「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(479ページ目) - Weblio英語例文検索

On the silicon substrate 1, while an accumulation layer 11 of the first conductivity type containing impurity concentration higher than the silicon substrate 1 is formed on the side of second principal plane 1b, irregular unevenness 10 is formed on a domain facing at least to a semiconductor domain 3 on the second principal plane 1b.例文帳に追加

シリコン基板１には、第２主面１ｂ側にシリコン基板１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層１１が形成されていると共に、第２主面１ｂにおける少なくとも半導体領域３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁

A wafer level package process has steps of: providing a lower cover wafer 210 and an upper cover wafer 230; providing a semiconductor wafer including a plurality of MEMS devices on a substrate layer; joining the semiconductor wafer to a first surface of the lower cover wafer; and joining a second surface of the upper cover wafer to the semiconductor wafer.例文帳に追加

下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。 - 特許庁

Therefore, the prescribed space T1 provided in the first gap layer 28 can be formed to a very small size with high accuracy, and the current pathway narrowing structure can be easily formed, so that the magnetic detector having a large resistance change volume (ΔR) and a high regeneration output can be manufactured.例文帳に追加

従って本発明では、従来に比べて、第１ギャップ層２８に形成された所定間隔Ｔ１を、精度良く且つより微小なサイズで形成でき、電流経路の絞込み構造を容易に形成でき、抵抗変化量（ΔＲ）及び再生出力の高い磁気検出素子を製造することが可能である。 - 特許庁

The fuel cell has a power generation section in which a first electrode and a second electrode are installed, interposing an electrolyte layer, and comprises a water absorption and repellent section which has hydrophilicity for absorbing the water generated at the power generation section, as well as, hydrophobicity to dry the water absorbed.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極とが電解質層を挟んで設置された発電部を有する燃料電池であって、前記発電部で生成される生成水を吸収するための親水性ととともに、吸収された該生成水を乾燥させるための疎水性を有する吸撥水部を有することを特徴とする燃料電池。 - 特許庁

An internal gas space 17 wherein a first electrode 22 is arranged, which is sufficiently same as one or more other internal gas spaces 13, 19 in this sensor element exists in layer planes 13, 19 of the sensor element, and in this case, a second electrode 20 or a reference electrode 28 exists in the other internal gas spaces.例文帳に追加

第１の電極（２２）が配置されている内部ガス空間（１７）がセンサー素子の少なくとも１つの他の内部ガス空間（１３、１９）と十分に同じである、センサー素子の層平面（１１ｂ、１１ｄ）内に存在し、この場合この他の内部ガス空間内には、第２の電極（２０）または参照電極（２８）が存在する - 特許庁

The probe includes: a piezoelectric element 2 for mutually converting an electrical signal and an ultrasonic signal; first and second flexible substrates 4 5 for transmitting an electrical signal for allowing the piezoelectric element 2 to transmit or receive the ultrasonic signal; and an acoustic matching layer 3 for matching the acoustic impedance between a subject under test and the piezoelectric element 2.例文帳に追加

電気信号と超音波信号とを相互に変換する圧電素子２と、圧電素子２に超音波信号を送信あるいは受信させるための電気信号を伝送する第１および第２フレキシブル基板５、４と、被検体と圧電素子２との音響インピーダンスを整合させる音響整合層３とを備える。 - 特許庁

Furthermore, the insulation film forms a contact hole (810) for electrically connecting the gate electrode and the scanning line having a first part (811) extending along a Y direction near the semiconductor layer and a second part (812) extending in an X direction in which part of the scanning line is overlapped and the scanning line extends.例文帳に追加

更に、絶縁膜には、半導体層の脇にＹ方向に沿って延在する第１部分（８１１）と、走査線の一部と重なると共に走査線が延びるＸ方向に沿って延在する第２部分（８１２）とを有する、ゲート電極と走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホール（８１０）が形成される。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 1 is configured by using: a charge storing layer 7 laminated on a semiconductor substrate 2 via a first insulation film 6; a second insulation film 13; a third insulation film 14; a fourth insulation film 15; a fifth insulation film 16; a sixth insulation film 17; and a control gate electrode 9.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１を、半導体基板２上に第１の絶縁膜６を介して積層して設けた電荷蓄積層７、第２の絶縁膜１３、第３の絶縁膜１４、第４の絶縁膜１５、第５の絶縁膜１６、第６の絶縁膜１７、および制御ゲート電極９を用いて構成する。 - 特許庁

