「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(486ページ目) - Weblio英語例文検索

This method includes a first process in which Al or a material layer primarily composed of Al is patterned and a prescribed pattern wiring is formed, and a second process in which a photoresist 100, having a prescribed size of aperture on the wiring is formed and a prescribed area of the wiring is etched with an etching solution including at least nitric acid.例文帳に追加

ＡｌまたはＡｌを主成分とする材料層をパターニングして所定のパターンの配線を形成する第１の工程と、上記配線上に所定の大きさの開口を有するマスク用フォトレジスト１００を形成して、上記配線の所定の領域を少なくとも硝酸を含むエッチング液でエッチングする第２の工程とを含む。 - 特許庁

Wire browser information and a CAN ledger (first design information) obtained by generating a harness connection model and a CAN communication model and a signal name conversion table (second design information) obtained by generating control models are used to generate a connection file defining signal transmission/reception between a plurality of control models in an interface conversion layer computer 30.例文帳に追加

ハーネス結線モデルやＣＡＮコミュニケーションモデルの作成で得られるワイヤブラウザ情報やＣＡＮ台帳（第１の設計情報）と、制御モデルの作成で得られる信号名称変換表（第２の設計情報）とを用いて、インターフェース変換層コンピュータ３０において複数の制御モデル間での信号の送受信を定義した接続ファイルを作成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element having a nitride semiconductor layer that is laminated on a substrate and has a ridge on its surface and an electrode, wherein a first protective film is formed so as to have air gaps in at least a part of regions over surfaces of the nitride semiconductor layers on both sides of the ridge from sides of the ridge.例文帳に追加

基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジの側面から、該リッジの両側の窒化物半導体層の表面にわたる領域の少なくとも一部にエアギャップを有するように第１の保護膜が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子。 - 特許庁

A second substrate 10B is stuck to the first substrate 10A at a prescribed interval between substrates, a liquid crystal is injected between the first and the second substrates 10A and 10B and a liquid crystal layer wherein liquid crystal molecules are aligned by alignment controlling force is formed.例文帳に追加

画素内に反射領域および透過領域とが並列に配置された第１基板１０Ａにフォトスペーサ２２を形成した後に配向膜１１を塗布し、配向膜１１に対し配向膜１１に吸収される波長帯域の紫外光を照射して、配向膜１１の配向処理を行い、第１基板１０Ａに対し第２基板１０Ｂを所定の基板間隔をもって貼り合わせ、第１基板１０Ａおよび第２基板１０Ｂの間に液晶を注入し、配向制御力により液晶分子が配向された液晶層を形成する。 - 特許庁

In an electrophotographic process using electrostatic charge image developing toner and an electrophotographic photoreceptor, the toner comprises at least a binder resin, a colorant and wax and the binder resin is obtained by a first step of polymerizing a long chain (meth)acrylate ester and a second step of polymerizing a vinyl monomer in the presence of the polymer obtained in the first step, and the electrophotographic photoreceptor contains a polyester resin in the outermost surface layer.例文帳に追加

静電荷像現像用トナーと電子写真感光体を使用する電子写真プロセスにおいて、該トナーが少なくとも結着樹脂、着色剤及びワックスを含み、該結着樹脂が長鎖（メタ）アクリル酸エステルを重合する第１工程、第１工程において得られた重合体の存在下にビニル系単量体を重合する第２工程を経て製造されるものであり、且つ該電子写真感光体が、ポリエステル樹脂を最表面層中に含有するものであることを特徴とする、画像形成装置により解決した。 - 特許庁

The substrate 10 is provided in a gap between the pixel electrodes 15 in at least one direction of the first direction and the second direction, and includes: a first oriented film that horizontally orients liquid crystal molecules in the liquid crystal layer along a longitudinal direction of the gap; and a second oriented film that at least covers the pixel electrodes and vertically orients the liquid crystal molecules along a normal line of the substrate.例文帳に追加

第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とに複数の画素電極１５が配置された基板１０と、液晶層と、を備えた液晶装置であって、前記基板１０は、前記第１方向または前記第２方向の少なくとも一方において前記画素電極１５間の隙間に設けられ、前記液晶層中の液晶分子を前記隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１配向膜と、少なくとも前記画素電極を覆う、前記液晶分子を前記基板の法線に沿って垂直配向させる第２配向膜と、を有する。 - 特許庁

