「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(482ページ目) - Weblio英語例文検索

The extra-fine coaxial harness H includes: a multicore extra-fine coaxial line 10 in which a plurality of extra-fine coaxial lines 11 with central conductors 12 having exposed tips are linked in parallel; and an intermediate connector 30 having first and second conductive layers 32 and 33 connected via a through-hole conductive layer 34.例文帳に追加

極細同軸ハーネスＨは、先端部が露出された中心導体１２を有する複数本の極細同軸線１１を並列に連結させた多心極細同軸線１０と、スルーホール導電層３４を介して接続される第１導電層３２および第２導電層３３を有する中間接続体３０とを備えている。 - 特許庁

This thin laminated module is formed by mutually connecting, double layers of semiconductor devices H1, H2 which are constituted through formation of first and second semiconductor chips 4 in the face-up manner within the cavity formed on a resin substrate, and a multiple-layer wiring structure substrate 10 including solder balls 17, via an anisotropic conductive film 20.例文帳に追加

この積層モジュールは、樹脂基板に形成されたキャビティ内に第１及び第２の半導体チップ４をフェースアップで形成してなる２層の半導体装置Ｈ１，Ｈ２と、半田ボール１７を有する多層配線構造基板１０とを異方性導電フィルム２０を介して相互接続してなる薄型の積層モジュールである。 - 特許庁

A second liquid crystal polyester-impregnated base material is obtained by heat-treating a first liquid crystal polyester-impregnated base material 11 arranged on the supporting material 13 through a resin layer 12 which exhibits a melting point of ≥320°C by the measurement using a differential scanning calorimeter, or does not undergo decomposition at <320°C and also does not exhibit a melting point.例文帳に追加

示差走査熱量分析での測定により、３２０℃以上の融点を示すか、又は３２０℃未満で分解せずかつ融点を示さない樹脂シート１２を介して、支持材１３上に配置した第一の液晶ポリエステル含浸基材１１を熱処理することにより、第二の液晶ポリエステル含浸基材を得る。 - 特許庁

On at least one side of the first electrode plate 6 and the second electrode plate 8, multiple projecting parts 10 are formed on a surface thereof in contact with the element body 4, and an embedding layer 14 without including a conductive material and having a higher gel fraction relative to the element body 4 is formed on recessed parts 12 formed between the projecting parts 10.例文帳に追加

第１電極板６および第２電極板８の少なくとも一方には、素子本体４が接触する表面に、凸部１０が多数形成してあり、凸部１０の間に形成してある凹部１２には、導電材を含まず素子本体４よりもゲル分率の高い埋込層１４が形成してある。 - 特許庁

The high-density optical disk is formed on a reflection film for reflecting an incident light or a surface opposite the recording surface of a label so as to prevent the incident light of a pickup from reaching a recording layer in a read-in area where reading is carried out first by a device at the time of disk loading when the disk is erroneously inserted.例文帳に追加

本発明による高密度光ディスクは、ディスクが誤挿入されると、ディスク装着時に装置で最初読出しが試みられるリードイン領域にピックアップから入射光が記録層に到達しないように入射光を反射させる反射膜またはラベルが記録面の反対面に形成させる。 - 特許庁

Thermal movement by thermal conduction is performed from the first surface part 8 to the second surface part 9 through an air layer 16, heat generated inside the optical head 1 is moved effectively to the heat radiation member 10, and the temperature rise of the optical head 1 and the semiconductor laser 4 can be suppressed.例文帳に追加

本構成によって第１の平面部８から第２の平面部９へその間の空気層１６を介して熱伝導による熱移動を行い、光学ヘッド１の内部で発生する熱を放熱部材１０へ効果的に移動し、光学ヘッド１ならびに半導体レーザ４の温度上昇を抑制することができる。 - 特許庁