The extra-fine coaxial harness H includes: a multicore extra-fine coaxial line 10 in which a plurality of extra-fine coaxial lines 11 with central conductors 12 having exposed tips are linked in parallel; and an intermediate connector 30 having first and second conductive layers 32 and 33 connected via a through-hole conductive layer 34.例文帳に追加

極細同軸ハーネスＨは、先端部が露出された中心導体１２を有する複数本の極細同軸線１１を並列に連結させた多心極細同軸線１０と、スルーホール導電層３４を介して接続される第１導電層３２および第２導電層３３を有する中間接続体３０とを備えている。 - 特許庁

This thin laminated module is formed by mutually connecting, double layers of semiconductor devices H1, H2 which are constituted through formation of first and second semiconductor chips 4 in the face-up manner within the cavity formed on a resin substrate, and a multiple-layer wiring structure substrate 10 including solder balls 17, via an anisotropic conductive film 20.例文帳に追加

この積層モジュールは、樹脂基板に形成されたキャビティ内に第１及び第２の半導体チップ４をフェースアップで形成してなる２層の半導体装置Ｈ１，Ｈ２と、半田ボール１７を有する多層配線構造基板１０とを異方性導電フィルム２０を介して相互接続してなる薄型の積層モジュールである。 - 特許庁

In manufacturing the organic electroluminescence element where a first electrode 12, one or more organic layers 13 containing a light emitting layer 13c and a second electrode 14 are provided on the transparent substrate 11, laser light L is radiated from the above transparent substrate side to eliminate the defective part s in the organic electroluminescence element.例文帳に追加

透明基板１１の上に、第１電極１２と、発光層１３ｃを含む１以上の有機層１３と、第２電極１４とが設けられた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、上記の透明基板側からレーザー光Ｌを照射させて、有機エレクトロルミネッセンス素子中における欠陥部分ｓを除去した。 - 特許庁

The vertexes of the integral compressible spacer dots extend through the second conductive layer, whereby, when a force is applied to the flexible transparent cover sheet at the location of one of the compressible spacer dots, the compressible spacer dot is compressed to allow electrical contact between the first and second conductive layers.例文帳に追加

一体型圧縮性スペーサードットの頭頂は、その第２伝導層を貫いて延び、それにより、力が圧縮性スペーサードットの１つの位置でフレキシブル透明カバーシートに加えられると、圧縮性スペーサードットは圧縮され、その結果、第１の伝導層と第２の伝導層との間の電気的接触が可能となる。 - 特許庁

A second liquid crystal polyester-impregnated base material is obtained by heat-treating a first liquid crystal polyester-impregnated base material 11 arranged on the supporting material 13 through a resin layer 12 which exhibits a melting point of ≥320°C by the measurement using a differential scanning calorimeter, or does not undergo decomposition at <320°C and also does not exhibit a melting point.例文帳に追加

示差走査熱量分析での測定により、３２０℃以上の融点を示すか、又は３２０℃未満で分解せずかつ融点を示さない樹脂シート１２を介して、支持材１３上に配置した第一の液晶ポリエステル含浸基材１１を熱処理することにより、第二の液晶ポリエステル含浸基材を得る。 - 特許庁

On at least one side of the first electrode plate 6 and the second electrode plate 8, multiple projecting parts 10 are formed on a surface thereof in contact with the element body 4, and an embedding layer 14 without including a conductive material and having a higher gel fraction relative to the element body 4 is formed on recessed parts 12 formed between the projecting parts 10.例文帳に追加

第１電極板６および第２電極板８の少なくとも一方には、素子本体４が接触する表面に、凸部１０が多数形成してあり、凸部１０の間に形成してある凹部１２には、導電材を含まず素子本体４よりもゲル分率の高い埋込層１４が形成してある。 - 特許庁

By using a photomask or a reticle installed with an auxiliary pattern with a function of light intensity reduction, which consists of diffraction grating pattern or semi-translucent film, a barrier rib having portions with different heights is formed on pixel electrodes (also called first electrodes) in a display region and around a pixel electrode layer.例文帳に追加

回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、工程を増やすことなく、表示領域における画素電極（第１の電極とも呼ぶ）上、及び画素電極層周辺に膜厚が異なる部分を有する隔壁を形成する。 - 特許庁