The plasma display component, consisting of a front substrate with bus electrodes formed as a first electrode as well as a rear substrate with address electrodes as second electrodes, barrier ribs, and a phosphor layer formed, has a third electrode formed on the surface and/or the inside of the barrier ribs, and the plasma display uses the same.例文帳に追加

第１の電極としてバス電極が形成された前面基板、ならびに第２の電極としてのアドレス電極、隔壁、および蛍光体層が形成された背面基板からなるプラズマディスプレイ部材であって、隔壁の表面および／または内部に第３の電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイ部材、およびそれを用いたプラズマディスプレイである。 - 特許庁

A solid state imaging element has a sensor having a second conductivity type semiconductor region 13 formed on the surface of a first conductivity type semiconductor region 12, wherein a second conductivity type semiconductor layer 6 having a less than that of the semiconductor region 13 is formed in the semiconductor region 12 beneath the semiconductor region 13.例文帳に追加

また、第１導電型半導体領域１２の表面に第２導電型半導体領域１３が形成されたセンサ部２を有し、第２導電型半導体領域１３下の第１導電型半導体領域１２内に、第２導電型半導体領域１３より小さい面積の第２導電型半導体層６が形成されて成る固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

The polymer electrolyte material has at least a first repeating unit including Si-C bond forming a main skeleton and a second repeating unit including an aromatic ring and a proton conducting group, and the membrane-electrode assembly for the fuel cell has the polymer electrolyte membrane including the polymer electrolyte material and/or the catalyst layer.例文帳に追加

主骨格を形成するＳｉ−Ｏ結合を含む第一の繰り返し単位と、芳香環及びプロトン伝導性基を含む第二の繰り返し単位とを、少なくとも有していることを特徴とする高分子電解質材料、並びに、該高分子電解質材料を含有する高分子電解質膜及び／又は触媒層を備えることを特徴とする、燃料電池用膜・電極接合体。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric conversion element 1 includes the working electrode constituted from a region formed by braiding a plurality of first base materials 8 and second base materials 9 having conductivity and forming a linear shape, and has a porous oxide semiconductor layer 13 formed only on the light receiving face side of the working electrode.例文帳に追加

導電性を有するとともに線状をなす複数の第１基材８および第２基材９が網目状に編まれてなる領域から構成される作用極を備える色素増感型光電変換素子１であって、前記作用極の受光面側にのみ多孔質酸化物半導体層１３が形成されていることを特徴とする色素増感型光電変換素子１。 - 特許庁

Characteristically, the tire 10 includes: an annular tire case 17 formed of a thermoplastic material; and a reinforcement layer 28 formed by winding/joining a covering cord member 26 formed by covering a reinforcement cord 26A with a first covering thermoplastic material 27 on a crown part 16 of the tire case 17.例文帳に追加

熱可塑性材料で形成された環状のタイヤケース１７と、補強コード２６Ａに第１の被覆用熱可塑性材料２７を被覆して形成された被覆コード部材２６を、タイヤケース１７のクラウン部１６部に巻回し且つ接合して形成された補強層２８と、をタイヤ１０が有することで、走行性能を低下させることなく空気入りを抑制して耐久性が向上する。 - 特許庁

The method peels the first substrate and the second substrate from the inside or interface of the peeling layer (3) of the multilayer substrate under a negative pressure.例文帳に追加

本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する。 - 特許庁

Each bit constituting each of the layer address signals A13 to A15 is transmitted via at least two through electrodes parallel-connected in each controlled chip among multiple first through electrodes, and each bit constituting the command signal ICMD is transmitted via corresponding one through electrode selected by an output switch circuit and an input switch circuit.例文帳に追加

層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５を構成する各ビットは、複数の第１の貫通電極のうち、被制御チップごとに並列接続された少なくとも２本の貫通電極を経由して伝送され、コマンド信号ＩＣＭＤを構成する各ビットは、出力切り替え回路及び入力切り替え回路によって選択された対応する１本の貫通電極を経由して伝送される。 - 特許庁