The thin film transistor 100 includes a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (channel region) 114 formed of the microcrystal silicon, first ohmic contact layers 116 and 117, second ohmic contact layers 118 and 119, a drain electrode 120, and a source electrode 121.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、微結晶シリコンから形成された半導体層（チャンネル領域）１１４と、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７と、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９と、ドレイン電極１２０と、ソース電極１２１と、を備える。 - 特許庁

A protective film is formed on the substrate 9 in a protective film forming chamber 15, the substrate 9 is cleaned by plasma ashing in a first cleaning chamber 22, the substrate is cleaned by gas blow in a second cleaning chamber 23 and burnished in a vacuum in a burnish chamber 24 while being conveyed from the magnetic film forming chamber 14 to the lubricant layer forming chamber 25.例文帳に追加

磁性膜作成チャンバー１４から潤滑層形成チャンバー２５に搬送される間、基板９は、保護膜作成チャンバー１５で保護膜が作成され、第一クリーニングチャンバー２２でプラズマアッシングによりクリーニングされ、第二クリーニングチャンバー２３でガスブローによりクリーニングされ、バーニッシュチャンバー２４で真空中でバーニッシュされる。 - 特許庁

By forming heat insulating gaps 121, 122 in a frame 12a of the first frame body pinching lithium ion battery cells, even if there is a temperature change outside the battery pack, the heat insulating gaps 121, 122 constitute a heat insulating layer composed of air to shut off heat from the outside.例文帳に追加

リチウムイオン電池セルを挟持する第１枠体のフレーム１２ａの内部に、断熱用空隙部１２１，１２２が設けられることにより、電池パックの外部において温度変化があった場合でも、この断熱用空隙部１２１，１２２が空気による断熱層を構成して、外部からの熱の伝熱を遮断する。 - 特許庁

A land 42 for mounting the input side and an input-side power supply pattern 41 connected to the land 42 for mounting the input side are fitted to the first signal electrode layer 40.例文帳に追加

第１の信号電極層４０は、入力側実装用ランド４２、該入力側実装用ランド４２に接続した入力側電源供給パターン４１、出力側実装用ランド４３、該出力側実装用ランド４３に接続した出力側電源供給パターン４４及びグランド側実装用ランド４５が設けられている。 - 特許庁

The first section 216 of the printed layer 200 includes a printed mark on the outer surface, the second section 218 includes a die-cut label 224, and the third section 220 includes a die-cut release seal 226 along the border between the mark printed on the outer surface and the second section 218 adjacent to the printed mark.例文帳に追加

印刷層２００の第１区画２１６は外面に印刷された目印を含み、第２区画２１８はダイカットラベル２２４を含み、第３区画２２０は外面に印刷された目印および印刷された目印と隣接する第２区画２１８との間の境界に沿ったダイカット剥離シール２２６を含む。 - 特許庁

Before a first layer is accumulated on the surface of the plastic substrate to be accumulated, non-accumulated advance treatment is executed.例文帳に追加

少なくとも１つの金属層、特に柔軟性プリント回路ボード用のプラスチックフォイルを具備するプラスチック基板を堆積するためのプロセスおよびウェブ堆積機器であって、堆積される該プラスチック基板の表面上に第１の層を堆積する前に、この表面の非堆積事前処置が実行されるプロセスおよびウェブ堆積機器に関する。 - 特許庁

Similarly, a static capacitance is formed between a second slide electrode 60 and a second chassis 32 by facing the second slide electrode 60 with the second chassis 32 with a paint layer 3204 inbetween in a state that the second slide electrode 60 electrically connected to the first chassis 22 is in slide contact with the second chassis 32.例文帳に追加

同様に、第１のシャーシ２２に電気的に接続された第２の摺動電極６０が第２のシャーシ３２の摺接した状態では、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２が塗装層３２０４を挟んで位置することにより、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２の間に静電容量が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity and a method that rarely produces the impurity layer in the interface between the first and second wiring layers, and can easily manufacture the above semiconductor device having a low contact resistance and a desirable conductivity with a high yield.例文帳に追加

