「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(487ページ目) - Weblio英語例文検索

The metal membrane formed on a substrate, the layer of a first fixing agent provided in order to fix a target molecule on the metal membrane, which is constituted of a compound having the region bonded to a metal and a second fixing agent, and that of a second fixing agent which has a functional group bondable to a target and that of a hydrophilic side chain are formed to the measurement chip for the surface plasmon resonance sensor.例文帳に追加

基板上に形成された金属薄膜と、該金属薄膜上にターゲット分子を固定化するために設けられた、金属及び第二の固定化剤と結合する部位を有する化合物からなる第一固定化剤と、ターゲットと結合可能な官能基と親水性側鎖を有する第二固定化剤の層を表面プラズモン共鳴センサー用測定チップに形成させた。 - 特許庁

Thus, the optical pickup 7 can generate a reaction caused by an excited state absorption by second and succeeding pulses P2 to P4 while keeping the excited state of a recording material M which is generated by two-photon absorption of a first pulse P1 in the neighborhood of a focus F of the light beam L, and therefore a recording mark RM can be formed on a recording layer 101 in an extremely short period of time.例文帳に追加

これにより光ピックアップ７は、光ビームＬの焦点Ｆの近傍で、最初のパルスＰ１の２光子吸収により生じた記録材料Ｍの励起状態を維持したまま２番目以降のパルスＰ２〜Ｐ４により励起状態吸収による反応を生じさせることができるので、極めて短い時間で記録層１０１に記録マークＲＭを形成することができる。 - 特許庁

The wavelength conversion layer 12 is in a film shape for covering upper and side faces of the light-emitting element 11, the light-transmitting member 14 is made of a material having a refractive index to the first-wavelength light larger than that to the second-wavelength light, and an outer wall surface of the light-transmitting member 14 includes a recessed light refraction surface 16 at a position opposing the surface of the light-transmitting element 11.例文帳に追加

波長変換層１２は発光素子１１の上面及び側面を覆う膜状であり、透光性部材１４は、第１波長の光に対する屈折率が第２波長の光に対する屈折率よりも大きい材料で構成されており、透光性部材１４の外壁面は、発光素子１１の面に対向した位置に凹状の光屈折面１６を有する。 - 特許庁

The liquid crystal display element has a second liquid crystal layer formed to be brought into contact with the same electrode keeping a third liquid crystal for selecting and reflecting a second wavelength band, and a fourth liquid crystal for selecting and reflecting a third wavelength band different from the first wavelength band and the second wavelength band, and allowing a threshold voltage required for drive to differ from the third liquid crystal arranged in a pixel unit.例文帳に追加

液晶表示素子は、第二波長帯域を選択反射する第三液晶と、第一波長帯域及び第二波長帯域とは異なる第三波長帯域を選択反射し、駆動に要する閾値電圧が第三液晶とは異なる第四液晶とが、画素単位で配置される同一の電極に接して形成される第二液晶層を有する。 - 特許庁

On a second active region 10b of the semiconductor substrate 10, a second transistor of a second conductivity type is formed which includes a second gate insulating layer 13b containing the high dielectric material and a second metal, a second conductive film 18b consisting of the same material as the first conductive film 18a, and a second gate electrode 30b which has a second silicon film 19b.例文帳に追加

半導体基板１０の第２の活性領域１０ｂ上には、高誘電体材料と第２の金属とを含有する第２のゲート絶縁膜１３ｂと、第１の導電膜１８ａと同一の材料からなる第２の導電膜１８ｂと第２のシリコン膜１９ｂとを有する第２のゲート電極３０ｂとを備えた第２導電型の第２のトランジスタが形成されている。 - 特許庁

When materials constituting the interface between the heterogeneous materials can have a plurality of crystal structures or chemical compositions in the interface, a crystal phase stabilizing structure suppresses a change in a crystal phase by substituting atoms which are not contained in any of the materials constituting the interface for atoms of a fraction of a unit cell of a thickness-direction first layer of the heterogeneous-material interface.例文帳に追加

結晶相安定化構造は、異種材料界面において、界面を構成する材料が、複数の結晶構造あるいは化学的組成を持ちうる場合、該材料の界面の厚み方向の第一層目の単位胞において、その一部の原子を、前記界面を構成するいずれの材料にも含まれない原子によって置換することによって結晶相の変化を抑制する。 - 特許庁