Surrounding a base material for heating made of plane heating element with PTC characteristic, the first material in the inner layer made of a comparatively hard synthetic resin and the second material with the synthetic resin integrally dipped in textile on the outside.例文帳に追加

ＰＴＣ特性を持つ面状発熱体からなる温熱用基材の周囲を、内層に比較的硬質の合成樹脂材からなる第一材質と、その外層に合成樹脂剤を繊維織物に含浸させ一体化した第二材質からなる被覆材によって覆ってなることを特徴とするＰＴＣ特性を持つ面状発熱体からなる温熱用基材の強度補強方法およびその製品。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic electroluminescent display device 1 comprises a microlens forming step of forming a lens pattern corresponding to the microlens 17 that refracts the light from the organic luminescent layer 14 by photolithographic treatment on a first transparent resin deposited on a substrate 11 and forming the microlens 17 by reflow treatment on the lens pattern.例文帳に追加

基板１１上に成膜した第１の透明樹脂に対してフォトリソグラフィ処理を施すことで、有機発光層１４からの光を屈折するマイクロレンズ１７に応じたレンズパターンを形成し、レンズパターンに対してリフロー処理を施すことで、マイクロレンズ１７を形成するマイクロレンズ形成ステップ、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法。 - 特許庁

(1) This ink is substantially opaque to actinic radiation, in at least one wavelength range effective to cure the photocurable material in the element and substantially has resistance to polymerization in exposure to actinic radiation in the wavelength region and (2) the first major face of the photocurable element includes the protective layer substantially impermeable with respect to the ink.例文帳に追加

但し（１）このインキは該要素内の光硬化性材料を硬化させるのに有効な少くとも１つの波長領域の化学線照射に対して実質的に不透明であり且つその波長領域の化学線への露呈時に重合に対して実質的に耐性があり、また（２）光硬化性要素の第１面はインキに関して実質的に不浸透性の保護層を含む。 - 特許庁

Preferably, before the start of the first step, a gas containing nitrogen and/or oxygen is supplied to the catalyst layer.例文帳に追加

第１工程：該固定床の触媒層に水蒸気を供給する工程 第２工程：第１工程の後に、水蒸気の供給に加えて、塩化水素を供給する工程 第３工程：第２工程の後に、水蒸気および塩化水素の供給に加えて、酸素を供給して反応を開始する工程 第１工程の開始前に触媒層へ窒素および／または酸素を含有するガスを供給することが好ましい。 - 特許庁

The electrochemical device is made of a first electrode and a second electrode and an ion conductor clipped by these both electrodes, and the ion conductor is made of an ion exchange membrane 1 which has a metal porous membrane 3 of Ti or the like that is surface-coated at least partly by the insulating protection layer 2 and in which the ion exchange resin 4 of Nafion or the like is filled in this porous membrane 3.例文帳に追加

第１極と、第２極と、これらの両電極間に挟持されたイオン伝導体とからなり、前記イオン伝導体が、絶縁性保護層２により少なくとも一部が表面被覆されたＴｉ等の金属多孔質膜３を有し、この多孔質膜３にナフィオン等のイオン交換樹脂４が充填されているイオン交換膜１からなる、電気化学デバイス。 - 特許庁

In the belt for shoe press formed in an endless state with an elastic material, a plurality of water draining grooves are formed in a circumferential direction of the belt on the surface on outer peripheral surface side of a first elastic layer and the depths of the water draining grooves are gradually increasing from a center part of a pressurizing region to the end of the pressurizing region.例文帳に追加

弾性材料によってエンドレスに形成されたシュープレス用ベルトにおいて、上記第一弾性層の外周面側の表面に上記シュープレス用ベルトの周方向に沿って複数の排水溝が形成されており、上記排水溝の深さがシュープレス用ベルトの加圧領域中央部から加圧領域端部にかけて漸増しているシュープレス用ベルトであることを特徴としている。 - 特許庁

A multi-layer coating process for a bulky granular material includes a step in which the wet material is obtained, a step in which the material is mixed in advance with the first coating agent supplied in the form of powder, and a step in which the mixture is introduced into the inlet end of a spiral passage in a rotating drum.例文帳に追加

