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First layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24476



例文

A plate-like scintillator 71 which is covered with a first protective film 71C and converts a radiated radiation into light and a plate-like TFT substrate 60 which detects the light converted by the scintillator 71 in a state of being stuck to the scintillator 71 are stuck by an adhesive layer 52 having a wider area than a surface stuck to the TFT substrate 60 of the scintillator 71.例文帳に追加

第1保護膜71Cにより覆われており、照射された放射線を光に変換する板状のシンチレータ71と、シンチレータ71に貼り合わされた状態で当該シンチレータ71により変換された光を検出する板状のTFT基板60とを、シンチレータ71のTFT基板60と貼り合わされる面より広い面積とされた粘着層52によって貼り合わせる。 - 特許庁

Since displacement, due to thermal expansion, of an eaves-like part 33a of the support substrate 33 which is not bonded to the reinforcement plate 25 alleviates stress caused by difference between thermal expansion coefficients of the support substrate 33 and the sensor substrate 42, concentration of the stress at an end part of the first adhesion layer 26 and peeling off of the scintillator 34 from a sensor panel 23 can be prevented.例文帳に追加

支持基板33とセンサ基板42との熱膨張係数差により生じる応力は、補強板25に貼り合わされていない支持基板33の庇状部33aの熱膨張による変位によって緩和されるので、当該応力が第1の接着層26の端部に集中してシンチレータ34がセンサパネル23から剥離するのを防止することができる。 - 特許庁

The plasma display component, consisting of a front substrate with bus electrodes formed as a first electrode as well as a rear substrate with address electrodes as second electrodes, barrier ribs, and a phosphor layer formed, has a third electrode formed on the surface and/or the inside of the barrier ribs, and the plasma display uses the same.例文帳に追加

第1の電極としてバス電極が形成された前面基板、ならびに第2の電極としてのアドレス電極、隔壁、および蛍光体層が形成された背面基板からなるプラズマディスプレイ部材であって、隔壁の表面および/または内部に第3の電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイ部材、およびそれを用いたプラズマディスプレイである。 - 特許庁

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第1電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第2電流源とによって表す。 - 特許庁

例文

The method of manufacturing a metal oxide porous membrane incudes a first step of forming a metal oxide layer consisting of a flux containing metal oxide particles and an alkali metal compound on a substrate, a second step of heating and sintering the metal oxide particles at a temperature of a melting point or lower, and a third step of eliminating the flux from the obtained sintered compact.例文帳に追加

金属酸化物粒子とアルカリ金属化合物を含むフラックスからなる金属酸化物層を基板上に形成する第一の工程と、金属酸化物粒子の融点以下の温度で加熱して焼結させる第二の工程と、得られた焼結体からフラックスを除去する第三の工程とを有することを特徴とする金属酸化物多孔質膜の製造方法。 - 特許庁


例文

The passive matrix type or the active matrix type organic thin film light emitting display is provided with first electrodes 2 arranged in a plurality of stripes on a transparent substrate 1, second electrodes 3 arranged along a crossing direction with respect to the electrodes 2 and in a plurality of stripes and at least an organic light emitting layer 4 which is held between the electrodes 2 and 3.例文帳に追加

透明基板1上に、短冊状に配置された複数列の第一の電極2と、第一の電極2と交差する方向に短冊状に配置された複数列の第二の電極3とを有し、第一の電極2と第二の電極3との間に少なくとも有機発光層4を挟持してなるパッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型の有機薄膜発光ディスプレイである。 - 特許庁

A recording thin film 3 is formed between a first electrode 1 and a second electrode 4, and a memory element 10 contains any one from among elements Cu, Ag and Zn with its size as 70 nm or less, at a layer 2 containing at least oxygen and rare earth in the recording thin film 3 that is within or adjacent to the recording thin film 3.例文帳に追加

第1の電極1と第2の電極4との間に記憶用薄膜3が挟まれて構成され、この記憶用薄膜3に少なくとも酸素と希土類元素とを有して成り、記憶用薄膜3内もしくは記憶用薄膜3と接している層2に、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれ、素子サイズが70nm以下である記憶素子10を構成する。 - 特許庁