This cooling method is accomplished by a first cooling process of cooling the steam turbine until the steam turbine temperature reaches a designated temperature after the stop of the steam turbine and a second cooling process of removing a second thermal insulation layer 14 and further cooling the steam turbine when the steam turbine temperature becomes a designated value or lower.例文帳に追加

蒸気タービン停止後、蒸気タービン温度が所定温度になるまで該蒸気タービンの冷却を行う第１の冷却工程と、前記蒸気タービン温度が所定値以下になった時に、第２の保温層１４を取り外して更に前記蒸気タービンの冷却を行う第２の冷却工程とによって達成される。 - 特許庁

Each heating/cooling body 8 has a hollow case 15 with an internal space as a first passage 16 wherein a heating fluid and a cooling fluid flow, and a catalyst layer 19 held on the internal surface of the hollow case 15 to accelerate a combustion reaction between combustion hydrogen of the heating fluid and oxygen.例文帳に追加

各加熱−冷却体８は，内部空間を加熱用流体および冷却用流体を流通させる第１通路１６とした中空ケース１５と，その中空ケース１５内面に保持されて，加熱用流体としての燃焼用水素と酸素との燃焼反応を促進する触媒層１９とを有する。 - 特許庁

The recording material has a substrate and a negative working radiation sensitive layer containing a diazonium salt, a film forming first polymer and an organic pigment, a polymeric dispersant has been adsorbed on the surface of the pigment and this pigment has been dispersed in a second polymeric binder.例文帳に追加

基質と、ジアゾニウム塩、フィルム−形成性で第一の重合体および有機顔料を含有するネガ−作用性の感放射線層とを有し、その顔料表面上には重合体状分散剤が吸着されておりそしてこの顔料は第二の重合体状結合剤の中にさらに分散されている記録材料に関する。 - 特許庁

The method for growth of the group III nitride compound semiconductor layer using a nitrogen source in the state of radicals, plasmas, or atoms includes a first step for alternately repeating a process to supply only the dopant element, and a process to simultaneously supply a compound including the group III element and a nitrogen raw material.例文帳に追加

ドーパント元素のみを供給するプロセスと、ＩＩＩ族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の成長方法。 - 特許庁

With the flat HS bus arranged and formed in a requested pattern and with a nickel metal forming a first electric wiring coated with polyimide from inside and outside, a second electric wiring of a nickel metal is formed on a prescribed part of the polyimide coating, and is coated with polyimide to make up a layer structure.例文帳に追加

所望の模様に配置形成され、第１電路を形成するニッケル金属を表裏からポリイミド被覆した平たいＨＳバスにおいて、ポリイミド被覆の所定の上にニッケル金属の第２電路を形成し該第２電路をポリイミド被覆して層構造にしてなることを特徴とするＨＳバス構造。 - 特許庁

The probe card includes the probe substrate 12 having a first surface in which contact probes 11 are formed and a second surface in which a resin layer 40b is formed, an ST substrate 20 opposed to the second surface of the probe substrate 12 with an interval, and three stud bumps 23 or more dotted and sandwiched between the probe substrate 12 and the ST substrate 20.例文帳に追加

第１面にコンタクトプローブ１１が形成され、第２面に樹脂層４０ｂが形成されたプローブ基板１２と、プローブ基板１２の第２面と間隔を空けて対向するＳＴ基板２０と、プローブ基板１２及びＳＴ基板２０に挟持された点在する３以上のスタッドバンプ２３により構成される。 - 特許庁

To provide an electro-optical device capable of, even when a configuration where a first translucent plate member and a second translucent plate member are bonded to face each other via a photosetting adhesive layer is adopted, suppressing the occurrence of failures resulting from an uncured part of the adhesive; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

透光性の第１板状部材と第２板状部材とを光硬化性の接着剤層により面接着した構造を採用した場合でも、接着剤の未硬化部分に起因する不具合の発生を抑制することのできる電気光学装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor apparatus 28 for each unit lead frame to a lead frame material 10 in which a plurality of unit lead frames are arranged in multiple lines or a single line, after the lead frame material 10 is half-etched from a front surface side using a first plating layer 17 as a resist film, plating burr is removed by at least two or more means.例文帳に追加

複数の単位リードフレームが多列又は単列に配置されたリードフレーム材１０に、単位リードフレーム毎に半導体装置２８を製造する方法であって、リードフレーム材１０を表面側から第１のめっき層１７をレジスト膜としてハーフエッチングした後、少なくとも２以上の手段でめっきバリ除去を行う。 - 特許庁

