「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(479ページ目) - Weblio英語例文検索

This core-shell type resin particle (C) composed of one or more coating film-like shell layers (P) comprising the first resin (a) and one core layer (Q) comprising the second resin (b) is characterized in that the resin (a) contains 0.1 to 9 mol.% of a fluorine-containing vinyl monomer (m) as constituting units.例文帳に追加

第１の樹脂（ａ）を含有する皮膜状の１層以上のシェル層（Ｐ）と第２の樹脂（ｂ）を含有する１層のコア層（Ｑ）とで構成されるコア・シェル型の樹脂粒子（Ｃ）であって、樹脂（ａ）が構成単位として０．１〜９モル％のフッ素含有ビニルモノマー（ｍ）を含有することを特徴とする樹脂粒子。 - 特許庁

In the article 20A, first and second elastic members 55 and 56 forming leg peripheral elastic members 33 are colored in substantially the same white or milky white as that of the inner and outer sheets 36 and 37, and central segments 58 and 60 of these elastic members 55 and 56 are sandwiched between a liquid-absorbent layer 23 and the inner sheet 36.例文帳に追加

物品２０Ａでは、脚周り用弾性部材３３を形成する第１および第２弾性部材５５，５６が内外側シート３６，３７と実質的に同一の白色または乳白色を呈し、それら弾性部材５５，５６の中央部５８，６０が吸液層２３と内側シート３６との間に位置している。 - 特許庁

The first substrate 10 is provided with pixel electrodes 15, each of which is formed in an area surrounded by scanning lines 3a and data lines 6a and transition electrodes 60, each of which is formed in a layer located upper than the scanning lines 3a and the data lines 6a and lower than the pixel electrode 15 and generates a potential difference from the pixel electrode 15.例文帳に追加

第一基板１０には、走査線３ａ及びデータ線６ａに囲まれた領域にそれぞれ設けられる画素電極１５と、走査線３ａ及びデータ線６ａよりも上層かつ画素電極１５よりも下層に設けられ、画素電極１５との間に電位差を生じる転移電極６０と、が設けられる。 - 特許庁

The composite capacitor negative electrode plate for a lead storage battery is obtained by forming, on a surface of a negative electrode plate, a coating layer made of a carbon mixture containing composite carbon particles in which surfaces of particles made of a first carbon material having capacitor capacitance and/or pseudo capacitor capacitance are integrally coated with particles made of a second carbon material having electrical conductivity.例文帳に追加

キャパシタ容量及び/又は擬似キャパシタ容量を有する第1カーボン材料の粒子の表面に、導電性を有する第2カーボン材料の粒子を一体化被覆して成る複合カーボン粒子を含むカーボン合剤の被覆層を負極板の表面に形成して成る鉛蓄電池用複合キャパシタ負極板。 - 特許庁

An overcurrent does not flow between source/drain region of the transistor as protective circuit, but comes into contact with the part of the well region of first conductive type intruding the well region of second conductive region with a depletion layer being extending from the drain region, and flows between the drain region and the part intruding the well region of second conductive type.例文帳に追加

過電流は保護回路のトランジスタのソース／ドレイン領域間を流れずに、ドレイン領域から空乏層が延びて第１導電型ウエル領域の第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分に接触して、ドレイン領域と第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分との間を流れるようになる。 - 特許庁

A floating gate 41a of a conductive semiconductor is so provided, on the first insulating layer 46 so as to cover a part of the channel region, and the floating gate 41a is connected to the conductive semiconductor region 40a through a bottleneck part 41b (narrow width and thin) provided at the conductive semiconductor.例文帳に追加

第１の絶縁層４６上にあって、チャネル領域の一部を覆うように導電性半導体を材料としたフローティングゲート４１ａを配置し、フローティングゲートが、同じく導電性半導体に設けた狭窄（幅が狭い、膜厚が薄い）部分４１ｂを介して導電性半導体領域４０ａと接続されている。 - 特許庁