The method includes steps of: decoding data of an HARQ procedure corresponding to a current TTI (Transmission Time Interval) ; delivering the data to an upper layer reordering entity and reporting an ACK (positive acknowledgement) corresponding to the data when the data are successfully decoded; and assuming data stored in a first soft buffer corresponding to the current TTI as decoded successfully.例文帳に追加

方法は、現TTI(送信時間間隔)に対応するHARQプロシージャのデータを復号する段階と、データが正常に復号された場合、データを上位層プロトコルエンティティーに送信し、データに対応するACK(肯定応答)を返信する段階と、現TTIに対応する第一ソフトバッファに保存されるデータを、正常に復号されたものとみなす段階とを含む。 - 特許庁

The organic thin-film transistor gate insulation layer material contains : a polymer compound (A), having a repeating unit having a group containing fluorine atoms, a repeating unit having a photodimerization reactive group, and a repeating unit having a first functional group which generates a second functional group to react with active hydrogen by the action of electromagnetic waves or heat; and an active hydrogen compound (B).例文帳に追加

本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位と、電磁波もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する第1の官能基を有する繰り返し単位とを、有する高分子化合物(A)、及び活性水素化合物(B)を含有する。 - 特許庁

例文

The gasification furnace system is equipped with a gasification furnace 20, a reforming furnace 30 and a char gasification/combustion furnace 40, wherein as a catalyst layer of the reforming furnace, first catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of a generated gas from the gasification furnace is endothermic and second catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of the generated gas is not endothermic are alternately layered in the gas flow direction.例文帳に追加

ガス化炉20、改質炉30、およびチャーガス化/燃焼炉40を備えたガス化炉システムにおいて、改質炉の触媒層として、ガス化炉からの生成ガスの反応が吸熱を伴う触媒を充填した第一の触媒層と、当該生成ガスの反応が吸熱を伴わない触媒を充填した第二の触媒層をガス流方向に交互に充填する。 - 特許庁

例文

In the belt for shoe press formed in an endless state with an elastic material, a plurality of water draining grooves are formed in a circumferential direction of the belt on the surface on outer peripheral surface side of a first elastic layer and the depths of the water draining grooves are gradually increasing from a center part of a pressurizing region to the end of the pressurizing region.例文帳に追加

弾性材料によってエンドレスに形成されたシュープレス用ベルトにおいて、上記第一弾性層の外周面側の表面に上記シュープレス用ベルトの周方向に沿って複数の排水溝が形成されており、上記排水溝の深さがシュープレス用ベルトの加圧領域中央部から加圧領域端部にかけて漸増しているシュープレス用ベルトであることを特徴としている。 - 特許庁

A multi-layer coating process for a bulky granular material includes a step in which the wet material is obtained, a step in which the material is mixed in advance with the first coating agent supplied in the form of powder, and a step in which the mixture is introduced into the inlet end of a spiral passage in a rotating drum.例文帳に追加

バルクの粒状材料の多層被覆工程であって、湿った状態の粒状材料のバルクを入手すること、粉末化形態で提供された第1の被覆剤と、粒状材料を前以て混合すること、及び次に、前以て混合された材料を、回転しているドラム内の螺旋巻き路の入り口末端中に導入すること、の段階を含んでなる方法。 - 特許庁

A semiconductor constituent body 4 called CSP is provided on the upper surface of a base plate 1 provided with upper wiring 2 and lower wiring 3, an insulating layer 16 like a square frame is formed therearound, then first and second upper re-wirings 20 and 24 are formed thereon, and a solder ball 27 is provided on the connection pad of the second upper re-wiring 24.例文帳に追加

上層配線2および下層配線3を有するベース板1の上面にはCSPと呼ばれる半導体構成体4が設けられ、その周囲には矩形枠状の絶縁層16が設けられ、それらの上には第1、第2の上層再配線20、24が設けられ、第2の上層再配線24の接続パッド部上には半田ボール27が設けられている。 - 特許庁

