「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(484ページ目) - Weblio英語例文検索

A first transistor Q1 includes: a source electrode 43 which is electrically connected to an n^+-type source area 36 formed on a surface layer of a well area 35 inside a p-type well area 35; and a well electrode 46 which is formed to be electrically separated from the source electrode 43 and is electrically connected to the p-type well area 35.例文帳に追加

第１のトランジスタＱ１は、Ｐ型ウェル領域３５の内部であってこのウェル領域３５の表層部に形成されたＮ＋型ソース領域３６に電気的に接続されたソース電極４３と、ソース電極４３とは電気的に分離して形成されると共に、Ｐ型ウェル領域３５に電気的に接続されたウェル電極４６と、を備えている。 - 特許庁

A semiconductor device 100 comprises a silicon substrate 10, a gate electrode 21 formed on the silicon substrate 10 through a gate insulating layer 16, first and second impurity diffusion layers 18 and 20 formed on the silicon substrate 10, and side wall insulating layers 15a and 15b formed on the side surface part of the gate electrode 21.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上にゲート絶縁層１６を介して形成されたゲート電極２１と、シリコン基板１０に形成された第１不純物拡散層１８および第２不純物拡散層２０と、ゲート電極２１の側面部に形成されたサイドウォール絶縁層１５ａ，１５ｂとを含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical element by molding the resin composition containing a polymer having an alicyclic structure by using the mold, there is formed a layer of ≥3 nm and ≤20 nm of a fluorine containing compound on the contact surface between at least either of a first mold member and a second mold member which constitute the mold and a member molding space.例文帳に追加

脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂組成物を成形型で成形する光学素子の製造方法において、成形型を構成する第１型部材及び第２型部材の少なくとも一方の部材成形空間との接触面に３ｎｍ以上２０ｎｍ以下のフッ素含有化合物層を設ける。 - 特許庁

An organic solvent in which at least an organic ammonium salt is dissolved is expanded on a water phase in which at least a first inorganic halide composed of the halide of a group IV element or a transition metal and one or more kinds of second inorganic halides composed of the halide of alkali metal are dissolved, and the produced organic/inorganic layer-shaped perovskite monomolecular film is moved onto a substrate.例文帳に追加

少なくとも、ＩＶ族元素又は遷移金属のハロゲン化物からなる第１の無機ハライドとアルカリ金属のハロゲン化物からなる１種以上の第２の無機ハライドとを溶解させた水相上に、少なくとも有機アンモニウム塩を溶解させた有機溶媒を展開し、生成した有機無機層状ペロブスカイトの単分子膜を基板上に移し取る。 - 特許庁

Since second belt layers 6 extending in a tire circumferential direction in which a reinforcement cord 13a is not inclined relative to the tire circumferential direction are provided on both sides in a tire width direction of a first belt layer arranged at a central side in the tire width direction respectively, pushing up of both sides in the tire width direction can be prevented by the respective second layers 6.例文帳に追加

タイヤ幅方向中央側に配置される第１のベルト層５のタイヤ幅方向両側に、補強コード１３ａがタイヤ周方向に対して傾斜をなさずにタイヤ周方向の延びる第２のベルト層６をそれぞれ設けたので、各第２のベルト層６によってタイヤ幅方向両側のせり上がりを防止することができる。 - 特許庁

An input strip line 1 and an output strip line 2 are formed on a first conductor layer of a multilayer substrate, and an input open stab 9 and an output open stab 10 are formed which are disposed proximately while confronting their side surfaces and connected to another end of the input strip line 1 or the output strip line 2 each of which one end corresponds to each other.例文帳に追加

多層基板の第１導体層に入力ストリップライン１及び出力ストリップライン２を形成すると共に側面を対向させて近接配置され各々の一端が対応する入力ストリップライン１又は出力ストリップライン２の他端に接続された入力オープンスタブ９及び出力オープンスタブ１０を形成した。 - 特許庁

When the authentication is successful, the network switch 3 connects the computer with respect to the network switch 3 at the layer 2 level; and a quarantine server 12 and a quarantine client 42 conducts the quarantine for the computer 4 using quarantine information, via the authentication server 13 and the first network 1, under the condition where the network switch 3 is connected to the authentication server 13 at the IP level.例文帳に追加