本発明は、コンタクト抵抗が低く導電性に優れる半導体装置と、第一の配線層と第二の配線層との接合部に不純物層がほとんど生成されず、コンタクト抵抗が低く導電性に優れた半導体装置を容易に歩留まり良く製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The probe for the ultrasonograph is formed of: a sound absorption layer having sound absorbers 110 and 111; a first connecting portion 120 having a plurality of electrodes which are formed separately from each other, and sandwiched between the sound absorbers and joined thereto; and a piezoelectric material arranged to be electrically connected with the plurality of electrodes.例文帳に追加

吸音体１１０，１１１を備える吸音層と、互いに離隔して形成される複数の電極を備えており、前記各吸音体の間に挟まれて接合される第１連結部１２０と、前記複数の電極と電気的に連結されるように配置される圧電体とを備えた超音波診断装置用プローブを構成する。 - 特許庁

A first substrate 100 has a TFT 110 as a switch element provided for each pixel, and a reflective layer 44, which is insulated from the TFT 110 and reflects light made incident from the side of a second substrate 200 through a second electrode 250 made of ITO etc., formed on an insulating film covering the TFT 110.例文帳に追加

第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁

The light reflective metal layer 9 for reflecting incident light toward an interface between the front plate and atmosphere is arranged in a prism shape, and a prism-shaped vertex angle θx in a first region adjacent to the solar cells is larger than a prism-shaped vertex angle θy in a second region.例文帳に追加

入射光を前面板と大気との界面に向けて反射させる光反射金属層９はプリズム形状を配列して構成し、太陽電池セルに隣接する第一の領域におけるプリズム形状の頂角θｘが第二の領域におけるプリズム形状の頂角θｙより大きい。 - 特許庁

Two-layer lens structure is obtained by arranging the respective microlenses 13 of a second microlens group arranged as one pattern which constitutes a checker in plane view on the respective microlenses 11 of a first microlens group arranged as the other pattern which constitutes a checker in plane view through a second transparent protection film 12.例文帳に追加

平面視で市松模様状を構成する一方模様として配置された第１マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１１上に、第２透明保護膜１２を介して、平面視で市松模様状を構成する他方模様として配置された第２マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１３が配置されて２層レンズ構造となっている。 - 特許庁

A second laminate sheet for molding has one or more ink layers (B) of an ink containing a fine metal piece obtained from an electrodeposited metal film treated with a cellulose derivative dispersed in a resin varnish on a first transparent or translucent film (A) wherein the film layer contains a fluorine resin.例文帳に追加

第二の構成は、透明又は半透明である第一のフィルム層（Ａ）上に、セルロース誘導体で表面処理した蒸着金属膜細片を樹脂ワニス中に分散したインキを１層以上設けたインキ層（Ｂ）を有する積層シートであって、該フィルム層がフッ素樹脂を含有することを特徴とする積層シート。 - 特許庁

The first theory was rejected because there are foundations of later periods, and the second one is also currently denied because the fact of destruction by fire was proven by the layer of burned soil on the second-period foundation, however, it became clear that the third-period foundation was rebuilt in a bigger size. 例文帳に追加

前者の考えについては各遺構面が存在することによって否定された。後者については、第2期遺構面上に堆積する焼土層によって焼失の事実は証明されたものの、第3期の遺構がさらに規模を拡大して再建されていることが明らかとなり、現在では否定されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Surplus liquid 201 remaining in a second portion 135 which is a portion furthermore on the gravity direction side than the first portion 134, including an end on the gravity direction side of the composite molding 130 is removed by the gas blown out from the nozzle, to thereby form a uniform suspension layer 203 on the surface of the composite molding 130.例文帳に追加

複合成形体１３０における重力方向側の端部を含み、且つ第一部位１３４より重力方向側の部位である第二部位１３５に残った余剰液２０１が、ノズルから吹き出される気体によって除去され、複合成形体１３０の表面に均一な懸濁液層２０３が形成される。 - 特許庁