Namely, a dummy common electrode 310', first insulating film 309, dummy drain electrode 311', dummy pixel electrode 312' and second insulating film 308 are formed in the peripheral part of the TFT substrate, and a dummy light-shielding film 302', dummy color filter layer 303' and flattening film 304 are formed in the peripheral part of the counter substrate.例文帳に追加

即ち、ＴＦＴ基板の基板周辺部に、ダミー共通電極３１０′、第１の絶縁膜３０９、ダミードレイン電極３１１′、ダミー画素電極３１２′、第２の絶縁膜３０８を形成し、対向基板の基板周辺部に、ダミー遮光膜３０２′、ダミーカラーフィルタ層３０３′、平坦化膜３０４を形成する。 - 特許庁

Then, soil particles having particle size less than approximately 0.075 mm flowing down from the flowing down course W2 through an inclined plane of an inclined plate 43a are mixed with soil particles having particle size larger than approximately 0.075 mm moved to a first duct 41b within the range from approximately 12% to approximately 14% to produce a surface layer material H.例文帳に追加

その後、傾斜板４３ａの傾斜面４３ａ１によって、流下経路Ｗ２を流下する略０．０７５ｍｍ以下の粒径の土粒子が第１ダクト４１ｂへ排出される略０．０７５ｍｍより大きな粒径の土粒子に略１２％から略１４％の範囲で混入されて、表層材Ｈが生成される。 - 特許庁

Then, the sidewall mask layer is removed, a first insulating film 23 is formed on the etching stopper film 21, a contact hole CH is bored to make the heavily- doped region exposed, second insulating films (24a and 25a) are formed on the inner wall of the contact hole CH, and an embedded electrode is formed inside the contact hole CH.例文帳に追加

次に、サイドウォールマスク層を除去し、エッチングストッパ膜の上層に第１絶縁膜２３を形成し、高濃度不純物含有領域を露出させるコンタクトホールＣＨを開口し、コンタクトホールの内壁面上に第２絶縁膜（２４ａ，２５ａ）を形成し、コンタクトホール内に埋め込み電極を形成する。 - 特許庁

An opening is provided to a part of the light blocking film 12 deposited on the circuit element to serve as a cross wiring section 16, a cross electrode 18 is formed of a wiring layer at the same level with the light blocking film 12, and a cross wiring consisting of first electrode wirings 17a and 17c and an electrode wiring 17b can be realized by an interlayer connection.例文帳に追加

回路素子部１５の遮光膜１２の一部を開口して交差配線部１６とし、遮光膜１２と同じレベルの配線層で交差電極１８を形成し、層間接続により第１層目の電極配線１７ａ、１７ｃと電極配線１７ｂとのクロス配線を実現する。 - 特許庁

In a manufacturing process of the polarized light separation device, first, a glass block is formed by alternately laminating a sheet glass having a polarized light separation film constituted of an inorganic multi-layer film on its surface and a sheet glass having a reflection surface on its surface together, and the glass block is cut along a cutting surface oblique to the stuck surface.例文帳に追加

偏光分離装置の製造工程では、まず、無機物質からなる多層膜で構成された偏光分離膜を表面に有する板ガラスと、反射面を表面に有する板ガラスを交互に貼り合わせたガラスブロックを形成し、その貼り合わせ面に対して斜めの切断面に沿ってガラスブロックを切断する。 - 特許庁

After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment.例文帳に追加

その後、ポリアリールエーテル膜１８を選択的にエッチングし第１配線層１６表面にまで達するビアホール２４ａを開口した後、温度３５０℃、５分間の第２の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第２層間絶縁膜２２に吸収された水分を放出する。 - 特許庁

While gradually increasing the widths of lines 104a, 104b, 105a and 105b of first and second groups of differential signal lines 104 and 105 to suppress attenuation in the lines, the opening widths of slits 104s and 105s formed in a GND layer 102 below the respective differential signal lines are similarly changed.例文帳に追加