認証に成功した場合、ネットワークスイッチ３が、コンピュータとネットワークスイッチ３との間をレイヤー２レベルで接続し、ネットワークスイッチ３と認証サーバ１３との間をＩＰレベルで接続した状態で、検疫サーバ１２及び検疫クライアント４２が、認証サーバ１３及び第１のネットワーク１を介して、検疫情報を用いてコンピュータ４の検疫を行う。 - 特許庁

In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.例文帳に追加

仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第１層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法（ＨＣＤ法）を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁

After the polycrystalline silicon layer 5 is formed via an insulation film 3 on one surface of a semiconductor substrate 1, a first oxide film 6, which does not comprise an impurity element adjusting the diffusion of an impurity element, is formed and then a second oxide film 7 comprising an impurity element is formed.例文帳に追加

半導体基板１の一方の表面上に絶縁膜３を介して多結晶シリコン層５を形成した後、不純物元素の拡散を調整する不純物元素を含まない第１の酸化膜６を形成し、次いで、不純物元素を含む第２の酸化膜７を形成したことを特徴とする多結晶シリコン抵抗５１の製造方法。 - 特許庁

The cathode 2 is constituted of a laminated film of a first transparent conductive film 2a; a light-transmitting thin film 2b made of a metal thin film; and a second transparent conductive film 2c, which is laminated in the thickness direction of the organic EL layer 8, and the metal thin film is formed with two kinds or more of metals selected from among a group of silver, indium, gold, magnesium, and tin.例文帳に追加

陰極２は、有機ＥＬ層８の厚み方向において積層された第１の透明導電膜２ａと金属薄膜からなる透光性薄膜２ｂと第２の透明導電膜２ｃとの積層膜により構成され、金属薄膜は、銀、インジウム、金、マグネシウム、錫の群から選択される２種類以上の金属により形成されている。 - 特許庁

A current non-injection region where the contact layer 7 contacts the dielectric film 8 is formed on the upper surface of the ridge part 6a in the vicinity of the resonator end face, and the first electrode 9 and the second electrode 10 are formed separately from the upper surface region of the dielectric film 8 excluding a sidewall surface of the opening in the current non-injection region.例文帳に追加

共振器端面近傍のリッジ部６ａの上面において、コンタクト層７と誘電体膜８とが接する電流非注入領域が設けられ、第一電極９及び第二電極１０は、前記電流非注入領域における前記開口部の側壁面を除く誘電体膜８の上面領域から離間して設けられている。 - 特許庁

The first signal electrode layer 40 is provided with a mounting land 42 on the input side, an input-side power supply pattern 41 connected to the mounting land 42 on the input side, a mounting land 43 on the output side, an output-side power supply pattern 44 connected to the mounting land 43 on the output side, and a mounting land 45 on the ground side.例文帳に追加

第１の信号電極層４０は、入力側実装用ランド４２、該入力側実装用ランド４２に接続した入力側電源供給パターン４１、出力側実装用ランド４３、該出力側実装用ランド４３に接続した出力側電源供給パターン４４及びグランド側実装用ランド４５が設けられている。 - 特許庁

In the front type projector having a thin film transistor including a semiconductor layer having a channel forming region, a source region and a drain region and an island-shaped gate electrode, first wiring to which the gate electrode is connected and second wiring to which the source region or the drain region is connected are orthogonal to each other and the second wiring is disposed so as to be parallel to and superposed on the capacity wiring.例文帳に追加

チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する半導体層と、島状のゲート電極とを備えた薄膜トランジスタを有し、ゲート電極が接続する第１配線と、ソース領域又はドレイン領域が接続する第２配線とは直交し、第２配線や容量配線と平行かつ重なるように配置されている。 - 特許庁

The catheter includes a flexible tubular body constituted of a first region for forming a leading end region and a second region for forming a base end region and is characterized in that a coil, wherein a linear member which is wound in a circumferential direction, is provided in the wall of at least a part of the tubular body as a reinforcing layer.例文帳に追加

先端部側領域を形成する第一領域と、基端部側領域を形成する第二領域と、から構成される可撓性の管状体を有するカテーテルであって、前記管状体の少なくとも一部の壁内に、線状部材が円周方向に巻回されたコイルを補強層として備えていること特徴とする。 - 特許庁

An oblique vapor deposition substrate 1 has a plurality of pixel parts 10a arranged apart from each other in two directions (a first direction a and a second direction b) linearly crossing each other, wherein each pixel part 10a is relatively rotated in a plane of the oblique vapor deposition substrate 1 in consideration of a distribution of vapor deposition directions of an oblique vapor deposition layer.例文帳に追加

