「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(472ページ目) - Weblio英語例文検索

The pigment absorbs laser energy of a first one or more of pulses, a plasma state of high temp/high pressure is generated on the glass substrate surface, a surface layer glass is fused/removed to form a recessed part 9, further, its surrounding is modified to a composition liable to absorb a beam.例文帳に追加

顔料が最初の１つ又はいくつかのパルスのレーザエネルギを吸収して、ガラス基板表面に高温・高圧のプラズマ状態が発生し、表面層のガラスを溶融・除去して凹所９を形成し、かつその周辺部をレーザ光を吸収し易い組成に変質させる。 - 特許庁

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

This separator for the fuel cell consists of a plate like carbon 11 (first member) and a metallic plate 12 (second member) having a plurality of protruding pieces 13 laminated on the carbon 11, being brought into elastic contact with a gas diffusion electrode layer 20 of an electrode structural body, and forming a gas flow passage 14.例文帳に追加

平板状のカーボン１１（第１の部材）と、このカーボン１１に積層され、電極構造体のガス拡散電極層２０に弾性的に接触させられるとともにガス流路１４を形成する複数の突片１３を有する金属板１２（第２の部材）とからなる。 - 特許庁

The welding machine, which welds a member to be welded (structural components of an inner layer of the multilayer printed wiring board) at predetermined places, includes a first welding bit 11a and a second welding bit 11b which press and heat the member to be welded by clamping it from both surfaces of the member for welding.例文帳に追加

被溶着部材（多層プリント配線板の内層の構成部材）を所定箇所において溶着する溶着機として、被溶着部材を両面から挟むように加圧及び加熱して溶着する第１溶着ビット１１ａ及び第２溶着ビット１１ｂを備える。 - 特許庁

The hardness after curing a first adhesive 11 for adhering an acoustic matching layer 14 and a case 12 to each other is selected differently from the hardness after curing a second adhesive 13 for adhering the case 12 and a piezoelectric body 16 to each other so as to prevent deterioration in the adhesion under an operating environment.例文帳に追加

音響整合層１４とケース１２を接続する第１接着剤１１およびケース１２と圧電体１６を接続させる第２接着剤１３で硬化後の硬度をそれぞれ変えることにより、使用環境における接続の劣化を防止することができる。 - 特許庁

Since the capacitance insulating film comprises the laminate film consisting of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers having a great barrier height, and the hafnium oxide film 103 of the second layer having a great dielectric constant, it is possible to materialize the capacitor having a small leakage current and a large capacitance.例文帳に追加

容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４と、誘電率の大きな第２層のハフニウム酸化膜１０３との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 - 特許庁

The electronic part 1 has a lower conductor 21 (a first conductor) formed on the planarizing layer 52 of a substrate 51, a dielectric film 31 formed on the lower conductor 21, and an upper conductor (a second conductor) 23 which is formed on the dielectric film 31 and is thinner than the lower conductor 21.例文帳に追加

電子部品１は、基板５１の平坦化層５２上に形成された下部導体（第１導体）２１と、下部導体２１上に形成された誘電体膜３１と、誘電体膜３１上に形成されて下部導体２１より薄い上部導体（第２導体）２３とを有している。 - 特許庁

Superimposed waveform data obtained by highly hold-recording characteristic information at a magnetic printing track 3 on a layer recording rewriting information (money information) at a first magnetic recording truck 2 and superimposing the two pieces of information one on another are read to obtain characteristic extracting information to record this at a second magnetic recording track 4.例文帳に追加

書替え情報（金銭情報）を第１の磁気記録トラック（２）に記録した層の上に、固有情報を磁気印刷トラック（３）に高保持記録し、二つを重畳した重畳波形データを読出して、特徴抽出情報を求めて、これを第２の磁気記録トラック（４）に記録する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁

The scanning side driving circuit section of the active matrix substrate 2 is provided with the first circuit forming region existing on the outer peripheral side of the substrate, the second circuit forming region existing between the region and a pixel section 11, and a wiring layer forming region existing between the circuit forming regions.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１において、走査線駆動回路部は、基板外周側に位置する第１の回路形成領域と、この領域と画素部１１との間に位置する第２の回路形成領域と、これらの回路形成領域との間に位置する配線層形成領域とを備える。 - 特許庁

A bump electrode 30 made of metal body with a low fusing point for jointing a first component 10 and a second component 20; and a protective layer 40 formed on at least the side face of the bump electrode 30 for preventing transmission of substance which degrades the behavior of the bump electrode.例文帳に追加

低融点の金属単体によって形成され、第１の部品１０と第２の部品２０とを接合するバンプ電極３０と、バンプ電極３０の少なくとも側面に形成され、バンプ電極の特性を劣化させる物質の透過を防止する保護層４０とを有する。 - 特許庁

A clearance hole with a diameter D is formed in the first electrode, a via hole having a diameter d smaller than the diameter D is concentrically formed in a region of the dielectric layer exposed as a result of the formation of the clearance hole, and a clearance defined by (D-d)/2 is ≥25 μm.例文帳に追加

第一の電極に直径Ｄのクリアランスホールが形成され、かつクリアランスホールの形成により露出した誘電体層の領域内に直径Ｄよりも小さい直径ｄを有するビアホールが同心円状に形成されており、（Ｄ−ｄ）／２で規定されるクリアランスが２５μｍ以上である。 - 特許庁

On a first dielectric substrate 2, a signal conductor pattern 21, and belt-like surface ground conductor patterns 22a, 22b are formed on the surface, and a cavity 5 is formed by eliminating an interval to the rear surface leaving the surface side layer right under a partial area of the signal conductor pattern 21.例文帳に追加

第１の誘電体基板２は、表面に信号導体パターン２１と帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂとが形成され、信号導体パターン２１の一部領域の直下に、表面側層を残して裏面までの間を削除して空洞５が形成されている。 - 特許庁

In both surfaces of the solid polymer electrolyte membrane 80 of the first electrolyte membrane and electrode structure 16a, an outer peripheral edge part 80b opposite to an inlet buffer part 52 is exposed outside, and a reinforcing film 86 smaller in thickness than a gas diffusion layer 84a is provided only in the outer peripheral edge part 80b.例文帳に追加

第１電解質膜・電極構造体１６ａの固体高分子電解質膜８０の両面では、入口バッファ部５２に対向する外周縁部８０ｂが外部に露呈し、前記外周縁部８０ｂにのみ、ガス拡散層８４ａよりも薄膜な補強フイルム８６が設けられる。 - 特許庁

Second low electrical potential wiring conductors 39 arranged mutually separated along the arranged direction of the heating parts 11 are connected in common to one first low electrical potential wiring conductor 33 by a plurality of conductive connectors 43 piercing an electrically insulating layer 23.例文帳に追加

発熱部１１の配列方向に沿って互いに離間して配列された複数の第２層低電位配線導体３９が、電気絶縁層２３を貫通する複数の導電接続体４３によって１つの第１層低電位配線導体３３に共通して接続されている。 - 特許庁

The plurality of relay connection bodies 51 are arranged between the first base body 11 and the second base body 21, in contact with the plurality of current-collecting electrodes 41 and a translucent conductive layer 14, so as to electrically connect the both 41, 14.例文帳に追加

複数の中継接続体５１は、第１基体１１及び第２基体２１間に配置され、複数の集電電極４１及び透光性導電層１４に対して接触することで、複数の集電電極４１と透光性導電層１４とを導通させる。 - 特許庁

A first current collecting part 103 of a current collector 102 is composed of a plane part 105 of the current collector 102, a side 105a of the current collector, and an outside electrode layer 92 of a cell unit 16 of the fuel cell, and includes a space 107 in which a conductive adhesive is arranged.例文帳に追加