The first memory cell array contains a lower electrode 38 formed in a striped shape, an upper electrode 36 formed in the striped shape in the direction crossed with the electrode 38, the ferroelectric capacitors 34 arranged at least at the crossed section of the electrode 38 and the electrode 36, and a buried insulating layer 32 formed between the mutual capacitors 34.例文帳に追加

第１メモリセルアレイは、ストライプ状に形成された下部電極３８と、下部電極３８と交叉する方向にストライプ状に形成された上部電極３６と、下部電極３８と、上部電極３６との、少なくとも交叉部分に配置される強誘電体キャパシタ３４と、強誘電体キャパシタ３４の相互間に形成された埋め込み絶縁層３２とを含む。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises a connection target including at least one of an electrostatic protection element and an input/output circuit element, two or more elements selected from one or more power supply wire and one or more pad, a plurality of wires formed on the same layer, a first contact for electrically connecting at least one wire among the plurality of wires with the connection target.例文帳に追加

半導体集積回路装置は、静電気保護素子及び入出力回路素子のうちの少なくとも１つを含む接続対象と、１以上の電源配線及びパッドから選択される２以上の要素と、同一層に形成された複数の配線と、複数の配線のうちのいずれか１つの配線と、接続対象とを電気的に接続する第１コンタクトと、を備える。 - 特許庁

Further, the semiconductor storage has a third contact plug 17, so formed extendedly through between the first and second upper-layer insulating hydrogen barrier films 15a, 15b present in the interlayer insulating film 16 as not to come into contact it with the films 15a, 15b, and as to connect its lower end with the top surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１６における第１の上層絶縁性水素バリア膜１５ａと第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ｂとの間を貫通して延びると共に、第１及び第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ａ及び１５ｂと接触しないように形成されており、下端が半導体基板１の上面と接続する第３のコンタクトプラグ１７とを備える。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence display device having a gas vent groove through which residual gas is discharged on a pixel definition film at the top part of a first electrode to prevent malfunction that a donor film is not transcribed to a transcription area due to condensed gas remaining in the pixel in case that a luminous layer is formed with the laser transcription process when manufacturing the organic electroluminescent display device.例文帳に追加

有機電界発光表示装置の製造に際して，発光層をレーザ転写法で形成する場合，画素の内部に残留する凝縮ガスに起因して，転写領域にドナーフィルムが転写されない不良を防止するために，第１電極の上部の画素定義膜に，残留ガスが排出されるガスベント溝が形成された有機電界発光表示装置を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor device where a plurality of IC chips of different function are contained in a single package with the surface layer of each IC chip being applied with a metal coating is mounted on the first surface of a printed board and a ground pattern is formed directly under a semiconductor device on the second surface of the printed board while facing respective IC chips individually.例文帳に追加

単一のパッケージ内に機能の異なる複数のＩＣチップを収納するとともに、前記パッケージ内の各ＩＣチップの表層面を金属コーティングして成る半導体装置を、印刷基板の第１の面に装着し、この印刷基板の第２の面における前記半導体装置の直下に、前記各ＩＣチップに対向してそれぞれ個別に接地パターンを形成する。 - 特許庁

The semiconductor photo detector 1 for generating carriers in response to incident light comprises: a substrate 2 that has a surface M1 and a surface M2 and includes a pn junction 31 provided on the first substrate M1; an underlayer 4 provided on at least one of the surfaces M1, M2; and a noble metal layer 5 provided on the underlayer 4.例文帳に追加

入射光に感応してキャリアを発生する半導体光検出器１であって、表面Ｍ１及び表面Ｍ２を有しており第１の表面Ｍ１に設けられたｐｎ接合部３１を含む基体２と、表面Ｍ１又は表面Ｍ２の少なくとも一方の表面上に設けられた下地層４と、下地層４上に設けられた貴金属層５とを備える。 - 特許庁

The magnetic recording medium is characterized in that a magnetic recording layer formed by mixing and reacting the magnetic fine particles coated with a first reactive organic film and the magnetic fine particles coated with a second reactive organic film are covalently bonded to a medium base body via a third reactive organic film formed on the surface of the medium base body.例文帳に追加