This vehicle occupant protective device 14 inflatable for assisting protection of an occupant on a vehicle comprises strands of material woven together to form a first and a second woven seams 120 and 150 of a single layer including strands of material from (a) an overlapped woven panel and (b) an overlapped panel.例文帳に追加

車両の乗員を保護する補助を行う膨張可能な車両乗員保護装置（１４）は（ａ）重なった織りパネル及び（ｂ）重なった各パネルからの材料のストランドを含む単一層の第１及び第２の織ったシーム（１２０、１５０）、の双方を形成するように一緒に織られた材料のストランドを有する。 - 特許庁

The display label comprises; a first display part that displays a color corresponding to the scattered light when illuminated with white light from the front side of the display label; and a second display part that displays a color due to the print layer when illuminated with white light from the front side of the display label.例文帳に追加

この表示体は、前記表示体の前面側から白色光で照明した際に前記散乱光に対応した色を表示する第１表示部と、前記表示体の前面側から白色光で照明した際に前記印刷層に起因した色を表示する第２表示部とを備えている。 - 特許庁

An organic EL display 1 is provided with a first fractal structure layer F1 forming a fractal structure to temporarily hold a carrier (free electron) between respective luminescent layers 12R, 12G, 12B of an organic EL element 3R for red, an organic EL element 3G for green, and an organic EL element 3B for blue and a negative electrode 14.例文帳に追加

有機ＥＬディスプレイ１は、赤色用有機ＥＬ素子３Ｒ、緑色用有機ＥＬ素子３Ｇ、青色用有機ＥＬ素子３Ｂのそれぞれの発光層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと陰極１４との間に、キャリア（自由電子）を一時保持するフラクタル構造を成す第１フラクタル構造層Ｆ１を備えた。 - 特許庁

In the method for manufacturing an electronic component mounting circuit board, a flexible film is stuck to a first reinforcing plate via a strippable organic substance layer; and next, after a circuit pattern is formed on the flexible film, the flexible film with the circuit pattern is transferred to a second reinforcing plate, so that the electronic components are mounted on the circuit pattern.例文帳に追加

可撓性フィルムを剥離可能な有機物層を介して第１の補強板と貼り合わせ、次いで、可撓性フィルム上に回路パターンを形成した後、第２の補強板に該回路パターン付き可撓性フィルムを移し取り、電子部品を該回路パターン上に実装する電子部品実装回路基板の製造方法。 - 特許庁

On the silicon substrate 21, a first conductivity type accumulation layer 31, which has an impurity concentration higher than that of the silicon substrate 21, is formed at the side of the second main surface 21b, and irregularities 10 are formed in a region opposite to at least the semiconductor region 23 on the second main surface 21b.例文帳に追加

シリコン基板２１には、第２主面２１ｂ側にシリコン基板２１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層３１が形成されていると共に、第２主面２１ｂにおける少なくとも半導体領域２３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁

To improve an integration degree by reducing use frequency of a second wiring layer and improving a degree of freedom on signal wiring between cells in a semiconductor integrated circuit designed, in such a way that a plurality of cells are arranged in orthogonal first direction and second direction and a plurality of cells are wired.例文帳に追加

直交する第１の方向及び第２の方向に複数のセルを配置し、複数のセル間を配線することにより設計される半導体集積回路において、第２層目の配線層の使用頻繁を低くしてセル間の信号配線の自由度を高めることにより、集積度を向上させる。 - 特許庁

A counter substrate 300 includes: a counter electrode 330 extended to the outside of the active area and provided with a cutout part CT formed opposite to an area interposed between the first connection wiring and the second connection wiring; and a light-shielding layer BMX disposed outside the active area and formed of resin.例文帳に追加

対向基板３００は、アクティブエリア外に延在し第１接続配線と第２接続配線とで挟まれる領域に対向する切欠部ＣＴが形成された対向電極３３０と、アクティブエリア外に配置され樹脂によって形成された遮光層ＢＭＸと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