バルクの粒状材料の多層被覆工程であって、湿った状態の粒状材料のバルクを入手すること、粉末化形態で提供された第１の被覆剤と、粒状材料を前以て混合すること、及び次に、前以て混合された材料を、回転しているドラム内の螺旋巻き路の入り口末端中に導入すること、の段階を含んでなる方法。 - 特許庁

A semiconductor constituent body 4 called CSP is provided on the upper surface of a base plate 1 provided with upper wiring 2 and lower wiring 3, an insulating layer 16 like a square frame is formed therearound, then first and second upper re-wirings 20 and 24 are formed thereon, and a solder ball 27 is provided on the connection pad of the second upper re-wiring 24.例文帳に追加

上層配線２および下層配線３を有するベース板１の上面にはＣＳＰと呼ばれる半導体構成体４が設けられ、その周囲には矩形枠状の絶縁層１６が設けられ、それらの上には第１、第２の上層再配線２０、２４が設けられ、第２の上層再配線２４の接続パッド部上には半田ボール２７が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a semiconductor substrate 10 having an element forming region 12 containing impurities of a first conductivity type; a gate electrode 15 formed on the element forming region 12 with a gate insulating film 14 interposed therebetween; and a silicon mixed crystal layer 22 formed outside the gate electrode 15 in the element forming region 12 and containing impurities of a second conductivity type.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の不純物を含む素子形成領域１２を有する半導体基板１０と、素子形成領域１２の上にゲート絶縁膜１４を介在させて形成されたゲート電極１５と、素子形成領域１２におけるゲート電極１５の外側方に形成され、第２導電型の不純物を含むシリコン混晶層２２とを備えている。 - 特許庁

In a method for manufacturing a bushing 16 having a sintered alloy part 30 a backing plate part 40, the sintered alloy part 30 is formed at first by sintering metal powder containing copper and iron on a surface of a plate shape backing plate part 40 composed of ferrous material, and the sintered alloy part 30 and the backing plate part 40 are formed on a plate shape bearing material having a double layer structure.例文帳に追加

焼結合金部３０と裏金部４０とを有するブッシュ１６の製造方法において、まず、鉄系材料から成る板状の裏金部４０の表面上で銅及び鉄を含む金属粉末を焼結して焼結合金部３０を成形するとともに、この焼結合金部３０と裏金部４０とを二層構造を有する板状の軸受材料に成形する。 - 特許庁

A buildup method is applied to the integrally united substrates, buildup layers 3a and 3b are first laminated, a conductor strip 1 having width W smaller than the width CW of the area 4c is arranged at the position on the layer 3a, facing the area 4c, and the normal wiring patterns 2 are arranged as necessary in an area other than the position facing the area 4c.例文帳に追加

そして、一体化された基板に対してビルドアップ工法を実施し、先ず、ビルドアップ層３ａ，３ｂを積層し、そのビルドアップ層３ａの上層の削除領域４ｃに対向する位置に削除領域４ｃの幅ＣＷより小さい幅Ｗを有する導体ストリップ１を配し、削除領域４ｃに対向する位置以外の領域に通常配線パターン２を必要に応じて配する。 - 特許庁

The optical modulator has an optical waveguide 2 extending along a certain surface, a first optical guide part (the array of pits 9) regulating propagation of an optical wave in a direction parallel to the surface and a second optical guide part (a part other than a high refractive index layer 11 in a substrate 1) regulating the propagation of the optical wave in a direction vertical to the surface.例文帳に追加

本発明の光変調素子は、ある面に沿って延びる光導波路２と、光波の伝搬を前記面に平行な方向において規制する第１光ガイド部（ピット９のアレイ）と、光波の伝搬を前記面に垂直な方向において規制する第２光ガイド部（基板１における高屈折率層１１以外の部分）とを有する光変調素子である。 - 特許庁

In the optical fiber cable constituted by forming N or more (N≥2) covering layers on the outer circumferential part of an optical fiber, the first to (N-1)th covering layers from the inside are constituted of thermoplastic resin, and the Nth covering layer from the inside is constituted of: a polymer incorporating ethylene units and tetrafluoroethylene units; or a polymer incorporating the tetrafluoroethylene units and a perfluoroalkoxyethylene unit.例文帳に追加