第１の反応性を有する有機膜で覆われた磁性微粒子と第２の反応性を有する有機膜で覆われた磁性微粒子を混合反応させて形成された磁気記録層が媒体基体表面に形成された第３の反応性を有する有機膜を介して媒体基体と共有結合していることを特徴とする磁気記録媒体を特徴とする。 - 特許庁

In making this pouch for a retort, a laminated material is made in a bag shape laminating a first barrier base material provided with an inorganic oxide deposited film and a gas barrier coated film at least on one side of a base film, a second barrier base material provided with an inorganic oxide deposited film on one side of a base film, and a heat seal resin layer.例文帳に追加

少なくとも、基材フィルムの一方の面に無機酸化物の蒸着膜とガスバリア性塗布膜とを設けた第１のバリア性基材と、基材フィルムの一方の面に無機酸化物の蒸着膜を設けた第２のバリア性基材と、ヒ−トシ−ル性樹脂層とを積層した積層材を製袋してなることを特徴とするレトルト用パウチに関するものである。 - 特許庁

The photoresponse electrode is provided with a transparent conductive membrane 3 and a compound electrode 2 which is installed at least on one face side of the transparent conductive membrane 3 and in which a first conductive polymer and a dye are mutually covalent-bonded, and a conductive layer 5, containing a second conductive polymer, is provided between the compound electrode 2 and the transparent conductive membrane 3.例文帳に追加

本発明は、透明導電膜３と、透明導電膜３の少なくとも一方の面側に設けられ、第１導電性高分子及び色素が互いに共有結合して成る複合高分子を含む複合電極２とを備え、複合電極２と透明導電膜３との間に、第２導電性高分子を含む導電層５を備えた光応答電極である。 - 特許庁

The electrical double layer capacitor 100 includes a protective film 140 with characteristics of impermeability of a electrolyte and ions, disposed in only a first space between a separator 130a located at such a position as to face a cathode side tab member 128a and an anode side electrode body 120b located at such a position as to face the cathode side tab member 128a through the separator 130a.例文帳に追加

陰極側タブ部材１２８ａに対向する位置に位置するセパレーター１３０ａと、陰極側タブ部材１２８ａにセパレーター１３０ａを介して対向する位置に位置する陽極側電極体１２０ｂとの間の第１間隙のみに、電解液及びイオンを通過させない性質を有する保護フィルム１４０が配設されてなる電気二重層キャパシター１００。 - 特許庁

In a stacked capacitor 100, an internal electrode layer 7 includes a first internal electrode 20 and a second internal electrode 30, and each internal electrode 20, 30 includes an active electrode portion 21, 31 of a fixed width positioned far from an end face and a lead electrode portion 22, 32 of a fixed width narrower than the active electrode portion 21, 31 and positioned near to the end face.例文帳に追加

本発明に係る積層コンデンサ１００は、内部電極層７が第１の内部電極２０と第２の内部電極３０とを含み、かつ、各内部電極２０、３０が、端面から遠い側に位置する同幅の活性電極部２１、３１と、活性電極部２１、３１より幅狭であり、端面に近い側に位置する同幅の引出電極部２２、３２とを含む。 - 特許庁

The electrooptical element wherein an electrooptical material is interposed between a pair of substrates disposed opposite to each other is provided with a gate line formed on one substrate, a plurality of auxiliary capacitance lines formed in the same layer as the gate line, separated from each other and formed by using a first metal thin film and collectively drawing lines separated from the plurality of auxiliary capacitance lines.例文帳に追加

電気光学素子では、対向配置された一対の基板間に電気光学材料が挟持されており、一方の基板上に形成されたゲート配線と、ゲート配線と同一層で形成され、互いに分離された第１の金属薄膜で形成された複数の補助容量配線と、複数の補助容量配線と互いに分離されている集合引出し配線とを備える。 - 特許庁

The first memory cell array 30 includes a lower electrode 36 formed into a stripe shape, an upper electrode 38 formed in a stripe shape in a direction intersecting the lower electrode 36, a ferroelectric capacitor 34 arranged at the intersecting portion of the lower electrode 36 and the upper electrode 38, and an embedded insulation layer 32 formed between the ferroelectric capacitors 34.例文帳に追加