本発明では、集電体１０２の第１の集電部１０３は、集電体１０２の平面部１０５と、集電体の側面部１０５ａと、燃料電池セルユニット１６の外側電極層９２とで形成され、導電性接着剤が配置される空間部１０７を備えられている。 - 特許庁

The seal material is provided so as to pile on a recessed part (200) formed so as to surround a region in which the electro-optical layer is provided at a plane facing the second substrate in the first substrate, and the recessed part is formed by at least non-organic insulating film being removed partially.例文帳に追加

シール材は、第１基板における第２基板と対向する面に電気光学層が設けられた領域を囲むように形成された凹部（２００）に重なるように設けられており、凹部は、少なくとも無機絶縁膜が部分的に除去されることにより形成されている。 - 特許庁

The thin film transistor (30) has on a substrate (10) a semiconductor layer (1a) having a source region (1s), a channel region (1c), a drain region (1d), a first LDD region (1sc), and a second LDD region (1cd), and a gate electrode (2a) arranged so as to face the channel region.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（３０）は、基板（１０）上に、ソース領域（１ｓ）、チャネル領域（１ｃ）、ドレイン領域（１ｄ）、第１ＬＤＤ領域（１ｓｃ）及び第２ＬＤＤ領域（１ｃｄ）を有する半導体層（１ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（２ａ）とを備える。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

Among the incident light, the light reflecting on an upper surface of a gate electrode 504 of the transfer MOS transistor, is reflected on a first layer metal 521 right above a poly silicon, and a plurality times of reflection are repeated before coming into the floating diffusion part, thereby, the light reduces sufficiently, and a false signal becomes very small.例文帳に追加

入射光のうち、転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極５０４上面で反射した光は、ポリシリコン直上の第一層メタル５２１で反射されるので、フローティングディフュージョン部に入射する前に複数回の反射を繰り返すので、充分に減衰し、偽信号はきわめて小さくなる。 - 特許庁

The housing 16 has a first inserting opening 20 for passing a wire rod 18 through to cut the wire rod, a second inserting opening 24 for passing the wire rod through to remove its peripheral sheath 22, and a third inserting opening 28 for passing the wire rod through to strip off its luminous layer 26.例文帳に追加

ハウジング１６は線材１８を切断するために線材を通す第１の挿入口２０と、外周被覆２２を除去するために線材を通す第２の挿入口２４と、発光層２６を剥ぎ取るために線材を通す第３の挿入口２８とを有している。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a fin-shape active region 12, a first gate insulating film 13t for covering the top surface of the active region, and a second gate insulating film 13s for covering the side of the active layer.例文帳に追加

フィン状の活性領域１２と、活性領域の上面を覆う第１ゲート絶縁膜１３ｔと、活性領域の側面を覆う第２ゲート絶縁膜１３ｓとを備え、第１ゲート絶縁膜１３ｔの膜厚が第２ゲート絶縁膜１３ｓの膜厚よりも厚く構成される。 - 特許庁

A vacuum deposition device is equipped with a wafer support substrate, a lamp heater, and a first and a second evaporation source that are all installed in the same vacuum device, and three processes of forming the barrier metal layer of the Schottky barrier diode, carrying out an annealing process, and forming a surface electrode are continuously carried out in the same vacuum device.例文帳に追加

同一真空装置内にウェハ支持基板、ランプヒーター、第１および第２の蒸発源を設置した真空蒸着装置を用い、ショットキーバリアダイオードのバリアメタル層形成、アニール処理、表面電極形成の３工程を同一真空装置内で連続して行う。 - 特許庁

In an illumination structure, a side to be illuminated of a light emission device 10 has a double layer structure comprising a first housing case 20 and a second housing case 30, and an EL sheet 40 is laminated between both the cases on a surface on a design side of the second housing case 30.例文帳に追加