When forming these element separating part and oxidized part, a silicon-nitride film 22 that has been used as an oxidization blocking mask, is then used as an anti-etching mask in the mark forming area to perform etching upon the oxidized part 26b and a silicon-oxide film 14 to depth such that a first silicon layer 12 is exposed, thereby forming an alignment mark.例文帳に追加

その後、これら素子分離部及び酸化部の形成時に酸化阻止用マスクとして用いたシリコン窒化膜２２をマーク形成領域において耐エッチング用マスクとして用いて、第１のシリコン層１２が露出される深さまで酸化部２６ｂ及びシリコン酸化膜１４のエッチングを行って、位置合わせ用マークを形成する。 - 特許庁

A width direction end 22E of the spiral belt layer 22 is arranged in an area sandwiched between a first normal HL1 passing through a ground end 26E vertical to a tread, and a second normal HL2 passing through a point P reaching to 20 mm on a tire equator face side along a tread from the ground end 26E vertical to the tread.例文帳に追加

スパイラルベルト層２２の幅方向端部２２Ｅは、踏面に対して垂直でかつ接地端２６Ｅを通る第１の法線ＨＬ１と、踏面に対して垂直でかつ接地端２６Ｅから踏面に沿ってタイヤ赤道面側へ２０ｍｍ至る点Ｐを通る第２の法線ＨＬ２とで挟まれる領域内に配置する。 - 特許庁

A dielectric multilayer film including two dielectric layers is disposed on a diffraction grating on a substrate, in a thickness larger than the steps of the diffraction grating in a first cycle of laminating, the size of the steps is multiplied integral number of times against as the total thickness of the two dielectric layers, and only the same dielectric layer is made continuous on the steps.例文帳に追加

積層の１周期に２つの誘電体の層を含む誘電体多層膜を、回折格子上にその段差以上の厚さで設けるとともに、回折格子の段差の大きさを２つの誘電体の層の厚さの和の整数倍として、段差上で同一の誘電体層のみを連続させる。 - 特許庁

The structure is constituted in such a manner that in the melt-sprayed composite material layer 28, the first material has larger composition rate closer to the heat sink 21 and the second material has larger composition rate closer to the metal wiring 23, consequently the difference in thermal expansion coefficient between the heat sink 21 and metal wiring 23 is absorbed thereby reducing thermal stress.例文帳に追加

溶射複合材料層２８内において、ヒートシンク２１に近いほど第１の材料の組成率が大きく、金属配線２３に近いほど第２の材料の組成率が大きくなっており、ヒートシンク２１と金属配線２３との熱膨張係数差を吸収して、熱応力を低減する構造となっている。 - 特許庁

It is preferable that an anode activator layer 13B contains Sn and first elements (Al, Zn, Ag, In, Sb, Pb or the like) excluding Sn capable of reacting with Li as constituent, and further contains second elements (Mn, Fe, Co, Ni, Cr or the like) not electrochemically reacting with Li which are outside of constituent of anode current collector 11.例文帳に追加

負極活物質層１３Ｂは、構成元素として、Ｓｎと、Ｓｎ以外でＬｉと電気化学的に反応可能な第１元素（Ａｌ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｐｂなど）とを含んでおり、更に負極集電体１１の構成元素以外でＬｉと電気化学的に反応しない第２元素（Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｒなど）とを含んでいることが好ましい。 - 特許庁

In the first process, when the ion to be injected into the silicon layer 13 is oxygen ion, its injection is started in the state where the temperature of the SIMOX wafer is 50°C or lower, the amount of ion dose is 5×10^15-1.5×10^16 atoms/cm^2, and an injected energy is 150 keV or more and 220 keV or less.例文帳に追加

第１の工程は、シリコン層１３に注入するイオンを酸素イオンとするとき、ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態からイオンの注入を開始し、イオンドーズ量を５×１０^１５〜１．５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2、注入エネルギを１５０ｋｅＶ以上２２０ｋｅＶ以下とする。 - 特許庁