第１メモリセルアレイ３０は、ストライプ状に形成された下部電極３６と、下部電極３６と交叉する方向にストライプ状に形成された上部電極３８と、下部電極３６と、上部電極３８との、少なくとも交叉部分に配置される強誘電体キャパシタ３４と、強誘電体キャパシタ３４の相互間に形成された埋め込み絶縁層３２とを含む。 - 特許庁

The invention also provides a device for measuring deformation, which device comprises the first alumina coating 30 obtained by atmospheric thermal spraying onto the silicon carbide layer covering the substrate of the part after it has been treated by superposing laser impacts, a free filament strain gauge 40 placed on the coating 30, and an additional alumina coating obtained by atmospheric thermal spraying onto the strain gauge.例文帳に追加

本発明はまた、変形を測定する装置を提供し、装置は、レーザー衝突を重ねることによって処理された後、部品の基材を被覆する炭化ケイ素層上の、常圧溶射によって得られた第１のアルミナコーティング（３０）と、コーティング（３０）上に置かれたフリーフィラメントひずみゲージ（４０）と、ひずみゲージ上への常圧溶射によって得られたさらなるアルミナコーティングと、を含む。 - 特許庁

A potential slope provided at a position adjacent to floating diffusion in the horizontal charge transfer path and having a declining potential for transferring the electric charge in the path to the floating diffusion is formed by additional ion implantation, to sequentially get from a low concentration to a high concentration after a first layer electric charge transfer electrode is formed, thereby performing ion implantation with good controllability.例文帳に追加

水平電荷転送路中のフローティングディフュージョンと隣接する位置に設けられ、水平電荷転送路中の電荷をフローティングディフュージョンに転送するための下り勾配のポテンシャルを有するポテンシャル傾斜部を、第１層電荷転送電極の形成後に、低濃度から順次高濃度となるように追加イオン注入によって形成するようにし、制御性よくイオン注入を行う。 - 特許庁

Complex behavior equivalent to pseudo positive uniaxial crystal type birefringent material can be attained by adding up an action of a refractive index ellipsoid RIE1 showing a liquid crystal layer 71 in OFF state, an action of a refractive index ellipsoid RIE2 showing a first birefringence member 73a, and an action of a refractive index ellipsoid RIE3 showing a second birefringence member 73b.例文帳に追加

オフ状態の液晶層７１を表す屈折率楕円体ＲＩＥ１の作用と、第１複屈折部材７３ａを表す屈折率楕円体ＲＩＥ２の作用と、第２複屈折部材７３ｂを表す屈折率楕円体ＲＩＥ３の作用とを加算すると、擬似的に正の一軸結晶型の複屈折材料と等価な複合的作用を達成することができる。 - 特許庁

In the red dye donor element for heat sensitive dye transfer, which comprises a substrate bearing a dye layer containing the mixture of the magenta dye dispersed in a high polymerized binder and two kinds of yellow dies, the magenta dye is shown by formula A, the first yellow dye is shown by formula B and the second yellows dye is shown by formula C.例文帳に追加

高分子バインダー中に分散されたマゼンタ染料および２種のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のための赤染料供与体要素であって、上記マゼンタ染料が下式Ａを有し、上記第１イエロー染料が下式Ｂを有し、そして上記第２イエロー染料が式Ｃを有する、赤染料供与体要素。 - 特許庁

The solid state image sensor is fabricated through a step for forming a planarized film 20 by etching or chemical mechanical polishing a first inorganic film, a step for forming a second inorganic film on the planarized film 20, and a step for forming on-chip lenses 21 by etching back a lens-shaped resist layer formed on the second inorganic film.例文帳に追加

また、平坦化膜となる第１の無機膜を形成しエッチバック又は化学的機械的研磨法により平坦化膜２０を形成する工程と、平坦化膜２０上に第２の無機膜を形成する工程と、第２の無機膜上にレンズ形状のレジスト層を形成しエッチバックして第２の無機膜によるオンチップレンズ２１を形成する工程とを有して固体撮像装置１を製造する。 - 特許庁

The EL element comprises a rear face substrate 10; an organic EL part 13 having a first electrode, an organic membrane and a second electrode; a sealing layer 11 including a nanocmposite composed of a layered inorganic substance, a polymer and a curing agent to fill up an inner space with the EL part 13 stored therein by joining the substrate 10.例文帳に追加