本発明の照光構造は、発光装置１０の照光させたい側を第一筐体ケース２０と第二筐体ケース３０の二層構造とし、ＥＬシート４０を両ケースの間であり第二筐体ケース３０の意匠側表面に積層する構造を特徴とする。 - 特許庁

An upper stage (first supporting body) 101a and a lower stage (second supporting body) 101b are formed on the surface of a substrate 101, and a catalyst metal layer 111 which is made of a catalyst metal such as iron or cobalt, etc. and of which thickness is around 0.06-0.5 nm is formed in the upper stage 101a.例文帳に追加

基板１０１の表面には、上段部（第１支持体）１０１ａと下段部（第２支持体）１０１ｂが形成され、上段部１０１ａには、例えば鉄やコバルトなどの触媒金属からなる膜厚０．０６〜０．５ｎｍ程度の触媒金属層１１１が形成されている。 - 特許庁

A first interior panel 21 and a second interior panel 22 include: panel bodies 23 and 33 that have the light transmission of the grain pattern etc., and are provided with an opaque colored layer that can be visually checked from the surface; and an inorganic EL light emission film that is integrated with the back side of the panel bodies 23 and 33.例文帳に追加

第１インテリアパネル21および第２インテリアパネル22は、木目柄などの光透過性を有するとともに不透明の着色層を表面から視認可能に設けたパネル本体23，33と、これらのパネル本体23，33の裏面に一体化した無機ＥＬ発光フィルムとを具備している。 - 特許庁

The optical film comprises at least a support and a first functional layer which is laminated on the support and contains a hydrophobic compound and an additive, wherein following numerical formulas (1) to (4) are satisfied and the moisture permeability at 60°C, 95% relative humidity is 600 g/m^2×day or less.例文帳に追加

支持体と、該支持体上に積層され、疎水性化合物と添加剤とを含む第１の機能性層とを少なくとも有し、下記数式（１）〜（４）を満たし、かつ６０℃、９５％相対湿度での透湿度が、６００ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下であることを特徴とする光学フィルム等である。 - 特許庁

This protective clothing has a laminated body (first sheet 14 composed of woven fabric of PBO fiber and second sheet 16 made out of polyarylate felt) made out of the fiber of high strength and having tensile strength of 17cN/dtex or more and tensile elastic modulus of 450 cN/dtex or more, and a metallic mesh layer 22 formed between the sheets 14, 16.例文帳に追加

防護衣は、引張強度が１７ｃＮ／ｄｔｅｘ以上、引張弾性率が４５０ｃＮ／ｄｔｅｘ以上である高強度繊維の積層体（ＰＢＯ繊維の織物からなる第１のシート１４およびポリアリレートフェルトの第２のシート１６）と、シート１４、１６の間に介在する金属メッシュ層２２とを有する。 - 特許庁

The particles for an antiglare film have an average particle diameter of 0.8-10 μm and comprise (a) a core particle comprising a first polymer and (b) a shell layer comprising a second polymer, coating at least part of the surface of the core particle (a) and having a thickness of 0.1-2.0 μm.例文帳に追加

第一の重合体からなる（ａ）コア粒子と、前記（ａ）コア粒子の表面の少なくとも一部を被覆し、その厚みが０．１〜２．０μｍの範囲である、第二の重合体からなる（ｂ）シェル層と、を備え、その平均粒子径が、０．８〜１０μｍであるアンチグレアフィルム用粒子。 - 特許庁

The electrode system comprises a first part 25 made of a metal film 31 whose thickness is 1,000Å or less; and a second part 26 having a metal foundation film 27 whose thickness is 1,000 Å or less and a metal upper layer film 28 whose thickness is at least 300 Å on the metal foundation film.例文帳に追加

電極系が、厚さ１０００オングストローム以下の金属膜３１からなる第一の部分２５と、厚さ１０００オングストローム以下の金属下地膜２７およびこの金属下地膜上の厚さ３００オングストローム以上の金属上層膜２８を備える第二の部分２６とを含む。 - 特許庁

