「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(475ページ目) - Weblio英語例文検索

The boron nitride powder surface is first treated, by a calcination process or by coating the surface with at least an inorganic compound, so as to have a plurality of reactive sites containing at least a functional group that is reactive to at least one functional group of the final coating layer.例文帳に追加

窒化ホウ素粉末表面は、最初に、焼成工程により、或いは表面が最終的なコーティング層の少なくとも１つの官能基に反応する少なくとも官能基を含む複数の反応部位を有するように少なくとも無機化合物でコーティングすることにより処理される。 - 特許庁

First and second amorphous silicon layers 2 and 3 having different impurity concentrations are laminated, a third amorphous silicon layer 4 is formed on the side wall of the laminated structure, and an HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4, thus constituting the storage electrode 1.例文帳に追加

不純物濃度の異なる第１，第２のアモルファスシリコン層２，３が積層され、その積層構造の側壁に第３のアモルファスシリコン層４が形成され、第２，第３のアモルファスシリコン層３，４の表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて蓄積電極１が構成される。 - 特許庁

First, a center protective film 9 is formed at the center of the upper surface of the semiconductor film 8 made of true zinc oxide, ohmic contact layers 10 and 11 made of n-type zinc oxide and upper surface protective films 12 and 13 are formed thereon, and an upper layer insulation film 16 is formed thereon.例文帳に追加

まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面中央部に中央保護膜９を形成し、その上にｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層１０、１１および上面保護膜１２、１３を形成し、その上に上層絶縁膜１６を成膜する。 - 特許庁

The semiconductor chip is equipped with a semiconductor substrate 10, a through electrode 40 which is provided through a first surface 20 and a second surface 38 of the semiconductor substrate 10 and equipped with a projection 42 protruding from the second surface 38, and an insulating layer 50 formed so as to cover all over the second surface 38.例文帳に追加

半導体チップは、半導体基板１０と、半導体基板１０の第１及び第２の面２０，３８を貫通し第２の面３８からの突出部４２を有する貫通電極４０と、第２の面３８の全面に形成されてなる絶縁層５０と、を有する。 - 特許庁

The liquid crystal display is formed by encapsulating a liquid crystal layer 12 between a first substrate 14 provided with a TFT element (a switching element) 5 and a pixel electrode 3 connected to the TFT element 5 which are formed on the inner surface side and a second substrate 15 provided with a display electrode 18 on the inner surface side.例文帳に追加

本発明は、内面側にＴＦＴ素子（スイッチング素子）５、該ＴＦＴ素子５に接続する画素電極３を形成してなる第１の基板１４と、内面側に表示電極１８を備えた第２の基板１５との間に、液晶層１２を封入して成る液晶表示装置である。 - 特許庁

An opening 7a for allowing video image light from the luminous function layer 6 to pass through is formed in one portion of the second electrode 7, a first luminous region L1 is formed on the side of the glass substrate 2, and a second luminous region L2 is formed on the side of the sealing member 8.例文帳に追加

第二電極７の一部には発光機能層６からの映像光を通過させる開口７ａが形成されており、前記ガラス基板２側において第一発光領域Ｌ１ が形成され、封止部材８側において第二発光領域Ｌ２ が形成される。 - 特許庁

In a liquid crystal device, on a first substrate 10 on which two-terminal nonlinear element 14 is formed, an auxiliary capacitance line 17, an auxiliary capacitance 18, and an interlayer insulating film formed on the upper layer side of the auxiliary capacitance 18 and the two-terminal nonlinear element 14 are further formed.例文帳に追加

液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。 - 特許庁

The method of forming a stable depletion layer on the surface of the semiconductor wafer comprises at least a first process of removing an organic matter attached to the surface of the semiconductor wafer and a second process of producing an electric charge on the surface of the semiconductor wafer after removal of the organic matter.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面に安定した空乏層を形成する方法であって、少なくとも半導体ウエーハの表面に付着した有機物を除去する工程と、有機物除去後の前記半導体ウエーハの表面に電荷を形成する工程とを有するようにした。 - 特許庁