背面基板１０と、第１電極、有機膜及び第２電極を持つ有機電界発光部１３と、前記背面基板と結合して有機電界発光部１３が収容された内部空間を充填する、層状無機物、高分子および硬化剤からなるナノ複合体を含む封止層１１と、を具備することを特徴とする有機ＥＬ素子が提供される。 - 特許庁

The organic thin-film transistor gate insulation layer material contains : a polymer compound (A), having a repeating unit having a group containing fluorine atoms, a repeating unit having a photodimerization reactive group, and a repeating unit having a first functional group which generates a second functional group to react with active hydrogen by the action of electromagnetic waves or heat; and an active hydrogen compound (B).例文帳に追加

本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位と、電磁波もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する第１の官能基を有する繰り返し単位とを、有する高分子化合物（Ａ）、及び活性水素化合物（Ｂ）を含有する。 - 特許庁

The method of depositing the metallic layer containing metal on the substrate surface has a process step of immersing the substrate in a first solution which contains a depolarizing agent and in which the metal ions do not substantially exist and a process step of immersing the substrate into a second solution containing the metal ions described above while passing an electric current between the substrate and an anode.例文帳に追加

基板表面上に金属を含む金属層を析出させる方法であって、前記基板を、復極剤を含み、かつ、実質的に前記金属イオンが存在しない第一溶液に浸す工程と、その後に、前記基板とアノード間に電流を流しながら、前記基板を、前記金属のイオンを含有する第二溶液に浸す工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The linear structure bodies are arranged in parallel to each other so that they are electrically insulated from each other through a first insulation line and a second conductor crosses the linear structure bodies, and are brought into electrical contact with the luminous layer structure at intersecting points arranged in matrix, and the linear conductors are electrically insulated from each other through a second insulation part.例文帳に追加

この線状構造体は、互いに電気的に第１の絶縁線で絶縁され、第２の導電体が線状構造体に対して交差するように互いに並列して配置され、マトリックス状に配置された交差位置において前記発光層構造に電気的に接触され、この線状の導電体は、互いに第２の絶縁部によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁

A plate-like scintillator 71 which is covered with a first protective film 71C and converts a radiated radiation into light and a plate-like TFT substrate 60 which detects the light converted by the scintillator 71 in a state of being stuck to the scintillator 71 are stuck by an adhesive layer 52 having a wider area than a surface stuck to the TFT substrate 60 of the scintillator 71.例文帳に追加

第１保護膜７１Ｃにより覆われており、照射された放射線を光に変換する板状のシンチレータ７１と、シンチレータ７１に貼り合わされた状態で当該シンチレータ７１により変換された光を検出する板状のＴＦＴ基板６０とを、シンチレータ７１のＴＦＴ基板６０と貼り合わされる面より広い面積とされた粘着層５２によって貼り合わせる。 - 特許庁

Since displacement, due to thermal expansion, of an eaves-like part 33a of the support substrate 33 which is not bonded to the reinforcement plate 25 alleviates stress caused by difference between thermal expansion coefficients of the support substrate 33 and the sensor substrate 42, concentration of the stress at an end part of the first adhesion layer 26 and peeling off of the scintillator 34 from a sensor panel 23 can be prevented.例文帳に追加

支持基板３３とセンサ基板４２との熱膨張係数差により生じる応力は、補強板２５に貼り合わされていない支持基板３３の庇状部３３ａの熱膨張による変位によって緩和されるので、当該応力が第１の接着層２６の端部に集中してシンチレータ３４がセンサパネル２３から剥離するのを防止することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical recording medium includes a sheet body forming step for forming a disk-like sheet body having a recording layer recording information utilizing holography and an aperture at a center part and a laminated body forming step for forming a disk-like laminated body by sandwiching the sheet body 32 between a first substrate 5 and a second substrate 1.例文帳に追加

ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を有し、かつ中心部に開口を有する円盤状のシート体を形成するシート体形成工程と、第一の基板及び第二の基板により前記シート体を狭み込んで円盤状の積層体を形成する積層体形成工程とを含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

The lighting circuit is provided with a substrate formed in multiple layers; an inductor equipped with a magnetic material arranged embedded in the substrate, and at least one first wiring part spirally wound around the magnetic material on the same layer of the substrate; and electronic components mounted on the substrate so as to form the lighting circuit together with the inductor embedded in the substrate.例文帳に追加