An interlayer (104: adhesive layer or photo-polymer with evenly adjusted thickness ) where thickness variation is controlled to be a predetermined value or below (the thickness variation in the interlayer is 2 μmp-p or ±1 μm, or below during one rotation in any radius position) between a first recording part (L0) and a second recording part (L1).例文帳に追加

第１記録部（Ｌ０）と第２記録部（Ｌ１）との間に、厚み変動が所定値以下（任意の半径位置においてディスクを1周する間の中間層厚み変動が２μｍｐ−ｐあるいは±１μｍ以下）に管理された中間層（１０４：厚みを均一に調整した接着層あるいはフォトポリマ）を設ける。 - 特許庁

The method of manufacturing the build-up substrate includes: a surface processing process S1 as a process of forming a wiring pattern of a first layer; a catalyst pattern forming process S2 of forming a catalyst pattern with an ink jet; a baking process S3 for the catalyst pattern; and an electroless copper plating process S4 of forming the wiring pattern.例文帳に追加

ビルドアップ基板の製造工程は、１層目の配線パターンを形成する工程として、表面処理工程Ｓ１と、インクジェットで触媒パターンを形成する触媒パターン形成工程Ｓ２と、触媒パターンの焼成工程Ｓ３と、配線パターンを形成する無電解銅めっき工程Ｓ４とを備えている。 - 特許庁

The first substrate includes: a scribe mark 50 formed at a part positioned at a panel circumference outside the seal 40 at the display medium layer side; a plurality of pixel electrodes formed of transparent conductive oxidation films; an electrode line formed of a metal material; and a flat film 15 formed so as to cover the substrate.例文帳に追加

第１基板は、表示媒体層側に、シール40の外側のパネル周縁に位置する部分に設けられたスクライブマーク50と、各々、透明導電性酸化膜で形成された複数の画素電極と、金属材料で形成された電極線と、基板を被覆するように設けられた平坦化膜15とを有する。 - 特許庁

The semiconductor layer 54 includes a p-type semiconductor region 54A and an n-type semiconductor region 54B, which are arranged to confront each other in a first direction in a laminated face, and an intrinsic semiconductor region 54C formed between the p-type semiconductor region 54A and the n-type semiconductor region 54B.例文帳に追加

半導体層５４は、積層面内において第１の方向に互いに対向するように配置されたｐ型半導体領域５４Ａおよびｎ型半導体領域５４Ｂと、ｐ型半導体領域５４Ａとｎ型半導体領域５４Ｂとの間に形成された真性半導体領域５４Ｃとを含む。 - 特許庁

It is built to electrically separate one of the first electrode and the second electrode 21Y into a number of predetermined areas so that the lens effect is turned on/off respectively for the predetermined areas in the lens array element, and capable of applying the voltage to the liquid crystal layer for every predetermined area.例文帳に追加

レンズアレイ素子において複数の所定の部分領域ごとにレンズ効果のオン・オフ制御が可能となるように、第１の電極および第２の電極２１Ｙのうちいずれか一方を、複数の所定の部分領域に電気的に分離し、所定の部分領域ごとに液晶層に電圧を印加することが可能な構造とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the photoelectric converter 10 has steps of: making a source solution containing an organic solvent, metal salt, a chalcogen-element-containing compound, and organic onium salt; and bringing a support B into contact with the source solution to let the first semiconductor layer 4 containing the metal chalcogenide deposit on the support B.例文帳に追加

また、光電変換装置１０の製造方法は、有機溶媒と、金属塩と、カルコゲン元素含有化合物と、有機オニウム塩と、を含む原料溶液を作製する工程と、支持体Ｂを原料溶液に接触させ、支持体Ｂ上に金属カルコゲン化物を含む第１の半導体層４を析出させる工程と、を具備する。 - 特許庁

To improve blocking resistance of a panel substrate, which has a primer layer formed on one surface of a styrene-based resin foam substrate bonded with first and second paper layers on the respective surfaces, and to make the panel substrate have excellent flatly stacking suitability, without being bonded to each other even if a plurality of sheets of the panel substrates are stacked.例文帳に追加

両面に第１及び第２紙層がそれぞれ接着されたスチレン系樹脂発泡体基板の一方の面にプライマー層を形成したパネル基板を複数枚積み重ねても、互いに接着されることがなくパネル基板の耐ブロッキング性を向上し、かつパネル基板の平積み適性に優れる。 - 特許庁