The electrochemical device is made of a first electrode and a second electrode and an ion conductor clipped by these both electrodes, and the ion conductor is made of an ion exchange membrane 1 which has a metal porous membrane 3 of Ti or the like that is surface-coated at least partly by the insulating protection layer 2 and in which the ion exchange resin 4 of Nafion or the like is filled in this porous membrane 3.例文帳に追加

第1極と、第2極と、これらの両電極間に挟持されたイオン伝導体とからなり、前記イオン伝導体が、絶縁性保護層2により少なくとも一部が表面被覆されたTi等の金属多孔質膜3を有し、この多孔質膜3にナフィオン等のイオン交換樹脂4が充填されているイオン交換膜1からなる、電気化学デバイス。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a semiconductor substrate 10 having an element forming region 12 containing impurities of a first conductivity type; a gate electrode 15 formed on the element forming region 12 with a gate insulating film 14 interposed therebetween; and a silicon mixed crystal layer 22 formed outside the gate electrode 15 in the element forming region 12 and containing impurities of a second conductivity type.例文帳に追加

半導体装置は、第1導電型の不純物を含む素子形成領域12を有する半導体基板10と、素子形成領域12の上にゲート絶縁膜14を介在させて形成されたゲート電極15と、素子形成領域12におけるゲート電極15の外側方に形成され、第2導電型の不純物を含むシリコン混晶層22とを備えている。 - 特許庁

Preferably, before the start of the first step, a gas containing nitrogen and/or oxygen is supplied to the catalyst layer.例文帳に追加

第1工程:該固定床の触媒層に水蒸気を供給する工程 第2工程:第1工程の後に、水蒸気の供給に加えて、塩化水素を供給する工程 第3工程:第2工程の後に、水蒸気および塩化水素の供給に加えて、酸素を供給して反応を開始する工程 第1工程の開始前に触媒層へ窒素および/または酸素を含有するガスを供給することが好ましい。 - 特許庁

In a method of manufacturing the vertical power element on a silicon wafer, a second-conductivity lightly-doped epitaxial layer having such a thickness that can withstand the maximum voltage impressed upon the power element during operation is formed on the upper surface of a first-conductivity heavily-doped substrate and at least one area corresponding to the power element is divided by insulating walls in the wafer.例文帳に追加

シリコンウェハーの上に垂直パワー素子を製造する方法に関し、第1導電形の重くドープした基板の上表面に第2導電形の軽くドープしたエピタキシャル層を成長させ、該エピタキシャル層はパワー素子の動作中に印加される最大電圧に耐える厚さを有し、ウェハーの中に少なくとも1つのパワー素子に対応する領域を絶縁壁により区切る。 - 特許庁

The thermal transfer image receiving sheet is obtained by a method wherein an ink receiving layer forming solution having a first constituent of the polyester resin, a second constituent of a curing agent for curing the polyester resin, a third constituent of a silica made hydrophobic, a fourth constituent of a hydrophobic ethyl cellulose and a fifth constituent of a solvent is applied on the surface of the substrate and dried.例文帳に追加

熱転写基板の表面にインク受容層を設けた熱転写受像シートにおいて、第1成分がポリエステル樹脂、第2成分がポリエステル樹脂を硬化させるための硬化剤、第3成分が疎水化したシリカ、第4成分が疎水性のエチルセルロース及び第5成分が溶剤からなるインク受容層形成溶液を基板表面に塗布、乾燥して得られる熱転写受像シート。 - 特許庁

The filter is obtained by joining the first and second parallel flat plates with an adhesive layer in such a manner that the antireflection film and the band pass filter film form outer faces and that the two film planes form a specified inclination angle.例文帳に追加

上面に反射防止膜を形成した第1の平行平面板と、下面にバンドパスフィルタ膜を形成した第2の平行平面板とから成り、前記反射防止膜とバンドパスフィルタ膜それぞれが外面を形成するとともに、当該2つの膜面が所定の傾斜角度を形成するように前記第1及び第2の平行平面板を接着層を介して接合したことを特徴とする光バンドパスフィルタ。 - 特許庁

Infrared rays emitted from an inner lid 4 are detected by an infrared sensor 8, it is provided with a sensor base material 20, a first thermal element 22, a second thermal element 23 and an infrared reflecting layer 25 for reflecting the infrared rays facing the second thermal element 23, and the infrared sensor 8 of the configuration is arranged inside a lid equipped with the inner lid 4.例文帳に追加