実施形態の点灯回路は、多層に形成された基板と；基板に埋め込まれて配置された磁性材料と、基板の同一層上にて磁性材料の周囲に渦巻状に巻回された少なくとも１つの第１配線部とを備えたインダクタと；基板内に埋め込まれたインダクタとともに点灯回路を形成するように基板に実装された電子部品と；を持つ。 - 特許庁

The portable electronic device comprises an antenna wiring board, an LSI mounted on the antenna wiring board and performing exchange of data by communication with an external device, a surface substrate disposed in opposition to the antenna wiring board across the LSI, and a first release layer disposed at least between the LSI and the surface substrate in a non-fixed state to the surface substrate.例文帳に追加

アンテナ配線基板と、アンテナ配線基板に搭載され、外部器械との通信によりデータの授受を行なうＬＳＩと、ＬＳＩを挟んで、アンテナ配線基板と対向して配置されている表面基材と、表面基材に対して非固着状態で、少なくともＬＳＩと表面基材との間に配置されている第１離型層とを備えた携帯可能電子装置。 - 特許庁

The restoration method in the dumping site 1 comprises a first process of examining gas by a gas examination means 4 sampling and analyzing soil gas like methane, hydrogen sulfide or volatile toxic substances; a second process of removing the soil gas using a gas removing means according to the analysis result; and a third process of digging out and removing a waste layer 2 after removal of the soil gas.例文帳に追加

投棄サイト１における修復方法は、例えばメタン、硫化水素、揮発性有毒物質などの土壌ガスを採取して分析するガス調査手段４を用いてガス調査する第一工程と、その分析結果に応じてガス除去手段を用いて土壌ガスを除去する第二工程と、土壌ガスを除去した後に廃棄物層２を掘り起して撤去する第三工程とからなる。 - 特許庁

The liquid crystal device 15 is so constituted that distribution is incorporated in the change of an attitude of a liquid crystal element which constitutes a liquid crystal layer 16 along second and third surfaces 1204 and 1802 by applying driving voltage to first and second electrodes 2602 and 2604 and the focal length of the lens 14 can be adjusted by changing the voltage.例文帳に追加

液晶装置１５は、第１電極２６０２と第２電極２６０４に駆動電圧が印加されることにより、第２面１２０４および第３面１８０２の面に沿って液晶層１６を構成する液晶素子の姿勢の変化に分布を持たせるとともに、前記電圧を変化させることによってレンズ１４の焦点距離の調節が可能となるように構成されている。 - 特許庁

The SONOS memory element comprising a semiconductor substrate, an insulating film formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on a predetermined region of the insulating film and defined into a source, a drain, and a channel region, and first and second side gate laminations stacked on each of both sides of the channel region and the method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板、前記半導体基板上に形成された絶縁膜、前記絶縁膜の所定領域上に形成されてソース、ドレイン及びチャンネル領域に区画された活性層及び前記チャンネル領域の両側面にそれぞれ積層された第１及び第２サイドゲート積層物を備えることを特徴とするＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法による。 - 特許庁

In a BGA package employing a TAB tape having a plurality of electric wiring layers, second and subsequent electric wiring layers are formed by a step for preparing a copper foil applied with adhesive and having through holes bored previously, and a step for sticking the copper foil applied with adhesive while aligning with the TAB tape on which the first electric wiring layer is formed.例文帳に追加

複数の電気配線層を有するＴＡＢを用いたＢＧＡパッケージにおいて、電気配線層の第２層以降は、貫通孔を予め加工した接着剤付き銅箔を準備する工程と、接着剤付き銅箔を電気配線層の第１層を形成したＴＡＢに位置合わせして貼り付ける工程とにより、それぞれ形成されるようになっている。 - 特許庁

The first hologram and second hologram multiply recorded in the hologram recording medium 2 are used for the phase conjugate reproduction, and the reproduced light is made to interfere in a hologram recording layer 4 formed on the surface of the optical device 3 as the object for correction to record a third hologram as the correction of the optical device 3 as the object for the correction to the master.例文帳に追加