To provide a mounting structure capable of sufficiently crushing conductive particles inside an opening portion even in a case where a first electrode and a second electrode are electrically connected to each other by an anisotropic conductive material inside the opening portion of an insulating layer, and an electro-optical apparatus and a touch panel that include the mounting structure.例文帳に追加

絶縁層の開口部内で第１電極と第２電極とを異方性導電材によって電気的に接続する場合でも、開口部の内部で導電粒子を十分に押し潰すことのできる実装構造体、並びにかかる実装構造体を備えた電気光学装置およびタッチパネルを提供すること。 - 特許庁

A wiring circuit board includes the metal support substrate 30, a first insulating layer 21 arranged on the metal support substrate 30 and provided with a through-hole 21a, and a conductor pattern 10 for conductive connection arranged in a predetermined pattern and formed in contact with the metal support substrate 30 in the through-hole 21a.例文帳に追加

配線回路基板は、金属支持基板３０と、金属支持基板３０上に配置され、貫通孔２１ａが設けられた第一絶縁層２１と、所定のパターンで配置されるとともに貫通孔２１ａ内で金属支持基板３０に接触するように形成された導電接続用の導体パターン１０と、を備えている。 - 特許庁

The organic EL panel includes a light emitting portion holding at least an organic light emitting layer between a first electrode 2 and a second electrode 7 and a plurality of barrier ribs 4 formed to separate the second electrode 7 into a plurality, both of which are formed on a support substrate 1, and is formed with a protective film covering the light emitting portion.例文帳に追加

第一電極２と第二電極７の間に少なくとも有機発光層を挟持してなる発光部と第二電極７を複数に分離するように複数形成される隔壁４とを支持基板１上に形成し、前記発光部を覆う保護膜を形成してなる有機ＥＬパネルである。 - 特許庁

To provide a backside protective film for solar cells, that is superior in low heat storage property, heat resistance, flexibility, scratch resistance, adhesiveness with a member containing ethylene-vinyl acetate copolymer, and durability against heat and cold cycles when a surface on a first resin layer side receives sunlight or the like, and to provide its manufacturing method and a solar cell module.例文帳に追加

第１樹脂層側の表面に太陽光等を受光した際の低蓄熱性、耐熱性、可撓性、耐傷性及びエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む部材との接着性、冷熱サイクルに対する耐久性に優れた太陽電池用裏面保護フィルム及びその製法並びに太陽電池モジュールの提供。 - 特許庁

A relay board 250 to which a gyro vibration piece 100 is joined is connected and fixed with a conductive adhesive 296 to a first protrusion terminal 234, a second protrusion terminal 235, a third protrusion terminal 236, a fourth protrusion terminal 237, and a fifth protrusion terminal 238 which are formed of a third layer substrate 231 of a package 202.例文帳に追加

ジャイロ振動片１００が接合された中継基板２５０は、導電性接着剤２９６により、パッケージ２０２の第３層基板２３１により形成された第１突部端子２３４、第２突部端子２３５、第３突部端子２３６、第４突部端子２３７、および第５突部端子２３８に接続・固定されている。 - 特許庁

To synchronously and concurrently carry out work to laminate diffusion layers (second pattern 5) on a catalyst layer (first pattern 4) formed at a continuously sent electrolyte membrane of a web shape, and work to cut out a membrane electrode junction (joining pattern 1) formed by lamination, and improve the productivity of the membrane electrode junction 1.例文帳に追加

連続的に送られるウエブ状の電解質膜に形成された触媒層（第１パターン４）に拡散層（第２パターン５）を積層する作業と、積層によって形成された膜電極接合体（接合パターン１）を切り出す作業とを、同期して同時に行えるようにし、膜電極接合体１の生産性を向上させる。 - 特許庁

The integrated circuit further has conductive wiring with which the first groove is filled, and the conductive wiring has a surface lower than the upper side surface of the side wall of the diffusion barrier layer, and a metal cap is substantially directly formed only on an area on the conductive wiring.例文帳に追加

前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 - 特許庁

The electrooptic device further includes a counter electrode 21 disposed opposite to the pixel electrode and a conductive film 6ax which is arranged in the under layer side via an interlayer insulation film 43 from the plurality of pixel electrodes, is disposed on at least a part in the first and second gap regions and is supplied with a prescribed potential.例文帳に追加