赤外線センサ8で内蓋4より放射される赤外線を検出するようにし、これはセンサ基材20と、第1の感熱素子22と、第2の感熱素子23と、第2の感熱素子23に相対して赤外線を反射する赤外線反射層25とを有するとともに、これら構成の赤外線センサ8を、内蓋4を装備した蓋内に配置したものである。 - 特許庁

In the transparent conductive laminate in which a transparent conductive layer is formed on at least one side of a transparent polymer substrate, the transparent polymer substrate contains an aliphatic polyester resin (A component) and a compound (C component) including at least a cyclic structure which has one carbodiimide group in which the first nitrogen and the second nitrogen are bonded by a bonding group.例文帳に追加

透明高分子基板の少なくとも一方の面に透明導電層が形成されてなる透明導電性積層体において、前記透明高分子基板が脂肪族ポリエステル系樹脂(A成分)とカルボジイミド基を1個有しその第一窒素と第二窒素とが結合基により結合されている環状構造を少なくとも含む化合物(C成分)を含む。 - 特許庁

A gas turbine engine 10 is provided with at least one airfoil 50 including the first side 64 and the opposite second side 66, at least one capillary 84 positioned adjacent to at least one of the external surfaces 88 of aerofoil, and at least one composite layer 90 securing the at least one capillary to the at least one aerofoil.例文帳に追加

ガスタービンエンジン(10)は、第1の側部(64)および相対する第2の側部(66)を有する少なくとも1つのエーロフォイル(50)と、少なくとも1つの前記エーロフォイルの外面(88)に隣接して配置された少なくとも1つの毛細管(84)と、少なくとも1つの前記毛細管を少なくとも1つの前記エーロフォイルに固定する複合材層(90)と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 8 which is made to have a nitride series compound semiconductor, a hole 11 of a recessed part which is made of a pit or a crack which exists in one principal surface 12 of the semiconductor substrate 8, a first electrode 3 formed on the one principal surface of the semiconductor substrate 8, and a high resistive layer 10 arranged at the recessed part of the hole 11.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体を有してなる半導体基板8と、半導体基板8の一方の主面12に存在するピット又はクラックからなる凹形状部位である穴部11と、半導体基板8の一方の主面に形成されている第1電極3と、穴部11の凹形状部位に配置されている高抵抗層10とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In an electrode forming step, in forming a p-type ohmic electrode composed of a metal film comprising a Pd film and a Ta film by successive lamination of the Pd film which is a first p-type ohmic electrode 10 and the Ta film which is a second p-type ohmic electrode 11 on a p-type GaN contact layer 7, the metal film is formed to include an oxygen atom.例文帳に追加

電極形成工程において、p型GaNコンタクト層7上に、第1p型オーミック電極10であるPd膜および第2p型オーミック電極11であるTa膜を順次形成して、Pd膜およびTa膜から成る金属膜で構成されるp型オーミック電極を形成するとき、金属膜中に酸素原子が含まれるように金属膜を形成する。 - 特許庁

To provide a color filter for semi-transmissive liquid crystal display devices, which has a level difference between a transmissive display area and a reflective display area and has a first alignment control projection having a desired height and a not roughened surface formed on a color pixel for transmissive display and has a second alignment control projection having a desired height and a not roughened surface formed on a transparent resist layer.例文帳に追加

透過表示領域と反射表示領域に段差があっても、透過表示の着色画素上には所望する高さを有し、表面荒れのない第一配向制御突起が、透明レジスト層上には所望する高さを有し、表面荒れのない第二配向制御突起が形成された半透過型液晶表示装置用カラーフィルタを提供すること。 - 特許庁

This manufacturing method contains a step in which the impurities are selectively introduced at a first concentration, into a region for nonvolatile memory cells 20R and a region for the electrostatic discharge damage countermeasure transistors 10R in the semiconductor substrate 1, and thereby the tunnel diffusion layer 24 is formed; and at the same time, a source region 11 and a drain region 12 of the electrostatic discharge damage action transistor are formed.例文帳に追加