第１、第２の組の差動信号配線１０４、１０５の各配線１０４ａ、１０４ｂ、１０５ａ、１０５ｂの配線幅を徐々に太くすることで、配線での減衰を抑えつつ、各差動信号配線の直下のＧＮＤ層１０２に形成するスリット１０４ｓ、１０５ｓの開口幅も同様に変化させる。 - 特許庁

Further, a steel material subjected to hardening and tempering is used as a first sliding member of the sliding structure, and a steel material having an ion-nitrided surface layer is used as a second sliding member, and further, an agent in which the pulverized material (thickening agent) obtained by pulverizing the fullerene-graphite laminate is blended in an amount of ≥80 mass% is used as the sliding agent.例文帳に追加

また、摺動構造体の第１摺動部材として焼入れおよび焼き戻しされてなる鋼材を用い、第２摺動部材としてイオン窒化表面層を持つ鋼材を用い、摺動剤としてフラーレン−グラファイト積層体が破砕されてなる破砕体（増ちょう剤）を８０質量％以上配合したものを用いる。 - 特許庁

A first core 16A with a refractive index n1 which satisfies the relationship of n2/n1=2^-1/2 and a second core 16B with a refractive index n2 are joined to a planate surface boundary 161 inclined at 45 degrees to the light moving direction, so as to form a waveguide 16 which has a metallic reflective layer 18 for the core as a clad.例文帳に追加

ｎ２／ｎ１＝２^−１／２の関係を満たす屈折率ｎ１の第１のコア１６Ａと、屈折率ｎ２の第２のコア１６Ｂとを、光の移動方向に対して４５°傾斜した平面状の界面１６１で接合し、このコアを金属製の反射層１８をクラッドとした導波路１６を形成する。 - 特許庁

The hole parts 5 are constituted so that the core part 2 has the highest effective refractive index distribution and the first hole part layer 51 has the lowest effective refractive index distribution, and the refractive index distributions are formed to be a W type distribution, so that the optical fiber has larger effective cross section than that of a conventional optical fiber.例文帳に追加

前記コア部２の実効屈折率分布が一番高く、前記第１の空孔部層５１の実効屈折率分布が一番小さくなるように空孔部５を構成して、屈折率分布がＷ型分布となるように形成したので、従来の光ファイバよりも大きな実効断面積を実現できる。 - 特許庁

In the access control of the optical pickup including moving between recording layers, first, it is judged whether the focus jump on a present address can be carried out or not and when it can not be carried out, the focus jump is carried out after moving a light spot to a closest position capable of focus jump on the present layer so that the failure of the focus jump can be avoided.例文帳に追加

記録層間の移動を含む光ピックアップのアクセス制御において、まず現在アドレスでのフォーカスジャンプ実行可否の判断を行い、否の場合は光スポットを現在層上のもっとも近接なフォーカスジャンプ可能位置へ移動させた後にフォーカスジャンプを実行して、フォーカスジャンプ失敗を回避する。 - 特許庁

In a photocatalytic hydrophilic film suitable for an anti-fogging film for making the surface of a transparent base material such as a mirror, a lens or glass highly hydrophilic and preventing the formation of fog or waterdrops, a first substrate layer 4 is formed from a film excellent in flexibility such as an acrylic resin film comprising polymethyl methacrylate or the like.例文帳に追加

一方、該樹脂フィルムは、曲面上に貼り付ける場面も想定されるため、可撓性のよい素材を選択することが好ましいが、そのような可撓性の良い素材は概して熱変形温度が低く、前記乾燥工程において変形が生じ易く、それを防止するために特別の配慮が必要であった。 - 特許庁

The method also includes removing a second region E2 by machining previously before shaping the three-dimensional structure, which corresponds to a region that is scheduled to be subjected to a predetermined machining step after the three-dimensionally structure has been shaped, out of the first region E1 that corresponds to the hardened layer of the plate 3 for shaping, which will be hardened in the irradiation step.例文帳に追加

そして、照射工程の実施によって硬化されるであろう造形用プレート３の硬化層に相当する第１の領域Ｅ１のうち、三次元形状造形後に所定の機械加工が予定されている領域に相当する第２の領域Ｅ２を、三次元形状造形前に予め除去加工する。 - 特許庁