更に、第２基板上に、画素電極と対向配置された対向電極（２１）と、複数の画素電極よりも層間絶縁膜（４３）を介して下層側に配置され、第１及び第２間隙領域内の少なくとも一部に設けられると共に所定電位が供給される導電膜（６ａｘ）とを備える。 - 特許庁

In the silicon carbide semiconductor device, a gate insulating film 15b on a first source region provided in a well region is formed so that a film thickness of the gate insulating film 15b becomes thicker than that of a gate insulating film 15a on the well region and a drift layer.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置において、ウェル領域内に設けられた第一ソース領域上のゲート絶縁膜１５ｂの膜厚が、ウェル領域及びドリフト層上のゲート絶縁膜１５ａよりも厚くなるように形成し、ゲート電極１６の端部を、第一ソース領域上のゲート絶縁膜１５ｂと接するように配置する。 - 特許庁

To appropriately limit the impregnation of molding material into a fuel cell-sealing structure comprising a generator, second gas diffusion layers on both sides thereof, and a gasket molded integrally with the generator and the second gas diffusion layers via the impregnated portion of the molding material, the generator comprising a membrane-electrode complex and a first gas diffusion layer.例文帳に追加

膜−電極複合体及び第一ガス拡散層からなる発電体と、その両側の第二ガス拡散層と、これら発電体及び第二ガス拡散層に成形材料の含浸部を介して一体に成形されたガスケットからなる燃料電池用シール構造体において、成形材料の含浸を適切に制限する。 - 特許庁

After forming an extremely thin Ti-based film on a base material 1 as a first film 2, by having a compound film including a slope structure of a Ti-based material of a Ti-based material and a Cu-based material formed as a second film 3, and a third film 4 formed on the compound film as a Cu-based electrode, a precursor having a three-layer structure is formed.例文帳に追加

極薄のTi系膜を第一の膜２として基材１上に形成した後、Ti系材料のTi系材料とCu系材料との傾斜構造を持つ複合膜を第二の膜３として形成し、その上にCu系電極となる第三の膜４を形成することにより、３層構造の前駆体を形成する。 - 特許庁

For the gettering area, a first and a second remaining polycrystallin silicon layers 69, 70 are provided in contact respectively with the upper and lower ends of the element forming area R1 of the silicon layer 63 on the side of the main surface.例文帳に追加

そして、ゲッタリング領域として、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の上縁部に接する第１の残留多結晶シリコン層６９と、主面側シリコン層６３のうち素子形成領域Ｒ１に位置する部分の下縁部に接する第２の残留多結晶シリコン層７０とが設けられている。 - 特許庁

By forming heat insulating gaps 121, 122 in a frame 12a of the first frame body pinching lithium ion battery cells, even if there is a temperature change outside the battery pack, the heat insulating gaps 121, 122 constitute a heat insulating layer composed of air to shut off heat from the outside.例文帳に追加

リチウムイオン電池セルを挟持する第１枠体のフレーム１２ａの内部に、断熱用空隙部１２１，１２２が設けられることにより、電池パックの外部において温度変化があった場合でも、この断熱用空隙部１２１，１２２が空気による断熱層を構成して、外部からの熱の伝熱を遮断する。 - 特許庁

The thin film transistor 100 includes a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (channel region) 114 formed of the microcrystal silicon, first ohmic contact layers 116 and 117, second ohmic contact layers 118 and 119, a drain electrode 120, and a source electrode 121.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、微結晶シリコンから形成された半導体層（チャンネル領域）１１４と、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７と、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９と、ドレイン電極１２０と、ソース電極１２１と、を備える。 - 特許庁

A protective film is formed on the substrate 9 in a protective film forming chamber 15, the substrate 9 is cleaned by plasma ashing in a first cleaning chamber 22, the substrate is cleaned by gas blow in a second cleaning chamber 23 and burnished in a vacuum in a burnish chamber 24 while being conveyed from the magnetic film forming chamber 14 to the lubricant layer forming chamber 25.例文帳に追加

磁性膜作成チャンバー１４から潤滑層形成チャンバー２５に搬送される間、基板９は、保護膜作成チャンバー１５で保護膜が作成され、第一クリーニングチャンバー２２でプラズマアッシングによりクリーニングされ、第二クリーニングチャンバー２３でガスブローによりクリーニングされ、バーニッシュチャンバー２４で真空中でバーニッシュされる。 - 特許庁