The ultrasonic probe includes a plurality of ultrasonic transducers, a flexible printed wiring board including a plurality of first wiring portions, on the upper surface of a base member, each of which has a width smaller than the width of each ultrasonic transducer in the array direction, and a lining layer provided on the second surface of the base member.例文帳に追加

複数の超音波振動子と、ベース材の上面に各超音波振動子の配列方向幅よりも狭い幅を有する複数の第１の配線部を有するフレキシブル印刷配線基板と、ベース材の第２の面に設けられる裏打ち層と、を具備する超音波プローブである。 - 特許庁

An input and output port of a processing module PM, respective memory interfaces IF and respective memory banks are connected by connection wires wired in matrix (lattice) shape along a Y-direction (the first direction) and an X-direction (the second direction) in an arrangement area (upper layer thereof) for a plurality of memory macros.例文帳に追加

処理モジュールＰＭの入出力ポートと、各メモリインタフェースＩＦと、各メモリバンクとは、複数のメモリマクロの配置領域（の上層）にＹ方向（第１方向）およびＸ方向（第２方向）にマトリクス状（格子状）に配線された接続配線により接続されている。 - 特許庁

In this manufacturing method of a semiconductor device, another silicon oxide film 14 is formed on a second transistor 12, and a silicon oxide film 18 of a predetermined thickness is formed on the second transistor 12 in a prior stage of a process of forming a stress imparting layer 16 covering a first transistors 11, the second transistor 12 and a gate structure 13.例文帳に追加

第一のトランジスタ１１、第二のトランジスタ１２、ゲート構造１３を被覆する応力付与層１６を設ける工程の前段で、第二のトランジスタ１２上に他のシリコン酸化膜１４を形成し第二のトランジスタ１２上に所定の厚みのシリコン酸化膜１８を形成する。 - 特許庁

The charge coupled device 150 is provided with gates (V1, V2, V3, V4), consisting of 3 phases and more separated from a second conductivity type of well 170 or a first conductivity type of buried channel 160 in a substrate 180 by an insulating layer 60, and a clock driver to transfer a charge through the charge coupled device 150.例文帳に追加

電荷結合素子１５０は、絶縁層６０によって、第２導電型のウェル１７０または基板１８０内の第１導電型の埋込みチャンネル１６０から分離された３相以上の相から成るゲート（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４）と、電荷結合素子１５０から電荷を転送させるクロックドライバとを備える。 - 特許庁

A first information signal is read by detecting the presence or the absence of a pit 6, and a second information signal is read by detecting the depth or the height of the pit 6, based on the presence or the absence of reflected light flux of the light flux obliquely incident on a signal recording layer 2.例文帳に追加

第１の情報信号がピット６の有無の検出によって読出され、第２の情報信号が傾斜して入射された光束の信号記録層２からの反射光束の有無によるピット６の深さまたは高さの検出によって読出されるようにする。 - 特許庁

The scanning line (806) is covered with a shielding electrode (816) through an insulator and the storage capacity part (817) is constituted of the planar overlapping of a semiconductor layer becoming the source and the drain of the transistor, a first insulation film (805) becoming a gate insulation film and the shielding electrode (816).例文帳に追加

走査線（８０６）は、絶縁体を介してシールド電極（８１６）で覆われており、保持容量部（８１７）は、前記トランジスタのソース・ドレインとなる半導体層と、ゲート絶縁膜となる第1絶縁膜（８０５）と、前記シールド電極（８１６）とが平面的な重なりにより構成されてなる。 - 特許庁

The light-emitting part is provided above the first semiconductor layer and includes a plurality of barrier layers and well layers that are provided between the adjacent plurality of barrier layers, have a smaller band gap energy than that of the plurality of barrier layers, and have a thickness thicker than that of the plurality of barrier layers.例文帳に追加

前記発光部は、前記第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層どうしの間に設けられ、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、前記複数の障壁層の厚さよりも厚い井戸層と、を含む。 - 特許庁