この製造方法は、半導体基板1において不揮発性メモリセル用領域20Rおよび静電破壊対策トランジスタ用領域10Rに第1濃度で不純物を選択的に導入することによって、トンネル拡散層24を形成し、同時に静電破壊対策トランジスタのソース領域11およびドレイン領域12を形成する工程を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the glass optical device includes obtaining the optical device by annealing the press molded product obtained by press molding a glass base material having a core part comprising optical glass (first glass) having ≥550°C Tg and a covering part covering the surface of the core part and comprising second glass into a lens shape, and removing the covering layer existing on the surface of the press molded product.例文帳に追加

転移点が550℃以上である光学ガラス(第一のガラス)からなる芯部と、前記芯部の表面を被覆する第二のガラスからなる被覆部とを有するガラス素材をレンズ形状にプレス成形して得られたプレス成形品をアニールし、次いで、プレス成形品の表面にある被覆層を除去してガラス光学素子を得ることを含む、ガラス光学素子の製造方法。 - 特許庁

The second metallized pattern 12 is partially provided to the outer edge 11a of the first metallized pattern 11 by which a ceramic board 2 can be more firmly bonded to the metallized layer 10, and the ceramic board 2 mounted with an electronic part 100 is hermetically sealed with the lid member by which the ceramic part 100 can be made to operate normally and stably for a long term.例文帳に追加

第2のメタライズパターン12を第1のメタライズパターン11の外縁部11aに部分厚付けすることにより、セラミック基板2とメタライズ層10との間の接合強度が向上され、蓋部材3により電子部品100を搭載しているセラミック基板2を気密に封止し、電子部品100を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。 - 特許庁

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon.例文帳に追加

絶縁樹脂上にある金属箔8を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが2.0μm以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴10を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has the steps of: introducing a second p type impurity into an n well containing a gate electrode and the resistance element to form a p channel type MOSFET and adjust the resistance value of the resistance element; and introducing a third n type impurity into an upper layer electrode of a capacity element containing a first p type impurity to convert into an n type.例文帳に追加

ゲート電極を含むnウエルと抵抗素子とに第二p型不純物を導入してpチャネル型MOSFETの形成と抵抗素子の抵抗値の調整とをそれぞれ行う工程と、第一p型不純物を含有する容量素子の上層電極に第三n型不純物を導入してn型に変換する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

A filter 3, 4 is constituted by a layered structure successively laminating a heater 32 consisting of a heat resistant metal wire extended substantially in parallel, a first/second ceramics non-woven fabric 33 and 35 laminating a heat resistant ceramics fiber at random, a catalytic layer 34 arranged between these non-woven fabrics to include a catalyst reducing a temperature of combustion, and a wire net 36 weaving a heat resistant metal wire.例文帳に追加

フィルタ3,4は,実質的に平行に延びている耐熱性金属線から成るヒータ32,耐熱性のセラミックス繊維がランダムに積層された第1と第2のセラミックス不織布33と35,それらの間に配設された燃焼温度を低減させる触媒を含んだ触媒層34,及び耐熱金属線を網み込んだ金網36を順次積層した積層構造に構成されている。 - 特許庁

It also has a capacity element 20 having a lower electrode 21 formed as a part of the first wiring pattern 14, and a capacity insulating film 22 and an upper electrode 23 formed on the lower electrode 21 one by one; and a protection film 24 covering the capacity insulating film 22, the upper electrode 23, and a part of the lower electrode 21, and covered by the second insulating layer 13.例文帳に追加

また、第1の配線パターン14の一部として形成された下部電極21、並びに、下部電極21上に順次に形成された容量絶縁膜22及び上部電極23を有する容量素子20と、容量絶縁膜22及び上部電極23と下部電極21の一部とを覆い、且つ、第2の絶縁層13によって覆われる保護膜24とを備える。 - 特許庁

When the dielectric ceramic powder is calcined, the first additive diffused in the surface layer of the composition powder effects to inhibit solid solution of the second additive, so that the core-shell structure composed of the core part where the second additive is not diffused and the shell part where the second additive is diffused, can be surely achieved the particle of the sintered body.例文帳に追加