A thin-film magnetic head is provided with first and second magnetic layers 8 and 14, a connection 12 for magnetically connecting the magnetic layers 8 and 14 at a position apart from a medium opposite surface ABS, a gap layer 9 placed between the magnetic layers 8 and 14, and a thin-film coil 10 partially placed between the magnetic layers 8 and 14.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、第１および第２の磁性層８，１４と、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において磁性層８，１４を磁気的に連結する連結部１２と、磁性層８，１４の間に設けられたギャップ層９と、一部が磁性層８，１４の間に設けられた薄膜コイル１０を備えている。 - 特許庁

A relation between a stress value and a wave number value of a fluorescence peak is found preliminarily using the first and second reference samples SB1, SB2 having compositions the same to those of the layers 1, 3 or the layer 2, utilizing the wave number value of the fluorescence peak emitted by Cr^3+ ion in the alumina crystal particle is varied by the stress when irradiated with a laser beam.例文帳に追加

レーザ光を照射したときにアルミナ結晶粒子中のＣｒ^3+イオンが発する蛍光のピークの波数値が応力によって変化することを利用し、層１，３あるいは層２と同じ組成の第１，第２基準試料ＳＢ１，ＳＢ２を用いて、応力値と蛍光ピークの波数値との関係を求めておく。 - 特許庁

In the method for transferring an element 3 arranged on a first substrate to a second substrate 5, an adhesive means 2 is used in place of a bonding material to form a transfer layer in the prior art, and a process to enhance peeling property of the adhesive means 2 and to enhance releasability at the interface between the adhesive means and the other material is provided additionally.例文帳に追加

第１の基板１上に配された素子３を第２の基板５へ転写する方法において、従来の転写層を形成する接着材のかわりに粘着手段２を用いるとともに、粘着手段２の剥離性や、粘着手段と他の材料との界面における離型性を高める処置を付加する。 - 特許庁

Especially, this has the constitution that the first dielectric layer 13a is formed in a region including a region in which the respective electrodes 121, 122 are formed in the electrode pairs 12, and a region between the respective electrodes in the electrode pairs 12 in the main face region of the one substrate.例文帳に追加

特に、第１誘電体層１３ａは、前記一方の基板の主面領域の中で少なくとも、前記電極対１２において各々の電極１２１、１２２が形成されている領域と、前記電極対１２において各々の電極間の領域とを含む領域に形成されている構成である。 - 特許庁

The integrated circuit device comprises a first conductivity type semiconductor layer, a plurality of semiconductor columnar parts extending outward from the semiconductor layer while defining a trench therebetween, gate structures in respective trenches, and at least one second conductivity type deep well region located beneath the bottom part of at least one trench defining at least one inactive gate structure therein and extending into the semiconductor layer between a pair of adjacent corresponding semiconductor columnar parts.例文帳に追加

集積回路装置は、第１導電型の半導体層と、この半導体層から外方に延在し、複数の互いに離間した半導体柱状部であって、これら半導体柱状部間にトレンチを規定している当該半導体柱状部と、各トレンチ内のそれぞれのゲート構造体と、少なくとも１つのトレンチの内部に少なくとも１つの不活性ゲート構造体を規定している当該少なくとも１つトレンチの底部の下側で且つ一対の隣接する対応の半導体柱状部間で前記半導体層内に延在するように位置する第２導電型の少なくとも１つの深い井戸領域とを具える。 - 特許庁

In the method for producing the transparent conductive film 70, a first film 16 having a hard coat layer and/or an anti-glare layer and a second film 62 having a transparent conductive film are laminated through an adhesive layer 44.例文帳に追加

【解決手段】ハードコート層及び／又はアンチグレア層を有する第１フィルム１６と透明導電膜を有する第２フィルム６２とを接着剤層４４を介して積層する透明導電性フィルム７０の製法であり、接着剤層付き前記第１フィルム１８のセパレーター１０の第２面と第１フィルム１６との間の両端部にスペーサーを供給しながら巻芯に巻き重ねて接着剤層付き第１フィルムのロール体とする工程、接着剤層付き第１フィルム１８のロール体から巻き戻しつつセパレーター１０を除去し、両端部にスペーサーを介して巻芯に巻き重ねられたロール体から第２フィルム６２を供給して接着する積層工程を有する製造方法とする。 - 特許庁