By the use of a load locked type sputtering device with a front chamber and a film-forming chamber, with niobium as the target in the formation of the first superconductive material and with magnesium oxide as the target in the formation of the second dielectric layer, the above formations can be continuously laminated under the same vacuum.例文帳に追加

前室と成膜室とを備えるロードロック式スパッタリング装置を用い、第一超伝導体層の形成にはニオブをターゲットとし、引き続き、第二誘電体層の形成には酸化マグネシウムをターゲットとして、同一真空下で連続的に成層するようにしてもよい。 - 特許庁

High temperature thermal crimping in a cover film pasting process and a reinforcement plate sticking process is made possible by treating an anisotropic conductive adhesive layer forming process in the first connecting part as a later process than other processes, and reliability of a second connecting part is enhanced by using a heat resistant material.例文帳に追加

第１接続部における異方導電性接着剤層形成工程を他の工程より後工程とすることにより、カバーフィルム貼り合わせ工程及び補強板接着工程での高温加熱圧着を可能とし、耐熱性材料を用いることにより、第２接続部の信頼性を高める。 - 特許庁

The laminated piezo-electric element has a ceramic laminated body 10 where a piezo-electric layer 11 and inside electrodes 21, 22 are laminated alternately and where a first side electrode 31 and a second side electrode 32 are located on the sides 101, 102 of the ceramic laminated body 10.例文帳に追加

積層型圧電体素子１は、圧電層１１と内部電極２１、２２とを交互に積層してなるセラミック積層体１０を有し、セラミック積層体１０の側面１０１、１０２に第１側面電極３１及び第２側面電極３２を設けた積層型圧電体素子である。 - 特許庁

The delivery slip D includes a second half cut part 8 cut from a separator 5 toward the layer of an adhesive 4 so that when the separator 5 is peeled, a part of the separator 5 is left as a reinforcing part R below a first half cut part 7.例文帳に追加

配送伝票Ｄは、セパレータ５から粘着剤４の層に向けて切り込み形成されるとともに、当該セパレータ５を剥離したときに、第１のハーフカット部７の下方に補強部Ｒとして当該セパレータ５の一部が残るようにする第２のハーフカット部８、を備えるものとする。 - 特許庁

Subsequently, an insulating material 12 is deposited on the substrate 1 to cover the laminate and the conductive material 11 is polished together with the insulating material 12 thus forming first and second electrode parts 2 and 3 and an insulator layer 4 having flattened upper surface on the substrate 1.例文帳に追加

次いで、この積層体を覆うように基板１上に絶縁材料１２を成膜した後、導体材料１１と絶縁材料１２を研磨することにより、基板１上に上面が平坦化された第１および第２の電極部２，３と絶縁体層４を形成する。 - 特許庁

Then, after a contact pad 54 is formed, a protective film 30 is formed, which is composed of a first resin film 30a formed only in the tip of the pole chip 18 and around it, a metal film 30b formed on the full surface of the element layer 16, and a second resin film 30c formed on the metal film 30b.例文帳に追加

次に、接触パッド５４を形成した後、ポールチップ１８先端及びその周囲にのみ形成された第１樹脂膜３０ａと、素子層１６全面に形成された金属膜３０ｂと、金属膜３０ｂの上に形成された第２樹脂膜３０ｃからなる保護膜３０を形成する。 - 特許庁

On a second interlayer insulating film 30, a wiring layer 33 is formed, which has a first wire 33a to be connected to the control gate electrode 24 and a second wire 33b to be connected to the intermediate electrode 22 of the ferroelectrics FET and is connected to the gate electrode 14 of the CMOS.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３０の上に、制御ゲート電極２４に接続される第１の配線３３ａと、強誘電体ＦＥＴの中間電極２２に接続される第２の配線３３ｂとを有し、ＣＭＯＳのゲート電極１４に接続される配線層３３を形成する。 - 特許庁