In the cultivation of the vegetables using the cultivating container 2, the container cultivation culture medium 30 constituted by filling the cultivation container 2 with the first culture medium layer 31 with thickness of 5 cm or more comprising the material with high water holding capability and fertilizer holding capability and the second culture medium 32 with thickness of 3 cm constituted by dispersing swimming stones into peat moss is used.例文帳に追加

栽培容器２を使用した野菜類の栽培において、保水力、保肥力の高い材料からなる５ｃｍ以上の厚さの第１倍地層３１と、ピートモスに軽石を分散させた３ｃｍ以上の厚さの第２倍地層３２とを栽培容器２に層状に充填した容器栽培培地３０を用いる。 - 特許庁

Further, the element has a plurality of second conductivity-type semiconductor layers (53A, 53B) formed in the first conductivity-type semiconductor substrate (52) or the semiconductor layer and separated at the isolation region (55), and an antireflection film (57) formed on a light-receiving region (61), including the isolation region and a plurality of second conductivity-type semiconductor layers.例文帳に追加

また、第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成され、分離領域（５５）で分離された複数の第２導電型の半導体層（５３Ａ，５３Ｂ）と、分離領域及び複数の第２導電型の半導体層を含む受光領域）６１）上に形成された反射防止膜（５７）を有する。 - 特許庁

A torsion bar manufacturing method includes a first shaping step 11 of setting the hardness from the inside to an surface layer part to be ≥320 in terms of Vickers hardness (Hv) by contracting a round bar steel by the cold drawing, and a second shaping step 12 of obtaining a small diameter spring part 2 by cutting an area in the middle of the longitudinal direction of the round bar steel.例文帳に追加

丸棒鋼材を冷間引き抜き加工により縮径させることにより、内部から表層部までの硬度をビッカース硬さ（Ｈｖ）で３２０以上にする第１整形工程１１と、前記丸棒鋼材の長手方向途中領域を切削することにより小径ばね部２を得る第２整形工程１２とを含む。 - 特許庁

In the junction material 4, a first metal joined material 1 and a second metal joined material 2 are joined, wherein the material 2 consists of a material or materials selected from a group composed of nickel, palladium, platinum and aluminum, and a solid solution phase including the constituent element of the second metal joined material and tin exists in the cross-sectional fine structure of a joined layer 3.例文帳に追加

接合体４は、第１金属被接合材１と、ニッケル、パラジウム、白金及びアルミニウムからなる群より選択される材料よりなる第２金属被接合材２とが接合され、接合層３の断面微細構造に、第２金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相が存在する。 - 特許庁

In a package formed by laminating conductor lines for signals and a dielectric where a conductor layer is arranged, when the package and the LD are not connected to ground, a first and a second conductor lines works as signal input terminals, and when the package and the LD are connected to ground, the second conductor line works as a signal input terminal and the conductor is connected to a case for grounding.例文帳に追加

信号用の導体線路と、導体層が設けられた誘電体を積層して成るパッケージにおいて、パッケージとＬＤとの非接地時に、第１、第２の導体線路が信号入力端子を成し、パッケージとＬＤとの接地時に、第２の導体線路が信号入力端子を成すとともに、導体をケースに接地する。 - 特許庁

With one of the side wall of an engaging part of a receptacle connector with a plug connector as a flange part 2b of an insulator 2, and the other side wall as a first shell 4, a contact 3 is arranged in a contact receiving groove 2d set at a flange part, a structure of just one layer of contact as a fitting part of the plug connector can be adopted.例文帳に追加

レセプタクルコネクタにおけるプラグコネクタとの嵌合部の一方の側壁をインシュレータ２のフランジ部２ｂとし、他方を第１のシェル４とし、コンタクト３をフランジ部に設けたコンタクト受け溝２ｄに配置することによって、プラグコネクタの嵌合部として、１層のみのコンタクトを持つ構造を採用可能とする。 - 特許庁