そして、このホログラム記録媒体２に多重記録された第１のホログラムと第２のホログラムとを位相共役再生して、その再生光を補正対象の光学素子３の表面に形成されたホログラム記録層４中で干渉させ、このホログラム記録層４に、補正対象の光学素子３のマスタに対する補正分である第３のホログラムを記録する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A radiation sensor comprises a radiation receiver, placed on a final element focal plane of a projection system, a transparent plate for supporting the radiation receiver on a side facing the projection system, a quantum transformation layer formed for absorbing first wavelength incoming light incident on the transparent plate and re-radiating second wavelength light, a fiber optics block with multiple optical fibers, and a radiation detector.例文帳に追加

放射センサは、投影システムの最終エレメントの焦点面に配置された放射レシーバと、投影システムに面する側で放射レシーバを支持する透過性プレートと、透過性プレートに入射した第一波長の光を吸収して、第二波長で光を再放射するように構成された量子変換層と、複数の光ファイバを備えるファイバオプティクスブロックと、放射ディテクタとを含む。 - 特許庁

The gasification furnace system is equipped with a gasification furnace 20, a reforming furnace 30 and a char gasification/combustion furnace 40, wherein as a catalyst layer of the reforming furnace, first catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of a generated gas from the gasification furnace is endothermic and second catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of the generated gas is not endothermic are alternately layered in the gas flow direction.例文帳に追加

ガス化炉２０、改質炉３０、およびチャーガス化／燃焼炉４０を備えたガス化炉システムにおいて、改質炉の触媒層として、ガス化炉からの生成ガスの反応が吸熱を伴う触媒を充填した第一の触媒層と、当該生成ガスの反応が吸熱を伴わない触媒を充填した第二の触媒層をガス流方向に交互に充填する。 - 特許庁

Each pixel part 7 has a pixel electrode 15, and a projection part which is provided on the second substrate, overlaps with the reflection area R3, is disposed beyond a peripheral edge of the pixel electrode in the second direction d2, and projects on the first substrate side to make the thickness of the liquid crystal layer opposite the reflection area thinner than that opposite the transmission area R2.例文帳に追加

各画素部７は、画素電極１５と、第２基板に設けられ、かつ、反射領域Ｒ３に重なっているとともに第２方向ｄ２に画素電極の周縁を超えて位置し、かつ、第１基板側に突出して反射領域と対向した液晶層の層厚を透過領域Ｒ２と対向した液晶層の層厚より薄くする突出部と、を有している。 - 特許庁

A first electrode 20a and a second electrode 21 having a three-dimensional structure and being formed in a projecting shape are formed on a substrate 1 as lower layers, an inter-layer insulating film 18 is deposited on the substrate 1, the insulating film 18 is etched and a trench 26 exposing the top face of the second electrode 21 and a side face in at least one direction is formed.例文帳に追加

基板１上に３次元構造で凸形状をなす第１電極２０ａと第２電極２１とを第１電極２０ａを下層として形成した後、基板１上に層間絶縁膜１８を堆積し、この層間絶縁膜１８をエッチングして、第２電極２１の上面および少なくとも一方向の側面を露出させる溝２６を形成する。 - 特許庁

The curved waveguide 26 is optically coupled with the resonator by two separated optical couplers 27A, 27B penetrating the layer of the spacer 24, and is turned by a first phase shifter 28 for controlling the optical path length of the resonator and a second phase shifter 29 which is operated so as to control coupling strength between the waveguide and the resonator in the waveguide.例文帳に追加

曲線導波管２６は、スペーサ２４層を貫通する２個の離間した光学カプラ２７Ａ，２７Ｂにより共振器と光学的に結合され、共振器の光路長を制御するための第１の位相シフタ２８、および導波管において、導波管と共振器の間の結合強度を制御するよう動作する第２の位相シフタ２９により同調が与えられる。 - 特許庁

The arithmetic processing unit b1 identifies the separation shape of the adhesion layer a3 by alternately repeatedly executing first shape identification calculation using strain calculated based on the spectrum information, and second shape identification calculation by a spectrum shape of the reflected light based on the spectrum information while using a previous identification result for an initial value of succeeding shape identification calculation.例文帳に追加

演算処理装置ｂ１は、スペクトル情報に基づき算出される歪を用いた第１の形状同定演算と、スペクトル情報に基づき反射光のスペクトル形状による第２の形状同定演算とを、先の同定結果を後の形状同定演算の初期値として用いながら、交互に繰り返し行って接着層ａ３のはく離形状を同定する。 - 特許庁