この誘電体セラミック原料粉末を焼成したとき、基本組成物粉末の表面層に拡散された第1の添加成分は、第2の添加成分の固溶を抑制するように作用し、得られた焼結体の個々の粒子において、第2の添加成分が拡散していないコア部と第2の添加成分が拡散しているシェル部とからなコアシェル構造を確実に実現することができる。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1.例文帳に追加

シリコン半導体による受光センサ部1を有する固体撮像装置であって、受光センサ部1の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第1導電型のウエル領域13の受光面側にβ−FeSi_2等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層20を設ける。 - 特許庁

The subassembly 20 is provided with a plurality of solar battery cells 21, first and second light-transmissive plate-shaped resin members 24 and 23 respectively positioned on the light receiving surface sides and no-light receiving surfaces sides of the solar battery cells 21, and a light-transmissive packed layer 25 which is positioned between the resin members 23 and 24 to seal the solar battery cells 21.例文帳に追加

太陽電池モジュールサブアセンブリ20は、複数の太陽電池セル21と、この太陽電池セル21の受光面側に位置する透光性の第1板状樹脂部材24および非受光面側に位置する透光性の第2板状樹脂部材23と、これら板状樹脂部材23,24の間に位置し、太陽電池セル21を封止する透光性の充填層25とを備える。 - 特許庁

The rotating operation containing a first process, in which the reducing treatment is performed at several times of circulations while laying the agglomerate on the rotary furnace hearth together with the rotation of the rotary furnace hearth, and the agglomerate is successively layered, and a second process, in which the layered agglomerate is carried out of the rotary hearth furnace, layer by layer, is performed.例文帳に追加

回転床炉の回転炉床上に、回転炉床を回転させつつ回転床炉内に酸化鉄原料を含む塊成物を装入して層状に敷設し、回転炉床を回転させながら酸化鉄の還元処理を行い、還元された塊成物を回転床炉外へ搬出する、回転床炉による還元鉄製造方法において、回転炉床の回転と共に回転炉床上に塊成物を敷設しつつ還元する処理を複数周回行い、塊成物を順次積層させる第1工程と、積層された塊成物を段階的に回転床炉外に搬出する第2工程とを含む、回転の操業を行う。 - 特許庁

This laser semiconductor device where clad layers 110, 108, and 104 and an active layer 106 are provided on a semiconductor substrate 101 is equipped with a superlattice structure film where a plurality of semiconductor layers having compression strain and pull strain, namely, first and second semiconductor layers 1091 (p-type ZnTe) and 1092 (p-type AlAsP) are laminated.例文帳に追加

半導体基板101上にクラッド層110,108,104および活性層106を設けて構成されるレーザ半導体装置に、圧縮歪みと引っ張り歪みを有する複数の半導体層を積層して構成される超格子構造膜、即ち、第1の半導体層1091(p型ZnTe)と第2の半導体層1092(p型AlAsP)を積層して構成される超格子構造膜を備える。 - 特許庁

At least one of the regulating members is formed of a film 68, 69 for shielding light generated from the surface of the first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

第1導電型半導体層12に所定の深さの複数の第2導電型半導体領域が複数の発光部21として形成され、1又は2以上の前記発光部21に隣接して設けられ、該発光部21から放射される光の量を調整する調整部材32,68,69を有し、該調整部材の少なくとも一つが前記第1導電型半導体層の表面から発生する光を遮る遮光膜68,69で形成されている。 - 特許庁

The ink jet nozzle comprises a first step for forming an electrically insulating resist pattern 2a on an electroforming supporting substrate 1, a second step for electroforming a basic body of nozzle 3 on the electroforming supporting substrate 1, and a third step for forming an ink repellent treatment layer 4 on the basic body of nozzle 3 by ink repellent surface treatment while connecting the electroforming supporting substrate 1 with the basic body of nozzle 3.例文帳に追加

本発明のインクジェットノズルの製造方法は、電鋳支持基板1上に電気絶縁性のレジストパターン2aを形成する第1の工程と、電鋳により電鋳支持基板1上にノズル基体3を形成する第2の工程と、電鋳支持基板1とノズル基体3を接続したまま撥インク表面処理によりノズル基体3上に撥インク処理層4を形成する第3の工程とを有する。 - 特許庁