The rotation adjusting device 15 adjusts the rotation of the first roller 5 when moving the print head 4 toward a pasted end portion 10a relative to the sticky note bundle 11, whereby a central portion 10c of the sticky note 10 of the outermost layer from the sticky note bundle 11.例文帳に追加

そして、回転調整装置１５は、印刷後に印刷ヘッド４が付箋紙束１１に対して糊付け端部１０ａ側に移動する際に第１ローラ５の回転を調整することにより、最表層の付箋紙１０の中央部１０ｃを付箋紙束１１から分離する。 - 特許庁

The grid unit has a plurality of electron beam penetrating holes respectively confronting with the electron emitting sources, and is opposed to and arranged at the second plate board, and has a plate-shaped grid 42 to which a prescribed voltage is applied, and a first insulating layer 46 by which the outer face of the grid is covered.例文帳に追加

グリッドユニットは、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔４４を有し、第２基板と対向配置されているとともに、所定の電圧が印加される板状のグリッド４２と、グリッドの外面を覆った第１絶縁層４６と、を有している。 - 特許庁

The superheater tube of the marine boiler in the first invention is composed of a high temperature corrosion resistant material, and the superheater tube of the marine boiler in the second invention has the superheater tube body and a high temperature corrosion resistant coating layer formed on the outer surface of the superheater tube body.例文帳に追加

第１発明の船舶用ボイラの過熱管は、耐温度腐食性材料で形成されていることを特徴とし、第２発明の船舶用ボイラの過熱管は、過熱管本体と、該過熱管本体の外面に形成された耐熱腐食性の被覆層とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A first insulating film 66a composed of a silicon oxide film, a charge-capturing film 66b composed of a silicon nitride film, and a second insulating film 66c composed of a silicon oxide film are then sequentially formed on the p-type silicon semiconductor substrate 65 thus forming a gate insulating film 66 of three-layer structure.例文帳に追加

このようなｐ型シリコン半導体基板６５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜６６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜６６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜６６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜６６が形成される。 - 特許庁

Refractive indexes n1 to n3 of the first to the third dielectric layers satisfy relations: n1>n2, n3>n2 and by using Cu, Au, Ti and their alloys as the lower reflecting layer, reflectivity of an amorphous part can be raised and absorptivity of the amorphous part can be lowered to enable suppressing cross erasing.例文帳に追加

第１〜第３誘電体層の屈折率ｎ１〜ｎ３がｎ１＞ｎ２，ｎ３＞ｎ２の関係を満たし、下部反射層としてＣｕ，Ａｕ，Ｔｉ及びそれらの合金を用いることにより、非晶質部の反射率を高くして、非晶質部の吸収率を低くすることができるのでクロス消去抑制が可能となる。 - 特許庁

A method is described comprising the steps of a) providing a substrate 1, b) providing a first epitaxial semiconducting layer 3 on top of the substrate 1, and c) forming a one- or two-dimensional repetitive pattern, each part of the pattern having an aspect ratio in the range from 0.1 to 50.例文帳に追加

ａ）基板１を用意するステップと、ｂ）第１エピタキシャル半導体層３を基板１の上に設けるステップと、ｃ）１次元または２次元の繰り返しパターンを形成するステップと、を含み、パターンの各部分が、０．１〜５０の範囲のアスペクト比を有するようにした方法を開示する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for activating and forming a second principal surface side p+ collector layer 8 of a substrate by a low temperature heat treatment (anneal furnace) which does not detrimentally affect the existence of the metallic film of a first principal surface side gate and the emitter electrode of the substrate in an n-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

ｎ型半導体基板７における該基板の第１主面側ゲート及びエミッタ電極の金属膜の存在に対し、悪影響を及ぼさない低温熱処理（アニール炉）による該基板の第２主面側ｐ^＋ コレクタ層８を活性化し形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

An ohmic contact layer forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of the semiconductor film forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, covering the outer surfaces of a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal which are both located above the semiconductor film forming film 21.例文帳に追加

窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁

In the IC card D, which is created by providing an IC module 104 inside an adhesive layer 103 intervening between a first sheet material 101 and a second sheet material 102, the IC card D where it has been discovered that contents of the IC module 104 cannot be read has marking M.例文帳に追加

第１のシート材１０１と第２のシート材１０２との間に介在される接着層１０３内にＩＣモジュール１０４を設けて作製されたＩＣカードＤにおいて、ＩＣモジュール１０４内容の読み取りが不良となったことが判明したＩＣカードＤはマーキングＭを有する。 - 特許庁

To provide a wiring substrate, in which adhesion between an electronic component to be embedded and embedding resin therefor is enhanced and connections between the electronic component and an internal wiring layer or an IC chip mounted on a first surface is made sure and stable, and to provide a method of manufacturing the wiring substrate.例文帳に追加

内蔵される電子部品とこれを埋設する樹脂の密着性を高め、かかる電子部品と内部の配線層や第１主面上に搭載するＩＣチップ間の接続が確実で安定した配線基板およびかかる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Al_2O_3 films 72 being antireflection film for reducing reflectance on first, third and fifth layers and TiOx films 73 being light absorbing layer for reducing transmittance on second, fourth and sixth layers are alternately laminated above a fine rugged periodic structure 33 on a transparent base plate 31.例文帳に追加

透明基板３１上の微細凹凸周期構造３３上には、第１、３、５層に反射率を低減させるための反射防止膜であるＡｌ_2Ｏ_3膜７２と、第２、４、６層に透過率を低減させるための光吸収層であるＴｉＯｘ膜７３を交互に積層する。 - 特許庁

As to the playback of the DVD having the maximum frequency in use, the discriminating operation for the drive of the second layer source 46 is performed after the discriminating operation of the drive of the first laser source 45, then this operation can shift to the playback operation keeping the successive driving operation of the second laser source 46 as it is.例文帳に追加

最大使用頻度のＤＶＤの再生にあたっては、第１レーザ源４５の駆動の判別用動作の後に、第２レーザ源４６の駆動の判別用動作を行い、その第２レーザ源４６の駆動を引続き行ったままで、再生動作に移行することができる。 - 特許庁

A plurality of transparent electrode patterns 11 respectively formed by connecting a plurality of single transparent electrode patterns 11a consisting of a diamond mark in the direction of the X-axis are formed in parallel, and low-resistance metal thin lines 15 of visually unrecognizable thickness are provided on the patterns to form a first transparent electrode layer 12.例文帳に追加

Ｘ軸方向に、ダイヤマークからなる単一透明電極パターン１１ａを複数繋げた透明電極パターン１１を複数、平行に形成し、そのパターン上に目に視認できない太さの低抵抗金属細線１５を設けて第１透明電極層１２を構成する。 - 特許庁

The first configuration of the reflection transmission liquid crystal display device comprises a structure forming the buffer layer on an upper substrate corresponding to a reflection section in order to vary the thickness of color filters and forming a difference in level on a lower substrate corresponding a transmission section in order to vary cell gaps.例文帳に追加

本発明による反射透過型液晶表示裝置の第1構成は、カラーフィルタの厚みを異なるようにするために、反射部に対応する上部基板にバッファ層を形成し、また、セルキャップを異なるようにするために透過部に対応する下部基板に段差を形成する構造とする。 - 特許庁

The P base layer 2 for each IGBT cell has a flat region 2FR, through a bottom 2BF of which a main trench 6 passes and which has an emitter region 3; and also has first and second side diffusion regions 2SDR1 and 2SDR2 having the flat region 2FR disposed therebetween.例文帳に追加

各ＩＧＢＴセルのＰベース層２は、１）主トレンチ６によってその底部２ＢＦが貫通され且つエミッタ領域３を有する平坦領域２ＦＲと、２）平坦領域２ＦＲを挟み込む第１及び第２サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２を有している。 - 特許庁