The exposure apparatus for transferring different types of exposure patterns on a processed substrate having a photosensitive layer formed thereon includes at least a first substrate conveying means, a second substrate conveying means, a substrate receiving stage, an aligning means, an exposure section, a substrate carrying-out section, and a control means, wherein the exposure section comprises a plurality of exposure units.例文帳に追加

感光層が形成された処理基板に異種パターンを露光する露光装置であって、少なくとも第１の基板搬送手段と、第２の基板搬送手段と、基板受け取りステージと、アライメント手段と、露光部と、基板搬出部と、制御手段と、を具備しており、該露光部が複数の露光ユニットからなる。 - 特許庁

This label comprises anode layers 3a, 3b formed on a base 2, function parts 4a, 4b formed on the base and operated by power supply, first connecting lines 5 for respectively connecting the anode layer and the functional part, second connecting lines 6 respectively extended from the function part, and a battery forming part 7 detachably attached to the base.例文帳に追加

基板（２）上に形成された陽極層（３ａ，３ｂ）と、基板上に設けられて電力の供給により作動する機能部（４ａ，４ｂ）と、陽極層と機能部とを接続する第１接続ライン（５）と、機能部から延びた第２接続ライン（６）と、基板上に着脱自在に貼着されたバッテリー形成部（７）とを備えている。 - 特許庁

An electric insulating layer 61 side is made to face a piezoelectric element 13 side to set the terminal 57 oppositely to the common electrode 19, and a liquid conductive adhesive 79 is filled in the through-hole 67 in a state that the first liquid stopper 69-1 is interposed in the gap between the terminal 57 and the common electrode 19.例文帳に追加

電気絶縁層６１側を圧電素子１３側に望ませて端子部材５７を共通電極１９に対面させ、端子部材５７と共有電極板１９との間隙に第１の液止め部材６９−１を介在させた状態で、貫通孔６７内に導電性接着剤液７９が充填されている。 - 特許庁

The first substrate has a plurality of pillar structures 15a and 15b substantially of the same height provided on a predetermined position on the side of the liquid crystal layer and the second substrate has a plurality of recessed parts 24b at a position opposite to a part 15b preliminarily selected among the plurality of pillar structures.例文帳に追加

第１基板は液晶層側の予め決められた所定の位置に設けられた、実質的に同じ高さの複数の柱状構造体１５ａおよび１５ｂを有し、第２基板は複数の柱状構造体の内の予め選択された一部１５ｂと対向する位置に複数の凹部２４ｂを有する。 - 特許庁

A first fixed holding piece and a variable holding piece facing each other are formed on the inner circumferential coating layer, and a deformation holding piece is formed so that the variable holding piece is pressed upwardly in a cooling condition to increase a gap by the operation of a variable tool 13 in a softened state after passing through the second die 21.例文帳に追加

内周被覆層には、相対応する第１固定保持片と、可変保持片とを成形し、その後、第２金型ダイス２１の通過後の軟化状態の時に可変治具１３の作動により、冷却しながら該可変保持片を上方に押圧して隙間を大きくするように変形保持片を形成する。 - 特許庁

Then the compound semiconductor layer 50 is stuck to the element substrate 7 by pressurizing the laminate 130 through the softened pressurizing cushion layers 150 and 111 between the first and second pressurizing members 51 and 52, while the laminate 130 is heated to a sticking temperature at which the cushion layers 150 and 111 are softened.例文帳に追加

そして、加圧クッション層１５０，１１１が軟化する貼り合わせ温度に積層体１３０を加熱しつつ、第一加圧部材５１と第二加圧部材５２との間で該積層体１３０を、軟化した加圧クッション層１５０，１１１を介して加圧することにより、化合物半導体層５０と素子基板７とを貼り合わせる。 - 特許庁

The charging/discharging circuit 100 comprises a first arm 110 having switching elements SW11 and SW12 and diodes D1 and D2, a second arm 120 having switching elements SW13 and SW14 and diodes S3 and D4, and a capacitor line 130 having an electric double layer capacitor C and DC reactors L1 and L2.例文帳に追加

スイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２とダイオードＤ１，Ｄ２を有する第１アーム１１０と、スイッチング素子ＳＷ１３，ＳＷ１４とダイオードＳ３，Ｄ４を有する第２アーム１２０と、電気二重層キャパシタＣと直流リアクトルＬ１，Ｌ２を有するキャパシタ用ライン１３０とで、充放電回路１００が構成されている。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery can be manufactured via a first process of assembling the battery provided with the porous polymer layer between the positive electrode and negative electrode, a second process of filling an electrolyte in the battery, and a third process of heating the battery at 100°C or higher after sealing the battery.例文帳に追加

正極−負極間に有孔性ポリマー層を備えた電池を組み立てる第１の工程と、前記電池に電解液を注液する第２の工程と、前記電池を封口した後、１００℃以上の温度で加熱する第３の工程を経ることにより本発明の非水電解質二次電池を製造することができる。 - 特許庁

A metal oxide layer to be formed into a crystal nucleus is preformed on a substrate (first step), and thereafter, a zinc oxide precursor solution is applied thereto, and thermolysis is performed at ≤200°C (second step), thus a transparent zinc oxide thin film having c-axis orientation can be easily formed on the crystal nucleus inexpensively.例文帳に追加

基板上にあらかじめ結晶核となる金属酸化物層を形成させた（第一工程）後、これに酸化亜鉛前駆体溶液を塗布し、２００℃以下の温度で加熱分解する（第二工程）ことによって、結晶核上に、ｃ軸配向性を持ち、かつ透明な酸化亜鉛薄膜を、低コストかつ簡易に形成することができる。 - 特許庁

A first element isolating insulation film is provided which is buried in an element isolation groove provided on the semiconductor substrate, and the bottom face of which is lower than the height of a face at which the semiconductor substrate and the tunnel insulation film are contacted and the top face of which is lower than the height of a face at which the charge storage layer and the block insulation film are contacted.例文帳に追加

前記半導体基板に設けられた素子分離溝部に埋め込まれ、底面が前記半導体基板と前記トンネル絶縁膜の接する面の高さよりも低く、かつ上面が前記電荷蓄積層および前記ブロック絶縁膜の接する面の高さよりも低い第１の素子分離絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

When insulting films 33 and 32 above a first layer wiring 26 wherein an air gap 28 is formed in a space area are etched to form a wiring groove 38, an alumina mask 34 whose selection ratio is large relative to the insulating films 33 and 32 is used to dry-etch the insulating films 32 and 33 and form the wiring groove 38 with high accuracy.例文帳に追加

スペース領域に空隙２８が形成された第１層配線２６の上部の絶縁膜３３、３２をエッチングして配線溝３８を形成する際、絶縁膜３３、３２に対する選択比が高いアルミナマスク３４を使って絶縁膜３３、３２をドライエッチングすることにより、配線溝３８を高い精度で形成する。 - 特許庁

The MOS power transistor is formed on the front surface of a heavily-doped substrate of the first conductivity-type and includes alternate drain and source arrays of a second conductivity-type separated by a channel, conductive fingers, covering source fingers and drain fingers and a second metal layer connecting all drain metal fingers and covering the entire source/drain structure.例文帳に追加

ＭＯＳパワートランジスタは第１導電型の重くドープした基板の前表面に形成され、チャネルにより分離される第２導電型のドレインとソースの交互配列と、ソース指とドレイン指を覆う導電指と、全てのドレイン金属指を接続し、ソース−ドレイン構造の全体をカバーする第２金属層とをふくむ。 - 特許庁

In the case where the objective lens 5 is set at the optimum set angle relative to a second optical disk 2, having a t_2-thickness transparent layer 4 smaller than the first optical disk 1, the tilt angle of the objective lens 5, is adjusted by the tilted lens actuator 6, on the basis of the detection result from the detector of an optical system 7.例文帳に追加

