 41 and a photodetector 44 to perform signal recording and reproducing on the L0 layer of an optical disk medium 80, and a second optical system equipped with a semiconductor laser 51 and a photodetector 54 to perform signal recording and reproducing on the L1 layer of the optical disk medium 80.例文帳に追加
半導体レーザ41及び光検出器44を有し、光ディスクメディア80のL0層に対して信号の記録再生を行う第1の光学系と、半導体レーザ51及び光検出器54を有し、光ディスクメディア80のL1層に対して信号の記録再生を行う第2の光学系を備え、L0層に対して信号の記録再生を行う時は第1の光学系を使用し、L1層に対して信号の記録再生を行う時は第2の光学系を使用するように切り替えてL0層とL1層間のフォーカスジャンプを行うことにより、複数層を有するディスクメディアの記録再生対象層へのフォーカスジャンプを高速に行って、層切り替え再生を連続的に行うことができる。 - 特許庁
An insulation layer is arranged between the first positive electrode and the second negative electrode.例文帳に追加
しかし、有機EL素子の重ね方によって、陽極電極として使用されるITO等の透明電極はスパッタリング等の方法によって形成されるため、ITO等の透明電極が形成される最中に有機層が傷つけられてしまうという問題が生じる場合があり、また、陰極電極と陽極電極とが接触すると、陰極電極となる材料と陽極電極となる材料との仕事関数の違いから、一方の材料の劣化速度が速まり、寿命が短くなってしまう場合がある - 特許庁
In this method for manufacturing the organic EL element by forming a first electrode, one or more organic layers and a second electrode in order on a substrate, in any process before the film formation of the organic layer after forming a wiring electrode on the substrate, dry ice particles supplied from a dry ice supply means 3 are sprayed onto the substrate 2 together with a transport fluid to clean the substrate 2.例文帳に追加
少なくとも基板上に第1の電極と1層または2層以上の有機層と第2の電極とを順次形成する有機EL素子の製造方法であって、少なくとも前記基板2上に配線電極を形成した後、有機層成膜までのいずれかの工程で、ドライアイス供給手段3から供給されるドライアイス粒子を移送流体と共に基板2上に吹き付けて洗浄を行う有機EL素子の製造方法および装置とした。 - 特許庁
In the backside incident CMOS image sensor; a wiring layer 720 is disposed on a first face (surface) of an epitaxial substrate 710 where a photodiode, reading circuits (n-type region 750 and n+region 760) and the like are arranged; and a light receiving face is disposed at a second face (backside).例文帳に追加
フォトダイオードや読み出し回路(n型領域750、n+型領域760)等を設けたエピタキシャル基板710の第1面(表面)に配線層720を設け、第2面(裏面)に受光面を設けた裏面入射型のCMOSイメージセンサにおいて、フォトダイオード及びその周囲のP型ウェル領域740を基板裏面(受光面)に到達しない層構造で配置し、かつ、基板710中に電場を形成して基板裏面(受光面)から入射した電子をフォトダイオードに適正に誘導するようにした。 - 特許庁
The method of manufacturing organic electroluminescent panels comprises steps of oppositely disposing a first substrate having an anode on it and a second substrate having a cathode on it with their electrode surfaces faced to each other and placing an organic layer between the electrodes, wherein the substrates are bonded together after spray patterns of microencapsulated bonding agent are printed on the laminated surface of at least one of the substrates that has an anode or cathode.例文帳に追加
陽極が形成された第1の基板と、陰極が形成された第2の基板を、互いに電極面を対向させ、電極間に有機層を挟持するよう貼り合せ、形成する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記陽極或いは陰極が形成された、少なくとも一方の基板の貼り合わせ面側に、マイクロカプセル化した接着剤をパターン状に散布した後、貼り合わせることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 特許庁
The dummy pixel is adjacent to the effective pixel row, with array pitches of the first impurity diffusion layer for the effective pixel and dummy pixel being identical each other.例文帳に追加
第1導電型である半導体基板と、前記半導体基板中に設けられた第1導電型とは反対の導電型である第1の不純物拡散層により形成されたPNフォトダイオードと、前記PNフォトダイオードが複数配列された有効画素列と、有効画素とピッチを異ならせたダミー画素を有する測距用固体撮像装置において、前記ダミー画素は前記有効画素列に隣接配置され、有効画素とダミー画素の第1不純物拡散層の配列ピッチが同じになるように配置されていることを特徴とする。 - 特許庁
The manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element includes a first process for forming a dielectric film on a SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor in a pattern shape and a second process for causing the group III nitride semiconductor layer to selectively grow on the SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor by an organic metal chemical vapor growth method, after a reactor is substituted for hydrogen atmosphere.例文帳に追加