The upper substrate, which is combined to a lower substrate having a display region and a driving region formed to surround the display region, provides the display region with a drive signal, is interposed with a liquid crystal layer therebetween and displays an image, includes a transparent electrode and a first spacer.例文帳に追加

表示領域と前記表示領域の周辺に形成され、前記表示領域に駆動信号を提供する駆動領域を有する下部基板と結合し、その間に液晶層を介在して画像を表示するための上部基板は、透明電極及び第１スペーサを具備する。 - 特許庁

On the n^--type semiconductor substrate 1, an accumulation layer 7 is formed on the side of a second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1, and irregular unevenness 10 is formed in regions of a first principal surface 1a and the second principal surface 1b which are opposed to the pn junction.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１には、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁

A first layer 14 of external terminal electrodes 6, 7 has a wraparound portion 17 that is formed to wrap around from end surfaces 12, 13 to main surfaces 8, 9 and side surfaces of a capacitor body 3, and contains a compound oxide and a glass component that react with Ni or the Ni alloy.例文帳に追加

外部端子電極６，７の第１層１４は、コンデンサ本体３の端面１２，１３上から主面８，９上および側面上にまで回り込むように形成された回り込み部１７を有し、かつ上記ＮｉまたはＮｉ合金と反応する複合酸化物とガラス成分とを含有する。 - 特許庁

Since at least one of the optical recording layers formed on a first and second plates consists of a metal layer mainly containing Ag, the ultraviolet ray irradiated to the plate can be controlled when curing the ultraviolet-ray curable resin.例文帳に追加

第１基板及び第２基板に形成された光記録層のうち、少なくとも一方の光記録層をＡｇを主成分とする金属層からなっているので、紫外線硬化性樹脂の硬化の際に基板に向けて照射される紫外線の線量を抑制することが可能となる。 - 特許庁

When the thickness of such polyethylene resin layer is 0.05 mm or less, performing sheeting is made difficult at first, and the workability of winding it on the external surface of the rubber hose is deteriorated. Moreover, even if winding it on the external surface of the rubber hose, flow can easily occur during rubber vulcanization, which makes the film thickness uneven. 例文帳に追加

かかるポリエチレン樹脂層の厚さが０．０５ｍｍ以下であると、第１にシーテイングが困難となり、ゴムホースの外表面への巻きつけ作業性が悪くなる。更にはゴムホース外表面へ巻きつけた場合でもゴムの加硫中に流れを起こしやすく膜厚が不均一となってしまう。 - 特許庁

This optical head 10 is provided with, on the emission plane 14 of a solid-dipped lens 12, an electrode 21 made of a nontransparent material having a first slit-like very small opening 22, a semiconductor layer 25 functioning as an optical sensor, and an electrode 26 made of a nontransparent material having a second slit-like very small opening 27.例文帳に追加

固浸レンズ１２の出射平面１４上に、第１のスリット状微小開口２２を有する不透明材料からなる電極２１、光センサとして機能する半導体層２５、第２のスリット状微小開口２７を有する不透明材料からなる電極２６を形成した光ヘッド。 - 特許庁

The lead 8a of the semiconductor chip 8 is disposed relative to the connection region 10, and in this arrangement condition, a conductive adhesive 15 is coated on a portion of the connection region 10 by a dispenser 14, and the lead 8a is electrically connected to the first conductive layer 2 printed in the printed wiring board 12.例文帳に追加

接続部位１０に対して半導体チップ８のリード８ａを配置し、この配置状態で接続部位１０部分にディスペンサ１４により導電性接着剤１５を塗布して、プリント配線板１２に印刷された第１の導電層２にリード８ａを電気的に接続する。 - 特許庁

The second layer ML2 contains 5 to 50 at.% of at least one kind in the first element group, contains 10 to 50 at.% of at least one kind in the second element group, and 30 to 70 at.% of oxygen.例文帳に追加

第２の層ＭＬ２は、第１の元素群の少なくとも１種類を５原子％以上５０原子％以下含有し、第２の元素群の少なくとも１種類を１０原子％以上５０原子％以下含有し、酸素を３０原子％以上７０原子％以下含有する。 - 特許庁