本発明の斜方蒸着基板１は、複数の画素部１０ａが、直線的に交差した２方向（第１方向ａ、第２方向ｂ）に間隙を有して配列され、斜方蒸着膜の蒸着方向の分布を考慮して、各画素部１０ａが斜方蒸着基板１の面内において相対的に回転されていることを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL panel includes: a translucent supporting substrate; a plurality of light emitting parts S1-S8 on which a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode are laminated; and a plurality of wiring parts L1 to L8 formed on the supporting substrate and supplying a current to each of the light emitting parts S1-S8.例文帳に追加

透光性の支持基板と、前記支持基板上に透光性の第一電極と有機発光層と第二電極とを積層形成してなる複数の発光部Ｓ１〜Ｓ８と、前記支持基板上に形成され各発光部Ｓ１〜Ｓ８に個別に電流を供給する複数の配線部Ｌ１〜Ｌ８と、を備える有機ＥＬパネルである。 - 特許庁

When the first sensor detects the upper surface of the sack, a roller moving electric cylinder for moving a roller supporting the rear of the stacked sack from downward is driven to cause the second bag position sensor to detect the upper surface of the rear of the sack to raise the rear, thereby holding the sack in the uppermost layer in a horizontal posture.例文帳に追加

そして、第１袋位置センサが大袋の上面を検出すると、第２袋位置センサが該大袋の後部の上面を検出するように、積層状態の大袋の後部を下方から支持するローラを移動させるローラ移動用電動シリンダを駆動して、前記後部を上昇させることにより、最上層の大袋を水平姿勢に保持する。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

As a result, a palladium film 109 is formed on area having dense wiring, through the first cobalt-tungsten-phosphor film 107, so that metal alloy containing copper is not formed, thereby being capable of suppressing increase in wiring resistance; and the metal alloy layer can be formed on the wiring groove with coverage being good, so that low resistance and high reliable wring can be formed.例文帳に追加

これにより、配線が密な領域では、第一のコバルトタングステンリン膜１０７を介してパラジウム膜１０９が形成されるため、銅との合金が形成されず配線抵抗の上昇を抑制することができ、かつ、配線溝の上に被覆性良く合金層を形成できるため、低抵抗で信頼性の高い配線を形成することが出来る。 - 特許庁

The polymer film laminate production method in a proper execution form includes the first process of obtaining a wound body by winding a laminate in which a precursor layer made of a polymer film precursor is formed on metal foil and the second process of obtaining the polymer film laminate in which the polymer film is formed on the metal foil by heat-treating the wound body.例文帳に追加

好適な実施形態の高分子フィルム積層体の製造方法は、金属箔上に高分子フィルムの前駆体からなる前駆体層が形成された積層体を巻き取り、巻き取り体を得る第１工程と、巻き取り体を熱処理して、金属箔上に高分子フィルムが形成された高分子フィルム積層体を得る第２工程とを有する。 - 特許庁

Pulse-laser beams containing at least two laser pulses are projected to a region in which impurities are injected, under conditions in which the surface layer of the semiconductor substrate is not melted, and conditions in which a delay time goes down to 1,000 ns or less until second laser pulses are projected after first laser pulses are projected, thus activating injected impurities.例文帳に追加

不純物の注入された領域に、半導体基板の表層部が溶融しない条件で、かつ、１番目のレーザパルスの入射から２番目のレーザパルスの入射までの遅延時間が１０００ｎｓ以下となる条件で、少なくとも２つのレーザパルスを含むパルスレーザビームを入射させ、注入されている不純物を活性化させる。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating layer is formed on a sidewall located on an inner side of a first gate etched part, the residual part of the film 5 is subjected to second gate etching to bore an opening in the insulating film 5, and reverse type impurities are introduced into the channel formation impurity region 4 through the opening to form a gate impurity region.例文帳に追加

その後は、たとえば第１のゲートエッチング箇所より内側の側壁にサイドウォール絶縁層を形成した後に、第１のゲートエッチング後に残った絶縁膜部分に対し第２のゲートエッチングを行い、絶縁膜５を開口し、この開口から逆導電型の不純物をチャネル形成不純物領域４内に導入して、ゲート不純物領域を形成する。 - 特許庁