A light emitting element has a substrate, a plurality of lower electrodes disposed in a stripe shape, a plurality of transparent counter electrodes disposed in a stripe shape, and a luminescent layer disposed between the lower electrode and the transparent counter electrodes, and the display device has an auxiliary electrode disposed on the transparent counter electrodes and a first insulating layer below the auxiliary electrode and between the transparent counter electrode and the lower electrode.例文帳に追加

基板と、ストライプ状に配置される複数の下部電極と、複数の下部電極に交差し、ストライプ状に配置される複数の透明対向電極と、下部電極及び前記透明対向電極との間に配置される発光層と、を有する発光素子であって、透明対向電極上に配置される補助電極と、補助電極の下であって、透明対向電極と下部電極との間に設けられる第一の絶縁層とを有する表示装置。 - 特許庁

In this electrochemical measurement sensor for measuring gas components in a gas mixture and/or the gas concentration with the use of a sensor element disposed on an ion conductive solid electrolyte and having at least one electrode at least exposed regionally to the gas, the electrode includes at least two layers, and the second layer opposite to the gas has a electron conductivity higher than that of the first layer counterposed to the solid electrolyte.例文帳に追加

イオン伝導性固体電解質体上に配置された、少なくとも領域的にガスに暴露される少なくとも１個の電極を有するセンサー素子を用いてガス混合物中のガス成分および／またはガス濃度を測定するための電気化学的測定センサーの場合に、電極が少なくとも２つの層を有し、この場合ガスに対向した第２の層は、固体電解質体に対向した第１の層と比較してよりいっそう高い電子伝導性を有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a plurality of TFTs each having a back gate electrode, a semiconductor active layer provided in contact with the back gate electrode through a first gate insulating film, and a gate electrode provided in contact with the semiconductor active layer through a second gate insulating film, and a circuit for controlling the threshold of the plurality of TFTs wherein the back gate electrode is applied with an arbitrary voltage by the threshold control circuit.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、バックゲート電極と、前記バックゲート電極に、第１のゲート絶縁膜を介して接して設けられた半導体活性層と、前記半導体活性層に、第２のゲート絶縁膜を介して接して設けられたゲート電極と、を有する複数のＴＦＴと、前記複数のＴＦＴのしきい値を制御するしきい値制御回路と、を有し、前記バックゲート電極には、前記しきい値制御回路によって任意の電圧が印加されることを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter includes the steps of directly dissolving chalcogen elemental substance and metal in a mixed solvent including an organic compound containing a chalcogen element and a Lewis base organic solvent to prepare a material solution, applying the material solution onto a light absorbing layer 3 consisting of a first semiconductor to form a film, and heating up the film to form a buffer layer 4 consisting of a second semiconductor including a chalcogen compound semiconductor.例文帳に追加

含カルコゲン元素含有有機化合物とルイス塩基性有機溶剤とを含む混合溶媒に、カルコゲン元素の単体および金属を直接溶解させることにより、原料溶液を作製する工程と、第１の半導体から成る光吸収層３上に前記原料溶液を塗布して被膜を形成する工程と、前記被膜を加熱してカルコゲン化合物半導体を含む第２の半導体から成るバッファ層４を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

The second electrode layer has a window aperture section 34, in a region facing the bonding region of the first electrode layer and the support body.例文帳に追加

光透過性を有する圧電振動片１０１と、前記圧電振動片の一面に形成された第一電極層３３と、前記圧電振動片における前記一面と表裏の関係にある他面に形成された第二電極層３１と、前記第一電極層との接続のためのバンプ２３により接合され、前記圧電振動片を支持する支持体２０と、を有し、前記第二電極層は、前記第一電極層と前記支持体との接合領域と対向する領域に窓開け部３４を有することを特徴とする。 - 特許庁