The register group of the first layer is composed of an address register 311 for storing a physical address to a main storage device 15 (refer to Fig. 1) to be the transfer destination or transfer source, a count register 312 showing a transfer quantity and a flag register 313 for storing the control data of a transfer direction or the like.例文帳に追加

第１層目のレジスタ群は、転送先又は転送元となる主記憶装置１５（図１参照）上の物理アドレスを格納するアドレスレジスタ３１１と転送量を示すカウントレジスタ３１２、転送方向等の制御データを格納するフラグレジスタ３１３からなる。 - 特許庁

The third dielectric part is configured to have a refractive index in a refractive index range, where the transmittance of the light-transmissive information recording layer is decreased from the maximum transmittance by 1% or less, when the first dielectric part has a certain refractive index of 2.4 or higher.例文帳に追加

また第３誘電体部は、第１誘電体部が２．４以上の或る屈折率とされた場合において、当該半透過情報記録層の透過率がその最大透過率から透過率低下が１％以内の範囲となる屈折率範囲の屈折率とされるようにする。 - 特許庁

A processing chamber (100) for performing atomic layer deposition (ALD), a substrate holder (120) provided within the process chamber, and a gas injection system (140) configured to supply a first process gas and a second process gas to the process chamber (100) are included in the subject apparatus.例文帳に追加

処理チャンバ（１００）と、前記処理チャンバ内に設けられた基板ホルダ（１２０）と、前記処理チャンバ（１００）に、第１のプロセスガス及び第２のプロセスガスを供給するように構成されたガス注入装置（１４０）とを含む、原子層堆積（ＡＬＤ）を実行する処理システム（１００）。 - 特許庁

In the PDP 10, a protective film 114 is formed of a first protective film region 114a and a second protective film region 114b, and both protective film regions 114a, 114b contact a dielectric layer 1134 and face a discharge space 13.例文帳に追加

ＰＤＰ１０では、保護膜１１４が第１の保護膜領域１１４ａと第２の保護膜領域１１４ｂとから構成されており、両保護膜領域１１４ａ、１１４ｂは、ともに誘電体層１１３４に接し、且つ、ともに放電空間１３を臨むように形成されている。 - 特許庁

The LED light source unit 40 for the endoscope includes an insulating layer 26 between a first jacket component 43 and a second jacket component 44 and a insulating film 57 between the second jacket component 44 and a cooling medium reservoir part 50, so that short circuit of the current circuit is prevented.例文帳に追加

内視鏡用ＬＥＤ光源ユニット４０では、第１のジャケット構成体４３と第２のジャケット構成体４４との間に絶縁層２６を、第２のジャケット構成体４４と冷却媒体溜まり部５０との間に絶縁膜５７を配設することにより、電流回路の短絡を防止している。 - 特許庁

The functional layer 12 includes two coil conductors 17 and 18 which are magnetically coupled with each other and are put one over the other in a lamination direction, and the shortest distance from the second ceramic base member 11b to the coil conductors 17 and 18 is shorter than that from the first ceramic base member 11a to the coil conductors 17 and 18.例文帳に追加

機能層１２は、互いに磁気結合した積層方向に重なる２つのコイル導体１７，１８を含み、第２のセラミック基体１１ｂからコイル導体１７，１８までの最短距離は、第１のセラミック基体１１ａからコイル導体１７，１８までの最短距離よりも短い。 - 特許庁

For a spool 33, having an arcuate profile in the winding widthwise direction of coil such that the central portion becomes convex, a winding material 21 is wound up to the center starting from one end side of the spool 33, and then it is wound from the other end side of the spool 33 toward the center, thus finishing winding of the first layer.例文帳に追加

コイル巻幅方向の形状が、その中央が凸となるような円弧状とされている巻枠３３に対し、巻線材２１を巻枠３３の一端側より巻き始めて中央まで巻き進め、その後巻枠３３の他端側より中央に向かって巻き進めて一層目を巻き終える。 - 特許庁