光ファイバの外周部にＮ層（Ｎ≧２）以上の被覆層が形成されてなる光ファイバケーブルであって、内側から１層目〜Ｎ−１層目の被覆層は熱可塑性樹脂からなり、内側からＮ層目の被覆層はエチレン単位及びテトラフルオロエチレン単位を含む重合体又はテトラフルオロエチレン単位及びパーフルオロアルコキシエチレン単位を含む重合体からなる光ファイバケーブル。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device where silicon insulation films having a different thickness are formed, respectively, in a specified region and other specified region on a substrate, HMDS coating and heating are performed prior to coating of a photoresist layer when photolithographic etching, i.e., boring of an opening 28W, is performed in the process for removing the specified region of a first silicon insulation film 28.例文帳に追加

基板上の特定領域と、他の所定領域において、相互に厚さを異にするシリコン絶縁膜が形成されて成る半導体装置の製造方法であって、第１のシリコン絶縁膜２８の特定領域の除去工程におけるフォトリソグラフィによるエッチング、即ち開口２８Ｗの穿設において、フォトレジスト層の塗布に先立って、ＨＭＤＳ被着と加熱を行うものである。 - 特許庁

The spacer body structure is provided with a support substrate 24 arranged in opposition to the first and the second substrates, equipped with a plurality of electron beam passing holes 26 set in opposition to the respective electron emission sources and coated with an insulating layer 25, as well as a plurality of spacers 30a, 30b erected on at least either surface of the support substrate 24 among the plurality of electron beam passing holes.例文帳に追加

スペーサ構体は、第１および第２基板に対向して配設され、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有しているとともに絶縁層２５で被覆された支持基板２４と、複数の電子ビーム通過孔間で、支持基板の少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサ３０ａ、３０ｂと、を備えている。 - 特許庁

In the semiconductor device having a parallel p-n layer with an n-type drift region 2 and a p-type partition region alternately arranged a plurality of times, an insulating film 16 thicker than a gate oxide film 6 is formed on the surface of a region with no p base region 8 between first p-type partition regions 3a having the p base regions 8 among the p-type partition regions.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２とｐ型仕切領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を有する半導体装置において、ｐ型仕切領域のうちのｐベース領域８が形成された第１ｐ型仕切領域３ａ間の、ｐベース領域８が形成されていない領域の表面に、ゲート酸化膜６より厚い絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

To provide a wiping board and its manufacturing method that prevent electronic components incorporated into an insulating board from being easily affected by an external electromagnetic wave, at the same time, can reduce influence by noise generated by a circuit being composed of the electronic components, and can stabilize electric characteristics inside the wiring board and continuity with an IC chip or the like that is mounted onto a wiring layer and a first main surface.例文帳に追加

絶縁基板に内臓した電子部品が外部からの電磁波に影響されにくく、且つ上記電子部品が構成する回路が発生するノイズによる影響を低減でき、配線基板内部の電気的特性や配線層および第１主面上に搭載されるＩＣチップなどとの導通を安定させ得る配線基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In adjusting the density in a device for printing a color image by developing an image of the color of each layer, using a color printing paper having C, M, Y layers, first, R, G, B test patterns are generated, and the R, G, B test patterns are printed on the color printing paper by a thermal head 36.例文帳に追加

自動濃度調整用のＣ、Ｍ、Ｙの濃度を測定する場合には、ＴＡペーパーにＲ、Ｇ、Ｂのテストパターンを印画し、このテストパターンをＲ、Ｇ、Ｂの各色の輝線スペクトルを有する定着用ランプによって照明するとともに、ＴＡペーパーの基準位置を検出するＨＰセンサの受光センサによってＲ、Ｇ、Ｂのテストパターンの反射光量をそれぞれ検出する。 - 特許庁

A second electrode 5, confronting a first electrode 3 with an insulator layer 4 between, has a plurality of parallel arranged divided electrodes 5a and a connection part 5b for connecting end parts of the divided electrodes 5a and is formed partly into a shape having a bend portion 5b bent substantially at right angles, and the internal angle of the bend portion 5d is made with a smooth curve.例文帳に追加

誘電体層４を挟んで第一電極３と対向する第二電極５は、平行に配列された複数の分割電極５ａと、これらの分割電極５ａの端部を接続する接続部５ｂとを有し、一部に略直角に屈曲する屈曲部分５ｄを有する形状をもって形成され、屈曲部分５ｄの内角が滑らかな曲線により結ばれている。 - 特許庁