The light emitting device has a thin film transistor comprising a semiconductor layer having a source, drain and channel regions and a gate electrode, an insulating film disposed on the gate electrode, and a light emitting element on the insulating film, wherein the thin film transistor and a current supply line are electrically connected by a connection wire disposed on the insulating film and made of the same material as a first electrode.例文帳に追加

ソース、ドレインおよびチャネル領域を有する半導体層と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上の発光素子とを有する発光装置であって、絶縁膜上に設けられた、第1の電極と同一材料でなる接続配線によって、薄膜トランジスタと電流供給線との電気的な接続をとることを特徴とする。 - 特許庁

Since the RIE process is ended when the first and second RIE stopper layers 36 and 42 located at the substantially same height are exposed, variation in height of the upper surface of a lamination 22 and the upper surface of a region where the bias layer 41 is formed to spread to the opposite sides thereof can be reduced and variation in distance between shields can be reduced as compared with prior art.例文帳に追加

このRIE工程を、ほぼ同じ高さ位置にある第1のRIEストッパ層36と第2のRIEストッパ層42が露出したときに終了することで、積層体22の上面と、その両側に広がるバイアス層41が形成されている領域の上面との高さ寸法のばらつきを小さくでき、従来に比べて、シールド間距離のばらつきを小さくすることが可能である。 - 特許庁

This canister 1 is constituted by filling activated carbon A (5a) having much adsorbing amount of the evaporated fuel and weak holding force in a first adsorbing material layer 7 of the canister 1 and filling activated carbon B (5b) having middle adsorbing amount of evaporated fuel, weak holding force and thereby having a characteristic having little remaining amount of low boiling point component in evaporated fuel after purging.例文帳に追加

キャニスタ1の第1吸着材層7には、蒸発燃料の吸着量が多く保持力が弱い活性炭A(5a)を、第2および第3吸着材層8a,8bには、蒸発燃料の吸着量は中くらいで保持力が弱い、そのためパージ後における蒸発燃料中の低沸点成分の残存量が少ない特性を有する活性炭B(5b)を充填してキャニスタを構成する。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing polarized substrates for a laminated electric double layer capacitor comprises a first printer 22 having a gravure cylinder surface 3 for printing a continuous belt shape of a conductive coating material 21 on one surface of an aluminum foil 20, and a second printer 23 having a gravure cylinder surface 12 for printing a rectangular shape of the conductive coating material 21 on the other surface of the aluminum foil 20.例文帳に追加

アルミ箔20の一方の面に、連続した帯状に導電性塗料21を印刷するグラビア版3を有する手段としての第一印刷装置22と、アルミ箔20のもう一方の面に、長方形状に導電性塗料21を印刷するグラビア版12を有する手段としての第二印刷装置23と、を備える積層型電気二重層キャパシタの分極基材の製造装置。 - 特許庁

In this surface treated steel excellent in weather resistance whose surface is provided with a coating layer of a butyral resin containing inorganic compounds in the range of150 wt.% to the solid content of the resin, one kind among the inorganic compounds is a first effective component consisting of a heteropoly acid of a chemical formula containingtwo kinds among phosphorous, molybdenum, vanadium, silicon and tungsten or the salts thereof.例文帳に追加

鋼材表面上に、無機化合物を総量で樹脂固形分に対し150 重量%以下の範囲で含有するブチラール樹脂の被覆層を有してなる表面処理鋼材であって、前記無機化合物のうち1種が、リン、モリブデン、バナジウム、珪素、タングステンのうち2種以上を含む化学式になるヘテロポリ酸あるいはその塩類からなる第1の有効成分である耐候性に優れる表面処理鋼材。 - 特許庁

To reliably realize the stably fixed state of a touch panel 30 to a liquid crystal display panel 10 without causing bubbles between the touch panel and the liquid crystal display panel 10, in a liquid crystal display wherein the liquid crystal display panel 10 and the touch panel 30 wherein a gas layer 34 is disposed between first and second two transparent sheets 31 and 32 are stuck to each other by using an adhesive.例文帳に追加