本発明のIII族窒化物系半化合物半導体発光素子の製造方法は、SiC基板上またはIII族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する第1工程と、リアクターを水素雰囲気に置換した後、有機金属化学的気相成長法により上記SiC基板または上記III族窒化物系化合物半導体の上にIII族窒化物系半導体層を選択成長する第2工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The encapsulated silica is positive charge type encapsulated silica as an external additive added to toner, and the encapsulated silica is obtained by coating silica particles having an anionic group on the surface with a film comprising a first cation layer derived from a cationic polymerizable surfactant having a cationic group, a hydrophobic group and a polymerizable group, wherein the film has the cationic group originating in the cationic polymerizable surfactant on the side opposite to the silica particle.例文帳に追加
本発明の正帯電性カプセル化シリカは、トナーに添加する外添剤としての正帯電性カプセル化シリカであって、表面にアニオン性基を有するシリカ粒子が、少なくとも、カチオン性基と疎水性基と重合性基とを有するカチオン性重合性界面活性剤から誘導された第1のカチオン層で構成された膜により被覆されたものであり、前記膜は、前記シリカ粒子とは反対側に、前記カチオン性重合性界面活性剤由来のカチオン性基を有することを特徴とする。 - 特許庁
First, when considering the 0.3 mm upper limit for the thickness, the only reason for this upper thickness limit described in the specification of the claimed invention suggests that a thickness of more than the 0.3mm limit is ineffective from the perspectives of oil or grease resistance and abrasion resistance. On the other hand, as there is no reason for an interpretation that the cited invention was assumed to have a polyethylene resin layer being “the ineffective thickness,” it is clear and obvious from the description of the specification of the claimed invention that the upper limit is only a matter of design which a person skilled in the art could appropriately select at the time of implementation. 例文帳に追加
まず、上限の0.3mmについて見ると、本願明細書に記載された限定の理由自体、耐油性、耐摩耗性の観点からは、それより厚くても無駄な厚さであるというにすぎず、他方、引用発明がポリエチレン樹脂層を「無駄な厚さ」とすることを想定していたと解する理由もないから、この上限の点が、当業者が実施に当たり適宜選択し得る設計的事項にすぎないことは、本願明細書の記載自体から明らかというほかはない。 - 特許庁
A circulating magnetic field formed in a circulating magnetic layer can be restrained from decreasing in intensity, and the magnetic sensing layers included in the first and second laminate can be reversely magnetized by a small write current.例文帳に追加
外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、第1の積層体と第2の積層体との間に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配置されると共に、軸方向に沿って複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを有するようにしたので、還流磁性層に形成される還流磁界の強度低下を抑制することができ、より小さな書込電流によって第1および第2の積層体における感磁層の磁化反転を行うことができる。 - 特許庁
Then, a spin-on glass 7 is applied to the recessed and projecting surface of a first substrate 2, and a number of spherical Si consisting of an n-type layer 52 and a p-type part 51 are arranged.例文帳に追加
すなわち、球状または棒状の複数の半導体結晶を、周期的な凹凸構造を持つ第一の基板上に配置された構造を持たせ、該第一の基板に構成された周期的な凹凸構造上に第一の導電層を配置し、該第一の導電層に対し、上記球状または棒状の半導体結晶の一部を電気的に接触させ、該第一の導電層と接触した、球状または棒状の半導体結晶の一部とは異なる部分の半導体結晶の一部に電気的に接触した第二の導電層を配置した構成としている。 - 特許庁
A Young's modulus of the base part of the interlayer is lower than either of Young's modulus of the cured ionizing radiation curable resin forming the first resin layer and Young's modulus of the ionizing radiation curable resin cured by the second ionizing radiation curable resin.例文帳に追加
積層板は硬化された電離放射線硬化型樹脂を含む第1樹脂層と、前記第1樹脂層よりも入光側に配置された第2樹脂層と、前記第1樹脂層および前記第2樹脂の間に配置された中間層とを含み、前記中間層は、樹脂材料からなるベース部のみ、或いは、樹脂材料からなるベース部とベース部中に分散された粒子状成分とからなり、前記中間層の前記ベース部のヤング率は、前記第1樹脂層をなす硬化された電離放射線硬化型樹脂のヤング率および前記第2電離放射線硬化型樹脂硬化された電離放射線硬化型樹脂のヤング率のいずれよりも低い。 - 特許庁