A magnetic thin film 12 as a magnetic body is formed on a non-magnetic substrate 10, and the first spiral flat coil 14a for applying a bias magnetic field to the magnetic thin film 12 or for taking out an induced output and the second spiral flat coil 14b for applying feedback are formed on the same plane through an insulating layer on the magnetic thin film 12.例文帳に追加

非磁性基板１０上に磁性体としての磁性薄膜１２を形成し、その磁性薄膜１２上に絶縁層を介して、磁性薄膜１２に対しバイアス磁界を印加するため又は誘導出力を取り出すための第１の渦巻き型平面コイル１４ａと、帰還を掛けるための第２の渦巻き型平面コイル１４ｂとを同一平面に形成する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a display element which can obtain a gate insulating film with a high dielectric constant by stacking a first gate insulating film of sol-gel type with a high dielectric constant and a second gate insulating film made of amorphous silicon or a polymeric organic substance with a relatively low dielectric constant, so that the gate insulating film having a double layer is formed.例文帳に追加

高い誘電率特性を持つゾル—ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子を提供する。 - 特許庁

This package 1 is constituted mainly of the pressure sensor 11 joined with the first substrate 11a having a fixed electrode, and the second substrate 11b having a movable electrode arranged with the prescribed space with respect to the fixed electrode, a support substrate 12 having an opening part 12a capable of storing the second substrate 11b, and a resin layer 13 for fixing the pressure sensor 11 and the support substrate 12.例文帳に追加

パッケージ１は、固定電極を有する第１基板１１ａと、この固定電極と所定の間隔をおいて配置された可動電極を有する第２基板１１ｂとを接合してなる圧力センサ１１と、第２基板１１ｂを収容可能な開口部１２ａを有する支持基板１２と、圧力センサ１１及び支持基板１２を固定する樹脂層１３とから主に構成されている。 - 特許庁

After implanting an oxygen ion 11 into a silicon wafer 12 where first a polysilicon film 17 is formed on the backside, the wafer 12 is heat-treated to form an embedded oxide film 13 inside the wafer 12, thus manufacturing a SIMOX substrate 16 by forming an SOI layer 14 on the surface of the wafer 12 on the embedded oxide film 13 and further forming an oxide film 18 on the whole surface.例文帳に追加

先ず裏面にポリシリコン膜１７を形成したシリコンウェーハ１２の内部に酸素イオン１１を注入した後に、このウェーハ１２に熱処理を施してウェーハ１２内部に埋込み酸化膜１３を形成することにより埋込み酸化膜１３上のウェーハ１２表面にＳＯＩ層１４を形成してＳＩＭＯＸ基板１６を作製し更に全面に酸化膜１８を形成する。 - 特許庁

The linear structure bodies are arranged in parallel to each other so that they are electrically insulated from each other through a first insulation line, and a second linear conductor intersects the linear structure bodies, and are brought into electrical contact with the luminous layer structure at intersecting points arranged in matrix, and the linear conductors are electrically insulated from each other through a second insulation part.例文帳に追加

この線状構造体は、互いに電気的に第１の絶縁線で絶縁され、第２の導電体が線状構造体に対して交差するように互いに並列して配置され、マトリックス状に配置された交差位置において前記発光層構造に電気的に接触され、この線状の導電体は、互いに第２の絶縁部によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁

In a full dot matrix display type liquid crystal display element which is constituted by disposing a first transparent electrode substrate having a plurality of lines of row electrodes and a second transparent electrode substrate having a plurality of lines of column electrodes opposite to each other across a liquid crystal layer and by using each intersection of the row electrodes and the column electrodes as a display element, each display element D is made to be a hexagonal dot pattern.例文帳に追加

複数本の行電極を有する第１透明電極基板と、複数本の列電極を有する第２透明電極基板とを液晶層を挟んで対向的に配置し、行電極と列電極の交点部の各々を表示画素としてなるフルドットマトリクス表示型の液晶表示素子において、各表示画素Ｄを六角形のドットパターンとする。 - 特許庁