A second electrode plate 20 is connected with the other electrode of the film capacitor element, and a portion thereof is led out from an opening on the side of the other sidewall 4 of the case 1 opposing the one sidewall 3 and bent in the direction parallel with the case opening surface 2 to be superimposed on the first electrode plate 10 through an insulating layer 5.例文帳に追加

また、第２電極板２０は、フィルムコンデンサ素子の他方の電極部に接続され、一部がケース１の一方の側壁３とは相対向する他方の側壁４側の開口部から外部に導出され、かつケース開口面２に平行な方向で第１電極板１０と絶縁層５を介して重なるように折曲されている。 - 特許庁

An active matrix substrate (substrate for display panel) 1 mounting the IC chip (for instance, gate driver IC4 or source driver IC5) forms first metal wiring layers 14a-14c connected electrically to the terminal of the IC chip on an optical transmissive base substrate (for instance, glass substrate 11) composing it and a second metal wiring layer 12.例文帳に追加

ＩＣチップ（例えば、ゲートドライバＩＣ４又はソースドライバＩＣ５）が実装されるアクティブマトリクス基板（表示パネル用基板）１であって、それを構成する光透過性のベース基板（例えば、ガラス基板１１）上に、ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃと、第２の金属配線層１２とを形成する。 - 特許庁

To provide an induction heating coil capable of performing the uniform heating so as to form a uniform hardened layer pattern on a surface continuous to first and second stepped parts from a small diameter shaft part of a stepped shaft-like member without fitting any magnetic material (a magnetic flux focusing member) such as a dust core and a silicon steel plate.例文帳に追加

ダストコアや珪素鋼板等の磁性材（磁束集中材）を加熱導体に取付けなくても、段付き軸状部材の小径軸部から第１及び第２の段部に連なる表面上に均一な焼入硬化層パターンを形成し得るように均一加熱を行うことができるような高周波誘導加熱コイルを提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a resonator on the substrate (71), a bottom electrode (72) is stacked on the substrate (71), and a piezoelectric(PZ) layer (74) is stacked, and a surface electrode (74) with a first thickness is stacked, and the thickness of the above electrode (76) is reduced to adjust the resonance frequency of the resonator.例文帳に追加

基板（７１）上に共振器を製造する方法において、前記基板（７１）上に底部電極（７２）を堆積させ、圧電（ＰＺ）層（７４）を堆積させ、第１の厚さを備えた表面電極（７６）を堆積させ、前記表面電極（７６）の厚さを減少させて前記共振器の共振周波数を調節するようにした共振器の製造方法。 - 特許庁

Furthermore, the film thickness of the transparent insulating film 12 is set thicker than a first specified film thickness which maximizes the reflectance for the multiple reflection of a laminated body comprising the reflection electrode for red light, the transparent insulating film and the alignment layer and is set thinner than a second specified film thickness which minimizes the reflectance of the laminated body for blue light.例文帳に追加

更に、透明絶縁膜の膜厚は、赤色光に対する反射電極、透明絶縁膜及び配向膜からなる積層体の多重反射による反射率を極大とする第１所定膜厚以上であり且つ青色光に対する積層体の反射率を極小とする第２所定膜厚以下の膜厚に設定されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single layer consisting of densely packed two-color rotating particles in which first and second portions having different colors and different charging characteristics in a dielectric liquid come into contact with each other at boundaries to form spherical shapes and which contain magnetic materials in at least portions thereof, and to provide a method for manufacturing a rotating particle type display device using the same.例文帳に追加

色および誘電性液体中における帯電特性がともに異なる第１および第２の部分が境界面で接して球状形状を形成し、少なくともその一部分に磁性体を含有する二色回転粒子が密につまった単層の製造方法およびこれを用いた回転粒子型表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal display, the display viewing side first substrate 15 provided with a pixel electrode 3 and the TFT element 5 formed on the inner surface side and a second substrate 14 having a display electrode 18 formed on the inner surface side are disposed opposite to each other and a liquid crystal layer 12 is disposed in a gap between both substrates 14 and 15.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、内面側に画素電極３及びＴＦＴ素子５を形成した表示視認側の第１の基板１５と、内面側に表示電極１８を形成した第２の基板１４とを対向して配置し、前記両基板１４、１５の間隙に液晶層１２を配置して成る液晶表示装置である。 - 特許庁