液晶表示パネル10と、第1および第2の2枚の透明シート31,32間に気体層34が配置されてなるタッチパネル30とを、接着剤により互いに貼り合わせるようにした液晶表示装置において、タッチパネルと液晶表示パネル10との間に気泡を生じさせずに、液晶表示パネル10に対するタッチパネル30の安定した固定状態を確実化できるようにする。 - 特許庁

The cathode used in the lithium secondary battery contains 5 to 75 parts by mass each of a first and a second cathode active materials as complex oxides of two kinds of spinel structure with different kinds of constituent elements with lithium and manganese as essential ingredients, and 15 to 45 parts by mass of a third cathode active material as an oxide of a layer structure containing lithium and nickel.例文帳に追加

リチウムとマンガンを必須成分とし、構成する元素の種類が異なる二種類のスピネル構造の複合酸化物である第一の正極活物質、第二の正極活物質のそれぞれを、5質量部から75質量部と、リチウムとニッケルを含有し層状構造の酸化物である第三の正極活物質を15質量部から45質量部とを含む正極およびそれを用いたリチウム二次電池。 - 特許庁

An electronic apparatus 1 has: a semiconductor chip 10 having a function region 10a at a desired position; a wiring board 30 bonded with the semiconductor chip 10 mechanically and electrically in a form of lamination layer; at least one first junction member 50 that bonds the semiconductor chip 10 and the wiring board 30; and a second junction member 70 that bonds the semiconductor chip 10 and the wiring board 30.例文帳に追加

電子装置1は、所望する位置に機能領域10aを有する半導体チップ10と、半導体チップ10と機械的且つ電気的に積層状に接合する配線基板30と、半導体チップ10と配線基板30とを接合する少なくとも1つの第1の接合部材50と、半導体チップ10と配線基板30とを接合する第2の接合部材70と、を具備する。 - 特許庁

To provide a delivery slip which is two-ply delivery slip consisting of the lower layer slip paper and upper one, wherein a part or design not be altered individually is printed beforehand, which is easy to be used for circulation enterprisers, or users of the delivery slip, and is easy to be checked for customers, and wherein all the information can be checked efficiently at a first glance, with cost reduction and environmental protection.例文帳に追加

本発明は、下層伝票用紙と上層伝票用紙との二枚重ねの配送伝票であって、個別に変更する必要のない箇所やデザインを予め印刷しておき、配送伝票を使用する流通事業者にとっては使い易く、お客様にとっては見易く、あらゆる情報を効率的に一覧で得られるようにした配送伝票を提供して、コスト削減と環境保護を図る。 - 特許庁

The metal membrane formed on a substrate, the layer of a first fixing agent provided in order to fix a target molecule on the metal membrane which is constituted of a compound having the region bonded to a metal and a second fixing agent, and that of a second fixing agent which has a functional group bondable to a target and an alkylene glycol chain for obstructing non-specific adsorption, are formed to the measuring chip for the surface plasmon resonance sensor.例文帳に追加

基板上に形成された金属薄膜と、該金属薄膜上にターゲット分子を固定化するために設けられた、金属及び第二の固定剤と結合する部位を有する化合物からなる第一固定剤と、ターゲットと結合可能な官能基と非特異吸着阻止のためのアルキレングリコール鎖を持つ第二固定剤の層を表面プラズモン共鳴センサー用測定チップに形成させた。 - 特許庁

例文

An acoustic signal processing apparatus includes: a first assignment part for assigning ch to each of ch strips of an operating block based on selected layer information; a group creating part for creating a group comprised of the plurality of ch; a designation part for designating an operating block for deployment; and a second assignment part for assigning a plurality of ch of a deployment-instructed group to ch strips of the operating block designated by the designation part.例文帳に追加

選択されたレイヤ情報に基づいて操作ブロックの各chストリップへのchの割当を行う第1割当部と、複数のchから構成されるグループを作成するグループ作成部と、展開用の操作ブロックを指定する指定部と、展開指示されたグループの複数chを前記指定部により指定された操作ブロックの各chストリップに割り当てる第2割当部を備える。 - 特許庁




  
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