A P dose is lowered so that excess carriers of the first base layer be discharged in a storage period of turn-off.例文帳に追加
本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、第1導電型の第1のベース層21と、第1のベース層の表面に形成された第2導電型の第2のベース層14と、第2のベース層の表面領域に選択的に形成された第1導電型のソース層15と、第1のベース層の表面に対して反対側の裏面に形成された第2導電型のドレイン層31と、第1のベース層、ソース層および第2のベース層から絶縁され、第1のベース層にソース層と第2のベース層との間を導電させるチャネルを形成するゲート電極16とを備え、ターンオフのストレイジ期間に第1のベース層の過剰キャリアが排出されるようにPドーズを低下させていることを特徴とする。 - 特許庁
A light of wavelength λj(j=1-m), corresponding to the mixed crystal ratio xj incident on the outside surface of the m-th mixed crystal layer, is detected and a corresponding voltage Vj across first and second electrodes is output.例文帳に追加
この発明の光検出器は、p形またはn形Si 基板6の一面に第1電極4が形成され、Si基板6の他面にpn接合を有するSi_1-x1Ge_x1第1混晶層7−1がヘテロエピタキシャル成長により形成され、その第1混晶層の上面にpn接合を有するSi_1-x2Ge_x2第2混晶層7−2がヘテロエピタキシャル成長により形成され、同様にして、pn接合を有するSi_1-xjGe_xj第j混晶層(j=1〜m;x1>x2>…>xm)7−jが順に積層され、その第m混晶層の外面の周辺に第2電極5が形成され、その第m混晶層の外面に入射された混晶比xjに対応する波長λj(j=1〜m)の光を検出して、第1,第2電極間に対応する電圧Vjを出力する。 - 特許庁
An oxygen capturing layer comprising a material based on oxygen deficient magnetite is formed to the inner surface of a space permitting the flow of exhaust gas in the first electrode.例文帳に追加
排煙中に含まれるダイオキシンを分解するのに用いられる装置であって、水素イオンのみを、互いに対向する一面側から他面側へと透過させる機能を備えた水素イオン透過層と、この水素イオン透過層の他面側に設けられた、酸素をイオン化する機能を備え、かつ内部を排煙が流動できるよう管状に構成された第1の電極と、前記水素イオン透過層の一面側に設けられた、水素をイオン化する機能を備えた第2の電極と、この第2の電極との間に、水素を流入させるための空隙が形成されるよう設けられた支持体とを具備し、前記第1の電極における排煙が流動する空間の内面には、酸素欠陥マグネタイトを主成分とする材料からなる酸素捕獲層が形成されてなるダイオキシン分解装置。 - 特許庁
The light emission from the light emitting layer is obtained by applying a voltage to the light emitting element so that an energy gap of the second organic compound becomes larger than an energy gap of the light emitting substance, and the potential of the first electrode becomes higher than the potential of the second electrode.例文帳に追加
第1の電極101と第2の電極102の間に、第1の層114と、発光物質を含む第2の層113とを有し、第1の層は、第1の有機化合物と、第2の有機化合物とを有し、第1の層は、第2の層と第2の電極の間に設けられており、第1の層において、第2の有機化合物よりも第1の有機化合物が多く含まれており、第1の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、第2の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、第2の有機化合物のエネルギーギャップは、発光物質のエネルギーギャップよりも大きく、第1の電極の電位が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、発光層からの発光が得られる発光素子を提供する。 - 特許庁
The first electrode 3 is composed of a porous material, on the surface of which an oxygen capturing layer 8 comprising an oxygen deficient magnetite is formed.例文帳に追加
二酸化炭素を分解して、炭素を取り出す装置であって、水素イオンのみを、互いに対向する一面側から他面側へ透過させる水素イオン透過層1と、この水素イオン透過層1の他面側に設けられた、酸素をイオン化する機能を備えた第1の電極3と、この第1の電極3との間に、二酸化炭素を流入させるための空隙4aが形成されるよう設けられた第1の支持体4と、上記水素イオン透過層1の一面側に設けられた、水素をイオン化する機能を備えた第2の電極6と、この第2の電極6との間に、水素を流入させるための空隙7aが形成されるよう設けられた第2の支持体7とを具備し、上記第1の電極3は多孔質材料から構成されてなると共に、その表面には、酸素欠陥マグネタイトからなる酸素捕獲層8が形成されている二酸化炭素分解装置。 - 特許庁
A solder film or special metal solder film is formed on the alignment layer on the counter substrate of the second electrode substrate and on the circuit substrate electrode, and the circuit substrate mounting the first substrate side and the solder film or special metal solder film of the second electrode substrate are connected by a conductive medium.例文帳に追加
複数の画素電極を有する第一電極基板と、該第一電極基板に相対する対向電極を有する第二電極基板を備え、該第二電極基板の対向電極上には非導電性の配向膜が形成され、前記第一電極基板と前記第二電極基板がオフセットされ所定の間隔で貼り合わされた液晶表示パネルを、前記第二電極基板と回路基板の対向する面に有する電極を導電媒体で電気的に接続する液晶表示装置であって、前記第二電極基板の対向電極上の配向膜上及び回路基板電極上にハンダ膜または特殊金属ハンダ膜を形成し、前記第一電極基板側を搭載した前記回路基板電極と前記第二電極基板のハンダ膜または特殊金属ハンダ膜を導電媒体で接続する液晶表示装置とする。 - 特許庁
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