The acoustic reflection layers 21 to 26 each comprise an (a) epitaxial conductive material formed alternately on the substrate 12, at least one of first layers 21, 23, 25 whose acoustic impedance is relatively high; and (b) the other epitaxial conductive material, and besides including an at least one of second layer 22, 24, 26 whose acoustic impedance is relatively low.例文帳に追加

音響反射層２１〜２６は、基板１２の上に交互に形成された、（ａ）エピタキシャルの導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に高い、少なくとも一つの第１層２１，２３，２５と、（ｂ）エピタキシャルの他の導電材料からなり、音響インピーダンスが相対的に低い、少なくとも一つの第２層２２，２４，２６とを含む。 - 特許庁

To primarily provide a semiconductor package having a structure such that neither a via hole nor a pad is necessary before or behind an intersection portion and then space is saved as a semiconductor package which has a first wiring and a second wiring arranged one over the other with an insulating resin layer interposed therebetween to have an intersection portion locally present when viewed from their overlapping direction.例文帳に追加

絶縁樹脂層を介して第一配線と第二配線とが重ねて配され、局所的にそれらの重なり方向から見て交差部が存在する構造とした半導体パッケージにおいて、交差部の前後でビアやパッドを必要とせず、ひいては省スペース化が図れる構造とした半導体パッケージを提供することを第一の目的とする。 - 特許庁

This method for forming an ohmic layer comprises a first step of forming injecting hydrogen or argon gas with a semiconductor substrate stored in the plasma chamber of a chemical vapor deposition system, a second step of injecting a Ti-containing source gas into the a plasma chamber, and a third step of forming a RF plasma in the plasma chamber to deposit a titanium film.例文帳に追加

半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第１工程と、前記プラズマチャンバーにＴｉを含んだソースガスを注入する第２工程と、前記プラズマチャンバーにＲＦプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第３工程とを備えることを特徴とするＰＣＶＤによるオーミック層形成方法。 - 特許庁

The multilayer interconnection structure 18 is constituted so as to electrically and interconnect circuits of a board 100 by using a plurality of other solder connecting members 47 and has a heat conduction layer 22 composed of material having a selected thickness and coefficient of thermal expansion with which solder connecting obstruction between a plurality of first conducting members and the semiconductor chip is prevented totally.例文帳に追加

多層相互接続構造１８は、回路化基板１００を、別の複数のハンダ接続部材４７で電気的に相互接続するように構成され、第１の複数の導電部材と半導体チップとの間のハンダ接続障害を全体的に防止する選択された厚さおよび熱膨張率を有する材料よりなる熱伝導層２２を有する。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁

On the upper surface part of a first piezoelectric layer 21, a substantially rhombic drive electrode 20A slightly smaller than and similar to the projection of an ink pressure chamber 19A is formed at a position corresponding to each ink pressure chamber 19A, and an arrow type land pattern 20B is formed continuously from the acute angle part of the drive electrode 20A.例文帳に追加

第１圧電層２１の上面部には、各インク圧力室１９Ａに対応する位置に該インク圧力室１９Ａの投影形状よりも少し小さいほぼ相似形の略菱形の駆動電極２０Ａと、該駆動電極２０Ａの鋭角部から連続して形成される矢印形状のランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁

In a capacitance element region 1 on a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, a wiring layer of the semiconductor device is not formed in an upper region of a forming position of the semiconductor element on a first interlayer dielectric 8 to cover this capacitance element, and dummy patterns 2, 2a to be dummy wiring layers are formed at a peripheral of the upper region.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体基板上の容量素子領域１において、この容量素子を被覆する第１層間絶縁膜８上であって上記半導体素子の形成位置の上部領域には半導体装置の配線層が形成されず、上記上部領域の周辺部にダミー配線層となるダミーパターン２，２ａが形成される。 - 特許庁

Because a rotary body 100 with a plurality of symbols is equipped with electronic paper 98 to display a plurality of symbols by moving charged particles in an electronic ink layer interposed between a first substrate and a second substrate to change color, a plurality of symbols displayed on the electronic paper 98 can be renewed into new symbols.例文帳に追加

複数の図柄を備えた回転体１００は、第１基材と第２基材との間に挟持された電子インク層中の帯電粒子を移動させて色を変化させることにより複数の図柄を表示する電子ペーパ９８を備えているので、電子ペーパ９８に表示させていた複数の図柄を新たな図柄に書き換えて表示させることができる。 - 特許庁