The layer (80) consists of a light shielding electrically conductive film and includes a second capacitive electrode which are placed opposite to a first capacitive electrode that is a portion of the capacitive line across the interlayer insulation film and a light shielding section that at least covers the scanning line partially from the top through the interlayer insulation film.例文帳に追加

中間導電層は、遮光性の導電膜からなり、容量線の一部である第１容量電極に層間絶縁膜を介して対向する第２容量電極を含むと共に走査線を少なくとも部分的に層間絶縁膜を介して上方から覆う遮光部を含む。 - 特許庁

The HIC 11 includes a plurality of vias 28 in a substrate layer 12, a plurality of mesas 20 having etched portions, a sealing ring 18, a plurality of internal conductive leads 26 formed on the first surface of the HIC 11, and a plurality of external conductive leads 30 formed on the second surface of the HIC 11.例文帳に追加

ＨＩＣ１１は、基板層１２の中の複数のバイア２８と、エッチングされた部分を有する複数のメサ２０と、シールリング１８と、ＨＩＣ１１の第１面上の複数の内部導電性リード２６と、ＨＩＣの第２面上の複数の外部導電性リード３０とを含む。 - 特許庁

In the first process, a paste for an air electrode is produced by mixing a Pt-holding carbon catalyst, a Nafion (R) solution and a highly water-absorbable polymer, and after coating the paste for the air electrode on a conductive substrate, the paste is dried to form an air electrode reactive layer 13a.例文帳に追加

第１工程において、Ｐｔ担持カーボン触媒とナフィオン（登録商標）溶液と高吸水性ポリマーとを混合して空気極用ペーストを作製し、この空気極用ペーストを導電性のある基材に塗布した後、乾燥させて空気極反応層１３ａを形成する。 - 特許庁

The respective scan lines are electrically connected to the respective gate electrode films of the n transistors arranged along a first direction out of the plurality of transistors, and includes a gate auxiliary wiring film (26) arranged by superposing on an upper layer side of the gate electrode film with an insulating film (28) sandwiched therebetween.例文帳に追加

各走査線は、複数のトランジスタのうち、第１方向に沿って並んだｎ個のトランジスタの各々のゲート電極膜と電気的に接続され、かつ絶縁膜(28)を挟んで当該ゲート電極膜の上層側に重畳して配置されたゲート補助配線膜(26)を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the photoelectric composite substrate includes: a first process of sticking an optical waveguide on the substrate surface of a substrate with metal foil via an adhesive layer; and a second process of making the metal foil of the substrate with the metal foil into a conductor pattern to construct an electric wiring board.例文帳に追加

金属箔付き基板の基板表面に接着剤層を介して光導波路を張り合わせる第１の工程と、金属箔付き基板の金属箔を導体パターン化して電気配線基板を構築する第２の工程を有する光電気複合基板の製造方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of a multilayer electronic component includes a step for forming a sheet laminate 21 comprising at least a unit layer configuration 23, in which a second ceramic green sheet 27 is provided on a first ceramic green sheet 25 with internal electrode 5 and 7 provided thereon; and a step for pressing the sheet laminate.例文帳に追加

積層電子部品の製造方法は、第１のセラミックグリーンシート２５の上に第２のセラミックグリーンシート２７が設けられ、その上に内部電極５、７が設けられている単位層構成２３を少なくとも含むシート積層体２１を形成するステップと、シート積層体をプレスするステップとを含む。 - 特許庁

Heat transfer is promoted because a boundary layer is not formed thereby on the surfaces of the fins 5 and the tubes 2, and the heat exchange efficiency is remarkably enhanced thereby between the first fluid such as a coolant flowing inside the tubes 5 and the second fluid such as the air flowing in the outside thereof.例文帳に追加

それによってフィン５やチューブ２の表面に境界層が形成されないため、伝熱が促進されることから、チューブ２の内部を流れる冷媒のような第１の流体と、外部を流れる空気のような第２の流体との間の熱交換効率が著しく向上する。 - 特許庁