In addition, a plurality of second electrodes 7 are arranged in stripes among the plurality of first electrodes 6 for discharging residual electric charge remaining in the electric charge storage part 11 or the reading photoconductive layer 5 when the erase light L2 is irradiated, and are provided on a plurality of read light shielding films 9 for transmitting the erase light L2 and shielding the read light L1.例文帳に追加

また、消去光Ｌ２が照射されたとき電荷蓄電部１１または読取用光導電層５に残存する残存電荷を放電する、複数の第１線状電極６の間にストライプ状に配列された複数の第２線状電極７が、消去光Ｌ２を透過し読取光Ｌ１を遮光する複数の読取光遮光膜９上の領域に設けられている。 - 特許庁

The method of manufacturing the glass optical device includes obtaining the optical device by press molding a glass base material having a core part comprising optical glass (first glass) having ≥550°C Tg and a covering part covering the surface of the core part and comprising second glass into a lens shape, annealing the resultant press molded product and removing the covering layer existing on the surface of the press molded product.例文帳に追加

転移点が550℃以上である光学ガラス（第一のガラス）からなる芯部と、前記芯部の表面を被覆する第二のガラスからなる被覆部とを有するガラス素材をレンズ形状にプレス成形して得られたプレス成形品をアニールし、次いで、プレス成形品の表面にある被覆層を除去してガラス光学素子を得ることを含む、ガラス光学素子の製造方法。 - 特許庁

The anode for the nonaqueous electrolyte secondary battery contains a composite anode active material comprising silicon-containing particles 11, carbon nano-fibers 12, and a catalyst element 13; a first binder 15 made of an acrylic group-containing polymer; and a second binder made of adhesion rubber particles, and has a mix layer arranged on a current collector 1A.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、少なくともリチウムイオンの吸蔵放出が可能な含ケイ素粒子１１とカーボンナノファイバ１２と触媒元素１３とからなる複合負極活物質１４と含アクリル基高分子である第１結着剤１５と粘着性ゴム粒子である第２結着剤１６とを含み集電体１Ａ上に設けられた合剤層とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectromotive element includes the stages of: forming a precursor film 102a on a substrate 101; forming a second semiconductor thin film 103 on the precursor film 102a; and forming a first semiconductor thin film 102b by supplying thermal energy using the second semiconductor thin film 103 as a cap layer and then crystallizing the precursor film 102a.例文帳に追加

基板１０１の上に前駆体膜１０２ａを形成する工程と、前駆体膜１０２ａの上に第２の半導体薄膜１０３を形成する工程と、第２の半導体薄膜１０３をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜１０２ａを結晶化して第１の半導体薄膜１０２ｂを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A strip of thin-film layer 4 is formed at the upper section of the high-breakdown-voltage junction terminator structure for potentially separating the section between first and second reference circuit formation regions 1 and 2.例文帳に追加

第１、第２基準回路形成領域１、２間を電位的に分離する高耐圧接合終端構造上部に帯状の薄膜層４が形成され、この薄膜層４に形成されるツェナーダイオードは、高耐圧ＮＭＯＳ５、高耐圧ＰＭＯＳ６が設けられている箇所やコーナ箇所の曲線部分Ｂと、基準回路形成領域１、２端部と平行している直線部分Ｃとに形成される。 - 特許庁

The semiconductor structure further comprises a second transition body, such as a transition module, having a smaller lattice parameter at a lower surface overlying the second surface of the first transition body and a larger lattice parameter at an upper surface of the second transition body, as well as a III-Nitride semiconductor layer over the second transition body.例文帳に追加

前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。 - 特許庁

An infrared sensor 8 for detecting infrared rays emitted by the pot has a sensor base material 20, a first thermal element 22 for detecting the temperature change of the sensor base material 20 and a second thermal element 23 for detecting the atmospheric temperature of the sensor base material 20, and is provided with an infrared reflecting layer 25 for reflecting the infrared rays facing the second thermal element 23.例文帳に追加

鍋が放射する赤外線を検出する赤外線センサ８は、センサ基材２０と、センサ基材２０の温度変化を検出する第１の感熱素子２２と、センサ基材２０の雰囲気温度を検出する第２の感熱素子２３とを有するとともに、第２の感熱素子２３に相対して赤外線を反射する赤外線反射層２５を設けたものである。 - 特許庁