In another embodiment, a texturizing underlayer is formed by depositing first and second conductive metal layers and annealing the metal layers to form surface dislocations structured as a periodic network, and a conductive metal is then deposited in gaseous phase and agglomerates onto the surface dislocations of the texturizing layer to form nanostructures in the form of island clusters.例文帳に追加

別の態様において、第一及び第二の導電金属層を堆積させ、該金属層をアニーリングして周期的ネットワークとして構造化された表面転位を形成し、前記テクスチャライジング下層を形成し、導電金属を気相堆積させて前記テクスチャライジング層の表面転位の上に凝集して、アイランドクラスタ形態のナノ構造を形成する。 - 特許庁

A phase adjustment electrode group 50 including a positive bias electrode 53 to which positive bias voltage is applied to change the refractive index of the second branching waveguide, and first and second negative bias electrodes 55 and 57 to which negative bias voltage is applied and which sweeps a carrier from the second branching waveguide to a semiconductor layer is provided to the upper side of the second branching waveguide.例文帳に追加

第２分岐導波路の上側に、正バイアス電圧が印加されて、第２分岐導波路の屈折率を変える正バイアス電極５３と、負バイアス電圧が印加されて、キャリアを第２分岐導波路から半導体層に掃きだす、第１及び第２負バイアス電極５５及び５７を含む位相調整電極群５０を備えている。 - 特許庁

The electric component, including a molded structure which determines a first and a second areas located at an interval, having at least two conductive wirings formed on the surface of a component main body, and connected by one or more of connection tabs, are manufactured, and the structure, having a conductive layer, is plated.例文帳に追加

１つまたは２つ以上の接続タブによって接続される第１および第２の間隔を置いて配置された部分を定めるモールドされた構造体を含む部品本体の表面に形成された少なくとも２つの導電性配線を有する電気部品を製造し、そして導電層を有する上記構造体をメッキする方法。 - 特許庁

The method of forming the conductive pattern includes: a first step for printing the conductive pattern onto a surface of the base material having a liquid repellent property; a second step for performing lyophilic processing on the surface of the base material which area does not have the conductive pattern printed thereon; and a third step for forming an insulating layer that covers the conductive pattern.例文帳に追加

表面が撥液性を有する基材表面に導電パターンを印刷する第１の工程と、前記導電パターンが形成されていない前記基材表面を親液性処理する第２の工程と、前記導電パターンを覆う絶縁層を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする導電パターンの形成方法。 - 特許庁

Metallic meshes 1 composed of an electric good conductor construction material having almost the same area as window plate glass 3 are arranged by two pieces in a hollow part composed of a layer of the two window plate glass 3 arranged at an interval in parallel in a planar shape, and a relative crossing angle of the first metallic mesh 1 and the second metallic mesh 1 is superimposed on 45°±15°.例文帳に追加

平面的平行に間隔をおいて配置してなる２枚の窓板ガラス３の層からなる中空部分に、それら窓板ガラス３とほぼ同面積の電気良導体材質からなる金属メッシュ１を２枚設置して、かつ１枚目の金属メッシュ１および２枚目の金属メッシュ１の相対交差角度を４５°±１５°に重畳するようにした。 - 特許庁

A common rail 56 to reserve working fluid is installed on a cylinder head 101 by a first vibration reducing structure 103 constituted of an installing seat 104 arranged on a cylinder head 101 (cam carrier 102) and a damping member 105 having a damping material layer 106 and a mounting plate 107 formed of heat resistant rubber or resin.例文帳に追加

作動流体を貯留するコモンレール５６は、シリンダヘッド１０１（カムキャリヤ１０２）上に配設されている取付け座１０４と、耐熱性のゴム又は樹脂から形成される減衰材層１０６及び取付け板１０７を有する減衰部材１０５とから構成される第１振動低減構造１０３によって、シリンダヘッド１０１に取り付けられる。 - 特許庁

A prism forming face having prism lines 41a arranged in the Y direction of a first prism member 41 and parallel to one another and a prism forming plane having prism lines 42a arranged in the Y direction of a second prism member 42 and parallel to one another are disposed facing each other with the respective prisms opposing to each other through an intermediate layer 43.例文帳に追加

第１プリズム部材４１のＹ方向に互いに平行に配列されたプリズム列４１ａを有するプリズム形成面と、第２プリズム部材４２のＹ方向に互いに平行に配列されたプリズム列４２ａを有するプリズム形成面とが、それらの形状どうし対応するように中間層４３を介して対向配置されている。 - 特許庁