第１の光ディスク１よりも薄い厚さｔ_2の透明層４を有する第２の光ディスク２に対して対物レンズ５を最適設置角度を設定する場合、光学系７の検出器からの検出結果に基づきチルト付きレンズアクチェータ６が対物レンズ５の傾き角度を調整する。 - 特許庁

In the epitaxial crystal growth layer 2, a part of a region where a gate electrode 7 is arranged, becomes a smooth first region where a bunching step is not formed on the surface, and the entire region where the gate electrode 7 is not arranged, becomes a second region where the bunching step is formed on the surface.例文帳に追加

エピタキシャル結晶成長層２において、ゲート電極７が配置されている領域の一部は、表面にバンチングステップが形成されない平滑な第１領域となっており、ゲート電極７が配置されていない領域の全部は、表面にバンチングステップが形成された第２領域となっている。 - 特許庁

This organic EL panel 11 is provided, on the glass substrate 12, with an organic EL element 16 having an organic EL layer 14 between a first electrode 13 and a second electrode 15, and is also provided with a protective film 17 made of an inorganic material and dividable by a scribing and breaking method so as to cover the organic EL element 16.例文帳に追加

有機ＥＬパネル１１は、ガラス基板１２上に第１電極１３と第２電極１５との間に有機ＥＬ層１４が設けられた有機ＥＬ素子１６が設けられ、有機ＥＬ素子１６を覆うようにスクライブ・アンド・ブレイク法により分断可能な無機材料製の保護膜１７が設けられている。 - 特許庁

In an optical plate, its manufacturing method, a display device, and its manufacturing method, an optical plate is formed on the polarizing plate transmitting polarization among incident light, and includes a phase delay layer containing a first pattern providing 3 lambda/4 phase delay of the polarization and a second pattern providing λ/4 phase delay of the polarization.例文帳に追加

光学板及びその製造方法と表示装置及びその製造方法において、光学板は入射光のうち、偏光を透過させる偏光板上に形成され、偏光を３λ／４位相遅延させる第１パターン及び偏光をλ／４位相遅延させる第２パターンを含む位相遅延層を含む。 - 特許庁

By constructing a micro lens arrays 12 formed on one side of a first transparent substrate 11 made to be formed not only on a part corresponding to pixel electrodes 32 of the liquid crystal display device but also over the full surface of a common electrode substrate 19, the thickness of an adhesive layer 13 is made uniform over the full surface of the common electrode substrate 19.例文帳に追加

第１の透明基板１１の片側に形成されるマイクロレンズアレイ１２を液晶表示装置の画素電極３２に対応する部分だけでなく、共通電極基板１９の全面に形成するように構成することで、接着剤層１３の厚みを共通電極基板１９の全面にわたって均一にする。 - 特許庁

A TFT 110 which is a switching element disposed by each of pixels and a reflecting layer 44 which is insulated from the TFT 110 and reflects the light made incident by transmitting a second electrode 250 consisting of ITO, etc., from a second substrate 200 side onto insulating films covering the TFT 110 are formed on a first substrate 100.例文帳に追加

第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁

In planned regions for resin sealing of a semiconductor-device leadframe 101 on which a multi-layered metal cover film is formed, a plated coating film 108 of paladium or an alloy containing paladium is provided on the outermost surface layer of both first and second principal surfaces, and an oxide coating film 109 thereof is selectively formed on the surface of the plated coating film 108.例文帳に追加

複数層の金属被膜が形成された半導体装置用リードフレーム１０１の樹脂封止予定領域内で、第一主面及び第二主面の両方の最表層にパラジウムまたはパラジウムを含む合金のめっき皮膜１０８を備え、その表面に選択的に酸化皮膜１０９が形成されている。 - 特許庁

For the gettering area, a first and a second remaining polycrystallin silicon layers 69, 70 are provided in contact respectively with the upper and lower ends of the element forming area R1 of the silicon layer 63 on the side of the main surface.例文帳に追加

そして、ゲッタリング領域として、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の上縁部に接する第１の残留多結晶シリコン層６９と、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の下縁部に接する第２の残留多結晶シリコン層７０とが設けられている。 - 特許庁